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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201380039986.7(22)申请日 2013.07.192012-167255 2012.07.27 JPC08L 83/04(2006.01)C08K 5/5415(2006.01)C08K 5/56(2006.01)C09D 7/12(2006.01)C09D 183/04(2006.01)(71)申请人 迈图高新材料日本合同公司地址 日本东京都(72)发明人 饭田勋 森田康仁(74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001代理人 李志强 吕彩霞(54) 发明名称室温固化性聚有机硅氧烷组合物和电气电子装置(57)。
2、 摘要本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物为 :相对于 100 质量份的由 10 80 质量份的 (A1)两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷和 9020质量份的(A2)以通式:R4bSi(OR5)4 b表示的硅烷化合物的部分水解缩合物(Si数为10200)构成的聚有机硅氧烷(A),含有0.115质量份的作为交联剂的 (B) 硅烷化合物或其部分水解缩合物(Si数为1以上且低于10)和0.115质量份的 (C) 作为固化催化剂的有机钛化合物。低粘度、在无溶剂条件下涂布性良好且形成耐划痕性优异的固化被膜。(30)优先权数据(85)PCT国际申请进入国家阶段日2015.01.27(86)PCT国。
3、际申请的申请数据PCT/JP2013/069644 2013.07.19(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/017397 JA 2014.01.30(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书12页 附图1页(10)申请公布号 CN 104487519 A(43)申请公布日 2015.04.01CN 104487519 A1/2 页21. 室温固化性聚有机硅氧烷组合物,其特征在于,相对于 100 质量份的由 10 80 质量份的 (A1) 和 9020 质量份的 (A2) 构成的聚有机硅氧烷 (A),含有 0.115 质量份的 。
4、(B) 和0.115 质量份的 (C),(A1) 为以下述通式表示的将分子的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷 :化1式 中 ,R1为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基,R2和R3为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基,X 为二价的氧(氧基)或二价烃基;另外a为0或1,n为1n20的整数;(A2) 为以下述通式表示的硅烷化合物的部分水解缩合物 :R4bSi(OR5)4-b(2)式中,R4为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃 基 ,R5为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基 ;另外 b。
5、 为 0、1 或 2,b 的平均值为 0.81.2 ;其中,1 分子中的 Si 数为 10200 ;(B) 为以下述通式表示的硅烷化合物或其部分水解缩合物 :R6cSi(OR7)4-c(3)式中,R6为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基取代,R7为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基,c 为 0、1或 2 ;其中,1 分子中的 Si 数为 1 以上且低于 10 ;(C) 为作为固化催化剂的有机钛化合物。2. 权利要求 1 的室温固化性聚有机硅氧烷组合物,其特征在于,进一步含有 100 质量份的 (D) 以下列通式表示的将分子的两末端用烷氧基。
6、甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷 :化2式中,R8为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基,R9和R10为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基,Y 为二权 利 要 求 书CN 104487519 A2/2 页3价的氧 ( 氧基 ) 或二价烃基 ;另外 d 为 0 或 1,m 为 20 n200 的整数。3. 权利要求 1 或 2 的室温固化性聚有机硅氧烷组合物,其特征在于,其为电气电子装置的电极和 / 或配线的涂布用组合物。4. 电气电子装置,其特征在于,在电极和 / 或配线的表面具有由权利要求 1 3 中任一项的室温固化性聚有机硅氧烷组合物的固化物。
7、构成的被膜。权 利 要 求 书CN 104487519 A1/12 页4室温固化性聚有机硅氧烷组合物和电气电子装置技术领域0001 本发明涉及室温固化性聚有机硅氧烷组合物和电气电子装置,特别是涉及形成耐划痕性优异的固化被膜、作为电气电子装置用涂布材料等有用的室温固化性聚有机硅氧烷组合物和具有该室温固化性聚有机硅氧烷组合物的固化被膜的电气电子装置。背景技术0002 目前,已知在室温下固化产生橡胶状等固化物的各种室温固化性聚有机硅氧烷组合物。其中,在通过与空气中的水分接触而发生固化反应的类型中,在固化时释放对金属类的腐蚀轻的醇或酮等的材料,除了操作性良好以外,腐蚀电极或配线的可能性小,而且粘接性等。
8、也优异,所以通常被用于电气电子零件的涂布材料或灌封材料等用途。0003 特别是作为为了保护电气电子零件或搭载有它们的电路基板的表面不受使用环境影响而施加的保形涂布剂,使用由低粘度的室温固化性聚有机硅氧烷组合物构成的涂布材料 ( 例如参照专利文献 1、2) 或在溶剂中溶解有硅酮树脂的类型的涂布材料。0004 但是,对于由低粘度的室温固化性聚有机硅氧烷组合物构成的涂布材料,得到的固化物 ( 被膜 ) 脆且硬度低,如耐划痕性之类的划痕强度不足。0005 另外,在含有硅酮树脂的溶剂类型的涂布材料中,在固化时需要通过加热除去溶剂,由于溶剂的挥发,有引起操作环境恶化或电气电子零件和搭载有它们的电路基板腐蚀。
9、或劣化之虞。此外,为了改善操作环境,若希望不将溶剂释放至大气中而进行回收,则需要高额的投资。0006 现有技术文献专利文献专利文献 1 :日本特开平 7-173435 号公报专利文献 2 :日本特开平 7-238259 号公报。发明内容0007 发明所要解决的课题本发明为了解决这样的目前的问题而完成,其目的在于,提供低粘度、在无溶剂条件下涂布性良好且形成硬度高、耐划痕性优异的固化被膜的室温固化性聚有机硅氧烷组合物。0008 解决课题的手段本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物的特征在于,相对于 100 质量份的由 10 80质量份的(A1)和9020质量份的(A2)构成的聚有机硅氧烷(A),含有。
10、0.115质量份的(B)和 0.115 质量份的 (C),(A1) 为以下述通式表示的将分子的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷 :化1说 明 书CN 104487519 A2/12 页5式 中 ,R1为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基,R2和R3为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基,X 为二价的氧 ( 氧基 ) 或二价烃基 ;另外,a 为 0 或 1,n 为 1 n20 的整数 ;(A2) 为以下述通式表示的硅烷化合物的部分水解缩合物 :R4bSi(OR5)4-b(2)式中,R4为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰。
11、基烷基取代的一价烃基,R5为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基 ;另外,b 为 0、1 或 2,b 的平均值为 0.81.2 ;其中,1 分子中的 Si 数为 10200 ;(B) 为以下述通式表示的硅烷化合物或其部分水解缩合物 :R6cSi(OR7)4-c(3)式中,R6为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基取代,R7为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基,c 为 0、1或 2 ;其中,1 分子中的 Si 数为 1 以上且低于 10 ;(C) 为作为固化催化剂的有机钛化合物。0009 本发明的电气电子装置的特征在于 :。
12、在电极和 / 或配线的表面具有由上述本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物的固化物构成的被膜。0010 需说明的是,在本说明书中,“烷氧基甲硅烷基”指在硅原子上至少键合有1个烷氧基的基团。另外,在本说明书中,也将“二烷氧基甲硅烷基”称为 2 官能性基团或 2 官能甲硅烷基。同样地,也将“三烷氧基甲硅烷基”称为 3 官能性基团或 3 官能甲硅烷基。0011 发明的效果本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物为低粘度且涂布性良好,可不用溶剂稀释而直接用通常的涂布方法涂布。另外,涂膜在室温下迅速固化,形成硬度(A型)高达60以上、耐划痕性优异的固化被膜。因此,对于电气电子装置的涂布材料、灌封材料等用途有用。
13、,特别是适合于保形涂布剂之类的涂布电气电子零件的用途。附图说明0012 图 1 为示出本发明的电气电子装置的一个实例的截面图。具体实施方式0013 以下对本发明的实施方式进行说明。0014 本发明的实施方式的室温固化性聚有机硅氧烷组合物的特征在于,相对于 100 质说 明 书CN 104487519 A3/12 页6量份的以规定比例含有 (A1) 将分子的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷 ( 以下表示为两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷 ) 和 (A2) 硅烷化合物的部分水解缩合物 (1 分子中的 Si 数为 10200) 的聚有机硅氧烷 (A),含有 :0.115 质量份的 (。
14、B) 硅烷化合物或其部分水解缩合物 (1 分子中的 Si 数为 1 以上且低于 10),和0.115 质量份的 (C) 作为固化催化剂的有机钛化合物。以下对各成分进行说明。0015 在本发明的实施方式中,(A) 成分的聚有机硅氧烷为本组合物的基础聚合物,由(A1) 两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷和 (A2) 硅烷化合物的部分水解缩合物(Si 数为 10200) 构成。0016 (A1) 成分的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷为以下列通式 (1) 表示的实质上为直链状的聚有机硅氧烷 :化2。0017 式(1)中,R1为烷基或将烷基的氢原子的一部分用烷氧基取代的烷氧基取代烷基。多。
15、个 R1可彼此相同或不同。作为上述 R1的烷基,具体而言,可示例出甲基、乙基、丙基、丁基等 ;作为烷氧基取代烷基,具体而言,可示例出 2- 甲氧基乙基、2- 乙氧基乙基、3- 甲氧基丙基等。R1优选为甲基。0018 R2为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基。多个 R2可彼此相同或不同。R3也为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基。多个 R3可彼此相同或不同。0019 作为上述 R2和R3的未取代的一价烃基,具体而言,可列举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基、癸基、十二烷基等烷基,环己基等环烷基,如乙烯基、烯丙基之类的烯基。
16、,苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基,苄基、2- 苯基乙基、2- 苯基丙基等芳烷基等。作为取代的一价烃基,可示例出 :将上述一价烃基的氢原子的一部分用卤素原子取代的例如氯甲基、3- 氯丙基、3,3,3- 三氟丙基之类的卤化烷基,或将所述一价烃基的氢原子的一部分用氰基烷基取代的例如 3- 氰基丙基等。由于合成容易,与分子量相比具有低粘度,并且对固化物( 固化被膜 ) 赋予良好的物理性质,所以 R2和R3优选为甲基。但是,在需要对固化被膜赋予耐热性或耐寒性的情况下,优选使 R2和/或R3的一部分为如苯基之类的芳基。0020 另外,X 为二价的氧 ( 氧基 ) 或二价烃基。2 个 X 可相同或不同。作为二。
17、价烃,可示例出亚甲基、亚乙基、亚丙基、三亚甲基等亚烷基,亚苯基等亚芳基。由于合成容易,所以优选二价的氧原子 ( 氧基 ) 或亚乙基,特别优选氧基。0021 在式 (1) 中,a 为 0 或 1,n 为 1 n20 的整数。若 n 值为 20 以上,则与下述 (A2)说 明 书CN 104487519 A4/12 页7成分的相容性差,得不到均匀的组合物。n 值优选为 315 的整数。0022 (A1) 成分的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷例如可通过以下方法得到 :在水存在下,使如八甲基硅氧烷之类的环状二有机硅氧烷低聚物因酸性催化剂或碱性催化剂而进行开环聚合或开环共聚,由此得到两末端含有。
18、羟基的二有机硅氧烷,使甲基三甲氧基硅氧烷等与之反应,将两末端羟基用甲氧基等封闭。0023 (A2) 成分为以下述通式表示的硅烷化合物的部分水解缩合物 :R4bSi(OR5)4-b(2)。0024 式 (2) 中,R4为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基,可示例出与上述的 (A1) 成分的 R2相同的基团。优选为甲基。另外,R5为烷基或烷氧基取代烷基,可示例出与上述的 (A1) 成分的 R1相同的基团。优选为甲基。0025 此外,b 为 0、1 或 2,b 的平均值为 0.81.2。b 的平均值优选为 0.91.1。0026 需说明的是,b 值表示在以式 (2)。
19、 表示的硅烷化合物中键合于硅原子上的 R4的数量 ( 整数 )。另外,该数量 b 的平均值为 0.8 1.2 是指,通过调整各硅烷化合物的摩尔比,掺混 R4的键合数量 b 值为 0、1 或 2 的 1 种或 2 种以上硅烷化合物,使得 b 值的平均值为0.81.2。0027 例如,若b的平均值为0.8 1.0的范围,则掺混式(2)中的b为0的化合物:Si(OR5)4和b为1的化合物:R4Si(OR5)3,这 2 种硅烷化合物的混合物中的 b 为 1 的化合物 :R4Si(OR5)3的掺混比例 ( 摩尔比 ) 相当于 b 的平均值。0028 另外,例如,若 b 的平均值为 1.01.2 的范围,。
20、则掺混式 (2) 中的 b 为 1 的化合物 :R4Si(OR5)3和b为2的化合物:R42Si(OR5)2,将这 2 种硅烷化合物的混合物中的 b 为 2 的化合 物 :R42Si(OR5)2的掺混比例 ( 摩尔比 ) 加 1 而得到的结果为 b 的平均值。0029 这样,作为 (A2) 成分的部分水解缩合物的基础的硅烷化合物含有通式 (2) 中的 b值为 0 的四烷氧基硅烷、b 值为 1 的有机三烷氧基硅烷和 b 值为 2 的有机二烷氧基硅烷的1 种或 2 种以上,通过调整它们的含量比例 ( 摩尔比 ),使上述 b 的平均值为 0.8 1.2 的范围。0030 (A2) 成分为上述硅烷化合。
21、物的部分水解缩合物,例如可通过以下方法得到 :在水存在下,使甲基三甲氧基硅烷等因酸性催化剂或碱性催化剂而部分水解。另外,可通过以下方法得到 :将通过部分水解而生成的硅烷醇基用甲基三甲氧基硅烷等封端。(A2) 成分的 1分子中的 Si 数为 10 200。若 (A2) 成分的 Si 数低于 10,则得不到具有足够的耐划痕性的固化被膜 ;另外,若(A2)成分的Si数超过200,则涂布性或固化被膜的机械特性降低。(A2)成分的 Si 原子数优选为 20150。0031 (A2) 成分的硅烷化合物的部分水解缩合物可单独使用 1 种或混合使用 2 种以上。0032 作为本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合。
22、物的基础聚合物的 (A) 成分由上述(A1) 两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷和上述 (A2) 硅烷化合物的部分水解缩合物构成。(A1) 成分与 (A2) 成分的掺混比例为 :将所有 (A) 成分计为 100 质量份,则 (A1)成分为 1080 质量份,(A2) 成分为 9020 质量份。若 (A1) 成分的掺混量低于 10 质量份且(A2) 成分的掺混量超过 90 质量份,则无法得到在无溶剂条件下可直接作为涂布材料使用的组合物。另外,在 (A1) 成分的掺混量超过 80 质量份且 (A2) 成分的掺混量低于 20 质量份的情况下,得不到具有足够的耐划痕性的固化被膜。(A1)成分与(。
23、A2)成分的更优选的掺说 明 书CN 104487519 A5/12 页8混比例为,(A1) 成分为 3070 质量份,(A2) 成分为 7030 质量份。0033 在本发明的实施方式中,(B) 成分为以下述通式表示的硅烷化合物或其部分水解缩合物 :R6cSi(OR7)4-c(3),其作为上述 (A) 成分的基础聚合物的交联剂起作用。0034 式 (3) 中,R6为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基,可示例出与上述 (B) 成分的 R4和 (A1) 成分的 R2相同的基团。优选甲基、乙烯基等。另外,R7为烷基或烷氧基取代烷基,可示例出与上述 (B) 成分的 R。
24、5和 (A1) 成分的R1相同的基团。优选甲基、乙基等。此外,c 为 0、1 或 2。0035 (B) 成分的硅烷化合物或其部分水解缩合物的 1 分子中的 Si 数为 1 以上且低于10。即,(B) 成分的硅烷化合物在 1 分子中具有 1 个 Si 原子,其部分水解缩合物在 1 分子中具有 29 个 Si 原子。0036 在这样的 (B) 成分中,作为硅烷化合物,可示例出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧。
25、基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷等。这些硅烷化合物或其部分水解缩合物可单独使用 1 种或混合使用 2 种以上。0037 由于合成容易,不损害组合物的保存稳定性,对金属类的腐蚀性小,并且可得到大的交联反应速度(即固化速度),所以,作为交联剂的(B)成分优选使用四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷,特别优选使用甲基三甲氧基硅烷。0038 相对于 100 质量份的上述 (A) 成分,(B) 成分的掺混量为 0.1 15 质量份,优选为0.510 质量份。若 (B) 成分的掺混量低于 0.1 质量份,则无法充分进行交。
26、联,不仅有得不到具有足够的耐划痕性的固化物 ( 固化被膜 ) 之虞,而且组合物的保存稳定性差。反之,若(B) 成分超过 15 质量份,则固化时的收缩率变大,固化后的物性降低。另外,固化速度显著变慢,在经济上不利。0039 在本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物中,(C) 成分的有机钛化合物为用于使由 (A1) 成分和 (A2) 成分构成的 (A) 成分的烷氧基彼此和 / 或 (A) 成分的烷氧基与 (B)成分的交联剂的烷氧基在水分存在下反应形成交联结构的固化催化剂。0040 作为 (C) 固化催化剂的有机钛化合物,可列举出四乙氧基钛、四丙氧基钛、四丁氧基钛、二异丙氧基双(乙酰乙酸乙酯)钛、二异。
27、丙氧基双(乙酰乙酸甲酯)钛、二异丙氧基双( 乙酰丙酮 ) 钛、二丁氧基双 ( 乙酰乙酸乙酯 ) 钛、二甲氧基双 ( 乙酰乙酸乙酯 ) 钛等。这些有机钛化合物可单独使用 1 种或混合使用 2 种以上。由于在微量存在下具有大的催化能力,并且可得到杂质少的组合物,所以在它们之中特别优选二异丙氧基双 ( 乙酰乙酸乙酯 )钛等钛螯合物类。0041 需说明的是,在室温固化性聚有机硅氧烷组合物中,作为用于促进基础成分的烷氧基彼此的反应或基础成分的烷氧基与交联剂的烷氧基的反应的固化催化剂,虽然有时使用如二辛酸二丁基锡或二月桂酸二丁基锡之类的有机锡化合物,但在对上述 (A) 成分和(B)成分均使用有机锡化合物作。
28、为固化催化剂的情况下,固化过度耗费时间而不优选。在本发明中,从组合物的固化性(固化的速度)和固化被膜的耐划痕性这两方面的观点出发,使用上述有机钛化合物。说 明 书CN 104487519 A6/12 页90042 相对于 100 质量份的上述 (A) 成分,作为 (C) 成分的有机钛化合物的掺混量为0.115 质量份,优选为 0.110 质量份。若低于 0.1 质量份,则无法充分作为固化催化剂起作用,不仅固化需要长的时间,而且特别是距离空气的接触面远的深部的固化变得不充分。反之,若超过 15 质量份,则没有与该掺混量相称的效果,不仅无意义,而且不经济。另外,保存稳定性也降低。0043 在本发明。
29、的实施方式中,为了调整涂布性和固化后的物性,可进一步掺混 (D) 以下列通式 (4) 表示的两末端用烷氧基甲硅烷基封闭的聚有机硅氧烷 :化3。0044 式 (4) 中,R8为烷基或烷氧基取代烷基。多个 R8可彼此相同或不同。作为 R8,可示例出与上述 (A1) 成分的 R1相同的基团。优选的基团也相同。R9和R10为未取代的一价烃基或将氢原子的一部分用卤素原子或氰基烷基取代的一价烃基。多个 R9和多个 R10可彼此相同或不同。作为 R9,可示例出与上述 (A1) 成分的 R2相同的基团。优选的基团也相同。另外,作为 R10,可示例出与上述 (A1) 成分的 R3相同的基团。优选的基团也相同。0。
30、045 式 (4) 中,Y 为二价的氧 ( 氧基 ) 或二价烃基。2 个 Y 可相同或不同。作为 Y,可示例出与上述 (A1) 成分的 X 相同的基团。优选的基团也相同。0046 d 为 0 或 1,m 为 20 n200 的正数。若 m 值为 200 以上,则相容性差,(D) 成分分离,因而不优选。更优选的 m 值为 20100 的整数。0047 相对于 100 质量份的上述 (A) 成分,(D) 成分的掺混量优选为 1100 质量份,更优选为 1080 质量份。若 (D) 成分的掺混量超过 100 质量份,则在保存过程中其一部分从体系分离,另外固化后的耐划痕性降低。0048 在本发明的室温。
31、固化性聚有机硅氧烷组合物中,作为 (E) 粘接性赋予剂,可使用如三 (N- 三烷氧基甲硅烷基丙基 ) 异氰尿酸酯之类的异氰尿酸酯化合物。作为异氰尿酸酯化合物,可列举出 1,3,5- 三 (N- 三甲氧基甲硅烷基丙基 ) 异氰尿酸酯等。0049 从与组合物的相容性的观点出发,相对于 100 质量份的 (A) 成分,(E) 成分的粘接性赋予剂的掺混量优选为 0.015 质量份。若低于 0.01 质量份,则提高粘接性的效果小,另外起效慢。若掺混超过 5 质量份,则不仅产生保存过程中的分离或固化物的收缩,而且保存稳定性和操作性变差,另外有产生黄化现象之虞。更优选 0.12 质量份的范围。0050 另外。
32、,在本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物中,可在不妨碍本发明的效果的范围内根据需要掺混在此类组合物中通常掺混的无机填充剂、颜料、触变性赋予剂、用于改善挤出操作性的粘度调节剂、紫外线吸收剂、防霉剂、耐热性改善剂、阻燃剂等各种添加剂。作为无机填充剂的实例,可列举出气溶胶二氧化硅、煅烧二氧化硅、沉淀二氧化硅、气溶胶钛和将它们的表面用有机氯硅烷类、聚有机硅氧烷类、六甲基二硅氮烷等疏水化而得到说 明 书CN 104487519 A7/12 页10的填充剂。此外,也可使用碳酸钙、经有机酸表面处理的碳酸钙、硅藻土、粉碎二氧化硅、铝硅酸盐、氧化镁、氧化铝等。相对于100质量份的(A)成分,无机填充剂的掺混量优。
33、选1100质量份,更优选 350 质量份。0051 本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物可通过将上述(A) (C)成分和根据需要掺混的各种成分在隔绝湿气的状态下混合而得到。得到的组合物在23具有0.050.5Pas 的粘度。另外,可用作在密闭容器中直接保存,在使用时通过暴露于空气中的水分而预先固化的所谓单包装型室温固化性组合物。另外,也可将本发明的组合物用作例如分别制备交联剂和固化催化剂,适宜地分开保存于 2 3 个不同的容器中,在使用时将它们混合的所谓多包装型室温固化性组合物。需说明的是,各成分的混合顺序无特殊限定。0052 如上所述,本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物在 23具有 0.0。
34、5 0.5Pas的足够低的粘度,因此涂布性良好,可不用溶剂稀释而直接用通常的涂布方法涂布。涂膜通过与空气中的水分接触而在室温下迅速固化。固化被膜的硬度 (A 型 ) 高达 60 以上,电气机械特性、特别是耐划痕性优异。0053 因此,本发明的组合物对于电气电子装置的涂布材料、灌封材料等用途有用,特别是适合于如保形涂布剂之类的保护电气电子零件或搭载有它们的电路基板的表面的用途。具体而言,例如在配线基板上搭载有 IC 等半导体器件、电阻器、电容器等电子零件的电气电子装置中适合用作电极或配线等的涂布材料,该配线基板在由环氧树脂、酚树脂、聚酰亚胺树脂等构成的基板或由氧化铝等陶瓷构成的基板上形成有由 I。
35、TO、铜、铝、银、金等构成的电极和配线。0054 在将本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物用作配线基板的电极或配线的涂布材料的情况下,作为涂布方法,可使用浸渍法、刷涂法、喷雾法、分配法等,涂层的厚度通常为0.013mm,优选为0.052mm。若厚度不足0.01mm,则有无法得到足够的耐划痕性之虞。另外,若超过 3mm,则不仅无法得到更好的效果,而且内部固化耗费时间,不经济。0055 接下来,参照附图对本发明的电气电子装置进行说明。图 1 为示出本发明所涉及的电气电子装置 ( 设备 ) 的一个实例的截面图。0056 实施方式的电气电子装置 1 具备在如玻璃环氧基板之类的绝缘基板 2a 上形成有由。
36、如铜箔之类的导电体构成的配线 2b 的配线基板 2。另外,在这样的配线基板 2 的一个主面的规定位置搭载如 IC 组件 3 或电容器 4 之类的电气电子零件,与上述配线 2b 电连接。需说明的是,IC 组件 3 或电容器 4 与配线 2b 的连接通过以下方法进行 :将这些零件的导线端子 3a、4a 插入配线基板 2 的零件孔 ( 省略图示 ) 中,通过焊剂等接合。0057 另外,在配线基板 2 的零件搭载面上,由上述本发明的室温固化性聚有机硅氧烷组合物的固化物构成的固化被膜 5 以覆盖 IC 组件 3 和电容器 4 的上面的方式形成。0058 在这样的实施方式的电气电子装置 1 中,将配线基板 2 和其主面上搭载的电气电子零件用耐划痕性优异、难以因摩擦产生剥落或卷缩的固化被膜 5 覆盖,所以可靠性高。实施例0059 以下通过实施例具体地说明本发明,但这些实施例并不限定本发明的范围。需说明的是,在实施例中,“份”均表示“质量份”,粘度均表示 23、50% 相对湿度下的值。说 明 书CN 104487519 A。