软磁盘机的半导体集成电路 本发明涉及一种软磁盘机(FDD)的半导体集成电路，它在FDD中，对于信息记录媒体的磁盘，对流经实施数据读出、写入和擦除的磁头的电流进行控制，对经磁头从磁盘读出的数据实施重放。
图3是FDD的半导体集成电路的方框图。该图中1是数据重放电路，对于图中未示的作为信息记录媒体的磁盘，所述数据重放电路对由磁头部100读出的数据(以下表示为读出数据)进行所设定的处理，并实施重放。所述磁头部100由两个磁头组成：对数据实施磁气读出及写入的读写磁头，以及对数据实施磁气擦除的擦除磁头。所述数据重放电路由为提高读出数据的输出特性而设置的前置放大器11，设于前置放大器后段的微分器12，以及由微分器12的输出生成重放数据波形的TDF(Time Domain Filter)13构成。
2是将数据重放电路1的输出(以下表示为重放数据)向外部实施输出的数据输出器件。3是写入与消除电路，它分别控制数据写入时流经磁头部100地读写磁头的电流，和对数据擦除时流经磁头部100的擦除磁头的电流。
4是控制器，它分别对数据重放电路1的前置放大器11和微分器12给予控制信号Pre.Cont，对数据输出电路2给予控制信号RDEN，对写入与擦除电路3给予两个控制信号XEG和XDEG，从而控制对上述各电路的操作状态。
在数据重放电路1中，当控制信号Pre.Cont为ON时，前置放大器11和微分器12则处于操作状态，为OFF时，则处于非操作状态。在数据输出电路2中，控制信号RDEN为ON时，则处于操作状态，为OFF时，则处于非操作状态。在写入与擦除电路3中，控制信号XEG为OFF时，则擦除电流(流经擦除磁头的电流)Ier开始减小，控制信号XDEG为OFF时，则关闭擦除电流Ier。
在上述构成FDD的半导体集成电路中，当由消除向写入操作移动时，控制器4，如图2所示通过定时控制使上述各控制信号发生变化。即，首先使控制信号XEG关闭，经过所设定时间(擦除电流Ier恢复到设定值所需时间以上)后，使控制信号XDEG处于OFF，同时使控制信息RDEN处于ON。而且，在节能时，考虑到使数据重放电路1停止操作的整个电路操作的稳定性，就是在擦除时也将控制信号Pre.Cont置于ON。
在上述已有的定时控制中，由于使控制信号Pre.Cont保持ON，即数据重放电路1处于操作状态不变，而使控制信号XDEG为OFF，即擦除电流Ier为OFF，所以如图2所示，数据重放电路1输出的重放数据(正确地讲为微分器12的输出DIFF)受到擦除磁头的反向电压的影响，其特性(不平衡性)下降，恢复至正常状态需要数百μs之多的时间。因此，从擦除到读出的恢复时间(在擦除结束后，向外部输出的重放数据达到正常特性所需的时间)变长。于是，为减少这一缺点，将对FDD系统的构成、基片图形的拉转、消除磁头的反向特性等方面给予限制。
由于将控制信号XDEG置于OFF与将控制信号RDEN置于ON是同时进行的，所以擦除动作结束后至将重放数据开始向外部输出所需的时间是短的，但是具有不良特性的重放数据被数据输出电路2输出至外部。
本发明的第一目的是提供一种减少对FDD系统的构成、基片图形的拉转和消除磁头的反向特性等方面的限制，并且缩短由擦除到读出的恢复时间的FDD的半导体集成电路。
本发明的第二目的是提供一种由擦除向读出操作移动时，被输出至外部的重放数据从最初起就具有正常特性的FDD的半导体集成电路。
为实现上述目的，本发明的软磁盘机的半导体集成电路，为利用磁头实现在记录媒体的磁盘上对存储的数据进行写入，对已记录的数据进行读出，以及对已记录的数据进行擦除，其特征是，所述半导体集成电路具有通过所述磁头对已读出的信号实施数据重放的数据重放器件，和将所述数据重放器件输出的重放数据向其他电路输出的数据输出器件，写入或擦除时对流经所述磁头的电流进行控制的写入与擦除器件，以及控制所述各器件操作的控制器件；所述控制器件在进行擦除操作时，实施控制，以便使所述数据重放器件处于非操作状态，同时在从擦除操作向读出操作移动时，置擦除电流于OFF之后，经第一设定时间后使所述数据重放器件处于操作状态，此后，进而在第二设定时间后使所述输出器件处于操作状态；所述第一设定时间为所述重放数据大体上不受所述磁头的反向电压影响的时间；第二个设定时间为所述重放数据的特性大体上稳定至设定值所需的时间。
在这样的构成当中，若将擦除电流置于OFF后至数据重放器件处于操作状态的时间，以及数据重放器件处于操作状态后至数据输出器件处于操作状态的时间分别适当地设定，则在由擦除操作向读出操作移动时，重放数据不会受擦除磁头的反向电压的影响，其特性(不平衡性)不会下降。另外，在重放数据的外部输出开始时，重放数据的特性已经以正常状态而稳定，向外部输出的重放数据从最初起就具有正常的特性。而且，与过去既使在擦除时数据重放器件也处于操作状态相比较，也可减少消耗电流。
以下对附图作简单说明。
图1是本发明一实施例的FDD的半导体集成电路中，从擦除向读出操作移动时，控制器4使各控制信号发生变化的定时控制示意图。
图2是已有技术的FDD的半导体集成电路中，从擦除向读出操作移动时，控制器4使各控制信号发生变化的定时控制示意图。
图3是本发明一实施例的FDD的半导体集成电路，以及已有技术中FDD的半导体集成电路共同的方框图。
以下对符号说明。
1—数据重放电路，2—数据输出电路，3—写入与擦除电路，4—控制器，11—前置放大器，12—微分器，13—T.D.F.(Time DomainFilter)，100—磁头部。
以下参照附图，说明对本发明的实施例。本发明实施例的FDD的半导体集成电路的构成方框图，除了在控制器电路内部追加器件的用来设定T1-T3的电路外，其他与已有技术是相同的，故对其说明从略，而对与已有技术的不同部分，即在从擦除操作向读出操作移动时，控制器4使各控制信号发生变化的定时控制，对此作如下说明。
在从擦除向读出操作移动时，如图1所示，控制器4首先使控制信号XEG处于OFF，经过所设定的时间T1后，使控制信号XDEG处于OFF。然后，在控制信号XDEG置于OFF之后，经过所设定时间T2后，将在擦除时处于OFF状态的控制信号Pre.Cont置于ON。接着，在使控制信号Pre.Cont处于ON之后经过所设定时间T3后，将控制信号RDEN置于ON。
通过如上所述的定时控制，擦除电流Ier处于OFF之后经过所设定的时间T2后，擦除时处于非操作状态的数据重放电路1处于操作状态，因此，若适当地设定所述所设定时间T2，则数据重放电路1输出的重放数据不会受消除磁头的反向电压的影响，其特性(不平衡性)不会下降。
数据重放电路1呈操作状态后经过所设定的时间T3后，数据输出电路2才处于操作状态，所以若适当地设定上述所设定时间T3，即可等待数据重放电路1由非操作状态进入操作状态，即等待重放数据的特性稳定于正常状态，数据输出电路2再将重放数据输出至外部，这样被输出外部的重放数据从最初起就具有正常的特性。
在本实施例中，设上述所设定时间T1为2μs，T3为6μs，从擦除到读出的恢复时间为上述各所设定时间的总合，即为32μs。
重放数据不受擦除磁头的反向电压的影响，其特性不会下降。擦除电流Ier处于OFF之后至数据重放电路1处于动作状态间设定的适当的时间与数据重放电路1从非操作状态进入操作状态所需时间之合，远比已有技术中重放数据的特性因擦除磁头的反向电压发生恶化后恢复至正常状态所需时间要短，所以缩短了从擦除到读出的恢复时间。
这样，即可减少给予FDD系统在构成、基片图形的拉转及擦除磁头的反向特性等方面的限制。而且若就擦除时的数据重放电路1进行观察，与已有技术中处于操作状态相比，则本实施例处于非操作状态，可减小电流消耗。
如上所述，根据本发明FDD的半导体集成电路，可减少给予FDD系统构成、基片图形的拉转和擦除磁头的反向特性等方面的限制，而且可将从擦除到读出操作所需的恢复时间轻易地缩短在100μs以内。另外，输出至外部的重放数据从最初起便拥有正常的特性。而且，可减小电流的消耗。