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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410784564.9(22)申请日 2014.12.16G02F 1/13(2006.01)G02F 1/1362(2006.01)H01L 21/66(2006.01)(71)申请人 昆山国显光电有限公司地址 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路1号4幢(72)发明人 杨旸 胡贤夫 马鹏程 黄星星(74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224代理人 唐清凯(54) 发明名称阵列基板的修补方法及其系统(57) 摘要本发明公开了一种阵列基板的修补方法及系统，修补方法包括：在阵列基板上的金属层的断路形成金属。
2、修补层，以连通所述金属层；在形成金属修补层的过程中，实时获取金属层厚度与金属修补层厚度的差值 ；所述差值与预定的阈值进行比较，当所述差值小于或等于所述阈值时，修补完成。修补系统包括修补装置和测量装置。该修补方法，实时监测金属层厚与金属修补层厚度的差值，来判断修补完成与否。这样实时监测金属修补层的成膜厚度，确保修补完成，以防止 TFT 阵列修补后产生接触不良的情况发生，提高了修补成功率。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书4页 附图2页(10)申请公布号 CN 104503112 A(43)申请公布日 2015.04.08CN 10。
3、4503112 A1/1 页21.一种阵列基板的修补方法，其特征在于，包括 ：在阵列基板上的金属层的断路形成金属修补层，以连通所述金属层 ；在形成金属修补层的过程中，实时获取金属层厚度与金属修补层厚度的差值 ；所述差值与预定的阈值进行比较，当所述差值小于或等于所述阈值时，修补完成。2.根据权利要求 1 所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，通过激光化学气相沉积法在所述断路形成金属修补层。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述获取所述金属层厚度与金属修补层厚度的差值包括 ：获取金属层厚度 ；获取金属修补层厚度 ；所述金属层厚度与所述金属修补层厚度相减 ；所述获取金属层厚。
4、度包括 ：分别获取与断路的两端相邻的金属层的厚度值，求所述两个金属层的厚度值的平均值，所述平均值作为所述金属层厚度。4.根据权利要求 3 所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，通过椭偏仪测量所述金属层厚度和金属修补层厚度。5.根据权利要求 1 所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述金属修补层为钨层。6.根据权利要求 1 所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，以六羰基钨与氩气的混合气体为反应气体 ；以激光为能量源进行激光化学气相沉积，形成所述金属修补层。7.一种阵列基板的修补系统，包括 ：用于修补阵列基板上金属层的断路的修补装置，其特征在于，还包括用于测量膜厚的测量装置。8.根据权利要求 7。
5、 所述的阵列基板的修补系统，其特征在于，所述修补装置包括 ：工作台，用以承载阵列基板 ；气室，设置于所述工作台上 ；激光设备，用以提供激光 ；气体控制设备，用以提供反应气体。9.根据权利要求 7 所述的阵列基板的修补系统，其特征在于，所述测量装置为椭偏仪，用以测量厚度修补前后金属层的厚度。10.根据权利要求 8 所述的阵列基板的修补系统，其特征在于，还包括声光扫描器、显示设备，所述声光扫描器连接所述激光设备，用以控制激光照射路径，所述显示设备电连接所述声光扫描器。权 利 要 求 书CN 104503112 A1/4 页3阵列基板的修补方法及其系统技术领域0001 本发明涉及平面显示领域，特别涉。
6、及一种阵列基板的修补方法及其系统。背景技术0002 薄 膜 晶 体 管 液 晶 显 示 器 (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD) 是有源矩阵液晶显示器 (Active Matrix LCD) 中的一种。它具有低功耗、轻薄易用、高亮度、高对比度、高响应速度、无辐射等特点，目前已成为平板显示产业的主流技术之一。TFT 阵列基板是 TFT-LCD 的关键结构，因此 TFT 阵列基板的好坏对 TFT-LCD的品质至关重要。然而，形成 TFT 阵列基板制程较为复杂繁琐，在复杂的工艺中，往往会导致 TFT 的缺陷产生，这些缺陷包括 ：金。
7、属层的短路、断路等缺陷。0003 现有技术中通常采用激光化学气相沉积(Laser CVD)或桥式连接来进行上述缺陷的修补。但随着 TFT-LCD 不断向着高分辨和高精细化的方向发展，TFT 越来越轻薄化，TFT的面积越来越小，使用桥式连接将会成为十分困难的方法。而使用 Laser CVD 对 TFT 的缺陷进行修补时，其在基板上沉积的金属修补层的厚度难以监测控制，易造成修补后 TFT 接触不良，造成修补失败。发明内容0004 基于此，有必要提供一种能够监控成膜厚度、提高修补成功率的修补方法及其修补系统。0005 一种阵列基板的修补方法，包括 ：在阵列基板上的金属层的断路形成金属修补层，以连通所。
8、述金属层 ；在形成金属修补层的过程中，实时获取金属层厚度与金属修补层厚度的差值 ；所述差值与预定的阈值进行比较，当所述差值小于或等于所述阈值时，修补完成。0006 在其中一个实施例中，通过激光化学气相沉积法在所述断路形成金属修补层。0007 在其中一个实施例中，所述获取所述金属层厚度与金属修补层厚度的差值包括 ：获取金属层厚度 ；获取金属修补层厚度 ；所述金属层厚度与所述金属修补层厚度相减 ；所述获取金属层厚度包括 ：分别获取与断路的两端相邻的金属层的厚度值，求所述两个金属层的厚度值的平均值，所述平均值作为所述金属层厚度。0008 在其中一个实施例中，通过椭偏仪测量所述金属层厚度和金属修补层厚。
9、度。0009 在其中一个实施例中，所述金属修补层为钨层。0010 在其中一个实施例中，以六羰基钨与氩气的混合气体为反应气体 ；以激光为能量源进行激光化学气相沉积，形成所述金属修补层。0011 一种阵列基板的修补系统，包括 ：用于修补阵列基板上金属层的断路的修补装置和用于测量膜厚的测量装置。0012 在其中一个实施例中，所述修补装置包括 ：工作台，用以承载阵列基板 ；气室，设置于所述工作台上 ；激光设备，用以提供激光 ；气体控制设备，用以提供反应气体。0013 在其中一个实施例中，所述测量装置为椭偏仪，用以测量厚度修补前后金属层的说 明 书CN 104503112 A2/4 页4厚度。0014 。
10、在其中一个实施例中，还包括声光扫描器、显示设备，所述声光扫描器连接所述激光设备，用以控制激光照射路径，所述显示设备电连接所述声光扫描器。0015 上述阵列基板的修补方法，实时监测金属层厚与金属修补层厚度的差值，来判断修补完成与否。这样实时监测金属修补层的成膜厚度，确保修补完成，以防止 TFT 阵列修补后产生接触不良的情况发生，提高了修补成功率。0016 上述阵列基板的修补系统，利用测量装置实时获取金属层厚度与金属修补层厚度的差值，能够监测金属修补层的成膜厚度，提高修补成功率。附图说明0017 图 1 为本发明阵列基板的修补方法的流程图 ；0018 图 2 为本发明阵列基板的修补方法进行修补的阵。
11、列基板的示意图 ；0019 图 3 为本发明阵列基板的修补系统的构架示意图。0020 其中，100. 阵列基板，110. 基板，120 金属层，130. 断路，140. 金属修补层，200. 工作台，300.气室，400.激光设备，500.气体控制设备，600.测量装置，700.声光扫描器，800.显示设备。具体实施方式0021 请参考图 1 和图 2，图 1 为阵列基板的修补方法的流程图，图 2 为阵列基板的修补方法进行修补的阵列基板的示意图。阵列基板100包括金属层120，金属层120之间有断路130，断路130可能为金属层120的某一沉积层的断路或是几个沉积层的断路或是金属层发生断层。阵。
12、列基板的修补方法，包括以下步骤 ：0022 S001 ：获取所述金属层 120 厚度。0023 金属层 120 厚度的获取，在此获取的金属层 120 厚度为金属层 120 非断路处的厚度。在本实施方式中，利用测厚装置对金属层 120 进行厚度测量。在本实施方式中，金属层120 厚度是通过以下方法得到的，首先利用测厚装置分别获取与断路 130 的两端相邻的金属层120的厚度值，然后得到上述获取的两个金属层120的厚度值的平均值，该平均值即为金属层 120 厚度。0024 S002 ：在所述金属层的断路 130 形成金属修补层 140，以连通所述金属层 120。0025 在本步骤中，在断路130出。
13、形成金属修补层140可已采取多种方法，如化学气相沉积法、磁控溅射法等。在激光化学气相沉积法中，由于激光参与了反应气体的化学分解，能够精确的控制反应区域，并且可以精确的控制反应区域的温度梯度，这样能够精确控制成膜的厚度与组分。所以在本实施方式中，通过激光化学气相沉积在断路上形成金属修补层140。0026 在本实施方式中，金属修补层 140 为钨层，因为钨的颜色为黑色，避免了反光的影响。以六羰基钨 (W(CO)6) 与氩 (Ar) 气的混合气体为反应气体，其中，六羰基钨作为钨源，而氩气作为保护气体 ；以激光为能量源进行激光化学气相沉积，在断路 130 形成钨层。0027 S003 ：实时获取所述金。
14、属修补层 140 厚度。0028 在本实施方式中，在金属修补层 140 形成过程中，利用测厚装置实时获取金属修说 明 书CN 104503112 A3/4 页5补层 140 的厚度。0029 S004 ：在形成金属修补层 140 的过程中，实时获取金属层 120 厚度与金属修补层130 厚度的差值。0030 在本步骤中，将步骤 S001 和步骤 S003 分别获取的金属层 120 厚度与金属修补层140厚度相减，得到差值，所述差值是金属层120厚度与实时的金属修补层140厚度的差值。0031 S005 ：所述差值与预定的阈值进行比较，当所述差值小于或等于所述阈值时，修补完成。0032 当步骤 。
15、S004 得到的差值小于或等于预定的阈值时，修补完成，停止修补。0033 当步骤S004得到的差值大于预定的阈值时，然后重复步骤S002至S005，直至所得的差值小于或等于预定的阈值时，修补完成，停止修补。0034 上述阈值，可以根据金属层120厚度、金属层120中各层的组成以及厚度等实际情况进行设定。0035 在步骤 S002 中和步骤 S004 获取金属层 120 和金属修补层 140 厚度，还可以获取金属层120和金属修补层140的上表面到设定位置的距离，然后获取上述两个距离的差值，再进行修补完成与否的判断。但是，其本质还是利用金属层 120 厚度与金属修补层 140 厚度差值，进行修补。
16、完成与否的判断。0036 请参考图 3，在此还披露了一种阵列基板的修补系统，现在以激光化学气相沉积法设备作为修补设备为例进行说明。修补系统包括 ：工作台 200、气室 300、激光设备 400、气体控制设备 500、测量装置 600、声光扫描器 700、显示设备 800。气室 300 设置于工作台 200上，气体控制设备500与气室300连通，气室300上方设置有激光设备400，测量装置600设置在激光设备 400 上。工作台 200 承载阵列基板，阵列基板置于气室 300 内，气体控制设备500 提供反应气体，测量装置 600 用以获取金属层厚度与金属修补层厚度差值。0037 工作过程为 ：。
17、将待修补的阵列基板置于气室 300 内，气体控制设备 500 向气室 300内通入反应气体，在本实施方式中，反应气体为六羰基钨与氩气的混合气体，其中，六羰基钨作为钨源，氩气作为保护气体，防止反应物氧化。在本实施方式中，激光设备 400 包括激光头、光学元件，激光头用于发射激光，光学元件用以调节激光强度、调节激光特性等。在本实施方式中，测量装置 600 为椭偏仪，椭偏仪装设在激光头上，椭偏仪测量金属层厚度。然后，控制声光扫描器 700 控制激光照射路径，使得金属修补层形成于断路。然后再利用椭偏仪测量金属修补层厚度，比较金属层厚度与金属修补层厚度，判断修补完成与否。0038 当然，测量装置还可以为。
18、测距传感器，测距传感器获取金属层和金属修补层的上表面到测距传感器的距离，然后获取上述两个距离的差值，该差值即为金属层厚度与金属修补层厚度的差值。0039 与声光扫描器 700 电连接的显示设备 800 可以用以观察金属修补层的形成情况。0040 当然，修补设备为激光化学气相沉积设备外，还可以为其他设备，如化学气相沉积设备、磁控溅射设备等，它们分别以化学气相沉积法和磁控溅射法形成金属修补层，来连通金属层。0041 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保说 明 书CN 104503112 A4/4 页6护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。说 明 书CN 104503112 A1/2 页7图1图2说 明 书 附 图CN 104503112 A2/2 页8图3说 明 书 附 图CN 104503112 A。