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1、(10)申请公布号 CN 102851743 A(43)申请公布日 2013.01.02CN102851743A*CN102851743A*(21)申请号 201210323936.9(22)申请日 2012.09.05C30B 33/10(2006.01)(71)申请人浙江鸿禧光伏科技股份有限公司地址 314206 浙江省嘉兴市平湖市新仓镇童车路(72)发明人冯晓军(54) 发明名称一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法(57) 摘要本发明公开了一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，具体地涉及在采用多晶硅酸制绒出现表面反射率过高时，降低多晶硅制绒表面的反射率。方案A：停止补加HNO3，保证HF正常。
2、补加，持续一定时间后溶液中HNO3的浓度下降；随着时间的推移，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。方案B：加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再加入HF，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。本发明的有益效果是可以有效地降低多晶硅制绒后的表面反射率，减少因反射率过高导致的亮片、花色片，达到提高多晶硅太阳能电池片的光电转换效率的目的。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 2 页1/1页21.一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，其特征在于：在采用多晶硅酸。
3、制备绒面的情况下，出现表面反射率过高时，采用下面所述的两种技术方案来降低多晶硅制绒表面的反射率，具体工艺步骤如下：方案A：停止补加HNO3，保证HF正常补加，持续一定时间后溶液中HNO3的浓度下降，反射率降低，随着时间的推移，溶液中HNO3的浓度下降，反射率进一步下降，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF；方案B：加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再通过加入HF，来提高HF的浓度使腐蚀程度不变，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。权 利 要 求 书CN 102851743 A1/2页3一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法技术领域0001 本发。
4、明涉及晶体硅太阳能电池的制作技术领域，具体涉及制绒工序中一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法。背景技术0002 在晶硅太阳能电池的生产工艺中，对硅片表面进行腐蚀制备出的绒面可以有效地降低硅片的表面反射率，表面反射率是影响晶硅太阳能电池光电转换效率的重要因素之一。由于多晶硅晶粒取向的多样性，采用碱制绒工艺无法取得均匀的绒面，因此无法有效地降低多晶硅的表面反射率。目前，在多晶硅绒面的制备方法中，酸腐蚀技术（即各向同性腐蚀）既能获得均匀且反射率较低的绒面，又能实现低成本、规模化生产的目的。0003 通常情况下，在实际生产过程中，降低硅片制绒后表面反射率的常规方法是采用提升带速或是降低HF和HNO3的整。
5、体浓度来实现。该方法可以降低硅片表面反射率，同时硅片腐蚀量也下降，以致于引起硅片损伤层去除不净。在实际生产过程中，还经常会出现花片、亮片。这些都会影响多晶硅太阳能电池片的光电转换效率。发明内容0004 本发明的目的是提供一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，该方法能够在减薄量不变的情况下，降低多晶硅制绒表面反射率，有效提高太阳能电池的转换效率，同时能够减少花片、亮片的产生。0005 本发明解决降低多晶硅表面反射率所采取的技术方案如下：在采用多晶硅酸制备绒面的情况下，出现表面反射率过高时，采用下面所述的两种技术方案来降低多晶硅制绒表面的反射率。具体方案如下：方案A：停止补加HNO3，保证HF正常补。
6、加，持续60分钟后溶液中HNO3的浓度下降，反射率降低；随着时间的推移，溶液中HNO3的浓度下降，反射率进一步下降；待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。0006 方案B：加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再通过加入HF，来提高HF的浓度使腐蚀程度不变，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。0007 本发明的有益效果是：采用本发明所提出的技术方案可以有效地降低多晶硅制绒后的表面反射率，可以有效地减少因反射率过高导致的亮片、花色片，达到减少表面反射，增强光电吸收，从而达到提高多晶硅太阳能电池片的光电转换效率的目的。具体实施方式0008 下面根据。
7、本发明提供的一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，采用下面的具体实施方案作进一步说明。本实施方案是在制绒、扩散、喷蜡、刻蚀、丝网印刷各道工序的工艺与原工艺相同的条件下进行的。具体实施方式如下： 1.在HN03体积分数63%，HF体积分数9%，纯水体积分数28%的溶液中，温度为8，腐说 明 书CN 102851743 A2/2页4蚀时间为90秒，此条件下测得多晶硅片表面反射率25.5%，减薄量为0.43g。0009 2.在步骤1的条件下，停止补加HNO3，保证HF正常补加，持续60分钟后，测得此时多晶硅片表面反射率下降至23.2%，再经过10分钟，测得多晶硅片表面反射率下降至22.6%。0010 。
8、3.待反射率降低至22.6%，减薄量保持0.43g时，正常补加HNO3和HF。0011 将经过完整制程加工的多晶硅太阳能电池片置于标准测试条件下进行检测，采取本发明提供的技术方案和原技术方案进行制绒处理的多晶硅太阳能电池片的电性能参数如表1和表2所示。0012 表1 采用本发明所述技术方案制备的多晶硅太阳能电池片的电性能参数Uoc Isc Rs Rsh FF NCell0.626 8.56 0.0028 202.99 78.07 17.21%表2 原技术方案制备的多晶硅太阳能电池片的电性能参数Uoc Isc Rs Rsh FF NCell0.624 8.52 0.0027 186.16 78.15 17.11%从上述实验结果可以看出，对于减薄量相同、反射率不同的多晶硅太阳能电池片，反射率低的电池片效率要比反射率高的电池片效率高出0.1%。由此可见，采用本发明提供技术方案，在保证腐蚀程度相同的情况下，通过减少溶液中HNO3的浓度可以达到同减薄量不同反射率的硅片，低反射率有利于提供多晶硅太阳能电池片的光电转换效率。说 明 书CN 102851743 A。