一种LED高密度支架结构.pdf

本发明公开了一种LED高密度支架结构，包括基板，基板上设有若干个按照矩形阵列分布的芯片，芯片中每两列为一组，组与组之间的间距大于每组之间的两列的间距，每行之间的间距相等；基板的上下边框上间隔分布有若干个方形孔，相邻的方形孔之间设有圆孔，基板的上下边框边缘间隔设有若干个V形槽。本发明结构设计新颖，通过改变行与列之间间距及方形孔及圆孔配合使用，可以有效增加单位面积内芯片的数量，提高芯片与支架组装过程中的稳定性，保证加工质量。

1.  一种LED高密度支架结构，包括基板，其特征在于：所述的基板上设有若干个按照矩形阵列分布的芯片，芯片中每两列为一组，组与组之间的间距大于每组之间的两列的间距，每行之间的间距相等；基板的上下边框上间隔分布有若干个方形孔，相邻的方形孔之间设有圆孔，基板的上下边框边缘间隔设有若干个V形槽。

2.  根据权利要求1所述的LED高密度支架结构，其特征在于：所述的若干个V形槽中每相邻的两个V形槽之间分布有两个方形孔和一个圆孔。

3.  根据权利要求1所述的LED高密度支架结构，其特征在于：所述的每组之间的两列芯片中心距一般为3.8~4.0mm，两行芯片中心距一般为3.3~3.6mm。

一种LED高密度支架结构
技术领域：
本发明涉及LED领域，尤其涉及一种LED高密度支架结构。
背景技术：
目前市场上的表面粘贴型LED产品的支架的结构设计存在一定的缺陷，大多采用矩形阵列，但是行与行之间间距相等、列与列之间间距相等，也就是单颗芯片之间等间距，这种设计方案使得相同面积的之间芯片支撑数量相对较少，造成资源浪费。此外，芯片在与支架组装在一起时气流穿过引起加工过程中稳定性相对较差，给加工带来较大的麻烦。
发明内容：
为了弥补现有技术问题，本发明的目的是提供一种LED高密度支架结构，结构设计新颖，可以有效增加单位面积内芯片的数量，提高芯片与支架组装过程中的稳定性，保证加工质量。
本发明的技术方案如下：
LED高密度支架结构，包括基板，其特征在于：所述的基板上设有若干个按照矩形阵列分布的芯片，芯片中每两列为一组，组与组之间的间距大于每组之间的两列的间距，每行之间的间距相等；基板的上下边框上间隔分布有若干个方形孔，相邻的方形孔之间设有圆孔，基板的上下边框边缘间隔设有若干个V形槽。
所述的LED高密度支架结构，其特征在于：所述的若干个V形槽中每相邻的两个V形槽之间分布有两个方形孔和一个圆孔。
所述的LED高密度支架结构，其特征在于：所述的每组之间的两列芯片中心距一般为3.8~4.0mm，两行芯片中心距一般为3.3~3.6mm。
本发明的优点是：
本发明结构设计新颖，通过改变行与列之间间距及方形孔及圆孔配合使用，可以有效增加单位面积内芯片的数量，提高芯片与支架组装过程中的稳定性，保证加工质量。
附图说明：
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式：
参见附图：
LED高密度支架结构，包括基板1，基板1上设有若干个按照矩形阵列分布的芯片2，芯片2中每两列为一组，组与组之间的间距大于每组之间的两列的间距，每行之间的间距相等；基板1的上下边框上间隔分布有若干个方形孔3，相邻的方形孔3之间设有圆孔4，基板1的上下边框边缘间隔设有若干个V形槽5。
若干个V形槽5中每相邻的两个V形槽5之间分布有两个方形孔3和一个圆孔4，一般作为定位孔，提高芯片与支架组装过程中的稳定性，保证加工质量。
每组之间的两列芯片中心距一般为3.8~4.0mm，一般选用3.9mm，两行芯片中心距一般为3.3~3.6mm，一般选用3.41mm，可以有效增加单位面积内芯片的数量。