一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法.pdf

上传人:小** 文档编号:392187 上传时间:2018-02-13 格式:PDF 页数:7 大小:1.07MB
返回 下载 相关 举报
摘要
申请专利号:

CN201010508884.3

申请日:

2010.10.15

公开号:

CN101962805A

公开日:

2011.02.02

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 29/14申请日:20101015授权公告日:20120425终止日期:20141015|||授权|||实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/14申请日:20101015|||公开

IPC分类号:

C30B29/14; C30B30/02; C25D9/04

主分类号:

C30B29/14

申请人:

浙江大学

发明人:

刘润; 王辉; 陈科立; 徐铸德

地址:

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

优先权:

专利代理机构:

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人:

张法高

PDF下载: PDF下载
内容摘要

本发明公开了一种采用电沉积制备磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法。包括如下步骤:1)用丙酮清洗ITO导电玻璃2~3次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10~30分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10%的硝酸溶液中活化10~30秒,最后用去离子水清洗,待用;2)0.005~0.5mol/L乙二胺四乙酸二钠与镧离子的配合物溶液中,加入磷酸钠溶液,调节pH值为4~6,得到电解液,待用;3)以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为1.2V~1.8V,得到磷酸镧薄膜。本发明的优势在于设备简单,成本低,常压低温。除了适合于科学研究外,有望实现大规模工业化生产。

权利要求书

1: 一种采用电沉积制备磷酸镧薄膜的方法, 其特征在于包括如下步骤 : 1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 ~ 3 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗器 里清洗 10 ~ 30 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 10 ~ 30 秒, 最后用去离子水清洗, 待用 ; 2)0.005 ~ 0.5 摩尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中, 加入 0.01 ~ 1 摩尔 / 升的磷酸镧溶液, 调节溶液 pH 值为 4 ~ 6, 得到电解液, 待用 ; 3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电极体 系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.2V ~ 1.8V, 沉积温度 为 30 ~ 80℃, 得到磷酸镧薄膜。
2: 一种采用电沉积制备稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法, 其特征在于包括如下步骤 : 1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 ~ 3 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗器 里清洗 10 ~ 30 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 10 ~ 30 秒, 最后用去离子水清洗, 待用 ; 2)0.005 ~ 0.5 摩尔 / 升的硝酸镧溶液中加入 0.0001 ~ 0.1 摩尔 / 升的硝酸铕, 加入 0.0051 ~ 0.6 摩尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠, 形成配合物溶液, 加入 0.01 ~ 1.2 摩尔 / 升 的磷酸钠溶液, 调节溶液 pH 值为 4 ~ 6, 得到电解液, 待用 ; 3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电极体 系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.2V ~ 1.8V, 沉积温度 为 30 ~ 80℃, 得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。

说明书


一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法

    技术领域 本发明涉及薄膜的制备, 尤其涉及一种采用电化学沉积法制备磷酸镧或稀土掺杂 磷酸镧薄膜的方法。
     背景技术 稀土掺杂镧系磷酸盐应用广泛, 可用于光学显示板、 阴极射线管、 光电装置等。磷 酸镧无荧光发射、 熔点高、 光子产率高, 是稀土掺杂的优良基质, 属于单斜晶系或六方晶系。
     到目前为止, 已经发展了一些磷酸镧和稀土掺杂磷酸镧晶体的制备方法, 如水热 法、 溶胶 - 凝胶法、 声化学法、 化学沉淀法、 微乳液法等。然而, 这些方法要求高温, 高真空, 复杂的设备和严格的实验程序, 极大地阻碍了它们的普遍应用。 此发明中, 采用电化学沉积 法制备了具有一定形貌的磷酸镧和稀土掺杂磷酸镧薄膜, 设备简单、 操作方便、 低温常压下 即可进行。
     发明内容
     本发明的目的是克服现有技术的不足, 提供一种简便高效的采用电沉积法制备磷 酸镧薄膜或稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法。
     采用电沉积法制备磷酸镧薄膜的方法包括如下步骤 :
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 ~ 3 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波 清洗器里清洗 10 ~ 30 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活 化 10 ~ 30 秒, 最后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.005 ~ 0.5 摩 尔 / 升 的 乙 二 胺 四 乙 酸 二 钠 与 镧 离 子 配 合 物 溶 液 中, 加入 0.01 ~ 1 摩尔 / 升磷酸钠, 调节溶液的 pH 值为 4 ~ 6, 得到电解液, 待用 ;
     3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.2V ~ 1.8V, 沉积 温度为 30 ~ 80℃, 得到磷酸镧薄膜。
     采用电沉积法制备稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法包括如下步骤 :
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 ~ 3 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波 清洗器里清洗 10 ~ 30 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活 化 10 ~ 30 秒, 最后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.005 ~ 0.5 摩尔 / 升的硝酸镧溶液中加入 0.0001 ~ 0.1 摩尔 / 升的硝酸铕, 加入 0.0051 ~ 0.6 摩尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠, 形成配合物溶液, 再加入 0.01 ~ 1 摩尔 / 升的磷酸钠溶液, 调节溶液 pH 值为 4 ~ 6, 得到电解液, 待用 ;
     3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.2V ~ 1.8V, 沉积 温度为 30 ~ 80℃, 得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。
     本发明具有设备简单、 成本低、 沉积速率快、 材料生长温度低、 可以在常温常压下操作的特点, 有望进行工业化生产。电沉积法制备的磷酸镧薄膜均匀, 形貌为纳米棒, 较高 温度下结晶性好。 稀土元素铕均匀地掺杂于磷酸镧薄膜, 具有强的荧光发射峰, 可作为激光 材料和荧光标记材料。 附图说明
     图 1 是磷酸镧薄膜的场发射扫描电镜图 ;
     图 2 是磷酸镧薄膜的 X 射线衍射图 ;
     图 3 是掺铕磷酸镧薄膜的荧光发射光谱图。 具体实施方式
     实施例 1
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗 器里清洗 10 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 10 秒, 最 后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.005 摩尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中, 加入 0.01 摩尔 / 升磷酸钠溶液, 调节溶液的 pH 值为 4, 得到电解液, 待用 ; 3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.2V, 沉积温度为 30℃, 得到磷酸镧薄膜。
     实施例 2
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 3 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗 器里清洗 30 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 30 秒, 最 后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.5 摩尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中, 加入 1 摩尔 / 升磷酸 钠溶液, 调节溶液的 pH 值为 6, 得到电解液, 待用 ;
     3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.8V, 沉积温度为 80℃, 得到磷酸镧薄膜。
     实施例 3
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗 器里清洗 15 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 15 秒, 最 后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.01 摩尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中, 加入 0.02 摩尔 / 升 溶液, 调节溶液的 pH 值为 6, 得到电解液, 待用 ;
     3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.6V, 沉积温度为 50℃, 得到磷酸镧薄膜。
     经场发射扫描电镜 (FE-SEM) 和 X 射线衍射 (XRD) 等, 对电沉积在 ITO 导电玻璃上 的磷酸镧薄膜的结构进行表征。扫描电镜图 1 表明磷酸镧薄膜均匀致密, 呈纳米棒状 ; X射
     线衍射图 2 表明磷酸镧为六方晶系。
     实施例 4
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗 器里清洗 10 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 10 秒, 最 后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.005 摩尔 / 升的硝酸镧溶液中加入 0.0001 摩尔 / 升的硝酸铕, 加入 0.0051 摩 尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠, 形成配合物溶液, 加入 0.01 摩尔 / 升磷酸钠溶液, 调节溶液 pH 值为 4, 得到电解液, 待用 ;
     3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.2V, 沉积温度为 30℃, 得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。
     实施例 5
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 3 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗 器里清洗 30 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 30 秒, 最 后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.5 摩尔 / 升的硝酸镧溶液中加入 0.1 摩尔 / 升的硝酸铕, 加入 0.6 摩尔 / 升 的乙二胺四乙酸二钠, 形成配合物溶液, 加入 1.2 摩尔 / 升的磷酸钠溶液, 调节溶液 pH 值为 6, 得到电解液, 待用 ;
     3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.8V, 沉积温度为 80℃, 得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。
     实施例 6
     1) 用丙酮清洗 ITO 导电玻璃 2 次, 再用去离子水将 ITO 导电玻璃放在超声波清洗 器里清洗 15 分钟, 接着将 ITO 导电玻璃放在体积百分比为 10%的硝酸溶液中活化 15 秒, 最 后用去离子水清洗, 待用 ;
     2)0.01 摩尔 / 升的硝酸镧溶液中加入 0.001 摩尔 / 升的硝酸铕, 加入 0.011 摩尔 / 升的乙二胺四乙酸二钠, 形成配合物溶液, 加入 0.02 摩尔 / 升磷酸钠溶液, 调节溶液 pH 值 为 6, 得到电解液, 待用 ;
     3) 以 ITO 导电玻璃为工作电极, 铂电极为对电极, 甘汞电极为参比电极组成三电 极体系, 置于电解液中进行电沉积, 相对于甘汞电极的阳极沉积电位为 1.8V, 沉积温度为 50℃, 得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。
     经荧光发射光谱 (PL), 对电沉积在 ITO 导电玻璃上的稀土掺杂磷酸镧薄膜进行表 征。图 3 为掺铕磷酸镧薄膜的荧光发射光谱, 显示铕的特征发射峰, 激发波长为 397nm。

一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法.pdf_第1页
第1页 / 共7页
一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法.pdf_第2页
第2页 / 共7页
一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法.pdf_第3页
第3页 / 共7页
点击查看更多>>
资源描述

《一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法.pdf(7页珍藏版)》请在专利查询网上搜索。

1、10申请公布号CN101962805A43申请公布日20110202CN101962805ACN101962805A21申请号201010508884322申请日20101015C30B29/14200601C30B30/02200601C25D9/0420060171申请人浙江大学地址310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号72发明人刘润王辉陈科立徐铸德74专利代理机构杭州求是专利事务所有限公司33200代理人张法高54发明名称一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法57摘要本发明公开了一种采用电沉积制备磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法。包括如下步骤1用丙酮清洗ITO导电玻璃23次,。

2、再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗1030分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化1030秒,最后用去离子水清洗,待用;2000505MOL/L乙二胺四乙酸二钠与镧离子的配合物溶液中,加入磷酸钠溶液,调节PH值为46,得到电解液,待用;3以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为12V18V,得到磷酸镧薄膜。本发明的优势在于设备简单,成本低,常压低温。除了适合于科学研究外,有望实现大规模工业化生产。51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3。

3、页附图2页CN101962806A1/1页21一种采用电沉积制备磷酸镧薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤1用丙酮清洗ITO导电玻璃23次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗1030分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化1030秒,最后用去离子水清洗,待用;2000505摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中,加入0011摩尔/升的磷酸镧溶液,调节溶液PH值为46,得到电解液,待用;3以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为12V18V,沉积温度为3080,。

4、得到磷酸镧薄膜。2一种采用电沉积制备稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤1用丙酮清洗ITO导电玻璃23次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗1030分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化1030秒,最后用去离子水清洗,待用;2000505摩尔/升的硝酸镧溶液中加入0000101摩尔/升的硝酸铕,加入0005106摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠,形成配合物溶液,加入00112摩尔/升的磷酸钠溶液,调节溶液PH值为46,得到电解液,待用;3以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞。

5、电极的阳极沉积电位为12V18V,沉积温度为3080,得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。权利要求书CN101962805ACN101962806A1/3页3一种磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的电化学制备方法技术领域0001本发明涉及薄膜的制备,尤其涉及一种采用电化学沉积法制备磷酸镧或稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法。背景技术0002稀土掺杂镧系磷酸盐应用广泛,可用于光学显示板、阴极射线管、光电装置等。磷酸镧无荧光发射、熔点高、光子产率高,是稀土掺杂的优良基质,属于单斜晶系或六方晶系。0003到目前为止,已经发展了一些磷酸镧和稀土掺杂磷酸镧晶体的制备方法,如水热法、溶胶凝胶法、声化学法、化学沉淀法、微乳液法等。然而。

6、,这些方法要求高温,高真空,复杂的设备和严格的实验程序,极大地阻碍了它们的普遍应用。此发明中,采用电化学沉积法制备了具有一定形貌的磷酸镧和稀土掺杂磷酸镧薄膜,设备简单、操作方便、低温常压下即可进行。发明内容0004本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种简便高效的采用电沉积法制备磷酸镧薄膜或稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法。0005采用电沉积法制备磷酸镧薄膜的方法包括如下步骤00061用丙酮清洗ITO导电玻璃23次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗1030分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化1030秒,最后用去离子水清洗,待用;00072000505摩尔/。

7、升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中,加入0011摩尔/升磷酸钠,调节溶液的PH值为46,得到电解液,待用;00083以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为12V18V,沉积温度为3080,得到磷酸镧薄膜。0009采用电沉积法制备稀土掺杂磷酸镧薄膜的方法包括如下步骤00101用丙酮清洗ITO导电玻璃23次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗1030分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化1030秒,最后用去离子水清洗,待用;00112000505摩尔/升的硝酸。

8、镧溶液中加入0000101摩尔/升的硝酸铕,加入0005106摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠,形成配合物溶液,再加入0011摩尔/升的磷酸钠溶液,调节溶液PH值为46,得到电解液,待用;00123以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为12V18V,沉积温度为3080,得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。0013本发明具有设备简单、成本低、沉积速率快、材料生长温度低、可以在常温常压下说明书CN101962805ACN101962806A2/3页4操作的特点,有望进行工业化生产。电沉积法制备的磷酸镧薄膜均匀,形貌为纳米。

9、棒,较高温度下结晶性好。稀土元素铕均匀地掺杂于磷酸镧薄膜,具有强的荧光发射峰,可作为激光材料和荧光标记材料。附图说明0014图1是磷酸镧薄膜的场发射扫描电镜图;0015图2是磷酸镧薄膜的X射线衍射图;0016图3是掺铕磷酸镧薄膜的荧光发射光谱图。具体实施方式0017实施例100181用丙酮清洗ITO导电玻璃2次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化10秒,最后用去离子水清洗,待用;001920005摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中,加入001摩尔/升磷酸钠溶液,调节溶液的PH值为4,得到电解液,待用;。

10、00203以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为12V,沉积温度为30,得到磷酸镧薄膜。0021实施例200221用丙酮清洗ITO导电玻璃3次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗30分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化30秒,最后用去离子水清洗,待用;0023205摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中,加入1摩尔/升磷酸钠溶液,调节溶液的PH值为6,得到电解液,待用;00243以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体。

11、系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为18V,沉积温度为80,得到磷酸镧薄膜。0025实施例300261用丙酮清洗ITO导电玻璃2次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗15分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化15秒,最后用去离子水清洗,待用;00272001摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠与镧离子配合物溶液中,加入002摩尔/升溶液,调节溶液的PH值为6,得到电解液,待用;00283以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为16V,沉积温度为50,得。

12、到磷酸镧薄膜。0029经场发射扫描电镜FESEM和X射线衍射XRD等,对电沉积在ITO导电玻璃上的磷酸镧薄膜的结构进行表征。扫描电镜图1表明磷酸镧薄膜均匀致密,呈纳米棒状;X射说明书CN101962805ACN101962806A3/3页5线衍射图2表明磷酸镧为六方晶系。0030实施例400311用丙酮清洗ITO导电玻璃2次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗10分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化10秒,最后用去离子水清洗,待用;003220005摩尔/升的硝酸镧溶液中加入00001摩尔/升的硝酸铕,加入00051摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠,形成配合。

13、物溶液,加入001摩尔/升磷酸钠溶液,调节溶液PH值为4,得到电解液,待用;00333以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为12V,沉积温度为30,得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。0034实施例500351用丙酮清洗ITO导电玻璃3次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗30分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化30秒,最后用去离子水清洗,待用;0036205摩尔/升的硝酸镧溶液中加入01摩尔/升的硝酸铕,加入06摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠,形成配合物溶液,加入12摩尔。

14、/升的磷酸钠溶液,调节溶液PH值为6,得到电解液,待用;00373以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为18V,沉积温度为80,得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。0038实施例600391用丙酮清洗ITO导电玻璃2次,再用去离子水将ITO导电玻璃放在超声波清洗器里清洗15分钟,接着将ITO导电玻璃放在体积百分比为10的硝酸溶液中活化15秒,最后用去离子水清洗,待用;00402001摩尔/升的硝酸镧溶液中加入0001摩尔/升的硝酸铕,加入0011摩尔/升的乙二胺四乙酸二钠,形成配合物溶液,加入002摩尔/升磷酸钠溶液,调节溶液PH值为6,得到电解液,待用;00413以ITO导电玻璃为工作电极,铂电极为对电极,甘汞电极为参比电极组成三电极体系,置于电解液中进行电沉积,相对于甘汞电极的阳极沉积电位为18V,沉积温度为50,得到稀土掺杂的磷酸镧薄膜。0042经荧光发射光谱PL,对电沉积在ITO导电玻璃上的稀土掺杂磷酸镧薄膜进行表征。图3为掺铕磷酸镧薄膜的荧光发射光谱,显示铕的特征发射峰,激发波长为397NM。说明书CN101962805ACN101962806A1/2页6图1图2说明书附图CN101962805ACN101962806A2/2页7图3说明书附图CN101962805A。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 化学;冶金 > 晶体生长〔3〕


copyright@ 2017-2020 zhuanlichaxun.net网站版权所有
经营许可证编号:粤ICP备2021068784号-1