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1、10申请公布号CN104162657A43申请公布日20141126CN104162657A21申请号201410346038422申请日20140721B22F1/00200601B22F9/24200601B82Y30/00201101B82Y40/0020110171申请人江苏大学地址212013江苏省镇江市京口区学府路301号72发明人沈湘黔李博景茂祥李旻54发明名称一种超长铜纳米线及其制备方法57摘要本发明提供了一种超长铜纳米线及其制备方法。其制备方法为首先将二价铜盐水溶液与作为结构导向剂的高分子长链有机胺混合，在25100下搅拌形成均匀分散的铜离子络合物；然后加入还原糖作为还原剂，。
2、充分搅匀后转移至烧瓶内，于100150下油浴加热36H；将反应后混合物趁热离心，依次用去离子水、盐酸溶液和无水乙醇离心洗涤，即得到直径为3070NM、长度为10150M的超长铜纳米线。本发明得到的铜纳米线直径均匀，纯度高，长径比大，柔韧性好，在透明导电膜、可弯折电子器件中有潜在应用前景。51INTCL权利要求书1页说明书3页附图2页19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书3页附图2页10申请公布号CN104162657ACN104162657A1/1页21一种超长铜纳米线，其特征在于，铜纳米线的直径为3070NM，长度为10150M。2权利要求1所述超长铜纳米线的制。
3、备方法，其特征在于，包括如下步骤配制二价铜盐溶液，加入高分子长链有机胺，在25100加热搅拌112H，得到溶液A；向溶液A中加入还原糖，搅拌10MIN后转移至烧瓶内，油浴加热至100150，保温36H，得到溶液B；将溶液B趁热离心，将底部的沉淀物依次用去离子水、盐酸溶液和无水乙醇在12002000R/MIN下离心洗涤。3如权利要求2所述的超长铜纳米线的制备方法，其特征在于，所述二价铜盐为氯化铜、溴化铜或碘化铜，所述二价铜盐的浓度为0005002MOL/L。4如权利要求2所述的超长铜纳米线的制备方法，其特征在于，所述高分子长链有机胺为十六胺、十八胺、9十八烯胺或十四胺。5如权利要求2所述的超长铜。
4、纳米线的制备方法，其特征在于，所述有机胺与二价铜离子的摩尔比为4161。6如权利要求2所述的超长铜纳米线的制备方法，其特征在于，所述还原糖为葡萄糖、果糖、半乳糖、乳糖或麦芽糖。7如权利要求2所述的超长铜纳米线的制备方法，其特征在于，所述还原糖与二价铜离子的摩尔比为2131。8如权利要求2所述的超长铜纳米线的制备方法，其特征在于，所述盐酸溶液浓度为00104MOL/L。权利要求书CN104162657A1/3页3一种超长铜纳米线及其制备方法技术领域0001本发明涉及金属纳米线领域，尤其涉及一种超长铜纳米线及其制备方法。背景技术0002铜纳米线由于其优异的导电性、透光性、柔韧性及成本低廉等特点，在。
5、触摸屏、透明电极、柔性电子器件都有着重要的应用前景，被视为是最具潜力取代氧化铟锡的透明导电材料之一。0003然而，以模板为向导的电化学沉积法和真空气相沉积法来制备铜纳米线时，虽然可以精准的控制产物形貌，但需要先制备出相应的模板，复杂的工艺增加了生产成本。最近，中国专利2010800628951报道了一种在水溶液中大量生产铜纳米线的方法，但其产物在纳米线的端点存在纳米球，且纳米线直径约为10010NM。中国专利2011101443802报道了一种单晶铜纳米线的可控制备方法，其产物平均直径为80NM。中国专利2012103238224报道了一种超长铜纳米线的制备方法，他们用贵金属作为催化剂在100。
6、200制备直径为4080NM的铜纳米线。端粒的存在和较大的直径都将严重影响做成膜后的导电性和透光率。所以，用简单、经济的方法生产出直径均匀，长径比大的铜纳米线对柔性透明导电材料的发展有重大的意义。发明内容0004本发明提供一种超长铜纳米线及其制备方法，以克服目前铜纳米线制备成本过高、工艺复杂、形貌非线性和直径过大等缺点。0005本发明是通过以下技术手段实现上述技术目的的。0006本发明所述的一种超长铜纳米线，其直径为3070NM，长度为10150M。0007本发明所述的超长铜纳米线的制备方法，包括如下步骤配制二价铜盐溶液，加入高分子长链有机胺，在25100加热搅拌112H，得到溶液A；向溶液A。
7、中加入还原糖，搅拌10MIN后转移至烧瓶内，油浴加热至100150，保温36H，得到溶液B；将溶液B趁热离心，将底部的沉淀物依次用去离子水、盐酸溶液和无水乙醇在12002000R/MIN下离心洗涤，得到直径为3070NM，长度为10150M的超长铜纳米线。0008进一步，所述二价铜盐为氯化铜、溴化铜或碘化铜，所述二价铜盐的浓度为0005002MOL/L。0009进一步，所述高分子长链有机胺为为十六胺、十八胺、9十八烯胺或十四胺。0010进一步，所述有机胺与二价铜离子的摩尔比为4161。0011进一步，所述还原糖为葡萄糖、果糖、半乳糖、乳糖或麦芽糖。0012进一步，所述还原糖与二价铜离子的摩尔比。
8、为2131。0013进一步，所述盐酸溶液浓度为004MOL/L。附图说明说明书CN104162657A2/3页40014图1是实施例1中铜纳米线的X射线衍射图；图2是实施例1中铜纳米线的扫描电镜图；图3是实施例2中铜纳米线的扫描电镜图；图4是实施例4中铜纳米线的扫描电镜图。具体实施方式0015下面结合附图以及具体实施例对本发明作进一步的说明，但本发明的保护范围并不限于此。0016实施例1配制001MOL/L的氯化铜溶液20ML，加入08MMOL的十六胺，在80搅拌1H，得到均匀分散的铜离子络合物即溶液A；向溶液A中加入1ML04MOL/L的葡萄糖，搅拌10MIN后转移至烧瓶内，油浴加热到100。
9、并保温5H，得溶液B；将溶液B从油浴中取出后不经冷却立即离心，将沉到底部的沉淀物依次用去离子水、盐酸溶液和无水乙醇在2000R/MIN离心洗涤。0017图1是实施例1制备的铜纳米线的X射线衍射光谱图，由图1可知，所制备的产品为纯净的面心立方结构的金属铜纳米线。0018图2是实施例1制备的铜纳米线的扫描电镜图，由图1,2可知，所制备的产品为纯铜纳米线，其平均直径为40NM,长度约为50M。0019实施例2配制0005MOL/L的氯化铜溶液20ML，加入04MMOL的十六胺，在25搅拌12H，得到均匀分散的铜离子络合物即溶液A；向溶液A中加入1ML03MOL/L的果糖，搅拌10MIN后转移至烧瓶内。
10、,油浴加热到120并保温3H，得溶液B；将溶液B从油浴中取出后不经冷却立即离心，将沉到底部的沉淀物依次用去离子水、盐酸溶液和无水乙醇在2000R/MIN离心洗涤。0020图3是实施例2制备的铜纳米线的扫描电镜图，由图3可知，所制备的产品为铜纳米线，其平均直径为55NM,长度约为35M。0021实施例3配制002MOL/L的溴化铜溶液20ML，加入24MMOL的十八胺，在60搅拌3H，得到均匀分散的铜离子络合物即溶液A；向溶液A中加入1ML12MOL/L的葡萄糖，搅拌10MIN后转移至烧瓶内,油浴加热到100并保温5H，得溶液B；将溶液B从油浴中取出后不经冷却立即离心，将沉到底部的沉淀物依次用去。
11、离子水、盐酸溶液和无水乙醇在1200R/MIN离心洗涤。0022图4是实施例4制备的铜纳米线的扫描电镜图，由图4可知，所制备的产品为铜纳米线，其平均直径为70NM,长度约为150M。0023实施例4配制001MOL/L的氯化铜溶液20ML，加入12MMOL的9十八烯胺，在25搅拌12H，得到均匀分散的铜离子络合物即溶液A；向溶液A中加入1ML06MOL/L的麦芽糖，搅拌10MIN后转移至烧瓶内,油浴加热到150并保温5H，得溶液B；将溶液B从油浴中取出后不经冷却立即离心，将沉到底部的沉淀物依次用去离子水、盐酸溶液和无水乙醇在说明书CN104162657A3/3页51500R/MIN离心洗涤。0024所述实施例为本发明的优选的实施方式，但本发明并不限于上述实施方式，在不背离本发明的实质内容的情况下，本领域技术人员能够做出的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本发明的保护范围。说明书CN104162657A1/2页6图1图2说明书附图CN104162657A2/2页7图3图4说明书附图CN104162657A。