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本发明是关于一种电阻型随机存取内存的结构,其包括数条字符线,配置在一基底中;数条重设线,配置在对应的字符线中,且重设线的离子型态是与字符线的离子型态相反;一介电层,配置在基底上;数个内存单元,配置在介电层中,并且每一内存单元包括一下电极、一上电极以及一电阻薄膜,且相同一列的内存单元的下电极是与对应的其中一重设线电性接触;以及数条位线,配置在内存单元上,其中相同一行的内存单元的上电极是与其中一位线电。