含氮杂环衍生物及使用该衍生物的有机电致发光元件 【技术领域】
本发明涉及新型含氮杂环衍生物及使用该衍生物的有机电致发光元件 ( 有机 EL 元件 ) 用材料、 有机 EL 元件， 特别是涉及因在有机化合物层的至少 1 层中使用作为有机 EL 元件的构成成分有用的含氮杂环衍生物而在低电压下发光效率高的有机 EL 元件。背景技术
使用有机物质的有机 EL 元件被认为有望用作固体发光型廉价大面积全彩显示元 件， 对此进行了大量的开发。通常， 有机 EL 元件由发光层和夹持该层的一对相对向的电极 所构成。发光是若对两电极间施加电场， 则电子从阴极侧注入， 空穴从阳极侧注入， 进而所 述电子在发光层与空穴再结合， 产生激发态， 激发态恢复至基态时以光的形式释放能量的 现象。
以往的有机 EL 元件与无机发光二极管相比， 驱动电压高， 发光亮度和发光效率都 低。另外， 特性老化显著， 不能实用化。最近的有机 EL 元件虽然逐渐得到改善， 但要求更低 电压下的高发光亮度和高发光效率。
作为解决它们的方法， 例如专利文献 1 中公开了使用具有苯并咪唑结构的化合物 作为发光材料的元件， 记载了该元件在 9V 的电压以 200cd/m2 的亮度发光。另外， 专利文献 2 和专利文献 3 中记载了具有苯并咪唑环和蒽环骨架的化合物。 但是， 需要具有比使用这些 化合物的有机 EL 元件具有更高的发光亮度和发光效率的有机 EL 元件。
专利文献 1 ： 日本特开平 10-092578 号公报 ( 美国专利第 5,645,948 号说明书 )
专利文献 2 ： 日本特开 2002-38141 号公报
专利文献 3 ： 国际公开 WO2004/080975 号公报 ( 美国公开 2006/147747 号 ) 发明内容 本发明是为解决上述课题而开发的， 其目的在于 ： 提供作为有机 EL 元件的构成 成分有用的新型含氮杂环衍生物， 通过在有机化合物层的至少 1 层中使用该含氮杂环衍生 物， 实现在低电压下发光亮度和发光效率高的有机 EL 元件。
本发明人为达成上述目的反复深入研究， 结果发现通过在有机 EL 元件的有机化 合物层的至少 1 层中使用具有特定结构的新型含氮杂环衍生物， 可达成有机 EL 元件的低电 压化和高效率化， 从而完成本发明。
即， 本发明提供下列通式 (1) 所表示的含氮杂环衍生物 ( 苯并咪唑化合物 )。
[ 化 1]
( 在上述通式 (1) 中，
R 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未取代的成环碳 原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的卤代烷基、 取代或未取代 的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基、 取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的杂芳基、 卤素原 子、 氰基或硝基 ；
m 为 0 ～ 4 的整数， 当 m 为 2 ～ 4 的整数时， 多个 R 可相同或不同， 相邻的 2 个 R 也 可相互结合形成构成环结构的取代或未取代的饱和或不饱和的连接基团 ；
L1 和 L2 分别独立地为单键、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的亚芳基或 者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的亚杂芳基， 但是不包含取代或未取代的亚蒽基和 取代或未取代的亚芴基 ；
Ar1 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未取代的成环碳 原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的卤代烷基、 取代或未取代 的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的杂芳基， 但 是不包含蒽基、 咔唑基、 氮杂咔唑基、 苯并咪唑基、 二苯并呋喃基和二苯并噻吩基 ； 2
Ar 为氢原子、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基或者取代或未取代 的成环原子数为 5 ～ 20 的杂芳基， 但是不包含蒽基 ； n 为 0 ～ 4 的整数， 当 n ＝ 0 时， L1 不 为单键， 且 Ar1 不为氢原子， 另外当 n 为 2 ～ 4 的整数时， 多个 Ar2 和多个 L2 可分别相同或 不同 ；
Z 为 -Ra 或 -L3-Ar3 ；
Ra 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基， 取代或未取代的成环碳 原子数为 3 ～ 50 的环烷基， 可被烷基所取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的非稠环芳基， 取代 或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的稠多环芳基， 可被烷基、 非稠环芳基或非稠环杂芳基 所取代的成环原子数为 5 ～ 20 的非稠环杂芳基， 或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的稠多环杂芳基 ；
L3 为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的亚芳基或者取代或未取代的成环 原子数为 5 ～ 20 的亚杂芳基， 但是不包含取代或未取代的亚蒽基和取代或未取代的亚芴 基；
Ar3 为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基或者取代或未取代的成环原 子数为 5 ～ 20 的杂芳基， 但是不包含蒽基、 咔唑基、 氮杂咔唑基、 苯并咪唑基、 二苯并呋喃基 和二苯并噻吩基 ；
当 Z 为 -Ra， 且 Ar1 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或 未取代的成环碳原子数为 3 ～ 50 的环烷基或者取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的卤代 烷基时， n 不为 0 ；
当 Z 为 -L3-Ar3 时， L1 和 L2 不同时为单键， 并且 Ar1 和 Ar2 不同时为氢原子。)
另外， 本发明还提供阴极和阳极间具有包含发光层的 1 层以上的有机薄膜层， 所 述有机薄膜层的至少 1 层含有上述式 (1) 的含氮杂环衍生物的有机 EL 元件。
本发明的含氮杂环衍生物及使用该衍生物的有机 EL 元件在低电压下发光效率 高， 电子传输性优异， 是具有高发光效率的含氮杂环衍生物和有机 EL 元件。附图说明
[ 图 1] 示出本发明的有机电致发光元件的优选层构成的示意截面图。 实施发明的最佳方式 本发明的含氮杂环衍生物以下列通式 (1) 所表示。 [ 化 2]在上述通式 (1) 中， Z 为 -Ra 或 -L3-Ar3。
Ra 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基， 取代或未取代的成环碳 原子数为 3 ～ 50 的环烷基， 可被烷基所取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的非稠环芳基， 取代 或未取代的成环碳原子数为 5 ～ 20 的稠多环芳基， 可被烷基、 非稠环芳基或非稠环杂芳基 所取代的成环原子数为 5 ～ 20 的非稠环杂芳基， 或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的稠多环杂芳基。
作为 Ra 所表示的取代或未取代的烷基， 可列举出甲基、 乙基、 丙基、 异丙基、 正丁 基、 仲丁基、 异丁基、 叔丁基、 正戊基、 正己基、 正庚基、 正辛基、 羟基甲基、 1- 羟基乙基、 2- 羟 基乙基、 2- 羟基异丁基、 1， 2- 二羟基乙基、 1， 3- 二羟基异丙基、 2， 3- 二羟基叔丁基、 1， 2， 3- 三羟基丙基、 氯甲基、 1- 氯乙基、 2- 氯乙基、 2- 氯异丁基、 1， 2- 二氯乙基、 1， 3- 二氯异丙 基、 2， 3- 二氯叔丁基、 1， 2， 3- 三氯丙基、 溴甲基、 1- 溴乙基、 2- 溴乙基、 2- 溴异丁基、 1， 2- 二 溴乙基、 1， 3- 二溴异丙基、 2， 3- 二溴叔丁基、 1， 2， 3- 三溴丙基、 碘甲基、 1- 碘乙基、 2- 碘乙 基、 2- 碘异丁基、 1， 2- 二碘乙基、 1， 3- 二碘异丙基、 2， 3- 二碘叔丁基、 1， 2， 3- 三碘丙基、 氨基 甲基、 1- 氨基乙基、 2- 氨基乙基、 2- 氨基异丁基、 1， 2- 二氨基乙基、 1， 3- 二氨基异丙基、 2， 3- 二氨基叔丁基、 1， 2， 3- 三氨基丙基、 氰基甲基、 1- 氰基乙基、 2- 氰基乙基、 2- 氰基异丁基、 1， 2- 二氰基乙基、 1， 3- 二氰基异丙基、 2， 3- 二氰基叔丁基、 1， 2， 3- 三氰基丙基、 硝基甲基、 1- 硝基乙基、 2- 硝基乙基、 2- 硝基异丁基、 1， 2- 二硝基乙基、 1， 3- 二硝基异丙基、 2， 3- 二硝 基叔丁基、 1， 2， 3- 三硝基丙基等。
作为 Ra 所表示的取代或未取代的环烷基， 可列举出环丙基、 环丁基、 环戊基、 环己 基、 4- 甲基环己基、 1- 金刚烷基、 2- 金刚烷基、 1- 降冰片基、 2- 降冰片基等。 a
作为 R 所表示的可被烷基所取代的非稠环芳基， 可列举出苯基、 2- 联苯基、 3- 联 苯基、 4- 联苯基、 对三联苯 -4- 基、 对三联苯 -3- 基、 对三联苯 -2- 基、 间三联苯 -4- 基、 间三 联苯 -3- 基、 间三联苯 -2- 基、 邻甲苯基、 间甲苯基、 对甲苯基、 对叔丁基苯基、 对 (2- 苯基丙 基 ) 苯基、 4’ - 甲基联苯基、 4” - 叔丁基对三联苯 -4- 基等。作为该非稠环芳基可具有的烷 基， 可列举出上述碳原子数为 1 ～ 50 的烷基。
作为 Ra 所表示的取代或未取代的稠多环芳基， 可列举出 1- 萘基、 2- 萘基、 1- 蒽基、 2- 蒽基、 9- 蒽基、 1- 菲基、 2- 菲基、 3- 菲基、 4- 菲基、 9- 菲基、 1- 丁省基、 2- 丁省基、 9- 丁省 基、 1- 芘基、 2- 芘基、 4- 芘基、 3- 甲基 -2- 萘基、 4- 甲基 -1- 萘基、 4- 甲基 -1- 蒽基、 荧蒽基 (fluoranthenyl フルオランテニル )、 芴基等。
作为 Ra 所表示的可被烷基、 非稠环芳基或非稠环杂芳基所取代的非稠环杂芳基， 可列举出 1- 吡咯基、 2- 吡咯基、 3- 吡咯基、 吡嗪基、 2- 吡啶基、 3- 吡啶基、 4- 吡啶基、 2- 呋 喃基、 3- 呋喃基、 2唑基、 4唑基、 5唑基、 2二唑基、 5二唑基、 3- 呋咱基、2- 噻吩基、 3- 噻吩基、 2- 甲基吡咯 -1- 基、 2- 甲基吡咯 -3- 基、 2- 甲基吡咯 -4- 基、 2- 甲基吡 咯 -5- 基、 3- 甲基吡咯 -1- 基、 3- 甲基吡咯 -2- 基、 3- 甲基吡咯 -4- 基、 3- 甲基吡咯 -5- 基、 2- 叔丁基吡咯 -4- 基、 3-(2- 苯基丙基 ) 吡咯 -1- 基、 2， 2’ - 联吡啶基、 2， 2’ ： 6’ ， 2” - 联吡 啶基等。作为该非稠环杂芳基可具有的烷基可列举出上述碳原子数为 1 ～ 50 的烷基， 作为 非稠环芳基可列举出上述成环碳原子数为 6 ～ 20 的非稠环芳基， 作为非稠环杂芳基可列举 出上述成环原子数为 5 ～ 20 的非稠环杂芳基。
作为 Ra 所表示的取代或未取代的稠多环杂芳基， 可列举出 1- 吲哚基、 2- 吲哚基、 3- 吲哚基、 4- 吲哚基、 5- 吲哚基、 6- 吲哚基、 7- 吲哚基、 1- 异吲哚基、 2- 异吲哚基、 3- 异吲 哚基、 4- 异吲哚基、 5- 异吲哚基、 6- 异吲哚基、 7- 异吲哚基、 2- 苯并呋喃基、 3- 苯并呋喃基、 4- 苯并呋喃基、 5- 苯并呋喃基、 6- 苯并呋喃基、 7- 苯并呋喃基、 1- 异苯并呋喃基、 3- 异苯并 呋喃基、 4- 异苯并呋喃基、 5- 异苯并呋喃基、 6- 异苯并呋喃基、 7- 异苯并呋喃基、 喹啉基、 3- 喹啉基、 4- 喹啉基、 5- 喹啉基、 6- 喹啉基、 7- 喹啉基、 8- 喹啉基、 1- 异喹啉基、 3- 异喹啉 基、 4- 异喹啉基、 5- 异喹啉基、 6- 异喹啉基、 7- 异喹啉基、 8- 异喹啉基、 2- 喹喔啉基、 5- 喹喔 啉基、 6- 喹喔啉基、 1- 咔唑基、 2- 咔唑基、 3- 咔唑基、 4- 咔唑基、 9- 咔唑基、 1- 菲啶基、 2- 菲 啶基、 3- 菲啶基、 4- 菲啶基、 6- 菲啶基、 7- 菲啶基、 8- 菲啶基、 9- 菲啶基、 10- 菲啶基、 1- 吖 啶基、 2- 吖啶基、 3- 吖啶基、 4- 吖啶基、 9- 吖啶基、 1， 7- 菲绕啉 -2- 基、 1， 7- 菲绕啉 -3- 基、 1， 7- 菲绕啉 -4- 基、 1， 7- 菲绕啉 -5- 基、 1， 7- 菲绕啉 -6- 基、 1， 7- 菲绕啉 -8- 基、 1， 7- 菲绕 7- 菲绕啉 -10- 基、 1， 8- 菲绕啉 -2- 基、 1， 8- 菲绕啉 -3- 基、 1， 8- 菲绕啉 -4- 基、 啉 -9- 基、 1， 1， 8- 菲绕啉 -5- 基、 1， 8- 菲绕啉 -6- 基、 1， 8- 菲绕啉 -7- 基、 1， 8- 菲绕啉 -9- 基、 1， 8- 菲绕 啉 -10- 基、 1， 9- 菲绕啉 -2- 基、 1， 9- 菲绕啉 -3- 基、 1， 9- 菲绕啉 -4- 基、 1， 9- 菲绕啉 -5- 基、 1， 9- 菲绕啉 -6- 基、 1， 9- 菲绕啉 -7- 基、 1， 9- 菲绕啉 -8- 基、 1， 9- 菲绕啉 -10- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -2- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -3- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -4- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -5- 基、 2， 9- 菲 绕 啉 -1- 基、 2， 9- 菲绕啉 -3- 基、 2， 9- 菲绕啉 -4- 基、 2， 9- 菲绕啉 -5- 基、 2， 9- 菲绕啉 -6- 基、 2， 9- 菲绕啉 -7- 基、 2， 9- 菲绕啉 -8- 基、 2， 9- 菲绕啉 -10- 基、 2， 8- 菲绕啉 -1- 基、 2， 8- 菲绕 啉 -3- 基、 2， 8- 菲绕啉 -4- 基、 2， 8- 菲绕啉 -5- 基、 2， 8- 菲绕啉 -6- 基、 2， 8- 菲绕啉 -7- 基、 2， 8- 菲绕啉 -9- 基、 2， 8- 菲绕啉 -10- 基、 2， 7- 菲绕啉 -1- 基、 2， 7- 菲绕啉 -3- 基、 2， 7- 菲绕 啉 -4- 基、 2， 7- 菲绕啉 -5- 基、 2， 7- 菲绕啉 -6- 基、 2， 7- 菲绕啉 -8- 基、 2， 7- 菲绕啉 -9- 基、 2， 7- 菲绕啉 -10- 基、 1- 吩嗪基、 2- 吩嗪基、 1- 吩噻嗪基、 2- 吩噻嗪基、 3- 吩噻嗪基、 4- 吩 噻嗪基、 10- 吩噻嗪基、 1- 吩 嗪基、 2- 吩 嗪基、 3- 吩 嗪基、 4- 吩 嗪基、 10- 吩 嗪 基、 2- 甲基 -1- 吲哚基、 4- 甲基 -1- 吲哚基、 2- 甲基 -3- 吲哚基、 4- 甲基 -3- 吲哚基、 2- 叔 丁基 -1- 吲哚基、 4- 叔丁基 -1- 吲哚基、 2- 叔丁基 -3- 吲哚基、 4- 叔丁基 -3- 吲哚基等。
R 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未取代的成环碳 原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的卤代烷基、 取代或未取代 的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基、 取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的杂芳基、 卤素原 子、 氰基或硝基。
R 所表示的取代或未取代的烷基和取代或未取代的成环碳原子数为 3 ～ 50 的环烷基可分别从 Ra 中示例的 ( 取代 ) 烷基和 ( 取代 ) 环烷基中选择。
作为 R 所表示的取代或未取代的卤代烷基， 可列举出以选自氟原子、 氯原子、 溴原 子和碘原子的卤素原子取代上述碳原子数为 1 ～ 50 的烷基中的氢原子而得到的基团， 可 示例出三氟甲基、 2， 2， 2- 三氟乙基、 五氟乙基、 氯甲基、 1- 氯乙基、 2- 氯乙基、 2- 氯异丁基、 1， 2- 二氯乙基、 1， 3- 二氯异丙基、 2， 3- 二氯叔丁基、 1， 2， 3- 三氯丙基、 溴甲基、 1- 溴乙基、 2- 溴乙基、 2- 溴异丁基、 1， 2- 二溴乙基、 1， 3- 二溴异丙基、 2， 3- 二溴叔丁基、 1， 2， 3- 三溴丙 基、 碘甲基、 1- 碘乙基、 2- 碘乙基、 2- 碘异丁基、 1， 2- 二碘乙基、 1， 3- 二碘异丙基、 2， 3- 二碘 叔丁基、 1， 2， 3- 三碘丙基等。
作为 R 所表示的取代或未取代的芳基， 可列举出苯基、 1- 萘基、 2- 萘基、 1- 蒽基、 2- 蒽基、 9- 蒽基、 1- 菲基、 2- 菲基、 3- 菲基、 4- 菲基、 9- 菲基、 1- 丁省基、 2- 丁省基、 9- 丁 省基、 1- 芘基、 2- 芘基、 4- 芘基、 2- 联苯基、 3- 联苯基、 4- 联苯基、 对三联苯 -4- 基、 对三联 苯 -3- 基、 对三联苯 -2- 基、 间三联苯 -4- 基、 间三联苯 -3- 基、 间三联苯 -2- 基、 邻甲苯 基、 间甲苯基、 对甲苯基、 对叔丁基苯基、 对 (2- 苯基丙基 ) 苯基、 3- 甲基 -2- 萘基、 4- 甲 基 -1- 萘基、 4- 甲基 -1- 蒽基、 4’ - 甲基联苯基、 4” - 叔丁基对三联苯 -4- 基、 荧蒽基、 芴基 等。 作为 R 所表示的取代或未取代的杂芳基， 可列举出 1- 吡咯基、 2- 吡咯基、 3- 吡咯 基、 吡嗪基、 2- 吡啶基、 3- 吡啶基、 4- 吡啶基、 1- 吲哚基、 2- 吲哚基、 3- 吲哚基、 4- 吲哚基、 5- 吲哚基、 6- 吲哚基、 7- 吲哚基、 1- 异吲哚基、 2- 异吲哚基、 3- 异吲哚基、 4- 异吲哚基、 5- 异 吲哚基、 6- 异吲哚基、 7- 异吲哚基、 2- 呋喃基、 3- 呋喃基、 2- 苯并呋喃基、 3- 苯并呋喃基、 4- 苯并呋喃基、 5- 苯并呋喃基、 6- 苯并呋喃基、 7- 苯并呋喃基、 1- 异苯并呋喃基、 3- 异苯 并呋喃基、 4- 异苯并呋喃基、 5- 异苯并呋喃基、 6- 异苯并呋喃基、 7- 异苯并呋喃基、 喹啉基、 3- 喹啉基、 4- 喹啉基、 5- 喹啉基、 6- 喹啉基、 7- 喹啉基、 8- 喹啉基、 1- 异喹啉基、 3- 异喹啉 基、 4- 异喹啉基、 5- 异喹啉基、 6- 异喹啉基、 7- 异喹啉基、 8- 异喹啉基、 2- 喹喔啉基、 5- 喹喔 啉基、 6- 喹喔啉基、 1- 咔唑基、 2- 咔唑基、 3- 咔唑基、 4- 咔唑基、 9- 咔唑基、 1- 菲啶基、 2- 菲 啶基、 3- 菲啶基、 4- 菲啶基、 6- 菲啶基、 7- 菲啶基、 8- 菲啶基、 9- 菲啶基、 10- 菲啶基、 1- 吖 啶基、 2- 吖啶基、 3- 吖啶基、 4- 吖啶基、 9- 吖啶基、 1， 7- 菲绕啉 -2- 基、 1， 7- 菲绕啉 -3- 基、 1， 7- 菲绕啉 -4- 基、 1， 7- 菲绕啉 -5- 基、 1， 7- 菲绕啉 -6- 基、 1， 7- 菲绕啉 -8- 基、 1， 7- 菲绕 啉 -9- 基、 1， 7- 菲绕啉 -10- 基、 1， 8- 菲绕啉 -2- 基、 1， 8- 菲绕啉 -3- 基、 1， 8- 菲绕啉 -4- 基、 1， 8- 菲绕啉 -5- 基、 1， 8- 菲绕啉 -6- 基、 1， 8- 菲绕啉 -7- 基、 1， 8- 菲绕啉 -9- 基、 1， 8- 菲绕 啉 -10- 基、 1， 9- 菲绕啉 -2- 基、 1， 9- 菲绕啉 -3- 基、 1， 9- 菲绕啉 -4- 基、 1， 9- 菲绕啉 -5- 基、 1， 9- 菲绕啉 -6- 基、 1， 9- 菲绕啉 -7- 基、 1， 9- 菲绕啉 -8- 基、 1， 9- 菲绕啉 -10- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -2- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -3- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -4- 基、 1， 10- 菲 绕 啉 -5- 基、 2， 9- 菲 绕 啉 -1- 基、 2， 9- 菲绕啉 -3- 基、 2， 9- 菲绕啉 -4- 基、 2， 9- 菲绕啉 -5- 基、 2， 9- 菲绕啉 -6- 基、 2， 9- 菲绕啉 -7- 基、 2， 9- 菲绕啉 -8- 基、 2， 9- 菲绕啉 -10- 基、 2， 8- 菲绕啉 -1- 基、 2， 8- 菲绕 啉 -3- 基、 2， 8- 菲绕啉 -4- 基、 2， 8- 菲绕啉 -5- 基、 2， 8- 菲绕啉 -6- 基、 2， 8- 菲绕啉 -7- 基、 2， 8- 菲绕啉 -9- 基、 2， 8- 菲绕啉 -10- 基、 2， 7- 菲绕啉 -1- 基、 2， 7- 菲绕啉 -3- 基、 2， 7- 菲绕 啉 -4- 基、 2， 7- 菲绕啉 -5- 基、 2， 7- 菲绕啉 -6- 基、 2， 7- 菲绕啉 -8- 基、 2， 7- 菲绕啉 -9- 基、 2， 7- 菲绕啉 -10- 基、 1- 吩嗪基、 2- 吩嗪基、 1- 吩噻嗪基、 2- 吩噻嗪基、 3- 吩噻嗪基、 4- 吩噻
嗪基、 10- 吩噻嗪基、 1- 吩嗪基、 2- 吩嗪基、 3- 吩10嗪基、 4- 吩嗪基、 10- 吩嗪基、101959867 A CN 101959868说唑基、 5唑基、 2-明书6/44 页2-唑基、 4-二唑基、 5-二唑基、 3- 呋咱基、 2- 噻吩基、 3- 噻吩基、 2- 甲基吡咯 -1- 基、 2- 甲基吡咯 -3- 基、 2- 甲基吡咯 -4- 基、 2- 甲基吡咯 -5- 基、 3- 甲基吡咯 -1- 基、 3- 甲基吡咯 -2- 基、 3- 甲基吡咯 -4- 基、 3- 甲基吡咯 -5- 基、 2- 叔丁基 吡咯 -4- 基、 3-(2- 苯基丙基 ) 吡咯 -1- 基、 2- 甲基 -1- 吲哚基、 4- 甲基 -1- 吲哚基、 2- 甲 基 -3- 吲哚基、 4- 甲基 -3- 吲哚基、 2- 叔丁基 -1- 吲哚基、 4- 叔丁基 -1- 吲哚基、 2- 叔丁 基 -3- 吲哚基、 4- 叔丁基 -3- 吲哚基等。
作为 R 所表示的卤素原子， 可列举出氟原子、 氯原子、 溴原子、 碘原子等。
m 为 0 ～ 4 的整数， 当 m 为 2 ～ 4 的整数时， 多个 R 可相同或不同。另外， 相邻的 2 个 R 也可相互结合形成构成环结构的取代或未取代的饱和或不饱和的连接基团。
L1 和 L2 分别独立地为单键、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的亚芳基或 者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的亚杂芳基。但是不包含取代或未取代的亚蒽基 和取代或未取代的亚芴基。
L3 为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的亚芳基或者取代或未取代的成环 原子数为 5 ～ 20 的亚杂芳基。但是， 不包含取代或未取代的亚蒽基和取代或未取代的亚芴 基。
L1 ～ L3 所表示的取代或未取代的亚芳基可以从通过由 R 中示例的取代或未取代 的芳基除去 1 个氢原子而得到的 2 价基团中选择， 同样地取代或未取代的亚杂芳基可以分 别从通过由 R 中示例的取代或未取代的杂芳基除去 1 个氢原子而得到的 2 价基团中选择。 间亚苯基、 吡啶 -2， 6- 二基、 联苯 -4， 4’ - 二基。 特别优选的 L1 ～ L3 为对亚苯基、 1
Ar 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未取代的成环碳 原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的卤代烷基、 取代或未取代 的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 20 的杂芳基。但 是， 不包含蒽基、 咔唑基、 氮杂咔唑基、 苯并咪唑基、 二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。 Ar1 所表示的取代或未取代的烷基和取代或未取代的环烷基可从 Ra 中示例的 ( 取 代 ) 烷基和 ( 取代 ) 环烷基中选择。Ar1 所表示的取代或未取代的卤代烷基、 取代或未取代 的芳基以及取代或未取代的杂芳基可从 R 中示例的 ( 取代 ) 卤代烷基、 ( 取代 ) 芳基 ( 蒽 基除外 ) 以及 ( 取代 ) 杂芳基 ( 咔唑基、 氮杂咔唑基、 苯并咪唑基、 二苯并呋喃基和二苯并 噻吩基除外 ) 中选择。
Ar2 为氢原子、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基或者取代或未取代 的成环原子数为 5 ～ 20 的杂芳基。但是， 不包含蒽基。 2
Ar 所表示的取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基可从 R 中示例的 ( 取 代 ) 芳基 ( 蒽基除外 ) 和 ( 取代 ) 杂芳基中选择。
Ar3 为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基或者取代或未取代的成环原 子数为 5 ～ 20 的杂芳基。但是， 不包含蒽基、 咔唑基、 氮杂咔唑基、 苯并咪唑基、 二苯并呋喃 基和二苯并噻吩基。
Ar3 所表示的取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基可从 R 中示例的 ( 取 代 ) 芳基 ( 蒽基除外 ) 和 ( 取代 ) 杂芳基 ( 咔唑基、 氮杂咔唑基、 苯并咪唑基、 二苯并呋喃 基和二苯并噻吩基除外 ) 中选择。
Ar1 ～ Ar3 中的至少 1 个优选为从下列稠环化合物中除去任一个氢原子而形成的 1
价基团。
[ 化 3]
在上述 1 价稠环基中， 键的位置无特殊限定， 但优选下列稠环基。 [ 化 4]n 为 0 ～ 4 的整数。当 n 为 2 ～ 4 的整数时， 多个 Ar2 和多个 L2 可分别相同或不 同。另外， 当 n ＝ 0 时， L1 不为单键， 且 Ar1 不为氢原子。
当 Z 为 -Ra， 且 Ar1 为氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或 未取代的成环碳原子数为 3 ～ 50 的环烷基或者取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的卤代 烷基时， n 不为 0。即， n 为 1 ～ 4 的整数。 3
当 Z 为 -L -Ar3 时， L1 和 L2 不同时为单键， 并且 Ar1 和 Ar2 不同时为氢原子。
通式 (1) 所表示的含氮杂环衍生物优选以下列通式 (1a) 或 (1b) 表示。
[ 化 5]
( 式中， Ra、 R、 m、 L1、 L2、 L3、 Ar1、 Ar2、 Ar3 和 n 与上述相同。) 通式 (1a) 所表示的含氮杂环衍生物优选以下列通式 (2a) ～ (5a) 中的任一通式表示。[ 化 6]
( 在上述通式 (2a) 中， Ra、 R、 m、 L2、 Ar1、 Ar2 和 n 与上述相同。) [ 化 7]( 在上述通式 (3a) 中， Ra、 R、 L1、 L2、 Ar1 和 Ar2 与上述相同， R21、 R23 和 R24 与通式 (1) 中的 R 相同。)
[ 化 8]
( 在上述通式 (4a) 中， Ra、 L1 和 Ar1 与上述相同， R21 ～ R24 与通式 (1) 中的 R 相 [ 化 9]同。)
( 在上述通式 (5a) 中， Ra、 L2、 Ar1 和 Ar2 与上述相同， R21、 R23 和 R24 与通式 (1) 中 的 R 相同。)
通式 (1b) 所表示的含氮杂环衍生物优选以下列通式 (2b) ～ (5b) 中的任一通式 表示。
[ 化 10]
( 在上述通式 (2b) 中， R、 m、 L2、 L3、 Ar1、 Ar2、 Ar3 和 n 与上述相同。)[ 化 11]( 在上述通式 (3b) 中， L1 ～ L3 和 Ar1 ～ Ar3 与上述相同， R21、 R23 和 R24 与通式 (1) 中的 R 相同。)
[ 化 12]
( 在上述通式 (4b) 中， L1、 L3、 Ar1 和 Ar3 与上述相同， R21 ～ R24 与通式 (1) 中的 R [ 化 13]相同。)
( 在上述通式 (5b) 中， L2、 L3、 Ar1 ～ Ar3 与上述相同， R21、 R23 和 R24 与通式 (1) 中 的 R 相同。)
在上述的 “取代或未取代的 … 基” 中， 作为任意的取代基， 可列举出碳原子数为 1 ～ 20 的烷基、 碳原子数为 3 ～ 20 的环烷基、 成环碳原子数为 6 ～ 20 的芳基、 成环碳原子 数为 3 ～ 20 的杂芳基、 碳原子数为 1 ～ 20 的烷氧基、 碳原子数为 3 ～ 20 的环烷氧基、 成环 碳原子数为 6 ～ 30 的芳氧基、 碳原子数为 7 ～ 31 的芳烷基、 卤素原子、 硝基、 氰基、 羟基等。
通 式 (1) 所 表 示 的 化 合 物 ( 下 列 BI-AR) 可 通 过 采 用 一 般 的 铃 木 偶 联 反 应， Tetrahedron Lett.， 38， 3447(1997)、 Tetrahedron Lett.， 38， 3841(1997)、 Tetrahedron Lett.， 38， 1197(1997) 中记载的方法等， 使对应的苯并咪唑的卤素取代物 ( 下述 BI-X， 包括被卤素取代的芳基取代物 ) 与对应的稠环衍生物的硼酸或硼酸酯衍生物 ( 下述 AR-B(OR’ )2) 发生偶联反应， 或使苯并咪唑的硼酸或硼酸酯衍生物 ( 下述 BI-B(OR’ )2) 与 对应的稠环衍生物的卤素取代物 ( 下述 AR-X， 包括被卤素取代的芳基取代物 ) 反应来合成， 其反应条件等只要是本领域的技术人员， 则可容易地选择、 确定。
[ 化 14]
在上式中， X 为卤素原子， R’ 、 n’ 和 L 为满足通式 (1) 中的 Z、 R、 m、 L1、 L2、 Ar1、 Ar2 和 n 的定义而选择的取代基和整数。
通式 (1) 的含氮杂环衍生物优选用作有机 EL 元件用材料， 特别优选用作发光材 料、 电子注入材料或电子传输材料。
以下示出了本发明的以通式 (1a) 所表示的含氮杂环衍生物的具体实例， 但并不 限定于这些示例化合物。
[ 化 15]
[ 化 16]
[ 化 17]
[ 化 18]
[ 化 19]
[ 化 20]
[ 化 21]以下示出了本发明的以通式 (1b) 所表示的含氮杂环衍生物的具体实例， 但并不 限定于这些示例化合物。
[ 化 22]
[ 化 23]
[ 化 24]
[ 化 25]
[ 化 26]
[ 化 27]接着， 对本发明的有机 EL 元件进行说明。
本发明的有机 EL 元件在阴极和阳极间具有含有发光层的 1 层以上的有机薄膜层， 该有机薄膜层中的至少 1 层含有本发明的含氮杂环衍生物。
在本发明的优选实施方式中， 上述有机薄膜层具有电子注入层或电子传输层， 该 电子注入层或该电子传输层含有本发明的含氮杂环衍生物。此外， 优选上述电子传输层含 有含氮杂环衍生物， 更优选上述电子注入层或上述电子传输层进一步含有还原性掺杂剂。
在本发明的另一优选实施方式中， 上述发光层含有本发明的含氮杂环衍生物。另 外， 上述发光层除本发明的含氮杂环衍生物外还可进一步含有磷光性掺杂剂和荧光性掺杂 剂中的至少 1 种掺杂剂。通过含有这样的掺杂剂， 可作为磷光发光层和荧光发光层而发挥 功能。
作为本发明的有机 EL 元件的代表性构成， 可列举出
(1) 阳极 / 发光层 / 阴极
(2) 阳极 / 空穴注入层 / 发光层 / 阴极
(3) 阳极 / 发光层 / 电子注入层 / 阴极
(4) 阳极 / 空穴注入层 / 发光层 / 电子注入层 / 阴极
(5) 阳极 / 有机半导体层 / 发光层 / 阴极
(6) 阳极 / 有机半导体层 / 电子屏障层 / 发光层 / 阴极
(7) 阳极 / 有机半导体层 / 发光层 / 附着改善层 / 阴极
(8) 阳极 / 空穴注入层 / 空穴传输层 / 发光层 / 电子注入层 / 阴极
(9) 阳极 / 绝缘层 / 发光层 / 绝缘层 / 阴极
(10) 阳极 / 无机半导体层 / 绝缘层 / 发光层 / 绝缘层 / 阴极
(11) 阳极 / 有机半导体层 / 绝缘层 / 发光层 / 绝缘层 / 阴极
(12) 阳极 / 绝缘层 / 空穴注入层 / 空穴传输层 / 发光层 / 绝缘层 / 阴极
(13) 阳极 / 绝缘层 / 空穴注入层 / 空穴传输层 / 发光层 / 电子注入层 / 阴极等， 但并不限定于此。其中， 通常优选采用 (8) 的构成。
本发明的含氮杂环衍生物可用于有机 EL 元件的任一有机薄膜层， 但可优选用于 发光区域或电子传输区域， 特别优选用于电子注入层、 电子传输层和发光层。
图 1 中示出了 (8) 的构成。有机 EL 元件 1 由阴极 10 和阳极 20 以及两者间所夹 持的空穴注入层 31、 空穴传输层 32、 发光层 33、 电子注入层 34 构成。空穴注入层 31、 空穴 传输层 32、 发光层 33、 电子注入层 34 相当于多个有机薄膜层。上述有机薄膜层 31 ～ 34 中 的至少 1 层含有本发明的含氮杂环衍生物。
以下对有机 EL 元件的各部件进行说明。
有机 EL 元件通常于基板上制备， 基板支持有机 EL 元件。 优选使用平滑的基板。 当 通过该基板导出光时， 优选基板具有透光性， 在波长为 400 ～ 700nm 可见区的透光率为 50％ 以上。
作为这样的透光性基板， 优选使用例如玻璃板、 合成树脂板等。作为玻璃板， 可列 举出钠钙玻璃、 含钡·锶玻璃、 铅玻璃、 铝硅酸玻璃、 硼硅酸玻璃、 硼硅酸钡玻璃、 石英等板。 另外， 作为合成树脂板， 可列举出聚碳酸酯树脂、 丙烯酸树脂、 聚对苯二甲酸乙二酯树脂、 聚 硫醚树脂、 聚砜树脂等板。
阳极将空穴注入空穴注入层、 空穴传输层或发光层， 具有 4.5eV 以上的功函数是 有效的。作为阳极材料的具体实例， 可列举出氧化铟锡 (ITO)、 氧化铟和氧化锌的混合物 (IZO)、 ITO 和氧化铈的混合物 (ITCO)、 IZO 和氧化铈的混合物 (IZCO)、 氧化铟和氧化铈的混 合物 (ICO)、 氧化锌和氧化铝的混合物 (AZO)、 氧化锡 (NESA)、 金、 银、 铂、 铜等。阳极可通过 蒸镀法或溅射法等由上述电极物质形成。
当从阳极导出来自发光层的发光时， 优选阳极相对于发光的透过率大于 10％。另外， 阳极的薄膜电阻优选为数百 Ω/ □以下。阳极的膜厚也取决于材料， 但通常为 10nm ～ 1μm， 优选为 10 ～ 200nm。
发光层具有以下功能。
(1) 注入功能 ： 在施加电场时可由阳极或空穴注入层注入空穴， 由阴极或电子注 入层注入电子的功能
(2) 传输功能 ： 通过电场的力使注入的电荷 ( 电子和空穴 ) 移动的功能
(3) 发光功能 ： 使电子和空穴再结合， 使它们相结合而发光的功能
作为形成发光层的方法， 可适用例如蒸镀法、 旋涂法、 LB 法等公知的方法。发光层 特别优选为分子堆积膜。 分子堆积膜是指沉积气相状态的材料化合物而形成的膜或固化溶 液状态或液相状态的材料化合物而形成的膜， 通常该分子堆积膜与通过 LB 法形成的薄膜 ( 分子累积膜 ) 可通过凝集构造、 高次构造的差异或由此引起的功能上的差异来区分。另 外， 也可在将树脂等粘合剂和材料化合物溶于溶剂制成溶液后， 通过采用旋涂法等将其薄 膜化来形成发光层。
作为可用于发光层的发光材料或掺杂材料， 可列举出例如蒽、 萘、 菲、 芘、 丁省、 荧光素、 苝、 邻苯二甲酰苝 (phthaloperylene フタロペリレン )、 萘二甲酰苝 晕苯、 、 (naphthaloperylene ナフタロペリレン )、 紫环酮 (perinone)、 酚酞酮 (phthaloperinone フタロペリノン )、 ナフタロペリノン (naphthaloperinone)、 二苯基丁二烯、 四苯基丁 二烯、 香豆素、 二唑、 醛连氮、 双苯并 唑啉 (bisbenzoxazoline ビスベンゾキサゾリ ン )、 联苯乙烯、 吡嗪、 环戊二烯、 喹啉金属络合物、 氨基喹啉金属络合物、 苯并喹啉金属络 合物、 亚胺、 双苯乙烯基化合物 (bisstyryl ビススチリル )、 乙烯基蒽、 二氨基咔唑、 吡喃、 噻喃、 聚甲炔、 部花青、 咪唑螯合化 8- 羟基喹啉酮化合物 (imidazole chelated oxinoid compounds イミダゾ一ルキレ一ト化オキシノイド化合物 )、 喹吖酮、 红荧烯及其衍生物或 荧光色素等， 但并不限定于此。
作为可用于发光层的基质材料的具体实例， 可列举出下列 (i) ～ (ix) 所表示的化 下列式 (i) 所表示的不对称蒽。 [ 化 28]合物。
( 式中， Ar001 为取代或未取代的成环碳原子数为 10 ～ 50 的稠环芳基。Ar002 为取 代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基。X001 ～ X003 分别独立地为取代或未取代的成 环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基、 取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 杂芳基、 取代或未取代 的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷氧基、 取代或未取代 的碳原子数为 7 ～ 50 的芳烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳氧基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳硫基、 取代或未取代的碳原子数为 2 ～ 50 的烷氧基羰 基、 羧基、 卤素原子、 氰基、 硝基、 羟基。a、 b 和 c 分别为 0 ～ 4 的整数。n 为 1 ～ 3 的整数。 另外， 当 n 为 2 以上时， [] 内可相同或不同。)
下列式 (ii) 所表示的不对称单蒽衍生物。
[ 化 29]
( 式中， Ar003 和 Ar004 分别独立地为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳 基， m 和 n 分别为 1 ～ 4 的整数。但是， 当 m ＝ n ＝ 1 且 Ar003 和 Ar004 在苯环上的键合位置 为左右对称型时， Ar003 和 Ar004 不相同， 当 m 或 n 为 2 ～ 4 的整数时， m 和 n 是不同的整数。 001 010
R ～ R 分别独立地为氢原子、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基、 取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂芳基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷 基、 取代或未取代的成环碳原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷氧基、 取代或未取代的碳原子数为 7 ～ 50 的芳烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳氧基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳硫基、 取代或未取代的碳 原子数为 2 ～ 50 的烷氧基羰基、 取代或未取代的甲硅烷基、 羧基、 卤素原子、 氰基、 硝基、 羟 基。)
下列式 (iii) 所表示的不对称芘衍生物。
[ 化 30]
( 式中、 Ar005 和 Ar006 分别为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基。
L001 和 L002 分别为取代或未取代的亚苯基、 取代或未取代的亚萘基、 取代或未取代 的亚芴基或者取代或未取代的亚二苯并噻咯基 (dibenzosilolylene)。
m 为 0 ～ 2 的整数， n 为 1 ～ 4 的整数， s 为 0 ～ 2 的整数， t 为 0 ～ 4 的整数。)
下列式 (iv) 所表示的不对称蒽衍生物。
[ 化 31]
( 式中， A001 和 A002 分别独立地为取代或未取代的成环碳原子数为 10 ～ 20 的稠环 Ar007 和 Ar008 分别独立地为氢原子或者取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基。
芳基。 R011 ～ R020 分别独立地为氢原子、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基、 取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 杂芳基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷 氧基、 取代或未取代的碳原子数为 7 ～ 50 的芳烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳氧基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳硫基、 取代或未取代的碳原子数 为 2 ～ 50 的烷氧基羰基、 取代或未取代的甲硅烷基、 羧基、 卤素原子、 氰基、 硝基或羟基。 007 008 019 020
Ar 、 Ar 、 R 和 R 也可分别为多个， 相邻的基团之间也可形成饱和或不饱和的 环状结构。)
下列式 (v) 所表示的蒽衍生物。
[ 化 32]
( 式中， R021 ～ R030 分别独立表示氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的 烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷氧基、 取代或未取代的成环碳原子 数为 6 ～ 50 的芳氧基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基氨基、 取代或未取代的碳 原子数为 2 ～ 50 的烯基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基氨基或者取代或 未取代的成环原子数为 5 ～ 50 杂环基， a 和 b 分别表示 1 ～ 5 的整数， 当其为 2 以上时， R021 之间或 R022 之间可分别相同或不同， 而且 R021 之间或 R022 之间也可键合形成环， R023 和 R024、 R025 和 R026、 R027 和 R028、 R029 和 R030 也可相互键合形成环。L003 表示单键、 -O-、 -S-、 -N(R)-(R 为取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基或者取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基 )、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的亚烷基或者取代或未取代的成环碳原子数
为 6 ～ 50 的亚芳基。)
下列式 (vi) 所表示的蒽衍生物。
[ 化 33]
( 式中， R031 ～ R040 分别独立表示氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的 烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 3 ～ 50 的环烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷氧基、 取代或未取代的成环碳原子 数为 6 ～ 50 的芳氧基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基氨基、 取代或未取代的成 环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基氨基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂环基， c、 031 032 036 037 d、 e 和 f 分别表示 1 ～ 5 的整数， 当其为 2 以上时， R 之间、 R 之间、 R 之间或 R 之间
可分别相同或不同， 而且 R031 之间、 R032 之间、 R036 之间或 R037 之间可键合形成环， R033 和 R034、 R038 和 R039 可相互键合形成环。L004 表示单键、 -O-、 -S-、 -N(R)-(R 为取代或未取代的碳原子 数为 1 ～ 50 的烷基或者取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基 )、 取代或未取代的 碳原子数为 1 ～ 50 的亚烷基或者取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 亚芳基。)
下列式 (vii) 所表示的螺芴衍生物。
[ 化 34]
( 式中， A005 ～ A008 分别独立地为取代或未取代的联苯基或者取代或未取代的萘 下列式 (viii) 所表示的含稠环化合物。 [ 化 35]基。)
( 式中， A011 ～ A013 分别独立地为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的亚芳 基。A014 ～ A016 分别独立地为氢原子或者取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基。 R041 ～ R043 分别独立表示氢原子、 碳原子数为 1 ～ 6 的烷基、 碳原子数为 3 ～ 6 的环烷基、 碳 原子数为 1 ～ 6 的烷氧基、 成环碳原子数为 6 ～ 18 的芳氧基、 碳原子数为 7 ～ 18 的芳烷氧 基、 成环碳原子数为 6 ～ 16 的芳基氨基、 硝基、 氰基、 碳原子数为 2 ～ 6 的酯基或卤素原子， 011 016 A ～ A 中的至少 1 个为含有 3 个环以上的稠合芳环的基团。)
下列式 (ix) 所表示的芴化合物。
[ 化 36]
( 式中， R051 和 R052 表示氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代 或未取代的碳原子数为 7 ～ 50 的芳烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基、 取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂环基、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的氨 基、 氰基或卤素原子。键合于不同的芴基的 R051 之间、 R052 之间可相同或不同， 键合于相同的 051 052 053 054 芴基的 R 和 R 可相同或不同。R 和 R 表示氢原子、 取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未取代的碳原子数为 7 ～ 50 的芳烷基、 取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂环基， 键合于不同的芴基的 R053 之间、 R054 之间可相同或不同， 键合于相同的芴基的 R053 和 R054 可相同或不同。Ar011 和 Ar012 表示苯环合计为 3 个以上的取代或未取代的稠多环芳基， 或苯环和杂环合计为 3 个以 上的取代或未取代的通过碳键合于芴基的稠多环杂环基， Ar011 和 Ar012 可相同或不同。n 表 示 1 ～ 10 的整数。)
在本发明的有机 EL 元件中， 除本发明的发光材料外， 还可根据需要在发光层中含 有磷光性掺杂剂和 / 或荧光性掺杂剂。另外， 在含有本发明的化合物的发光层上还可层压 含有上述掺杂剂的发光层。
磷光性掺杂剂为可从三重态激发子发光的化合物。 虽然不特别限定于从三重态激 发子发光， 但优选为含有选自 Ir、 Ru、 Pd、 Pt、 Os 和 Re 中的至少 1 种金属的金属络合物， 优 选卟啉金属络合物或邻位金属化金属络合物。磷光性化合物可单独使用或合用 2 种以上。
作为卟啉金属络合物， 优选卟啉铂络合物。
作为形成邻位金属化金属络合物的配体包括各种配体， 但作为优选的配体， 可列 举出具有苯基吡啶骨架、 联吡啶骨架或菲绕啉骨架的化合物， 2- 苯基吡啶衍生物， 7， 8- 苯
并喹啉衍生物， 2-(2- 噻吩基 ) 吡啶衍生物， 2-(1- 萘基 ) 吡啶衍生物， 2- 苯基喹啉衍生物 等。上述衍生物也可根据需要具有取代基。特别是氟化物、 引入三氟甲基的化合物优选作 为蓝色系掺杂剂。 此外， 作为辅助配体， 也可具有乙酰丙酮、 苦味酸等上述配体以外的配体。
这样的金属络合物的具体实例可列举出三 (2- 苯基吡啶 ) 铱、 三 (2- 苯基吡啶 ) 钌、 三 (2- 苯基吡啶 ) 钯、 双 (2- 苯基吡啶 ) 铂、 三 (2- 苯基吡啶 ) 锇、 三 (2- 苯基吡啶 ) 铼、 八乙基铂卟啉、 八苯基铂卟啉、 八乙基钯卟啉、 八苯基钯卟啉等， 但并不限定于此， 根据所要 求的发光色、 元件性能以及所使用的主体化合物选择合适的络合物。
作为磷光性掺杂剂在发光层中的含量， 无特殊限制， 可根据目的适宜选择， 例如为 0.1 ～ 70％质量， 优选 1 ～ 30％质量。若磷光性化合物的含量不足 0.1％质量， 则发光微 弱， 有不能充分发挥其含有效果之虞 ； 当超过 70％质量时， 所谓的浓度消光现象显著， 有元 件性能降低之虞。
作为荧光性掺杂剂， 优选从胺类化合物、 芳族化合物、 三 (8- 羟基喹啉 ) 合铝络合 物等螯合络合物、 香豆素衍生物、 四苯基丁二烯衍生物、 双苯乙烯基亚芳基衍生物、 二唑 衍生物等中符合所要求的发光色选择化合物， 进一步优选苯乙烯胺化合物、 苯乙烯二胺化 合物、 芳胺化合物、 芳二胺化合物。另外， 还优选不是胺化合物的稠多环芳族化合物。上述 荧光性掺杂剂可单独使用或多种组合使用。
作为苯乙烯胺化合物和苯乙烯二胺化合物， 优选下列式 (A) 所表示的化合物。
[ 化 37]
( 式中， Ar101 为由苯、 萘、 联苯、 三联苯、 均二苯乙烯、 二苯乙烯基芳基衍生的 p 价 102 103 101 基团， Ar 和 Ar 分别为碳原子数为 6 ～ 20 的芳烃基， Ar 、 Ar102 和 Ar103 也可以被取代。 Ar101 ～ Ar103 中的任 1 个可被苯乙烯基所取代。进一步优选为 Ar102 或 Ar103 中的至少一方被 苯乙烯基所取代。p 为 1 ～ 4 的整数， 优选为 1 ～ 2 的整数。)
在这里， 作为碳原子数为 6 ～ 20 芳烃基， 可列举出苯基、 萘基、 蒽基、 菲基、 三联苯 基等。
作为芳胺化合物和芳二胺化合物， 优选下列式 (B) 所表示的化合物。
[ 化 38]
( 式中， Ar111 为 q 价的取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 40 的芳基或者取代或 未取代的成环原子数为 5 ～ 40 的杂芳基， Ar112、 Ar113 分别为取代或未取代的成环碳原子数 为 6 ～ 40 的芳基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 40 的杂芳基。q 为 1 ～ 4 的整数， 优选为 1 ～ 2 的整数。)
作为上述芳基和杂芳基， 可列举出例如苯基、 萘基、 蒽基、 菲基、 芘基、 晕苯基、 联苯基、 三联苯基、 吡咯基、 呋喃基、 噻吩基、 苯并噻吩基、 二唑基、 二苯基蒽基、 吲哚基、 咔唑 苉基、 三亚苯基、 基、 吡啶基、 苯并喹啉基、 荧蒽基、 苊并荧蒽基、 均二苯乙烯基、 苝基、 基、 玉红省基、 苯并蒽基、 苯基蒽基、 双蒽基 (bisanthracyl ビスアントラセニル ) 等， 优选萘 基、 蒽基、 基、 芘基。 作为上述芳基和杂芳基的优选取代基， 可列举出碳原子数为 1 ～ 6 的烷基 ( 乙基、 甲基、 异丙基、 正丙基、 仲丁基、 叔丁基、 戊基、 己基等 )、 碳原子数为 3 ～ 6 的环烷基 ( 环戊 基、 环己基等 )、 碳原子数为 1 ～ 6 的烷氧基 ( 乙氧基、 甲氧基、 异丙氧基、 正丙氧基、 仲丁氧 基、 叔丁氧基、 戊氧基、 己氧基等 )、 碳原子数为 3 ～ 6 的环烷氧基 ( 环戊氧基、 环己氧基等 )、 成环碳原子数为 6 ～ 40 的芳基、 被成环碳原子数为 6 ～ 40 的芳基所取代的氨基、 具有成环 碳原子数为 6 ～ 40 的芳基的酯基、 具有碳原子数为 1 ～ 6 的烷基的酯基、 氰基、 硝基、 卤素 原子等。
发光层还可根据需要含有空穴传输材料、 电子传输材料、 聚合物粘结剂。 发光层的 膜厚优选为 5 ～ 50nm， 更优选为 7 ～ 50nm， 最优选为 10 ～ 50nm。若不足 5nm， 则有发光层 的形成变难， 色度的调整变难之虞 ； 若超过 50nm， 则有驱动电压上升之虞。
空穴注入层和空穴传输层为帮助空穴向发光层注入并传输至发光区域的层， 空穴 移动度大， 离子化能量小， 通常为 5.5eV 以下。作为这样的空穴注入层和空穴传输层的材 料， 优选在更低的电场强度下将空穴传输至发光层的材料， 进一步优选空穴的移动度例如 4 6 -4 2 在施加 10 ～ 10 V/cm 电场时为 10 cm /V·秒以上。
作为空穴注入层和空穴传输层的材料， 无特殊限制， 在现有的光传导材料中， 可从 作为空穴的电荷传输材料常用的材料或用于有机 EL 元件的空穴注入、 传输层的公知材料 中选择任意的材料使用。
在空穴注入层和空穴传输层中可使用例如下列式所表示的芳胺衍生物。
[ 化 39]
( 式中， Ar211 ～ Ar213 和 Ar221 ～ Ar223 分别为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的亚芳基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的亚杂芳基， Ar203 ～ Ar208 分别为取 代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的 杂芳基。a ～ c 和 p ～ r 分别为 0 ～ 3 的整数。Ar203 和 Ar204、 Ar205 和 Ar206、 Ar207 和 Ar208 也 可分别相互连接形成饱和或不饱和的环。)
作为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基的具体实例， 可列举出苯基、 1- 萘基、 2- 萘基、 1- 蒽基、 2- 蒽基、 9- 蒽基、 1- 菲基、 2- 菲基、 3- 菲基、 4- 菲基、 9- 菲基、 1- 丁省基、 2- 丁省基、 9- 丁省基、 1- 芘基、 2- 芘基、 4- 芘基、 2- 联苯基、 3- 联苯基、 4- 联苯
基、 对三联苯 -4- 基、 对三联苯 -3- 基、 对三联苯 -2- 基、 间三联苯 -4- 基、 间三联苯 -3- 基、 间三联苯 -2- 基、 邻甲苯基、 间甲苯基、 对甲苯基、 对叔丁基苯基、 对 (2- 苯基丙基 ) 苯基、 3- 甲基 -2- 萘基、 4- 甲基 -1- 萘基、 4- 甲基 -1- 蒽基、 4’ - 甲基联苯基、 4” - 叔丁基对三联 苯 -4- 基。
作为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的亚芳基的具体实例， 可列举出由上 述芳基中除去 1 个氢原子而得到的基团。
作为取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂芳基的具体实例， 可列举出 1- 吡 咯基、 2- 吡咯基、 3- 吡咯基、 吡嗪基、 2- 吡啶基、 3- 吡啶基、 4- 吡啶基、 1- 吲哚基、 2- 吲哚 基、 3- 吲哚基、 4- 吲哚基、 5- 吲哚基、 6- 吲哚基、 7- 吲哚基、 1- 异吲哚基、 2- 异吲哚基、 3- 异 吲哚基、 4- 异吲哚基、 5- 异吲哚基、 6- 异吲哚基、 7- 异吲哚基、 2- 呋喃基、 3- 呋喃基、 2- 苯 并呋喃基、 3- 苯并呋喃基、 4- 苯并呋喃基、 5- 苯并呋喃基、 6- 苯并呋喃基、 7- 苯并呋喃基、 1- 异苯并呋喃基、 3- 异苯并呋喃基、 4- 异苯并呋喃基、 5- 异苯并呋喃基、 6- 异苯并呋喃基、 7- 异苯并呋喃基、 喹啉基、 3- 喹啉基、 4- 喹啉基、 5- 喹啉基、 6- 喹啉基、 7- 喹啉基、 8- 喹啉 基、 1- 异喹啉基、 3- 异喹啉基、 4- 异喹啉基、 5- 异喹啉基、 6- 异喹啉基、 7- 异喹啉基、 8- 异喹 啉基、 2- 喹喔啉基、 5- 喹喔啉基、 6- 喹喔啉基、 1- 咔唑基、 2- 咔唑基、 3- 咔唑基、 4- 咔唑基、 9- 咔唑基、 1- 菲啶基、 2- 菲啶基、 3- 菲啶基、 4- 菲啶基、 6- 菲啶基、 7- 菲啶基、 8- 菲啶基、 9- 菲啶基、 10- 菲啶基、 1- 吖啶基、 2- 吖啶基、 3- 吖啶基、 4- 吖啶基、 9- 吖啶基、 1， 7- 菲绕 啉 -2- 基、 1， 7- 菲绕啉 -3- 基、 1， 7- 菲绕啉 -4- 基、 1， 7- 菲绕啉 -5- 基、 1， 7- 菲绕啉 -6- 基、 1， 7- 菲绕啉 -8- 基、 1， 7- 菲绕啉 -9- 基、 1， 7- 菲绕啉 -10- 基、 1， 8- 菲绕啉 -2- 基、 1， 8- 菲绕 啉 -3- 基、 1， 8- 菲绕啉 -4- 基、 1， 8- 菲绕啉 -5- 基、 1， 8- 菲绕啉 -6- 基、 1， 8- 菲绕啉 -7- 基、 1， 8- 菲绕啉 -9- 基、 1， 8- 菲绕啉 -10- 基、 1， 9- 菲绕啉 -2- 基、 1， 9- 菲绕啉 -3- 基、 1， 9- 菲绕 啉 -4- 基、 1， 9- 菲绕啉 -5- 基、 1， 9- 菲绕啉 -6- 基、 1， 9- 菲绕啉 -7- 基、 1， 9- 菲绕啉 -8- 基、 1， 9- 菲绕啉 -10- 基、 1， 10- 菲绕啉 -2- 基、 1， 10- 菲绕啉 -3- 基、 1， 10- 菲绕啉 -4- 基、 1， 10- 菲绕啉 -5- 基、 2， 9- 菲绕啉 -1- 基、 2， 9- 菲绕啉 -3- 基、 2， 9- 菲绕啉 -4- 基、 2， 9- 菲绕 啉 -5- 基、 2， 9- 菲绕啉 -6- 基、 2， 9- 菲绕啉 -7- 基、 2， 9- 菲绕啉 -8- 基、 2， 9- 菲绕啉 -10- 基、 2， 8- 菲绕啉 -1- 基、 2， 8- 菲绕啉 -3- 基、 2， 8- 菲绕啉 -4- 基、 2， 8- 菲绕啉 -5- 基、 2， 8- 菲绕 啉 -6- 基、 2， 8- 菲绕啉 -7- 基、 2， 8- 菲绕啉 -9- 基、 2， 8- 菲绕啉 -10- 基、 2， 7- 菲绕啉 -1- 基、 2， 7- 菲绕啉 -3- 基、 2， 7- 菲绕啉 -4- 基、 2， 7- 菲绕啉 -5- 基、 2， 7- 菲绕啉 -6- 基、 2， 7- 菲 绕啉 -8- 基、 2， 7- 菲绕啉 -9- 基、 2， 7- 菲绕啉 -10- 基、 1- 吩嗪基、 2- 吩嗪基、 1- 吩噻嗪基、 2- 吩噻嗪基、 3- 吩噻嗪基、 4- 吩噻嗪基、 10- 吩噻嗪基、 1- 吩 嗪基、 4- 吩 嗪基、 10- 吩 嗪基、 2唑基、 4唑基、 5嗪基、 2- 吩 唑基、 2嗪基、 3- 吩 二唑基、 5二唑基、 3- 呋咱基、 2- 噻吩基、 3- 噻吩基、 2- 甲基吡咯 -1- 基、 2- 甲基吡咯 -3- 基、 2- 甲基吡 咯 -4- 基、 2- 甲基吡咯 -5- 基、 3- 甲基吡咯 -1- 基、 3- 甲基吡咯 -2- 基、 3- 甲基吡咯 -4- 基、 3- 甲基吡咯 -5- 基、 2- 叔丁基吡咯 -4- 基、 3-(2- 苯基丙基 ) 吡咯 -1- 基、 2- 甲基 -1- 吲 哚基、 4- 甲基 -1- 吲哚基、 2- 甲基 -3- 吲哚基、 4- 甲基 -3- 吲哚基、 2- 叔丁基 -1- 吲哚基、 4- 叔丁基 -1- 吲哚基、 2- 叔丁基 -3- 吲哚基、 4- 叔丁基 -3- 吲哚基。
作为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的亚杂芳基的具体实例， 可列举出由 上述杂芳基中除去 1 个氢原子而得到的基团。
此外， 空穴注入层和空穴传输层还可含有下列式所表示的化合物。[ 化 40]( 式中， Ar231 ～ Ar234 分别为取代或未取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基或者 取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂芳基。L 为连接基团， 可以是单键或者取代或未 取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的亚芳基或者取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的亚杂 芳基。x 为 0 ～ 5 的整数。)
Ar232 和 Ar233 也可相互连接形成饱和或不饱和的环。在这里， 作为取代或未取代的 成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基和亚芳基以及取代或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂芳 基和亚杂芳基的具体实例， 可列举出与上述相同的基团。
此外， 作为空穴注入层和空穴传输层的材料的具体实例， 可列举出例如三唑衍生物、 二唑衍生物、 咪唑衍生物、 聚芳烷衍生物、 吡唑啉衍生物、 吡唑啉酮衍生物、 苯二胺衍 生物、 芳胺衍生物、 氨基取代查耳酮衍生物、 唑衍生物、 苯乙烯基蒽衍生物、 芴酮衍生物、 腙衍生物、 均二苯乙烯衍生物、 硅氨烷衍生物、 苯胺类共聚物、 导电性高分子低聚物 ( 特别 是噻吩低聚物 ) 等。
作为空穴注入层和空穴传输层的材料， 可使用上述材料， 但优选使用卟啉化合物、 芳族叔胺化合物和苯乙烯胺化合物， 特别优选使用芳族叔胺化合物。
另外， 可优选使用分子内具有 2 个稠合芳环的化合物 ( 例如 4， 4’ - 双 (N-(1- 萘 基 )-N- 苯基氨基 ) 联苯 ( 以下简记为 NPD)) 或 3 个三苯胺单元呈星爆 (starburst) 型连 接的 4， 4’ ， 4” - 三 (N-(3- 甲基苯基 )-N- 苯基氨基 ) 三苯胺 ( 以下简记为 MTDATA) 等。
此外， 还可使用下列式所表示的含氮杂环衍生物。
[ 化 41]
式中， R201 ～ R206 分别表示取代或未取代的碳原子数为 1 ～ 50 的烷基、 取代或未 取代的成环碳原子数为 6 ～ 50 的芳基、 取代或未取代的碳原子数为 7 ～ 50 的芳烷基、 取代 201 202 203 204 205 或未取代的成环原子数为 5 ～ 50 的杂环基中的任一种。R 和 R 、 R 和R 、 R 和 R206、 R202 和 R203 或 R204 和 R205 也可形成稠环。 R201 和 R206、
此外， 还可使用下式的化合物。
[ 化 42]
R211 ～ R216 为取代基， 优选分别为氰基、 硝基、 磺酰基、 羰基、 三氟甲基、 卤素等吸电子基。 另外， p 型 Si、 p 型 SiC 等无机化合物也可用作空穴注入层和空穴传输层的材料。
空穴注入层和空穴传输层可通过采用真空蒸镀法、 旋涂法、 浇铸法、 LB 法等公知的 方法将上述化合物薄膜化来形成。空穴注入层和空穴传输层的膜厚无特殊限制， 但通常为 5nm ～ 5μm。空穴注入层和空穴传输层可通过包含上述材料中的 1 种或 2 种以上的 1 层来 构成， 也可以是层压包含不同化合物的多个空穴注入层和空穴传输层而成。
有机半导体层是帮助空穴或电子向发光层注入的层， 优选具有 10-10S/cm 以上的导 电率的材料。作为这样的有机半导体层的材料， 可使用含噻吩低聚物或含芳胺低聚物等导 电性低聚物、 含芳胺树状大分子等导电性树状大分子等。
电子屏障层是通过将由阴极注入的电子封闭到发光层内来提高发光效率的层。 在 本发明的有机 EL 元件中， 可使用上述空穴传输层所使用的化合物中的芳族叔胺化合物等。
电子注入层、 电子传输层 ( 电子传输区域 ) 是帮助电子向发光层注入并传输至发 光区域的层， 电子移动度大， 电子亲和力大， 通常为 2.5eV 以上。作为这样的电子注入·传 输层， 优选在更低的电场强度下将电子传输至发光层的材料， 若电子的移动度在例如施加 4 6 -6 2 10 ～ 10 V/cm 的电场时至少为 10 cm /V·秒， 则更优选。
当将本发明的含氮杂环衍生物用于电子传输区域时， 可由本发明的含氮杂环衍生 物单独形成电子注入·传输层， 也可与其它材料混合。
作为与本发明的含氮杂环衍生物混合形成电子注入层、 电子传输层的材料， 若为 具有上述优选性质的材料， 则无特殊限制， 在现有的光传导材料中， 可以使用选自作为电子 的电荷传输材料常用的材料或有机 EL 元件的电子注入层、 电子传输层所使用的公知材料 的任意材料。
另外， 附着改善层是包含该电子注入层中与阴极附着特别好的材料的层。在本发 明的有机 EL 元件中， 优选使用上述本发明化合物作为电子注入层、 电子传输层、 附着改善 层。
本发明的有机 EL 元件的优选方式有 ： 在传输电子的区域或阴极与有机层的界面 区域含有还原性掺杂剂的元件。在本发明中， 优选本发明化合物中含有还原性掺杂剂的元 件。在本文中， 将还原性掺杂剂定义为可还原电子传输性化合物的物质。因此， 只要是具有 一定还原性的掺杂剂， 则可使用各种掺杂剂， 例如可优选使用选自碱金属、 碱土类金属、 稀 土类金属、 碱金属的氧化物、 碱金属的卤化物、 碱土类金属的氧化物、 碱土类金属的卤化物、 稀土类金属的氧化物或稀土类金属的卤化物、 碱金属的有机络合物、 碱土类金属的有机络 合物、 稀土类金属的有机络合物中的至少 1 种物质。
另外， 更具体而言， 作为优选的还原性掺杂剂， 特别优选功函数为 2.9eV 以下的掺 杂剂， 可列举选自 Na( 功函数 ： 2.36eV)、 K( 功函数 ： 2.28eV)、 Rb( 功函数 ： 2.16eV) 和 Cs( 功 函数 ： 1.95eV) 中的至少 1 种碱金属或选自 Ca( 功函数 ： 2.9eV)、 Sr( 功函数 ： 2.0 ～ 2.5eV) 和 Ba( 功函数 ： 2.52eV) 中的至少 1 种碱土类金属。其中， 更优选的还原性掺杂剂为选自 K、 Rb 和 Cs 中的至少 1 种碱金属， 进一步优选为 Rb 或 Cs， 最优选为 Cs。上述碱金属还原能力 特别高， 通过向电子注入区域添加较少量的上述碱金属化合物， 可实现有机 EL 元件的发光 亮度的提高和长寿命化。另外， 作为功函数为 2.9eV 以下的还原性掺杂剂， 优选为上述 2 种 以上碱金属的组合， 特别优选含有 Cs 的组合， 例如 Cs 和 Na、 Cs 和 K、 Cs 和 Rb 或 Cs、 Na 和 K 的组合。通过组合含有 Cs， 可有效发挥还原能力， 通过向电子注入区域的添加， 可实现有机 EL 元件的发光亮度的提高和长寿命化。
在本发明中， 在阴极和有机层之间还可进一步设置由绝缘体和半导体构成的电子 注入层。此时， 可有效防止电流的泄露， 提高电子注入性。作为这样的绝缘体， 优选使用选 自碱金属硫属化物 (chalcogenide カルコゲナイド )、 碱土类金属硫属化物、 碱金属的卤化 物和碱土类金属的卤化物中的至少 1 种金属化合物。若电子注入层由上述碱金属硫属化物 等构成， 则在可进一步提高电子注入性方面优选。具体而言， 作为优选的碱金属硫属化物， 可列举出例如 Li2O、 K2O、 Na2S、 Na2Se 和 Na2O ； 作为优选的碱土类金属硫属化物， 可列举出例 如 CaO、 BaO、 SrO、 BeO、 BaS 和 CaSe。另外， 作为优选的碱金属的卤化物， 可列举出例如 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KCl 和 NaCl 等。另外， 作为优选的碱土类金属的卤化物， 可列举出例如 CaF2、 BaF2、 SrF2、 MgF2 和 BeF2 等氟化物， 和氟化物以外的卤化物。
另外， 作为构成电子传输层的半导体， 可列举出含有 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 Cd、 Mg、 Si、 Ta、 Sb 和 Zn 中的至少 1 种元素的氧化物、 氮化物或氧化氮化物等的单独 1 种 或 2 种以上的组合。另外， 构成电子传输层的无机化合物优选为微晶 (finecrystalline 微 結晶 ) 或非晶质的绝缘性薄膜。若电子传输层由上述绝缘性薄膜构成， 则由于形成更均质 的薄膜， 所以可减少暗点等像素缺陷。需说明的是， 作为这样的无机化合物， 可列举出上述 碱金属硫属化物、 碱土类金属硫属化物、 碱金属的卤化物和碱土类金属的卤化物等。
作为阴极， 为将电子注入电子注入层、 电子传输层或发光层， 使用以功函数小 (4eV 以下 ) 的金属、 合金、 导电性化合物及其混合物作为电极物质的阴极。作为这样的电极物质 的具体实例， 可列举出钠、 钠·钾合金、 镁、 锂、 镁·银合金、 铝 / 氧化铝、 铝·锂合金、 铟、 稀 土类金属等。
该阴极可通过采用蒸镀或溅射等方法使上述电极物质形成薄膜来制备。
在这里， 当从阴极导出来自发光层的发光时， 优选阴极相对于发光的透过率大于 10％。
另外， 作为阴极的薄膜电阻优选为数百 Ω/ □以下， 膜厚通常为 10nm ～ 1μm， 优选 为 50 ～ 200nm。
由于有机 EL 元件对超薄膜施加电场， 所以易产生因漏电或短路引起的像素欠缺。 为防止这种情况， 优选在一对电极间插入绝缘性的薄膜层。作为绝缘层所使用的材料， 可 列举出例如氧化铝、 氟化锂、 氧化锂、 氟化铯、 氧化铯、 氧化镁、 氟化镁、 氧化钙、 氟化钙、 氮化 铝、 氧化钛、 氧化硅、 氧化锗、 氮化硅、 氮化硼、 氧化钼、 氧化钌、 氧化钒等， 也可使用其混合物 或层压物。可通过以上示例的材料和形成方法形成阳极、 发光层， 根据需要形成空穴注入层、 空穴传输层， 以及根据需要形成电子注入层、 电子传输层， 进一步通过形成阴极来制备有机 EL 元件。另外， 还可通过从阴极向阳极与上述相反的顺序来制备有机 EL 元件。
以下记载了具有在透光性基板上依次设置阳极 / 空穴注入层 / 发光层 / 电子注入 层 / 阴极的构成的有机 EL 元件的制备例。
首先， 通过蒸镀或溅射等方法在适当的透光性基板上形成膜厚为 1μm 以下、 优选 10 ～ 200nm 范围的包含阳极材料的薄膜来制备阳极。接着， 在该阳极上设置空穴注入层。 空穴注入层的形成可通过如上所述的真空蒸镀法、 旋涂法、 浇铸法、 LB 法等方法进行， 但从 易制得均质的膜， 且针孔难以发生等的观点出发， 优选通过真空蒸镀法形成。 当通过真空蒸 镀法形成空穴注入层时， 其蒸镀条件因所使用的化合物 ( 空穴注入层的材料 )、 作为目标的 空穴注入层的晶体结构或再结合结构等而不同， 但通常优选在蒸镀源温度 50 ～ 450℃、 真 -7 -3 空度 10 10 Torr、 蒸镀速度 0.01 ～ 50nm/ 秒、 基板温度 -50 ～ 300℃、 膜厚 5nm ～ 5μm 的 范围内适宜选择。
其次， 在空穴注入层上设置发光层的发光层的形成也可通过使用所需要的有机发 光材料， 采用真空蒸镀法、 溅射法、 旋涂法、 浇铸法等方法使有机发光材料薄膜化来形成， 但 从易制得均质的膜， 且针孔难以发生等的观点出发， 优选通过真空蒸镀法形成。 当通过真空 蒸镀法形成发光层时， 其蒸镀条件因所使用的化合物而不同， 但通常可从与空穴注入层相 同的条件范围中选择。 其次， 在该发光层上设置电子注入层。与空穴注入层、 发光层一样， 根据制得均质 的膜的需要， 优选通过真空蒸镀法形成。 蒸镀条件可从与空穴注入层、 发光层同样的条件范 围选择。
本发明的含氮杂环衍生物因包含于发光区域或空穴传输区域中的哪一层而不同， 但当采用真空蒸镀法时， 可与其它材料进行共蒸镀。另外， 当采用旋涂法时， 可通过与其它 材料混合而含有。
最后可层压阴极制得有机 EL 元件。
阴极由金属构成， 可采用蒸镀法、 溅射法。但是， 为防止衬底的有机物层免受制膜 时的损伤， 优选真空蒸镀法。
该有机 EL 元件的制备优选抽 1 次真空连续地从阳极开始到阴极为止进行制备。
本发明有机 EL 元件的各层的形成方法无特殊限定。可采用利用目前公知的真空 蒸镀法、 旋涂法等的形成方法。本发明有机 EL 元件所使用的含有上述通式 (1) 所示化合物 的有机薄膜层可通过真空蒸镀法、 分子束蒸镀法 (MBE 法 ) 或利用溶于溶剂而成溶液的浸渍 法、 旋涂法、 浇铸法、 棒涂法、 辊涂法等涂布法的公知方法来形成。
本发明有机 EL 元件的各有机层的膜厚无特殊限制， 但通常若膜厚过薄， 则易产生 针孔等缺陷， 相反若过厚， 则需要高施加电压， 效率降低， 所以通常优选为数 nm 至 1μm 的范 围。
需说明的是， 当对有机 EL 元件施加直流电压时， 使阳极为 + 的极性， 阴极为 - 的极 性， 若施加 5 ～ 40V 的电压， 则可观测到发光。另外， 即使在相反的极性下施加电压， 电流也 不流动， 完全不产生发光。此外， 当施加交流电压时， 仅在阳极为 + 的极性、 阴极为 - 的极性 时可观测到均一的发光。所施加的交流的波形可以是任意的。
实施例
接着， 采用实施例对本发明进行更详细地说明， 但本发明不受这些实例的任何限 合成例 1( 化合物 1 的合成 ) [ 化 43]定。
在氩气流下向 100mL 三颈烧瓶中加入、 3.0g(8.6mmol) 的 1-(4- 溴苯基 )-2- 苯 基 -1H- 苯 并 咪 唑、 2.2g(8.7mmol) 的 双 联 硼 酸 频 那 醇 酯 (bis(pinacolato)diboronic acid)、 0.21g(0.29mmol) 的 [1， 1’ - 双 ( 二 苯 基 膦 基 ) 二 茂 铁 ] 二 氯 化 钯 (II)、 2.5g(25mmol) 的醋酸钾、 50ml 的 DMF， 于 80℃加热 3 小时。确认原料溴化物消失后， 冷却至 室温， 加入 2.2g(8.6mmol) 的 9- 溴菲、 0.21g(0.29mmol) 的 [1， 1’ - 双 ( 二苯基膦基 ) 二茂 铁 ] 二氯化钯 (II)、 21mL 的 2M 碳酸钠水溶液， 于 80℃加热搅拌 3 小时。反应结束后加入 水， 然后滤取析出的结晶， 用水、 甲醇洗涤后减压干燥， 制得反应粗生成物。通过柱色谱 ( 硅 胶， 二氯甲烷∶正己烷 ) 进行纯化， 制得 2.5g 的白色结晶。所述结晶通过 FD-MS( 场解吸附 质谱 ) 的测定鉴定为化合物 1( 收率 65％ )。合成例 2( 化合物 2 的合成 )
[ 化 44]
在合成例 1 中， 除使用 9- 溴芘代替 9- 溴菲外， 通过进行同样的操作， 制得化合物 2。收率为 50％。
合成例 3( 化合物 3 的合成 )
[ 化 45]
在合成例 1 中， 除使用 1-(4- 溴苯基 )-2- 甲基 -1H- 苯并咪唑代替 1-(4- 溴苯 基 )-2- 苯基 -1H- 苯并咪唑， 使用 9- 溴芘代替 9- 溴菲外， 通过进行同样的操作， 制得化合 物 3。收率为 55％。
合成例 4( 化合物 4 的合成 )
[ 化 46]
在合成例 1 中， 除使用 5- 溴 -1- 甲基 -2- 苯基 -1H- 苯并咪唑代替 1-(4- 溴苯 基 )-2- 苯基 -1H- 苯并咪唑， 使用 9- 溴芘代替 9- 溴菲外， 进行同样的操作， 制得化合物 4。 收率为 40％。
合成例 5( 化合物 5 的合成 )
(5-1) 中间体 A1 的合成
[ 化 47]
加入 40g(0.14mol) 的 2， 5- 二溴硝基苯、 48g(0.58mol) 的醋酸钠、 26g(0.15mol) 的 4- 溴苯胺， 于 120℃加热搅拌 8 小时后， 溶于 500mL 的二氯甲烷， 依次用水、 饱和食盐水洗 涤。用无水硫酸钠干燥， 减压蒸馏除去溶剂。通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯 化， 用甲醇洗涤得到的结晶， 制得 20g 的中间体 A1。收率为 38％。
(5-2) 中间体 A2 的合成
[ 化 48]
将 20g 的中间体 A1(54mmol) 溶于 200mL 的四氢呋喃， 在氩气氛下于室温进行搅拌， 滴加 48g(0.28mol) 连二亚硫酸钠 /200mL 水的溶液。进一步加入 10mL 的甲醇， 搅拌 5 小时。在反应溶液变透明后反应结束， 然后加入 200mL 的醋酸乙酯， 进一步加入碳酸氢钠水 溶液进行中和。接着， 分离有机层， 用饱和食盐水洗涤后用无水硫酸镁干燥， 减压蒸馏除去 溶剂， 制得 18g 的中间体 A2。收率为 100％。
(5-3) 中间体 A3 的合成
[ 化 49]
将 5.0g 的 中 间 体 A2(15mmol) 溶 于 50mL 的 N- 甲 基 吡 咯 烷 酮， 进一步滴加 2.2g(22mmol) 的醋酐， 于室温搅拌 3 小时。反应结束后， 将反应混合物加入 200mL 的水中， 过滤析出的固体， 通过减压干燥制得 4.9g 的中间体 A3。收率为 88％。
(5-4) 中间体 A4 的合成
[ 化 50]
将 4.9g 的中间体 A3(13mmol) 溶于 50mL 的二甲苯， 加入 0.25g(1.3mmol) 的对甲 基苯磺酸一水合物， 在氮气氛下加热回流 8 小时并进行共沸脱水。将反应液冷却至室温后， 通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯化， 得到的结晶为 3.0g 的中间体 A4。收率为 64％。
(5-5) 化合物 5 的合成
[ 化 51]
在氩气流下向 300mL 三颈烧瓶中加入 3.0g(8.2mmol) 的中间体 A4、 4.4g(18mmol) 的芘 -1- 硼酸、 0.38g(0.33mmol) 的四 ( 三苯基膦 ) 钯 (0)、 60mL 的甲苯、 30mL 的 1， 2- 二甲 氧基乙烷、 27mL 的 2M 碳酸钠水溶液， 加热回流 8 小时。反应结束后加入水， 将析出的固体 进行水洗， 进一步用甲醇洗涤。将得到的粗结晶用 50mL 的 1， 2- 二甲氧基乙烷洗涤 2 次， 用 50mL 的甲苯洗涤 2 次， 制得 3.5g 的淡黄色粉末。所述粉末通过 FD-MS( 场解吸附质谱 ) 的 测定鉴定为化合物 5( 收率 70％ )。
合成例 6( 化合物 6 的合成 )
(6-1) 中间体 A5 的合成
[ 化 52]加入 39g(0.27mol) 的 2- 氟硝基苯、 90g(1.1mol) 的醋酸钠、 47g(0.27mol) 的 4- 溴 苯胺， 于 120℃加热搅拌 8 小时后， 溶于 300mL 的二氯甲烷， 依次用水、 饱和食盐水洗涤。用 无水硫酸钠干燥， 减压蒸馏除去溶剂。通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯化， 用 甲醇洗涤得到的结晶， 制得 41g 的中间体 A5。收率为 50％。
(6-2) 中间体 A6 的合成
[ 化 53]
将 15g(51mmol) 的中间体 A5 溶于 150mL 的四氢呋喃， 在氩气氛下于室温进行搅 拌， 滴加 45g(0.26mol) 连二亚硫酸钠 /150mL 水的溶液。进一步加入 10mL 的甲醇， 搅拌 3 小时。在反应溶液变透明后反应结束， 然后加入 200mL 的醋酸乙酯， 进一步加入碳酸氢钠水 溶液进行中和。 接着， 分离有机层， 用饱和食盐水洗涤后， 用无水硫酸镁干燥， 减压蒸馏除去 溶剂， 制得 13.5g 的中间体 A6。收率为 100％。
(6-3) 中间体 A7 的合成
[ 化 54]
将 10g(38mmol) 的 中 间 体 A6 溶 于 100mL 的 N- 甲 基 吡 咯 烷 酮， 进一步滴加 10g(46mmol) 的 4- 溴苯甲酰氯， 于室温搅拌 3 小时。反应结束后， 将反应混合物加入 500mL 的水中， 过滤析出的固体， 通过减压干燥制得 13.6g 的中间体 A7。收率为 80％。
(6-4) 中间体 A8 的合成
[ 化 55]
将 13.6g(30mmol) 的中间体 A7 溶于 100mL 的二甲苯， 加入 0.6g(3.2mmol) 的对甲 基苯磺酸一水合物， 在氮气氛下加热回流 8 小时并进行共沸脱水。将反应液冷却至室温后， 通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯化， 得到的结晶为 7.8g 的中间体 A8。收率为 60％。
(6-5) 化合物 6 的合成
[ 化 56]
在氩气流下向 500mL 三颈烧瓶中加入 7.8g(18mmol) 的中间体 A8、 9.9g(40mmol) 的芘 -1- 硼酸、 0.83g(0.72mmol) 的四 ( 三苯基膦 ) 钯 (0)、 120mL 的甲苯、 60mL 的 1， 2- 二 甲氧基乙烷、 60mL 的 2M 碳酸钠水溶液， 加热回流 8 小时。 反应结束后加入水， 将析出的固体 进行水洗， 进一步用甲醇洗涤。将得到的粗结晶用 100mL 的 1， 2- 二甲氧基乙烷洗涤 2 次， 用 100mL 的甲苯洗涤 2 次， 制得 9.1g 的淡黄色粉末。所述粉末通过 FD-MS( 场解吸附质谱 ) 的测定鉴定为化合物 6( 收率 74％ )。
合成例 7( 化合物 7 的合成 )
(7-1) 中间体 B1 的合成
[ 化 57]
加入 40g(0.14mol) 的 2， 5- 二溴硝基苯、 48g(0.58mol) 的醋酸钠、 26g(0.15mol) 的 4- 溴苯胺， 于 120℃加热搅拌 8 小时后， 溶于 500mL 的二氯甲烷， 依次用水、 饱和食盐水洗 涤。用无水硫酸钠干燥， 减压蒸馏除去溶剂。通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯 化， 用甲醇洗涤得到的结晶， 制得 20g 的中间体 B1。收率为 38％。
(7-2) 中间体 B2 的合成 [ 化 58]将 20g(54mmol) 的中间体 B1 溶于 200mL 的四氢呋喃， 在氩气氛下于室温进行搅 拌， 滴加 48g(0.28mol) 连二亚硫酸钠 /200mL 水的溶液。进一步加入 10mL 的甲醇， 搅拌 5 小时。在反应溶液变透明后反应结束， 然后加入 200mL 的醋酸乙酯， 进一步加入碳酸氢钠水 溶液进行中和。 接着， 分离有机层， 用饱和食盐水洗涤后， 用无水硫酸镁干燥， 减压蒸馏除去 溶剂， 制得 18g 的中间体 B2。收率为 100％。
(7-3) 中间体 B3 的合成
[ 化 59]
将 5.0g(15mmol) 的 中 间 体 B2 溶 于 50mL 的 N- 甲 基 吡 咯 烷 酮， 进一步滴加 2.2g(22mmol) 的醋酐， 于室温搅拌 3 小时。反应结束后， 将反应混合物加入 200mL 的水中， 过滤析出的固体， 通过减压干燥， 制得 4.9g 的中间体 B3。收率 88％。
(7-4) 中间体 B4 的合成
[ 化 60]
将 4.9g(13mmol) 的中间体 B3 溶于 50mL 的二甲苯， 加入 0.25g(1.3mmol) 的对甲 基苯磺酸一水合物， 在氮气氛下加热回流 8 小时并进行共沸脱水。将反应液冷却至室温后， 通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯化， 制得 3.0g 的中间体 B4。收率为 64％。
(7-5) 化合物 7 的合成
[ 化 61]
在氩气流下向 500mL 三颈烧瓶中加入 3.0g(8.2mmol) 的中间体 B4、 4.4g(18mmol) 的芘 -1- 硼酸、 0.38g(0.33mmol) 的四 ( 三苯基膦 ) 钯 (0)、 80mL 的甲苯、 40mL 的 1， 2- 二甲 氧基乙烷、 27mL 的 2M 碳酸钠水溶液， 加热回流 8 小时。 反应结束后加入水， 将析出的固体进 行水洗， 进一步用甲醇洗涤。将得到的粗结晶用 100mL 的 1， 2- 二甲氧基乙烷洗涤 2 次， 用 100mL 的甲苯洗涤 2 次， 制得 3.5g 的淡黄色粉末。所述粉末通过 FD-MS( 场解吸附质谱 ) 的 测定鉴定为化合物 7( 收率为 70％ )。
合成例 8( 化合物 8 的合成 )
(8-1) 中间体 C1 的合成
[ 化 62]
将 5.0g(19mmol) 的 4- 溴 -N1- 苯基 - 邻苯二胺溶于 50mL 的 N- 甲基吡咯烷酮， 进 一步滴加 5.0g(23mmol) 的 4- 溴苯甲酰氯， 于室温搅拌 2 小时。反应结束后， 将反应混合物 加入 200mL 的水中， 过滤析出的固体， 通过减压干燥， 制得 7.0g 的中间体 C1。收率为 83％。
(8-2) 中间体 C2 的合成
[ 化 63]
将 7.0g(16mmol) 的中间体 C1 溶于 70mL 的二甲苯， 加入 0.30g(1.6mmol) 的对甲 基苯磺酸一水合物， 在氮气氛下加热回流 8 小时并进行共沸脱水。将反应液冷却至室温后， 通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯化， 制得 4.7g 的中间体 C2。收率为 70％。
(8-3) 化合物 8 的合成
[ 化 64]
在氩气流下向 500mL 三颈烧瓶中加入 4.7g(11mmol) 的中间体 C2、 5.9g(24mmol) 的芘 -1- 硼酸、 0.51g(0.44mmol) 的四 ( 三苯基膦 ) 钯 (0)、 80mL 的甲苯、 40mL 的 1， 2- 二甲 氧基乙烷、 33mL 的 2M 碳酸钠水溶液， 加热回流 8 小时。反应结束后加入水， 将析出的固体 进行水洗， 进一步用甲醇洗涤。将得到的粗结晶用 50mL 的 1， 2- 二甲氧基乙烷洗涤 2 次， 用 50mL 的甲苯洗涤 2 次， 制得 4.4g 的淡黄色粉末。所述粉末通过 FD-MS( 场解吸附质谱 ) 的 测定鉴定为化合物 8( 收率 60％ )。
合成例 9( 化合物 9 的合成 )
(9-1) 中间体 D1 的合成
[ 化 65]将 5.0g(15mmol) 的 中 间 体 B2 溶 于 50mL 的 N- 甲 基 吡 咯 烷 酮， 进一步滴加 3.8g(17mmol) 的 4- 溴苯甲酰氯， 于室温搅拌 2 小时。 反应结束后， 将反应混合物加入 200mL 的水中， 过滤析出的固体， 通过减压干燥， 制得 7.0g 的中间体 D1。收率为 91％。
(9-2) 中间体 D2 的合成
[ 化 66]
将 7.0g(13mmol) 的中间体 D1 溶于 50mL 的二甲苯， 加入 0.25g(1.3mmol) 的对甲 基苯磺酸一水合物， 在氮气氛下加热回流 8 小时并进行共沸脱水。将反应液冷却至室温后， 通过硅胶柱色谱 ( 展开剂 ： 二氯甲烷 ) 进行纯化， 制得 3.4g 的中间体 D2。收率为 50％。
(9-3) 化合物 9 的合成
[ 化 67]
在氩气流下向 300mL 三颈烧瓶中加入 3.4g(6.7mmol) 的中间体 D2、 3.8g(22mmol) 的萘 -1- 硼酸、 0.47g(0.41mmol) 的四 ( 三苯基膦 ) 钯 (0)、 60mL 的甲苯、 30mL 的 1， 2- 二甲 氧基乙烷、 30mL 的 2M 碳酸钠水溶液， 加热回流 8 小时。反应结束后加入水， 将析出的固体 进行水洗， 进一步用甲醇洗涤。将得到的粗结晶用 50mL 的 1， 2- 二甲氧基乙烷洗涤 2 次， 用 50mL 的甲苯洗涤 2 次， 制得 2.5g 的淡黄色粉末。所述粉末通过 FD-MS( 场解吸附质谱 ) 的 测定鉴定为化合物 9( 收率 57％ )。
实施例 1( 将本发明化合物用于电子注入层的有机 EL 元件的制备 )
将 25mm×75mm×1.1mm 厚的带 ITO 透明电极 ( 阳极 ) 的玻璃基板 (Geomatec Co.， Ltd.( ジオマテイツク社 ) 制 ) 在异丙醇中进行 5 分钟的超声清洗后， 进行 30 分钟的 UV 臭 首先在 氧清洗。将清洗后的带透明电极线的玻璃基板安装于真空蒸镀装置的基板支架上， 形成有透明电极线一侧的面上形成膜厚 60nm 的 N， N’ - 双 (N， N’ - 二苯基 -4- 氨基苯基 )-N， N- 二苯基 -4， 4’ - 二氨基 -1， 1’ - 联苯膜 ( 以下简记为 “TPD232 膜” )， 以覆盖上述透明电 极。所述 TPD232 膜作为空穴注入层发挥功能。在 TPD232 膜成膜后， 在所述 TPD232 膜上形 成膜厚 20nm 的 4， 4’ - 双 [N-(1- 萘基 )-N- 苯基氨基 ] 联苯膜 ( 以下简记为 “NPD 膜” )。所 述 NPD 膜作为空穴传输层发挥功能。
进而， 在上述 NPD 膜上以膜厚 40nm 使下列苯乙烯基衍生物 (DPVDPAN) 和下列苯乙 烯胺衍生物 (S1) 按照 40 ∶ 2 的膜厚比成膜， 作为蓝色系发光层。
[ 化 68]
在该膜上作为电子传输层， 以膜厚为 20nm 通过蒸镀使化合物 1 成膜。然后， 以膜 厚为 1nm 使 LiF 成膜。在所述 LiF 膜上蒸镀 150nm 厚的金属 Al 形成金属阴极， 从而形成有 机 EL 发光元件。
实施例 2 ～ 8
在实施例 1 中， 除使用化合物 2、 4、 5、 6、 7、 8 或 9 代替化合物 1 外， 同样操作制备有
机 EL 元件。
比较例 1
在实施例 1 中， 除使用国际公开 WO 2004/080975A1 记载的下列化合物 A 代替化合 物 1 外， 同样地操作来制备有机 EL 元件。
[ 化 69]
比较例 2
在实施例 1 中， 除使用日本特开 2002-38141 号公报记载的下列化合物 B 代替化合 物 1 外， 同样地操作来制备有机 EL 元件。
[ 化 70]
比较例 3
在实施例 1 中， 除使用 Alq(8- 羟基喹啉的铝络合物 ) 代替化合物 1 外， 同样地操 作来制备有机 EL 元件。
( 有机 EL 元件的评价 )
对于上述实施例 1 ～ 8 及比较例 1 ～ 3 中制得的有机 EL 元件， 在施加下列表 1 中 记载的直流电压的条件下， 测定发光亮度、 发光效率和色度， 观察发光色。其结果如表 1 所 示。
[ 表 1] 表1
通过上述表 1 的结果可知， 通过将本发明的含氮杂环衍生物用于电子注入层， 可 制备发光亮度和发光效率极高的元件。