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1、10申请公布号CN104206010A43申请公布日20141210CN104206010A21申请号201380006072022申请日2013011861/588,83820120120USH05B33/0820060171申请人欧司朗有限公司地址德国慕尼黑72发明人伯恩哈德西塞格尔胡贝特迈瓦尔德马里詹科斯特伦菲利普E莫斯科维茨沃伦P莫斯科维茨诺温冯马尔姆74专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240代理人余刚李慧54发明名称光电子器件设备57摘要本发明涉及在不同的实施例中提供的光电子器件设备，其具有带有至少一个第一光电子器件的第一光电子器件组106，410N，其中至少一个第一。
2、光电子器件设置用于提供第一色阶212的电磁辐射；带有至少一个第二光电子器件的第二光电子器件组102，4101，其中至少一个第二光电子器件设置用于提供第二色阶210的电磁辐射；和相位调光器406，其中相位调光器406设置为提供具有第一调光度的第一运行模式和具有第二调光度的第二运行模式，其中相位调光器406驱控第一光电子器件组106，410N和第二光电子器件组102，4101，使得在第一运行模式中，对光电子器件设备的光电子器件的第一区域进行通电并且在第二运行模式中对光电子器件设备的光电子器件的第二区域进行通电；其中在光电子器件设备所提供的电磁辐射的总强度方面，第一色阶212的电磁辐射在第一运行模式。
3、中的份额比在第二运行模式中并小且第二色阶210的电磁辐射在第一运行模式中的份额比在第二运行模式中大。30优先权数据85PCT国际申请进入国家阶段日2014071886PCT国际申请的申请数据PCT/EP2013/0509902013011887PCT国际申请的公布数据WO2013/107894DE2013072551INTCL权利要求书2页说明书20页附图8页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书2页说明书20页附图8页10申请公布号CN104206010ACN104206010A1/2页21一种光电子器件设备，具有带有至少一个第一光电子器件的第一光电子器件组106，410。
4、N，其中至少一个所述第一光电子器件设置用于提供第一色阶212的电磁辐射；带有至少一个第二光电子器件的第二光电子器件组102，4101，其中至少一个所述第二光电子器件设置用于提供第二色阶210的电磁辐射；和相位调光器406，其中所述相位调光器406设置为提供具有第一调光度的第一运行模式和具有第二调光度的第二运行模式，其中所述位调光器406驱控所述第一光电子器件组106，410N和所述第二光电子器件组102，4101，使得在所述第一运行模式中，对所述光电子器件设备的光电子器件的第一区域进行通电并且在所述第二运行模式中对所述光电子器件设备的光电子器件的第二区域进行通电；其中在所述光电子器件设备的所提。
5、供的电磁辐射的总强度方面，所述第一色阶212的电磁辐射在所述第一运行模式中的份额比在所述第二运行模式中小，并且所述第二色阶210的电磁辐射在所述第一运行模式中的份额比在所述第二运行模式中大。2根据权利要求1所述的光电子器件设备，其中，所述相位调光器406设置用于所述光电子器件的相选通控制和/或相斩波控制。3根据权利要求1或2所述的光电子器件设备，其中，所述第一光电子器件组106，410N具有的光电子器件比所述第二光电子器件组102，4101多至少一个或者少至少一个。4根据权利要求1至3中的任一项所述的光电子器件设备，其中，所述第一光电子器件组106，410N电连接在所述第二光电子器件组102，。
6、4101上游。5根据权利要求1至4中的任一项所述的光电子器件设备，其中，所述第一光电子器件组106，410N和/或所述第二光电子器件组102，4101具有光电子器件的串联电路、并联电路、和/或串联电路和并联电路的组合。6根据权利要求1至5中的任一项所述的光电子器件设备，其中，所述光电子器件设备设置用于使所述第二光电子器件在所述光电子器件设备的布置800中至少部分地围绕所述第一光电子器件。7根据权利要求1至6中的任一项所述的光电子器件设备，其中，所述光电子器件设备的光电子器件的被通电的所述区域在所述第二运行模式中比在第一运行模式中小。8根据权利要求1至7中的任一项所述的光电子器件设备，其中，所述。
7、第一色阶212具有与所述第二色阶210不同的色坐标。9根据权利要求8所述的光电子器件设备，其中，所述第一色阶212具有比所述第二色阶210更高的关联色温。10根据权利要求8所述的光电子器件设备，其中，所述第一色阶212具有比所述第二色阶210更低的关联色温。11根据权利要求1至10中的任一项所述的光电子器件设备，所述光电子器件设备还具有至少一个第三光电子器件组104，4102，4103。12根据权利要求11所述的光电子器件设备，其中，所述第三光电子器件组104，权利要求书CN104206010A2/2页34102，4103的至少一个光电子器件相对于所述第一光电子器件组106，408N的光电子器。
8、件和/或所述第二光电子器件组102，4101的光电子器件具有不同的光电特性。13根据权利要求12所述的光电子器件设备，其中，所述第三光电子器件组104，4102，4103提供具有第三色阶的电磁辐射。14根据权利要求13所述的光电子器件设备，其中，所述第三色阶具有关联色温，该关联色温的值设计在所述第一色阶212和所述第二色阶210之间。15根据权利要求1至14中的任一项所述的光电子器件设备，所述光电子器件设备设置为能调光的照明装置，其中所提供的所述电磁辐射的色阶在调光时从所述第一色阶210转换至所述第二色阶212。权利要求书CN104206010A1/20页4光电子器件设备技术领域0001在不同。
9、的实施方式中提供了一种光电子器件设备。背景技术0002在对发光机构、例如常规的白炽灯的光强度进行调光时，通常能够察觉到且期望红移。由于由电流流经的金属线的从高温值到低温值的温度变化而构成该红移。在白炽灯中这是由技术所决定的情况。0003在发光二极管中、例如白色发光二级管中在调光低或光强小的情况下保持相同高的色温起刺激作用。在发光二级管LIGHTEMITTINGDIODELED中通常借助不同的、部分技术上消耗非常大且成本密集的混合方法实现可变的色温。0004在常规的方法中，发光二级管的色坐标借助于经过LED的电流强度和/或LED的接通持续时间脉冲宽度来设定。0005在另一常规的方法中，例如借助于。
10、不同的LED链设定LED照明装置的色坐标，其中LED链能够具有一个或多个相同的或不同的LED芯片。在此，不同色温的至少一个第一LED链和第二LED链的光在扩散器中混合。0006第一LED链具有比第二LED链更高的色温。为了对LED照明装置进行调光，降低经过第一LED链的电流，而同时提高经过第二LED链的电流。在调光强的情况下，则进一步降低经过具有低色温的LED链的电流、即经过这两个LED链的电流较小。0007经过LED链的最大的电流强度不同时存在，即LED照明装置能够放射比实际上进行更高的光强。然而基于LED链的驱控类型，并不利用较高光强的这种可行性，由此非最佳地应用LED链的LED芯片。00。
11、08此外，对于颜色可改变的LED照明装置的该方法而言，需要至少两个LED链、每个LED链一个驱动器和用于驱动器的控制单元。0009由此，可调光的、颜色可改变的LED照明装置与颜色不能改变的LED调光装置相比可能是更成本密集的。发明内容0010在不同的实施方式中，提供了一种光电子器件设备，借助其可以以技术上简单的方式、以低电路耗费实现可调光的、颜色可改变的LED照明装置。0011在本说明书的范围内，一个光电子器件组也能够理解为一个像素的和/或一簇的相应多个光电子器件。0012在本说明书的范围内，光电子器件能够理解为发射电磁辐射的器件。在不同的实施例中，光电子器件能够是发射电磁辐射的半导体器件和/。
12、或构成为发射电磁辐射的二极管、设计为发射电磁辐射的有机二极管、设计为发射电磁辐射的晶体管或设计为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是可见范围中的光、UV光和/或红外光。在本文中，发射电磁辐射的器件例如能够设计为发光二极管LIGHTEMITTINGDIODE，LED、设计为有机说明书CN104206010A2/20页5发光二级管ORGANICLIGHTEMITTINGDIODE，OLED、设计为发光晶体管或设计为有机发光晶体管。发光器件在不同的实施例中能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光二极管，例如安装在共同的壳体中。0013在本说明书的范围内，能够将提供电磁辐射理解为发射电磁辐射。
13、。0014在本说明书的范围内，能够将接收电磁辐射理解为吸收电磁辐射。0015在本说明书的范围内，能够将循环理解为例如点对称的和/或镜面对称的几何函数的周期，例如类似或相同于正弦函数、余弦函数的振动。几何函数能够是相移的和/或借助另外的几何函数来调制，例如叠加。0016在不同的实施方式中，提供一种光电子器件设备，所述光电子器件设备具有带有至少一个第一光电子器件的第一光电子器件组，其中至少一个第一光电子器件设置用于提供第一色阶的电磁辐射；带有至少一个第二光电子器件的第二光电子器件组，其中至少一个第二光电子器件设置用于提供第二色阶的电磁辐射；和相位调光器，其中相位调光器设置为提供具有第一调光度的第一。
14、运行模式和具有第二调光度的第二运行模式，其中相位调光器驱控第一光电子器件组和第二光电子器件组，使得在第一运行模式中，对光电子器件设备的光电子器件的第一区域进行通电并且在第二运行模式中对光电子器件设备的光电子器件的第二区域进行通电；其中在光电子器件设备的所提供的电磁辐射的总强度方面，第一色阶的电磁辐射在第一运行模式中的份额比在第二运行模式中小，并且第二色阶的电磁辐射在第一运行模式中的份额比在第二运行模式中大。0017在本说明书的范围内，随着调光的增加、即随调光度的增加，由被调光的光电子器件设备所提供的电磁辐射的强度相对于由未调光的光电子器件设备所提供的电磁辐射的强度而言更小。0018在一个设计方。
15、案中，光电子器件的第二区域与光电子器件的第一区域能够这样进行区分，即第二区域相对于提供电磁辐射的光电子器件具有下述区别中的至少一个不同的数量、不同的结构、不同的几何布置和/或光场的不同的大小。0019借助于相位调光，用于给第二光电子器件组通电的接通时间、即在其中将运行电压施加在光电子器件组上的时间过短。第二光电子器件组在无电流的状态下不再能够提供电磁辐射。由此，被通电的光电子器件的第二区域能够具有少量的提供电磁辐射的光电子器件。0020换而言之光电子器件设备的相位调光器能够设置为，这样驱控第一光电子器件组和第二光电子器件组，使得在第二运行状态下、例如在调光度较高的情况下第一光电子器件组还能够提。
16、供电磁辐射，而第二光电子器件组不再能够提供电磁辐射，这是因为不再对所述第二光电子器件组进行通电。0021在一个设计方案中，相位调光器设置用于光电子器件的相选通控制和/或相斩波控制。0022在一个设计方案中，第一光电子器件组具有的光电子器件比第二光电子器件组多或者少至少一个。0023在一个设计方案中，第一光电子器件组具有如第二光电子器件组大约双倍多的或一半多的光电子器件。0024在一个设计方案中，第一光电子器件组电连接在第二光电子器件组上游。说明书CN104206010A3/20页60025在一个设计方案中，第一光电子器件组和/或第二光电子器件组具有光电子器件的串联电路、并联电路和/或串联电路和。
17、并联电路的组合。0026在一个设计方案中，光电子器件设备设置用于使第二光电子器件在其布置中至少部分地围绕第一光电子器件。0027在一个设计方案中，光电子器件设备的光电子器件的被通电的区域在第二运行模式中比在第一运行模式中小。0028换而言之光电子器件设备能够设计为，使得一定数量的光电子器件并且进而光电子器件设备的提供电磁辐射的面积例如随着调光的上升而降低光场的大小。0029在一个设计方案中，光场能够具有平坦连续的几何形状，例如圆形、矩形、多边形或类似形状。0030在一个设计方案中，第一光电子器件组能够同心地由第二光电子器件组包围。由此发光面积能够随着调光度的上升而从外向内下降。0031在一个设。
18、计方案中，第二光电子器件组能够同心地由第一光电子器件组包围。由此发光面积能够随着调光度的上升而从内向外下降。0032在一个设计方案中，第一光电子器件组和/或第二光电子器件组能够具有下述布置中的一种行星、圆形、矩形、多边形、任意形状。0033在一个设计方案中，第一组和/或第二光电子器件组能够具有同心的布置、例如环形的、三角形的、圆形的、柱形的、矩形的、方形的、椭圆形的形状或类似的几何图形。0034在一个设计方案中，第一色阶具有与第二色阶不同的色坐标。0035在一个设计方案中，第一色阶具有比第二色阶更高的关联色温。0036在一个设计方案中，第一色阶具有比第二色阶更低的关联色温。0037在一个设计方。
19、案中，光电子器件还具有带有至少一个第三光电子器件的至少一个第三光电子器件组。0038在一个设计方案中，第三光电子器件组的至少一个光电子器件相对于第一光电子器件组的光电子器件和/或第二光电子器件组的光电子器件具有不同的光电特性。0039在一个设计方案中，第三光电子器件组提供具有第三色阶的电磁辐射。0040在一个设计方案中，第三色阶具有关联色温，所述关联色温的值设计在第一色阶和第二色阶之间。0041第三光电子器件组能够设置为使得由第三光电子器件组所提供的电磁辐射的光电特性具有第一光电子器件组的和/或第二光电子器件组的特性，例如由至少一个第三光电子器件所提供的电磁辐射的相对份额的上升和/或下降。00。
20、42在一个设计方案中，光电子器件设置为能调光的照明装置，其中所提供的电磁辐射的色阶在调光时从第一色阶转换至第二色阶。附图说明0043在附图中示出本发明的实施例并且在下面详细阐明。0044其示出0045图1示出根据不同设计方案的光电子器件设备的光功率的表格式概要；0046图2示出根据不同设计方案的光电子器件设备的两个设计方案的色温和相位角说明书CN104206010A4/20页7之间的关联的图表；0047图3示出根据不同设计方案的光电子器件设备的电路的一个设计方案；0048图4示出根据不同设计方案的光电子器件设备的电路的一个设计方案；0049图5示出根据不同设计方案的光电子器件设备的电路的一个设。
21、计方案；0050图6示出根据不同设计方案的光电子器件设备的一个具体的设计方案；0051图7示出根据不同设计方案的光电子器件设备的一个具体的设计方案；和0052图8示出根据不同设计方案的可调光的光电子器件设备的一个具体的设计方案。具体实施方式0053在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且其中示出能够实施本发明的具体的实施形式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个多个附图的定向而使用方向术语例如是“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施形式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的。
22、实施形式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的示例的实施形式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围不通过附上的权利要求来限定。0054在所述描述的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦合”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦合。在附图中，只要是适当的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。0055图1示出根据不同设计方案的光电子器件设备的光功率的表格式概要。0056光电子器件的高压电路的每种结构类型能够用于光电子器件设备。然而，在电路中。
23、由光电子器件设备的第一光电子器件组的至少一个光电子器件所提供的光的相对份额应当与调光的相位角以度为单位相关。0057可以将在一个循环期间由一个光电子器件相对于光电子器件设备的全部所提供的光强而提供的平均的光强理解为光的相对份额，其中光由一光电子器件组的至少一个光电子器件提供。0058光电子器件设备能够具有多光电子器件组，其中光电子器件布置在共同的电路中，例如具有共同的电流源。0059光电子器件例如能够设置为发光二级管LIGHTEMITTINGDIODELED。0060每光电子器件组的电压输入端能够借助于电开关来跨接。0061开关应当设计为，使得能够借助于输入电压的平均幅度设定接通时间。0062。
24、能够将下述时间理解为接通时间，在所述时间内断开第一组光电器件的电开关并且可以实现电流流经该光电子器件组。0063用于跨接的这种电开关例如能够是三端双向可控硅开关元件、晶体管、例如MOSFET、晶闸管或类似的电子器件，例如电路，或这种电开关具有类似功能的集成电路。0064例如当该光电子器件组具有能量存储器、例如电容器时，光电子器件本身不需要直接地跨接。由光电子器件所提供的电磁辐射因此能够部分显著地借助输入电压的双倍频率来调制。说明书CN104206010A5/20页80065该光电子器件组的输入电压例如能够是交流电压，例如被整流的交流电压。0066输入电压的平均幅度例如能够借助于相选通控制和/或。
25、相斩波控制来改变。0067用于驱控光电子器件组的一个具体的设计方案例如能够与图3至图5描述的电路/相位调光器的设计方案中的一个相同或类似地设置。0068不同组的光电子器件能够彼此互联或者与相位调光器互联，使得光电子器件在相位角高的情况下提供绝对小的电磁辐射。0069换而言之光电子器件设备能够借助于相位角来调光，例如借助于相选通控制和/或相斩波控制。0070在本说明书的范围内，能够将相位角PHI理解为输入电压的半循环中的角区间，而借助于调光器不将电压施加到光电子器件组上。相位角例如能够具有大约0至大约180的范围中的值。0071大约0的相位角能够理解为是未调光的。大约180的相位角能够理解为最大。
26、调光。最大调光能够理解为类似或相同于断开与该组的被调光的光电子器件电串联的开关。0072整个所提供的电磁辐射的色温和相位角之间的具体的关联能够与电路、例如相位调光器的设计方案相关、例如与组中的光电子器件的数量和由相应组的光电子器件所提供的电磁辐射的色阶相关。0073在第一表格100中，对于光电子器件设备的一个设计方案而言、即为了说明原理并且不限制普遍性，而对于45108，90110和135112示出由各个光电子器件组102，104，106所提供的电磁辐射的绝对强度，即以流明为单位的光强度。0074在所提供的光强的总和114处能够识别到光强度随相位角上升而下降。0075在第二表格120中示出表格。
27、100的由各个光电子器件组102，104，106所提供的电磁辐射相对于全部所提供的电磁辐射114100的相对份额。0076由第一组所提供的电磁辐射的相对份额在调光时从大约52提高到大约70以由第一组102所提供的电磁辐射相对于全部由光电子器件设备所提供的电磁辐射114的相对于份额中可见。0077第二组106的所提供的电磁辐射的相对份额在相位调光时、即在提高相位角时从大约18降低到大约0。0078换而言之关于提高相位角，第二组106的所提供的电磁辐射的光强度的相对份额能够表现得与第一组102的所提供的电磁辐射的相对份额相反，其中相对份额能够与总的、在由光电子器件设备所提供的一个相位角中的电磁辐射。
28、相关。0079光电子器件设备的该特性的设计方案、即第一组和第二组的相反的表现能够借助于适当地选择相选通控制和/或相斩波控制见附图3至附图5的描述来实现。0080第三组104的所提供的电磁辐射的相对份额能够具有第一组102和/或第三组104的特性，即关于在第一组102的光强和第二组106的光强之间的光强来设置。0081第三组104的所提供的电磁辐射的份额能够借助于提高相位角而首先上升在从45108至90110的相位角的光强度中可见。在进一步调光时，第二组104的光强度能够进一步下降在从110110至135112的相位角的光强度中可见。0082光电子器件例如能够提供电磁辐射，所述电磁辐射能够与例如。
29、大约1000K至大约说明书CN104206010A6/20页98000K、例如大约2500K至大约6000K的范围中的黑体或黑辐射体或普朗克辐射器的色温结合，例如关联。0083不同组的光电子器件能够具有相同的和/或不同的结构类型的光电器件。0084光电子器件组的光电子器件例如能够设计为有机LED、例如GAN二极管、INGAN二极管或INGAALP二极管。0085两个或更多个发光二极管例如能够具有转换元件、例如发光材料层。0086两个或更多个发光二级管例如能够具有相同的或不同的结构类型。0087两个或更多个发光二级管例如能够具有相同的或不同的转换元件。0088在本说明书的范围内，将下述材料理解为。
30、发光材料，所述材料将一定波长的具有损失的电磁辐射例如借助于磷光或荧光来转换成不同波长的电磁辐射，例如更长的波长斯托克斯位移或更短的波长反斯托克斯位移。所吸收的电磁辐射和所发射的电磁辐射的能量差能够转换成光子、即热量，和/或借助于发射具有一定波长的电磁辐射而作为能量差的函数。0089发光材料例如能够具有CE3掺杂的石榴石、例如YAGCE和LUAG，例如Y，LU3AL，GA5O12CE3；EU2掺杂的氮化物，例如CAALSIN3EU2、BA，SR2SI5N8EU2；EU2掺杂的硫化物、SIONE、SIALON、原硅酸盐ORTHOSILICATE、例如BA，SR2SIO4EU2；氯硅酸盐、氯磷酸盐、。
31、BAM铝酸镁钡EU和/或SCAP、卤化磷酸盐或由其形成。0090借助于光电子器件组的不同的色阶和在相位调光时的、例如在图4的描述中描述的特性，能够在调光时实现所提供的电磁辐射的色阶的改变。0091至少一个光电子器件组、例如第一组102在相位角小的情况下相对于相同组在相位角108小的情况下提供大量电磁辐射，其能够具有能提供低色温的电磁辐射的光电子器件。0092至少一个光电子器件组、例如第三组106在相位角112大的情况下相对于相同组在相位角112大的情况下所提供的电磁辐射也而提供少量光，其能够具有提供具有高色温的电磁辐射的光电子器件。0093在一个设计方案中，光电子器件能够提供具有在大约1000。
32、K至大约8000K范围中的关联色温的电磁辐射。0094在一个设计方案中，光电子器件、例如第一组102能够提供具有在大约2000K至大约3500K范围内的、例如大约2700K的关联色温的电磁辐射，第二组104能够提供具有在大约3500K至大约8000K范围内的、例如大约4500K的关联色温的电磁辐射；并且第三组106能够提供具有在大约2000K至大约8000K范围内的、例如大约3500K的关联色温的电磁辐射。借助于该设计方案，将例如发热、例如类似于或等同于在对白炽灯调光时的发热能够实现为调光性能。0095在光电子器件设备的另外的设计方案中，能够在光电子器件设备中实现具有另外色温、例如5500K的。
33、光电子器件和例如具有另外色温、例如3800K的第四光电子器件组和/或另外的光电子器件组。0096在另一设计方案中，一个光电子器件组的至少一部分提供并不相应于黑体色温的电磁辐射，例如光谱色或其他的色坐标。0097图2示出根据不同设计方案的光电子器件设备的两个设计方案的色温和相位角说明书CN104206010A7/20页10之间的关联的图表。0098在光电子器件设备的一个设计方案中，光电子器件设备能够具有能量存储器，例如电容器。0099能量存储器能够在调光时影响光电子器件设备的放射特性，如从图表200中可见。0100在图表200中，针对具有能量存储器的光电子器件设备的一个设计方案而言，在第一特征曲。
34、线206中示出所提供的电磁辐射的关联色温202的关系作为相位角204的函数，以及针对没有能量存储器的光电子器件设备的一个设计方案，在第二特性曲线208中示出所提供的电磁辐射的关联色温202的关系作为相位角204的函数。0101在图表中能够将的色坐标的变化或相位角的变化识别作为调光水平、调光度的函数。借助于具有相位调光器的光电子器件设备的设计方案，能够使具有相位角的色坐标、即调光的变化从第一色阶212朝向第二色阶210改变。色坐标在调光变化中的改变能够持续地、例如连续地构成。0102与光电子器件设备、例如电路、相位调光器和/或光电子器件的结构类型的具体的设计方案无关地，能够借助于上面在图1中描述。
35、的用于选择光电子器件的关联色温的方法，在相位调光的情况下构成关联色温在相位角高的情况下、即在相位调光度高的情况下的下降，例如类似于或等同于在调光时所提供的电磁辐射的发热。0103图3示出根据不同设计方案的光电子器件设备的电路的一个设计方案。0104在视图300中，示出用于运行根据不同设计方案的光电子器件设备的电路的示意图。0105示出的是电压供应装置302、驱动器结构304和照明结构306。0106驱动器结构304例如能够具有整流器电路404和调节器电路406。关于驱动器结构304的部件的另外说明能够从图4的描述中得出。0107根据不同的设计方案，驱动器结构304能够至少部分地被设置为相位调光。
36、器304或理解为相位调光器304。0108照明结构306能够具有一个或多个开关308或一个或多个光电子器件组310。0109借助于开关308能够接通和/或断开光电子器件组310，318，320，322。0110发光结构306能够具有任意多个光电子器件组。0111每个光电子器件组310，318，320，322能够具有任意多的光电子器件和/或电阻器。0112光电子器件组310，318，320，322能够具有相同或不同数量的相同和/或不同结构类型的光电子器件。0113开关308为此能够与驱动器结构304电连接，例如借助于调节线路312来连接。此外，至少一个开关308能够与至少一个光电子器件组310电。
37、连接。0114光电子器件组310能够借助于第一链路314以及第二链路316电连接，其中第一链路316能够具有与第二链路316不同的电势。0115图4示出根据不同设计方案的光电子器件设备的电路的一个设计方案。0116在光电子器件设备的另一设计方案中，能够类似于或相同于没有能量存储器ZEROENERGYSTORAGEZES的电路设置用于运行光电子器件的电路，例如类似于或相同说明书CN104206010A108/20页11于视图400中示出的电路图的设计方案。0117下面，根据电节点描述电的和/或电子的器件的电路。0118在本说明书的范围内，能够将节点K理解为电的等电势位，例如理解为能够与多个电的和。
38、/或电子的器件连接的具有恒定的电势的一个电线路。0119视图400示出具有电压源302的电路；整流器电路404；调节电路406；带有电阻器R50和R51的电流监控电控412；具有多个光电子器件组4101，4102，4103，410N和多个开关电路4081，4082，4083，408N的光电子器件链。0120电压源302能够与节点K1和节点K2连接。0121电阻器R50分流器能够与节点K5和节点K10连接。0122电阻器R51能够与节点K8和节点K10连接、0123第一光电子器件组4101能够在输入端侧与节点K3连接并且在穿通方向上在输出端侧与节点K121连接。0124第二光电子器件组4102能。
39、够在输入端侧与节点K121连接并且在穿通方向上在输出端侧与节点K122连接。0125第三光电子器件组4103能够在输入端侧与节点K122连接并且在穿通方向上在输出端侧与节点K123连接。0126第N光电子器件组410N能够在输入端侧与节点K12N连接并且在穿通方向上在输出端侧与节点K10连接。0127其他光电子器件组能够在输入端侧与节点K123连接并且在穿通方向上在输出端侧与节点K12N连接未示出。0128其他光电子器件组的其他开关电路组能够与节点K123和节点K12N连接未示出。0129其他开关电路组的其他的调节保护电路的其他的高压二极管能够与节点K9连接未示出。0130每个开关电路4081。
40、，4082，4083，408N能够与至少一个光电子器件组4101，4102，4103，410N并联。换而言之，每个开关电路4081，4082，4083，408N能够与至少一个光电子器件组4101，4102，4103，410N结合。0131一个光电子器件组4101，4102，4103，410N能够具有至少一个光电子器件，例如两个或多个光电子器件。0132光电子器件例如能够是发光二级管、例如有机的和/或无机的发光二级管。0133相同组和/或不同组的两个或更多个光电子器件能够具有相同的或不同的结构类型，例如提供具有不同的色阶的电磁辐射，和/或具有另外的光学器件、例如光学透镜、波长转换器或类似物。01。
41、34一个或多个光电子器件组的光电子器件能够紧密地被封装，例如彼此并排地设置。0135由此，不同色温的电磁辐射能够良好地混合并且需要少量的扩散器。0136光电子器件组4101，4102，4103，410N例如能够部分地布置在共同的封装件PACKAGE和/或在共同的壳体中。0137用于运行多个光电子器件组4101，4102，4103，410N的电流能够由电压源302说明书CN104206010A119/20页12提供。电压源302例如能够设置为交流电流源302、例如电网和/或设置用于提供交流电压。0138在一个设计方案中，电压源302也能够设置为直流电流源302，例如电池302或类似物。0139在。
42、交流电流源302的情况下，电路400能够具有设置用于对经过光电子器件设备304，306的电路的电通流进行整流的整流器404和/或整流电路404。整流电路404可以与交流电流源302电耦合。换而言之交流电压源302能够为整流电路404提供交流电压。0140整流器404例如能够具有多个电子器件、例如二极管、例如D52，D53，D54和D55，和/或能量存储区、例如电容器、例如C52。0141整流器404能够与用于对交流电流整流的常规的整流电路404类似或相同地设置，例如与桥式整流器404、单向整流器404和/或中点整流器404类似地或相同地设置。在直流电流源的情况下，整流电路404能够是可选的。0。
43、142在桥式整流器404中0143二极管D52能够借助于阳极与节点K2连接并且借助于阴极与节点K3连接；0144二极管D53能够借助于阳极与节点K1连接并且借助于阴极与节点K3连接；0145二极管D54能够借助于阳极与节点K5连接并且借助于阴极与节点K2连接；和0146二极管D55能够借助于阳极与节点K5连接并且借助于阴极与节点K1连接。0147借助于整流器404能够在电容器C52上提供被整流的输入电压VN。0148调节电路406能够具有供电电路405、具有电阻器R52和R53的电压参考电路430、具有电阻器R56的电压负反馈电路432、具有运算放大器U50的运算放大电路436和具有电阻器R5。
44、5和电容器C51的频率补偿布线装置434或由其构成。0149电阻器R52能够与节点K5和节点K7连接。0150电阻器R53能够与节点K3和节点K7连接。0151电阻器R56能够与节点K6和节点K7连接。0152运算放大器U50能够借助正供电电压的输入端与节点K6连接并且供电电压的另一输入端与节点K5连接。0153运算放大器U50的反向输入端能够与节点K8连接并且非反向输入端能够与节点K7连接。0154运算放大器U50的输出端能够与节点K9连接。0155运算放大电路436的供电电压能够借助于供电电压电路405提供。0156供电电压电路405能够具有电阻器R54、齐纳二极管D50、二极管D51、电。
45、容器C50和开关、例如MOSFETM50。0157电阻器R54能够与节点K3和节点K4连接。0158电容器C50能够与节点K5和节点K6连接。0159二极管D50能够借助阴极与节点K4连接并且借助阳极与节点K5连接。0160二极管D51能够借助阳极与节点K3连接并且借助阴极与MOSFET开关M50的漏极端子连接。0161MOSFET开关M50能够借助其栅极端子与节点K4连接、借助于源极端子与节点K6连接并且借助其漏极端子与二极管D51的阴极连接。说明书CN104206010A1210/20页130162这些器件可以在整流电路404的输出端、即节点K3和节点K5处耦合，并且提供低直流电压、例如值。
46、为大约5V的低直流电压作为在电容器C50处的电压。0163电容器C50附加地能够与运算放大器U50的供电输入端耦合，并且由此提供用于运算放大器U50的供电电压。0164在分压器装置中提供电压参考电路430的电阻器R52和R53，分压器装置具有电阻器R52和电阻器R53之间的端子、例如分接头。该端子能够与作为电压基准信号的运算放大器U50的非反向输入端耦合。0165电流监控电路412的、例如电阻器R51上的电压的输出信号能够代表下述电流，所述电流流动经过多个光电子器件组4101，4102，4103，410N，并且能够在电阻器R51之上对其测量。0166电流监控电路412的输出信号能够耦合到运算放。
47、大器U50的反向输入端上。0167由此能够监控到达调节电路406中的电流，使得调节电路406能够限制整个电通流，所述电通流流动经过光电子器件组4101，4102，4103，410N。0168由此，例如借助于静电放电来防止光电子器件的损坏。0169在一个设计方案中，电流监控电路412也能够设计用于结合主动反馈ACTIVEFEEDBACK监控运算放大器U50的电流输入端。由此，能够调节经过多个光电子器件组4101，4102，4103，410N中的光电子器件的电通流，使得经过光电子器件的电通流大约跟随输入电流，所述输入电流由电压源302提供。0170由此，能够确保电路400中的电通流的下降的简谐扰动。
48、。电通流例如能够借助于调设定调节电路406中的调节信号来调节。0171附加地，稳定频率电路434的输出信号能够与运算放大器U50的反向输入端耦合。0172稳定频率电路434能够具有电容器C51和电阻器R55，其中所述电容器和电阻器能够与运算放大器U50的输出端耦合、即调节电路406的输出信号耦合。0173电阻器R55能够与电容器C51和节点K9连接。0174电容器C51能够与电阻器R55和节点K8连接。0175由此，能够降低和/或防止调节电路406的输出信号中的振动和/或共振。0176为了提高用于运行光电子器件设备的电路400的功率因数，电压负反馈电路432的输出端和供电电压电路405的输出信。
49、号能够与运算放大器U50的供电电压的输入端耦合。0177电压负反馈电路432能够具有电阻器R56，所述电阻器设置在运算放大器U50的供电电压的输入端与电阻器R53和电阻器R52和运算放大器U50的非反向输入端之间的端子、例如分接点之间。0178该布置能够补偿整流电路404中的电压下降并且改进功率因数。改进的功率因数也能够降低简谐扰动。0179运算放大电路436能够在流动经过多个光电子器件组4101，4102，4103，410N的电流和由电压基准电路430所提供的基准电压信号之间构成平衡。0180经过光电子器件组4101，4102，4103，410N的电流例如能够借助于经过电流监控电路412的电阻器R51的电流来确定。0181经过多个光电子器件组4101，4102，4103，410N的均方根ROOTMEANSQUARE说明书CN104206010A1311/20页14RMS能够借助于电阻器R52的数值的改变来设定。0182多个或大量开关电路4081，4082，4083，408N的每个开关电路能够具有开关4261，4262，4263，426N，例如三端双向可控硅开关元件，例如MOSFET已示出、晶闸管或类似的电子器件，例如电路或具有类似功能的集成电路。0183此外，在不限制普遍性的情况下，描述MOSFET开关4261，4262，4263，426N的电路。。