跟踪信号处理电路.pdf

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摘要
申请专利号:

CN200310115639.6

申请日:

2003.11.10

公开号:

CN1512491A

公开日:

2004.07.14

当前法律状态:

终止

有效性:

无权

法律详情:

未缴年费专利权终止IPC(主分类):G11B 5/588申请日:20031110授权公告日:20060322终止日期:20121110|||授权|||实质审查的生效|||公开

IPC分类号:

G11B5/588; G11B20/10; H04N5/7826

主分类号:

G11B5/588; G11B20/10; H04N5/7826

申请人:

三洋电机株式会社;

发明人:

井上英和

地址:

日本大阪府

优先权:

2002.12.27 JP 381423/2002

专利代理机构:

北京市柳沈律师事务所

代理人:

马莹;邵亚丽

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内容摘要

本发明提供一种跟踪信号处理电路。该电路适当调整带通滤波器的gm。带通滤波器(30(或32))有2个运算放大器(OP1、OP2)。这些运算放大器(OP1、OP2)的gm由晶体管(Q41、Q42)中流过的电流来决定,该晶体管(Q41、Q42)与晶体管(Q43)构成电流镜,由该晶体管(Q43)中流过的电流来决定。通过烧断来调整该晶体管(Q43)中流过的电流。

权利要求书

1: 一种跟踪信号处理电路,包含从用视频头得到的读取信号中提取2 个不同的特定频率的导频信号的一对带通滤波器、和比较该一对带通滤波器 的输出电平的比较器,根据比较器的输出来得到用于跟踪视频磁道的信号, 其中, 上述带通滤波器有配置在输入信号的路径上的高通电容器、配置在输入 信号的路径和地之间的低通电容器、以及进行信号的放大的运算放大器;可 通过变更运算放大器的gm来调整滤波特性; 用于调整该运算放大器的gm的电流可利用烧断电路通过烧断来设定。
2: 如权利要求1所述的跟踪信号处理电路,其中, 上述烧断电路具有: 基准晶体管,流过决定恒流源的电流量的基准电流; 调整电流晶体管,流过构成该基准晶体管中流过的基准电流的至少一部 分的调整电流; 电流量决定晶体管,被连接成二极管,与该调整电流晶体管构成电流镜, 决定调整电流晶体管中流过的调整电流的大小;以及 开关晶体管,与该电流量决定晶体管并联连接,在导通的情况下取代电 流量决定晶体管而流过电流,切断电流量决定晶体管的电流;在截止的情况 下使电流量决定晶体管流过电流; 通过对烧断端子进行烧断操作而将上述开关晶体管设定为开或关,由此 调整基准电流量。

说明书


跟踪信号处理电路

    【技术领域】

    本发明涉及得到视频的跟踪信号的跟踪信号处理电路。

    背景技术

    图5示出数字摄录机(デジタルビデオカム)(DVC)中的记录的说明图。磁带1沿旋转头2的周边行走,旋转头2沿与该磁带1的行进方向相同的方向旋转。旋转头2斜着横穿磁带来旋转,所以在磁带1上以规定的方位角形成斜向的磁道。在旋转头2上,设有与磁带1成2个不同的方位角的Lch-Head、Hch-Head这2个磁头,用磁头切换脉冲(HEAD-SW PULSE)来切换这些磁头,交替进行写入。

    在该写入时在Hch或Lch侧(在图6上,为了方便,为Hch侧)交替记录了F1=465kHz、F2=697.5kHz这2个不同频率的导频信号。

    在再生时,用2个磁头来跟踪所记录的磁信号,在用Lch-HEAD来跟踪的情况下,如果磁头位置偏离,则两侧的用Hch-HEAD记录的信号会作为串扰分量而泄漏。

    因此,作为将磁头传送到正确点的操作,对两侧记录的F1、F2的信号分量的大小进行检波,将没有信号分量的点送至伺服微机,进行磁头的跟踪控制。

    DVC用的跟踪电路-ATF电路有图5所示地结构,分别用465K-BPF、697.4K-BPF来取出磁带(TAPE)上用2个磁头(H/Lch)记录的再生信号中包含的465KHz和697.5KHz分量,用比较器COMP比较这些电平。然后,将比较结果的信号作为ATF输出。即,伺服微机控制跟踪,使得ATF输出为0。

    这里,为了使ATF电路的输出正确,需要正确地设定2个带通滤波器465K-BPF、697.4K-BPF的通带中心频率F0。因此,在通常的情况下,设置能够从外部操作的调节器(ボリユ-ム)等,进行该调整。特别是,该调整是在摄像机的生产工序中对每一台必须分别进行的作业,有该作业麻烦这一问题。

    【发明内容】

    本发明包含从用视频头得到的读取信号中提取2个不同的特定频率的导频信号的一对带通滤波器、和比较该一对带通滤波器的输出电平的比较器,根据比较器的输出来得到用于跟踪视频磁道的信号,其特征在于,上述带通滤波器有配置在输入信号的路径上的高通电容器、配置在输入信号的路径和地之间的低通电容器、以及进行信号的放大的运算放大器;可通过变更运算放大器的gm来调整滤波特性;用于调整该运算放大器的gm的电流可利用烧断电路通过烧断来设定。

    这样,能够通过烧断来调整运算放大器的gm,所以其调整作业很容易。

    最好上述烧断电路具有:基准晶体管,流过决定恒流源的电流量的基准电流;调整电流晶体管,流过构成该基准晶体管中流过的基准电流的至少一部分的调整电流;电流量决定晶体管,被连接成二极管,与该调整电流晶体管构成电流镜,决定调整电流晶体管中流过的调整电流的大小;以及开关晶体管,与该电流量决定晶体管并联连接,在导通的情况下取代电流量决定晶体管而流过电流,切断电流量决定晶体管的电流;在截止的情况下使电流量决定晶体管流过电流;通过对烧断端子进行烧断操作而将上述开关晶体管设定为开或关,由此调整基准电流量。

    如果利用该烧断电路,则能够提高调整电流的精度。

    【附图说明】

    图1是实施形态的跟踪信号处理电路的结构图。

    图2是带通滤波器的结构图。

    图3是烧断(ザツピング)电路的示例图。

    图4是烧断电路的另一示例图。

    图5是向磁带中写入导频信号的说明图。

    【具体实施方式】

    以下,根据附图来说明本发明的实施形态。

    图1是实施形态的用于输出跟踪信号-ATF信号的电路的结构图。

    这样,用旋转头上所设的2个磁头(HEAD:Lch、HEAD:Hch)20、22取出的再生信号由2个独立的放大器(PB:Lch、PB:Hch)24、26放大。来自该放大器的放大信号经根据磁头切换脉冲来切换的开关28输入到带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)。由此,分别提取出再生信号中的2个导频信号。

    接着,两个带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)30、32的输出信号被输入到比较器(COMP)34,在这里比较2个导频信号的电平。即,比较器(COMP)34对输入信号进行检波,比较它们的直流电平。然后,得到的比较结果作为ATF信号来输出。其中,该导频信号被记录在磁带的Hch或Lch中的某一个磁道上,在再生未记录它的磁道时,2个导频信号的大小按照磁头的偏离来变化。因此,ATF信号为表示磁头向哪边偏移多少的信号。然后,ATF信号被供给到伺服微机,伺服微机根据ATF信号来控制旋转头相对于磁带的跟踪位置。

    在上述ATF动作中,2个带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)30、32的通带中心频率F0的偏差对检波误差影响很大。因此,需要对各电路分别调整F0。

    图2示出带通滤波器(465K-BPF、697.5K-BPF)的结构。虽然电容器的大小、运算放大器的参数不同,但是2个带通滤波器具有相同的结构。

    来自放大器的再生信号经电容器C1来输出。该电容器C1的输出被输入到运算放大器OP1的反相输入端。向该gm=gm1的运算放大器OP1的正相输入端输入基准电压Vref。在运算放大器OP1输出端上连接有电容器C1的一端,电容器C1的另一端被接地。此外,运算放大器OP1的输出被输入到gm=gm2的运算放大器OP2的正相输入端。向该运算放大器OP2的反相输入端反馈运算放大器OP2的输出。

    在这种电路中,电容器C1作为高通滤波器来工作,电容器C2作为低通滤波器来工作。因此,通过设定这些电容器C1、C2的电容及运算放大器OP1、OP2的gm等规格,能够设定带通滤波器的通带带宽、通带中心频率F0等。

    在该电路中,有用于调整运算放大器OP1、OP2的gm的电路。即,在运算放大器OP1、OP2上,连接有流过决定它们的gm的电流的晶体管Q41、Q42。该晶体管Q41、Q42是NPN型晶体管,集电极被连接在运算放大器OP1、OP2上,发射极被接地,基极被连接在电流镜输入端晶体管Q43的基极上。该晶体管Q43是流过调整电流的晶体管,集电极被连接在调整电流的电流源一烧断电路上,发射极被接地。此外,集电极发射极间由短路用的晶体管Q44连接。该晶体管Q44是NPN型,基极被连接在晶体管Q43的集电极上,集电极被连接在电源上,发射极被连接在晶体管Q43的基极上,将晶体管Q43的集电极基极间短路。

    通过这种电路,与晶体管Q43中流过的电流大体相同的电流流过晶体管Q41、Q42。因此,通过调整晶体管Q43中流过的调整电流的大小来调整运算放大器OP1、OP2的gm,能够调整带通滤波器的中心频率。

    在本实施形态中,作为产生该调整电流的电路,使用能够通过烧断来调整调整电流量的烧断电路。因此,说明本实施形态的烧断电路。

    图3是实施形态的烧断电路的图。基准电源10是输出基准电压的电路,在本实施形态中,由配置在规定的电源Vreg和地之间的电阻R1、二极管D1、电阻R2的串联连接构成。由此,电源Vreg的电压、二极管D1上的电压降(1Vbe)、以及电阻R01、R02的电阻值决定二极管D1的上侧(阳极侧)电压,将其作为基准电压来输出。因此,基准电压带有与二极管D1的1Vbe有关的温度特性。

    基准电压被输入到运算放大器OP1的正相输入端。该运算放大器OP1是输出端被短路到反相输入端的缓冲放大器。因此,运算放大器OP1的输出端稳定地输出基准电压。

    在运算放大器OP1的输出端上,经电阻1连接有2个发射极被接地的NPN晶体管Q1、Q2的集电极。晶体管Q2的基极发射极间被短路(连接成二极管),在该晶体管Q2的基极上,连接有发射极被接地的NPN晶体管Q3的基极。因此,晶体管Q2和Q3构成电流镜。大小为基准电压减去1Vbe所得的电压除以电阻R1的电阻值的调整电流I1流过晶体管Q2,相同电流也流过晶体管Q3。

    在本例中,在运算放大器OP1的输出端上,还设有2个与由电阻R1、晶体管Q1、Q2、Q3构成的电路结构相同的电路。即,设有由电阻R2、晶体管Q4、Q5、Q6构成的电路、和由电阻R3、晶体管Q7、Q8、Q9构成的电路,晶体管Q6中流过由电阻R2决定的调整电流I2,晶体管Q6中流过由电阻R2决定的调整电流I3。

    晶体管Q3、Q6、Q9的集电极被公共连接在PNP晶体管Q10的集电极上,该PNP晶体管Q10的发射极经电阻连接在电源Vreg上,其基极发射极间被短路。因此,晶体管Q3、Q6、Q9中流过的调整电流之和流过晶体管Q10。在该晶体管Q10上连接有PNP晶体管Q11的基极,该PNP晶体管Q11的发射极经电阻连接在电源Vreg上,晶体管Q11的发射极为电流输出端。

    因此,晶体管Q10和晶体管Q11构成电流镜,与基准晶体管-晶体管Q11中流过的基准电流相同的基准电流流过晶体管Q11并被输出。其中,如果设置多个与晶体管Q10连接成电流镜的晶体管,则能够分别从它们那里输出基准电流。其中,如果变更输出晶体管的发射极面积,则能够将输出电流的大小设定为不同的值。

    在晶体管Q1的基极上连接有配置在电源Vreg和地之间的3个电阻R11、R12、R1 3的串联连接的电阻R12、R13的连接点。设定电阻R11、R12、R13的电阻值,以便该电阻R12、R13的连接点的电压为使晶体管Q1充分导通的电压。此外,在电阻R11、R12、R13的串联连接的电阻R11、R12的连接点上,连接有阳极被接地的烧断二极管ZD1的阴极,并且连接有烧断端子PD1。

    此外,在晶体管Q4、Q7的基极上,形成有与晶体管Q1的基极上连接的电路相同的电路。即,在晶体管Q2的基极上,连接有由电阻R21、R22、R23构成的电阻分压电路、其上连接的烧断二极管ZD2、及烧断端子PD2;在晶体管Q3的基极上,连接有由电阻R31、R32、R33构成的电阻分压电路、其上连接的烧断二极管ZD3、及烧断端子PD3。

    在用烧断端子PD1、PD2、PD3进行烧断前,烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3,维持其阴极侧的电压。因此,晶体管Q1、Q4、Q7导通。这些晶体管Q1、Q4、Q7导通后,取代晶体管Q2、Q5、Q8而流过电流,在晶体管Q2、Q5、Q8中不流过电流。因此,在晶体管Q2、Q3、Q5、Q6、Q8、Q9中也不流过电流,调整电流I1=I2=I3=0,它们之和的电流也为0,在晶体管Q10、晶体管Q11中也不流过电流。因此,烧断电路的输出电流为0。

    在这种电路中,通过向烧断端子PD1、PD2、PD3分别施加足以破坏烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3的电压,能够分别破坏烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3。而烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3在被破坏的情况下,将烧断端子PD1、PD2、PD3接地。

    例如,在向烧断端子PD1施加规定的电压、烧断二极管ZD1被破坏的情况下,晶体管Q1的基极被接地、截止。由此,晶体管Q1截止,调整电流I1流过晶体管Q2。因此,在晶体管Q3、晶体管Q10、晶体管Q11中也流过调整电流I1。

    在用烧断端子PD2进行了烧断的情况下,调整电流I2也流过晶体管Q5、晶体管Q6、晶体管Q10、晶体管Q11;在用烧断端子PD3进行了烧断的情况下,调整电流I3也流过晶体管Q8、晶体管Q9、晶体管Q10、晶体管Q11。因此,通过烧断,能够将晶体管Q11的电流设定为0、I1、I2、I3、I1+I2、I2+I3、I3+I1、I1+I2+I3这8种。例如,如果将调整电流I1、I2、I3设定为1∶2∶4,则能够得到0~7这7种电流。

    其中,通过分别变更构成电流镜的2个晶体管(Q1、Q2)(Q4、Q5)(Q7、Q8)之间的发射极面积比,能够分别变更调整电流I1、I2、I3;而通过变更电阻R1、R2、R3的电阻值,能够分别变更调整电流I1、I2、I3。

    在本实施形态中,在晶体管Q1、Q4、Q7导通的情况下,不流过对应的调整电流。因此,在调整电流的设定中,无需考虑这些晶体管Q1、Q4、Q7的导通电阻。此外,在晶体管Q1、Q4、Q7截止的情况下,在晶体管Q2、Q6、Q8中流过电流。但是,如上所述,晶体管Q2、Q6、Q8的集电极基极间被短路,其中的电压降恒定为1Vbe。因此,进行了烧断的情况下的调整电流I1、I2、I3取决于电阻R1、R2、R3,但是不取决于晶体管Q2、Q6、Q8的导通电阻。因此,调整电流I1、I2、I3不易受晶体管的偏差的影响。再者,调整电流I1、I2、I3受晶体管Q1、Q4、Q7的Vbe的温度特性的影响,但是来自基准电源10的基准电压受二极管D1的Vbe的温度特性的影响,所以两者的温度特性相抵销。因此,能得到调整电流I1、I2、I3基本上没有晶体管的温度特性的影响这一优点。

    在上述实施形态中,调整电流用的晶体管Q2、Q3、Q5、Q6、Q8、Q9采用NPN晶体管,但是也可以代之以采用PNP晶体管。该情况下的电路例示于图4。

    烧断端子PD1、PD2、PD3、其上连接的烧断二极管ZD1、ZD2、ZD3及电阻R11、R12、R13、R21、R22、R23、R31、R32、R33的结构与上述情况相同。3个用于开关调整电流的电路相同,说明其中1个。

    电阻R12、R13的连接点被连接在NPN晶体管Q21的基极上,该晶体管的发射极被接地,集电极经2个电阻连接在电源Vreg上。此外,该2个电阻的连接点被连接在PNP晶体管Q22的基极上。该晶体管Q22的发射极被连接在电源Vreg上,集电极被连接在PNP晶体管Q23的集电极上,该PNP晶体管Q23的发射极也被连接在电源Vreg上。晶体管Q23的集电极基极间被短路,其基极被连接在晶体管Q24的基极上。该晶体管Q24的发射极被连接在电源Vreg上,与晶体管Q23构成电流镜。

    此外,在晶体管Q22和Q23的集电极上,经电阻R1连接有输出端和反相输入端被短路的运算放大器OP1的输出。在运算放大器OP1的正相输入端上,连接有基准电源12。该基准电源与基准电源10的相同点是在电源Vreg和地间有电阻R01、二极管D1、电阻R02的串联连接,但是二极管D1的阴极(下侧)被连接在运算放大器OP1的正相输入端上。

    此外,晶体管Q24的集电极被连接在NPN晶体管Q25的集电极上,该NPN晶体管Q25的发射极被接地,其集电极基极间被短路;在该晶体管Q25的基极上连接有发射极被接地的晶体管Q26的基极。

    因此,在不进行烧断的情况下,晶体管Q21导通,晶体管Q22导通,因此晶体管Q23、Q24截止,不流过调整电流。另一方面,在进行了烧断的情况下,晶体管Q21截止,晶体管Q22截止,因此晶体管Q23、Q24导通,流过调整电流。此外,在该结构中,在晶体管Q23导通的情况下,也固定为Vce=Vbe,不受晶体管Q23的导通电阻的影响。此外,晶体管Q22的温度特性由二极管D1的温度特性来补偿。

    这样,通过本实施形态的电路,能够进行电流值稳定的调整电流的调整。因此,能够利用该通过烧断而调整过的电流,来适当进行带通滤波器的中心频率的调整。

    如上所述,根据本发明,能够通过烧断来调整运算放大器的gm,所以其调整作业很容易。

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本发明提供一种跟踪信号处理电路。该电路适当调整带通滤波器的gm。带通滤波器(30(或32)有2个运算放大器(OP1、OP2)。这些运算放大器(OP1、OP2)的gm由晶体管(Q41、Q42)中流过的电流来决定,该晶体管(Q41、Q42)与晶体管(Q43)构成电流镜,由该晶体管(Q43)中流过的电流来决定。通过烧断来调整该晶体管(Q43)中流过的电流。 。

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