自激活激光晶体硼酸钪锶钕及其制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN02158281.5

申请日:

2002.12.20

公开号:

CN1510178A

公开日:

2004.07.07

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:2006.6.21|||授权|||实质审查的生效|||公开

IPC分类号:

C30B29/22; H01S1/02

主分类号:

C30B29/22; H01S1/02

申请人:

中国科学院福建物质结构研究所;

发明人:

林州斌; 王国富; 胡祖树

地址:

350002福建省福州市杨桥西路155号

优先权:

专利代理机构:

代理人:

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内容摘要

自激活激光晶体硼酸钪锶钕及其制备方法,涉及人工晶体领域,特别是涉及一种自激活激光晶体硼酸钪锶钕(NdSr6Sc(BO3)6)及其制备方法。采用提拉法或者熔盐法,生长出了高质量、较大尺寸的NdSr6Sc(BO3)6晶体。该晶体属R3空间群,密度为4.37g/cm3,折射率1.75。光谱计算表明,该晶体在808nm处有一强的吸收峰,吸收系数为36.10cm-1,半峰宽18.00nm,吸收截面1.46×10-20cm2,适合于采用激光二极管(LD)来泵浦;另外,其在波长1060nm有强的荧光发射峰,发射跃迁截面为1.31×10-19cm2,半峰宽28nm,易于产生波长为1060nm的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。

权利要求书

1: 一种自激活激光晶体硼酸钪锶钕,其特征在于:该晶体的分子式为 NdSr 6 Sc(BO 3 ) 6 ,属于三方晶系,空间群为R

说明书


自激活激光晶体硼酸钪锶钕及其制备方法

                            技术领域

    自激活激光晶体硼酸钪锶钕及其制备方法,涉及光电子功能材料技术领域中的人工晶体和晶体生长方法,尤其是涉及一种作为固态激光器中的工作物质的激光晶体材料。

                              背景技术

    固体激光工作物质由基质材料和激活离子组成,其各种物理和化学性质主要由基质材料决定,而其光谱特性和荧光寿命等则由激活离子的能级结构决定。自1960年,研制成功人造红宝石脉冲激光器以来,迄今为止,已发现了数百种激光晶体,但因各种原因,能真正得到实际应用的激光晶体只有十来种。

    目前,应用最广泛的激光晶体是掺钕离子的钇铝石榴石(YAG)晶体,其具有较好的各种物理和化学性能,且易于生长出高光学质量、大尺寸的优质晶体。但它存在着吸收谱线窄,不适宜于用LD来进行泵浦的缺点,而LD泵浦将是今后激光泵浦源的发展方向。

    自激活激光晶体,指的是晶体本身的组成成分中就含有激活离子的晶体,激活离子不是作为掺杂离子掺杂进去的。由于它含有较高浓度的激活离子,因此,一直是科学家追求的目标。世界上第一个自激活激光晶体是1972年发现的(H.G.Danielmeyer,H.P.Weber,J.Quant.Electro.QE-8(1972)805.),随后又发现了多个的自激活激光晶体,但由于他们都存在着各种不同的缺陷,无法投入实际使用。目前,最著名的自激活激光晶体是硼酸钕铝晶体[NdAl3(BO3)4,NAB],其激光实验已获得成功,但由于其为非同成分熔化,要得到高光学质量的晶体极为困难,限制了它地推广使用。

    目前国内外都在积极寻找各种物理、化学性能和机械性能优异,且易于生长出高光学质量、大尺寸的优质激光晶体材料,而且该晶体要适合于LD泵浦。钕离子由于具有较好的光谱性能,广泛地被用作激活离子;而硼酸盐由于具有较好的物理化学和机械性能,也成为激光基质材料的热门之选。

                            发明内容

    本发明的目的就在于研制一种新的激光晶体,能够直接使用闪光灯和LD泵浦的,具有较高转换效率的、能发射1060nm波长激光的晶体材料。

    依据本发明方案研制出的硼酸钪锶钕NdSr6Sc(BO3)6晶体属于三方晶系,具有R 3空间群结构,其晶胞参数为:a=12.306(3)_,c=9.269(3)_,V=1215.6(5)_3,Dc=4.376g/cm3。其中钕离子是作为自激活离子,其荧光寿命(τ)为48μs。实验结果表明其可输出1060 nm波长的激光,可作为激光晶体。

    硼酸钪锶钕是一种同成分熔化的化合物,我们经过实验找到了采用提拉法(Czochralski方法)和熔盐法生长NdSr6Sc(BO3)6晶体的较理想的生长条件,并生长出了高质量、较大尺寸的NdSr6Sc(BO3)6晶体(见实施例1、2和3)。

    具体的化学反应式如下:

    所用的原料纯度及厂家如下:    药品名    纯  度    厂  家    Nd2O3    99.999%  中科院长春应用化学研究所    Sc2O3    99.999%  中科院长春应用化学研究所    Sr2CO3    99.99%  上海五四化学试剂厂    H3BO3    99.99%  中国医药集团上海化学试剂公司    Li2CO3    99.99%  汕头市光华化学厂    LiF    99.95%  广州化学试剂厂

    提拉法生长硼酸钪锶钕自激活激光晶体,其主要生长条件如下:生长是在铂坩锅中、惰性气体(如N2、Ar等)气氛下进行,晶体生长的参数为生长温度1310℃左右,提升速度为0.5~2.0毫米/小时,晶体转速为5~20转/分钟。

    助熔剂方法生长硼酸钪锶钕自激活激光晶体,其主要生长条件如下:所用助熔剂为Li6B4O9或LiBO2-LiF,其中LiBO2和LiF的重量比为(75~95):(25~5),助熔剂总的浓度控制在15wt.~60wt.%之间,生长温度在960-865℃温度区间内,降温速率为1-4℃/天,晶体转速为5-30转/分钟。

    将生长出的NdSr6Sc(BO3)6晶体,在四圆衍射仪上进行了衍射数据的收集,结构分析表明,其属于三方晶系,空间群为R 3,晶胞参数为a=12.306(3)_,c=9.269(3)_,V=1215.6(5)_3,密度4.376g/cm3;采用油浸法测得其折射率为1.75。

    将生长出的NdSr6Sc(BO3)6晶体,进行吸收光谱、荧光光谱及荧光寿命等的分析测试,结果表明:NdSr6Sc(BO3)6晶体中,Nd3+的浓度为2.47×1021cm-3,晶体的主吸收峰在808nm,吸收系数为36.10cm-1,半峰宽(FWHM)18nm,吸收跃迁截面1.46×10-20cm2,在808nm处较大的半峰宽非常适合于采用AsGaAl半导体激光来进行泵浦,有利于激光晶体对泵浦光的吸收,提高泵浦效率。其在1060nm处有最强的荧光发射峰,其发射跃迁截面σem为1.46×10-19cm2,半峰宽为27nm,荧光寿命(τ)为48μs,是NAB晶体的三倍,因为σ·τ值较大的晶体能在上能级积累更多的粒子,增加了储能,有利于器件输出功率和输出能量的提高。因此,NdSr6Sc(BO3)6晶体能得到和NAB晶体类似的较大的激光输出,由于其生长比NAB容易,能较容易地得到高光学质量的晶体,因而它可望代替NAB晶体,而成为一种新的高转换效率、低成本、高光学质量和有实际应用前景及使用价值的自激活激光晶体。

    本发明研制出的NdSr6Sc(BO3)6晶体可用提拉法和熔盐法非常容易地生长出质量优良的晶体,生长工艺稳定,晶体质地坚硬,具有良好的导热性能,有优良的光学特性,很容易用闪光灯泵浦和LD泵浦获得激光输出,激光输出波长为1060nm,该晶体可作为一种较好的激光晶体。

                          具体实施方式实施例1:提拉法生长NdSr6Sc(BO3)6激光晶体。

    将按化学计量比准确称量好的Nd2O3、SrCO3、Sc2O3、H3BO3混合研磨均匀,压片后,在马弗炉中于950℃固相反应24小时,再升温至1050℃反应15小时。将合成好的以上样品装入φ60×40mm3的铂坩锅中,放入提拉炉中,采用提拉法,在N2气氛中,生长温度为1310℃、晶体转速为15转/分钟,拉速为1毫米/小时的情况下,生长出了尺寸为φ28×20mm3的高质量的NdSr6Sc(BO3)6晶体。

    实施例2:以Li6B4O9为助熔剂生长NdSr6Sc(BO3)6激光晶体。

    生长原料为NdSr6Sc(BO3)6∶Li6B4O9=75∶25(重量比)。采用熔盐顶部籽晶法,在φ60×50mm铂坩锅中,生长温度为958→895℃之间,以2℃/天的降温速率,15转/分钟的晶体转速,生长出了尺寸为30×28×15mm3的高质量的NdSr6Sc(BO3)6晶体。

    实施例3:以LiBO2-LiF为助熔剂生长NdSr6Sc(BO3)66激光晶体。

    生长原料为NdSr6Sc(BO3)6∶LiBO2∶LiF=75∶20∶5(重量比)。采用熔盐顶部籽晶法,在φ60×50mm铂坩锅中,生长温度为940→875℃之间,以3℃/天的降温速率,20转/分钟的晶体转速,生长出了尺寸为26×23×16mm3的高质量的NdSr6Sc(BO3)6晶体。

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自激活激光晶体硼酸钪锶钕及其制备方法,涉及人工晶体领域,特别是涉及一种自激活激光晶体硼酸钪锶钕(NdSr6Sc(BO3)6)及其制备方法。采用提拉法或者熔盐法,生长出了高质量、较大尺寸的NdSr6Sc(BO3)6晶体。该晶体属R3空间群,密度为4.37g/cm3,折射率1.75。光谱计算表明,该晶体在808nm处有一强的吸收峰,吸收系数为36.10cm1,半峰宽18.00nm,吸收截面1.4610。

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