多位元线存储单元和电路 【技术领域】
本发明关于一种存储电路，尤其是关于一种多位线存储单元和电路。
技术背景
图1为一现有存储单元10，包含一电容11、一单元阳极电压(cell platevoltage)12、一MOS晶体管13、一连接至该MOS晶体管13的漏极的位元线端14，及一连接至该MOS晶体管13的栅极的字元(word)线端1 5。在存储读取指令下达前，字元线端14处于一种放电状态或被固定于一特定电压。当存储器读取指令译码至该存储单元10时，导致该字元线端15使能(enable)且开启该MOS晶体管13的沟道，从而使该电容11的电荷导通至该位元(bit)线端14。存储读取指令执行后，再由该位元线端14输入电荷至该电容11，以补充其逻辑电压。
利用上述存储单元10所组成的存储电路，如图2所示。该存储电路20包含多个存储单元10，且排列成一矩阵。垂直相邻的存储单元10共享同一位元线，而水平相邻的存储单元10共享同一字元线。由于上述的连接结构，该存储电路20的任一位元线所连接的多个存储单元中仅允许一个存储单元导通，从而将该存储单元的逻辑电压导通至该位元线。但若有两个以上存储单元同时导通，将造成彼此逻辑电压冲突，因而可能造成储存信息的毁损。
然而，对于目前高速存储产品应用，由于上述设计上的种种限制，以致无法满足市场需求。
鉴于现有技术存在的问题，本发明提出一新颖的多位元线存储单元和电路，以克服上述缺点。
【发明内容】
本发明的主要目的是提供一种多位元线存储单元和电路，可满足高速存储的应用需求。
为了达到上述目地，本发明公开一种多位元线存储单元和电路，可允许位于同一存储区块内的两个字元线和位元线同时针对该存储区块内的不同存储单元动作，藉此可提高存储工作效率。
本发明的多位元线存储电路可适用于动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、静态随机存取存储器与动态随机存取存储器接口(SRAM interface implemented with DRAM)或隐藏外部更新指令的动态随机存取存储器等。
本发明的多位元线存储单元包含一电容、至少两个晶体管开关、至少两个字元线端和至少两个位元线端。该至少两个晶体管开关的一端连接至该电容，该至少两个字元线端用于控制该至少两个晶体管开关的导通，该至少两个位元线端连接至该至少两个晶体管开关相对于该电容的另一端。
本发明的多位元线存储电路包含m×n矩阵排列的多位元线存储单元、2×m条位元线和2×n条字元线。该2×m条位元线电气连接至垂直相邻的该多位元线存储单元的位元线端；该2×n条字元线电气连接至水平相邻的多位元线存储单元的字元线端。
【附图说明】
图1所示为一现有存储单元；
图2所示为一现有存储电路；
图3所示为本发明存储单元的一实施例；及
图4所示为本发明存储电路的一实施例。
图中：
10现有存储单元
11电容
12单元阳极电压
13 MOS晶体管
14位元线
15字元线
20现有存储电路
30本发明的存储单元
31电容
32单元阳极电压
33第一MOS晶体管
34字元线端(a)
35位元线端(a)
36第二MOS晶体管
37字元线端(b)
38位元线端(b)
具体实施例
参照图3，本发明存储单元30和现有存储单元10最大的不同在于增加了一组MOS晶体管、位元线端和字元线端。该存储单元30具有第一MOS晶体管33、第二MOS晶体管36、位元线端(a)35、位元线端(b)38、字元线端(a)34、字元线端(b)37、电容31和单元阳极电压32。该第一MOS晶体管33和第二MOS晶体管36相对于该位元线端(a)35和位元线端(b)38的一端连接至该电容31。由于上述电路结构，本发明存储单元30可允许字元线端(a)34和字元线端(b)37在不同的时间动作，以读取或写入该电容31。
图4为本发明存储电路的一个实施例。该存储电路40包含以m×n矩阵排列的多位元线存储单元30、2×m条位元线和2×n条字元线，其中该多位元线存储单元30采用如图3所示的电路结构。该2×m条位元线电气连接至垂直相邻的该多位元线存储单元的位元线端(a)和位元线端(b)；该2×n条字元线电气连接至水平相邻的多位元线存储单元的字元线端(a)和字元线端(b)。由于本发明存储电路40提供两套位元线和字元线，因此当同一存储区块(即连接至同一位元线的存储单元)已有一存储单元使用一字元线(a)和位元线(a)，则位于该存储块的其余存储单元仍可使用字元线((b)和位元线(b)完成读取或写入的动作。换言之，同一存储区块可允许两个字元线和位元线同时针对不同的存储单元动作。
即，由于本发明可提供较大的操作效率及吞吐量，因此本发明存储单元和存储电路可适用于高速存储电路。
本发明技术内容及技术特点如上公开，然而熟悉本项技术的人士仍可能基于本发明的提示及公开而作种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围不应限于实施例所公开的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为本专利申请权利要求书所涵盖。