电子装置壳体及其制造方法.pdf

一种电子装置壳体，包括金属本体及塑件，该金属本体与塑件采用嵌入成型方式一体成型，该金属本体在与该塑件结合处的结合表面生成有可供该塑件附着的氧化膜。本发明还提供一种上述电子装置壳体的制造方法。上述电子装置壳体具有较高的结合强度。

1.  一种电子装置壳体，包括金属本体及塑件，该金属本体与塑件采用嵌入成型方式一体成型，其特征在于：该金属本体在与该塑件结合处的结合表面生成有可供该塑件附着的氧化膜。

2.  如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该塑件的材质为聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯和液晶聚合树脂中的至少一种。

3.  如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该金属本体材料为镁合金、铝合金、钛合金中的至少一种。

4.  如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该氧化膜经电化学处理生成，该电化学处理为阳极氧化、磷化之一。

5.  如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于：该氧化膜厚度小于或等于5微米。

6.  如权利要求4所述的电子装置壳体，其特征在于：该阳极氧化为微弧氧化。

7.  如权利要求5所述的电子装置壳体，其特征在于：该氧化膜具有供该塑件部分嵌入的孔洞结构。

8.  一种电子装置壳体的制备方法，其包括以下步骤：
提供一金属本体，在该金属本体的结合表面生成有氧化膜；
提供一塑件，该塑件熔融后与该金属本体经该结合表面上的氧化膜以嵌入成型方式结合为一体。

9.  如权利要求8所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该氧化膜经电化学处理生成，该电化学处理为阳极氧化、磷化之一。

10.  如权利要求8所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该氧化膜厚度在小于或等于5微米。

11.  如权利要求8所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该氧化膜具有供该塑件部分嵌入的孔洞结构。

12.  如权利要求9所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该阳极氧化为微弧氧化。

13.  如权利要求12所述电子装置壳体的制备方法，其特征在于：该微弧氧化的电流密度为？1A/dm2至1.5A/dm2、温度为20℃至40℃、频率为500HZ至800HZ、占空比为12％至20％。

电子装置壳体及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子装置壳体及其制造方法。
背景技术
随着电子技术的迅速发展，笔记本电脑、移动电话、个人数字助理(PDA，PersonalDigital Assistant)等电子装置得到了越来越广泛的应用。同时，人们对于电子装置的外观要求也越来越高。
目前，电子装置壳体中金属本体与塑件结合主要有卡勾卡合或胶水粘合等方式。然而，卡勾卡合的结合方式容易造成间隙大、易松动等缺陷，从而影响产品强度。胶水粘合的方式受胶水本身的化学性质影响大，由于胶水有挥发性，所以不适于温度较高的工作环境，又因为胶水易老化，从而影响粘合效果。随着电子产品日趋轻、薄、短、小的发展趋势，电子装置的金属外壳的厚度也将越来越趋向于薄型化，当金属外壳的厚度减小到一定程度，例如小于1毫米时，采用卡勾卡合及铆接的方式容易因为强度不够而导致金属件与塑料件脱落，影响产品的质量。此外，在空气中金属表面自然形成的氧化膜由于结构疏松，结合强度不够。
发明内容
鉴于上述状况，有必要提供一种结合强度较高的电子装置壳体及其制备方法。
一种电子装置壳体，包括金属本体及塑件，该金属本体与塑件采用嵌入成型方式一体成型，该金属本体在与该塑件结合处的结合表面生成有可供该塑件附着的氧化膜。
一种电子装置壳体的制备方法，其包括以下步骤：提供一金属本体，在该金属本体的结合表面生成有氧化膜；提供一塑件，该塑件熔融后与该金属本体经该结合表面上的氧化膜以嵌入成型方式结合为一体。
由于在金属本体结合表面生成氧化膜，以金属本体为嵌件进行嵌入成型，通过熔融塑料覆盖在金属本体结合表面上的氧化膜来增强金属本体与塑件之间的结合力，提高结合强度。
附图说明
图1是本发明实施例的电子装置壳体的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本发明的电子装置壳体及其制造方法作进一步的详细说明。
请参见图1，所示为本发明较佳实施例的电子装置壳体10，其包括金属本体11及塑件12，本实施例中塑件12为塑料天线盖，金属本体11与塑件12通过嵌入成型紧密结合。在与塑件12结合处的金属本体11的结合表面111生成有氧化膜13。
金属本体11可采用镁合金、铝合金、钛合金中的一种或者其组合材料制造，其成型工艺可为压铸、挤压、锻造等各种金属成型工艺。本实施例中，金属本体11的材质为镁合金。塑件12的材质要求具有较小的缩水率和与金属本体11的材料近似的线膨胀系数，因此，塑件12的材质优选为聚苯硫醚(PPS)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)和液晶聚合树脂(LCP)等工程塑料中的一种或其组合，本实施例中塑件12的材质为聚苯硫醚。
氧化膜13是通过在金属本体11的结合表面111上进行电化学处理生成，上述电化学处理一般为阳极氧化、磷化等，本实施例采用阳极氧化中的微弧氧化。经微弧氧化后的金属本体11的结合表面111生成的氧化膜13具有孔洞结构，当金属本体11与塑件12通过嵌入成型技术生成电子装置壳体10时，通过注入的熔融塑料进入氧化膜13的孔洞结构内，使金属本体11与塑件12相互结合。可以理解，为了增强金属本体11及塑件12之间的结合力，金属本体11的结合表面111上的氧化膜13的表面积也可增大，但厚度在5微米范围内的结合力较好，当然厚度也可以大于5微米。
上述电子装置壳体10的制备方法包括以下步骤：
(1)提供至少一金属本体11。该金属本体11可通过压铸、挤压、锻造等各种金属成型工艺制备，本实施例中，金属本体11采用锻造方法制备。在金属本体11的结合表面111进行电化学处理，该电化学处理可为阳极氧化、磷化，具体在本实施例中，该电化学处理为阳极氧化中的微弧氧化。微弧氧化过程中，其较佳氧化条件如下：电流密度为1A/dm²至1.5A/dm²、温度为20℃至40℃、频率为500HZ至800HZ、占空比为12％至20％。最后在金属本体11的表面形成氧化膜13，其厚度小于或等于5微米，当然厚度也可以大于5微米。
(2)将金属本体11作为嵌件放入预设模具内，然后将熔融的塑料注入预设模具的模穴内，熔融塑料覆盖在金属本体11的结合表面111上的氧化膜13并进入具有孔洞结构的氧化膜13，熔融塑料冷却后即形成塑件12，塑件12与金属本体11一体成型后即为电子装置壳体10。
可以理解，本发明较佳实施例中塑料天线盖也可以为其它的塑件产品。
由于在金属本体11的结合表面111进行电化学处理生成一具有孔洞结构的氧化膜层，以金属本体11为嵌件进行嵌入成型，通过熔融塑料覆盖在金属本体11的结合表面111并进入金属本体11的结合表面111上具有孔洞结构的氧化膜层13增强金属本体11与塑件12之间的结合力，提高了结合强度。
综上所述，虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非仅限定本发明，任何业内人士，在不脱离本发明的实质的情况下，对本发明做各种更动与润饰，都应包含在本发明所要求保护的范围内。