近化学计量比铌酸锂晶片及其制备方法.pdf

本发明属光电材料领域。它提供了一种获得近化学计量比铌酸锂晶片的方法:利用气相传输平衡(Vaportransport equilibration,简称VTE)技术,在高温、富锂的气氛中,通过锂离子的扩散,使铌酸锂(包括名义纯和掺杂)晶片达到近化学计量比。该技术制作的晶片中Li2O的含量49mol.%以上,可非常接近50mol.%,且均匀性很好,适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导、频率转换、周期极化、全息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。

1、一种近化学计量比铌酸锂晶片，其特征在于其中Li₂O的含量在49mol.％以上。
2、按照权利要求1所说的近化学计量比铌酸锂晶片，其特征在于它包括掺杂，
如镁、锌、铟、铁、铜、锰、铈、镱、铒、钕、铬中的一种或一种以上；所说的掺杂
MgO或ZnO的掺杂量为0～5mol.％，In₂O₃的掺杂量为0～3mol.％，Fe₂O₃、CuO、Mn₂O₃、
Ce₂O₃、Yb₂O₃、Cr₂O₃、Er₂O₃或Nd₂O₃的掺杂量为0～1mol.％。
3、按照权利要求1所说的近化学计量比铌酸锂晶片，其特征在于它的最小尺寸
包括直径、长、宽或高在5mm以下。
4、权利要求1所说的近化学计量比铌酸锂晶片的制备方法，其特征在于它包括
下述步骤：
(1)称取[Li₂CO₃]/[Nb₂O₅]＝49～76∶24～50的粉料，在混料机上充分混合10～40小
   时，在800～950℃恒温2～5小时；
(2)将上述粉料在950～1150℃煅烧1～5小时；
(3)将上述煅烧粉料与普通铌酸锂晶片一同放在密闭的坩埚内，在1000～1200℃
   恒温1～1000小时，即可获得所需的近化学计量比铌酸锂晶片。
5、按照权利要求4所说的近化学计量比铌酸锂晶片的制备方法，其特征在于所
说的普通铌酸锂是在通常的同成分熔体中生长的铌酸锂晶体，其熔体的锂铌比为
46～49∶50～54。
6、权利要求1所说的近化学计量比铌酸锂晶片的应用，其特征在于它可以作为
一种多功能光电材料用于表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导、频率转换、
周期极化、全息存储或光电器件集成。

近化学计量比铌酸锂晶片及其制备方法

                              技术领域

本发明属光电材料领域。具体地讲它是一种近化学计量比的铌酸锂晶片及其制备
方法。近化学计量比铌酸锂晶片是优异的光电子材料，具有十分广泛的应用前景。