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本发明涉及一种半导体器件、制备方法及封装方法,所述制备方法包括提供基底,所述基底上形成有层间介电层;在所述层间介电层中形成接合焊盘;在所述层间介电层和所述接合焊盘上形成接合材料层,以覆盖所述层间介电层和所述接合焊盘;图案化所述接合材料层,以在所述接合材料层中形成开口,露出所述接合焊盘。本发明为了解决现有技术中存在的问题,在目前的工艺流程中,在图案化密度(pattern density)的影响下,增。