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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410764208.0(22)申请日 2014.12.12G05F 1/575(2006.01)(71)申请人长沙景嘉微电子股份有限公司地址 410205 湖南省长沙市岳麓区麓景路2号长沙生产力促进中心(72)发明人蒋仁杰(54) 发明名称一种线性电源电路(57) 摘要本发明公开了一种简单的线性电源电路。本电路通过简单的偏置电路产生基准电流，基准电流流经电阻产生基准电压，再结合负反馈原理实现了一个简单的线性电源。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书2页 附图1页(10)。
2、申请公布号 CN 104407664 A(43)申请公布日 2015.03.11CN 104407664 A1/1页21.一种简单的线性电源电路，其特征在于：电路由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M6、NMOS管M10、NMOS管M11、电阻R1、电阻R2、电阻R3组成；系统电源VDD连接到PMOS管M1、M2、M5、M7和M9的源极；地信号GND连接到电阻R1一端、电阻R2的一端、电阻R3的一端以及NMOS管M3的源极；PMOS管M1的漏极连接到NMOS管M3的栅极、漏极和NMOS管M4。
3、、M6的栅极；PMOS管M2的栅极、漏极连接到PMOS管M1、M5、M9的栅极以及NMOS管M4的漏极；NMOS管M4的源极连接电阻R1的一端；PMOS管M5的漏极连接到PMOS管M7的栅极和NMOS管M6的漏极；NMOS管M6的源极连接到PMOS管M8的漏极和电阻R2的一端；PMOS管M9的漏极连接到NMOS管M10的栅极、漏极和NMOS管M11的栅极以及PMOS管M8的栅极；NMOS管M10的源极连接到NMOS管M11的漏极；NMOS管M11的源极连接到电阻R3的一端；PMOS管M7的漏极连接到PMOS管M8的源极，即VO输出。权 利 要 求 书CN 104407664 A1/2页3一种线。
4、性电源电路技术领域0001 本发明主要涉及电源电路的设计领域，特指一种简单的线性电源电路。背景技术0002 对于模拟集成电路，其性能的好坏取决于很多因素，其中电源的好坏也是影响模拟集成电路性能的一个关键因素，特别是一些高精度模拟电路，如高精度模数转换器(ADC)、高精度数模转换器(DAC)、仪表放大器等，这类电路通常都需要一个高质量的电源供电，通常都是采用线性电源(LDO)，LDO将一个性能不好的电源信号转换成性能相对较好的电源输出，LDO的性能通常都很好，但是占用的面积也较大，对于一些简单的模块，或者规模较小的电路模块，且对电源的性能要求又不是特别高的情况下，LDO并非是一个明智的选择。发明。
5、内容0003 本发明要解决的问题就在于：针对现有技术存在的技术问题，提出一种简单的线性电源电路。0004 本发明提出的解决方案为：本电路通过简单的偏置电路产生基准电流，基准电流流经电阻产生基准电压，再结合负反馈原理实现了一个简单的线性电源。附图说明0005 图1是本发明的电路原理示意图；具体实施方式0006 以下将结合附图和具体实施对本发明做进一步详细说明。0007 如图1所示，MOS管M1、M2、M3、M4和电阻R1组成了偏置电流产生电路，假设M1、M2、M5、M9的管子尺寸相同，且假设M3、M6的尺寸为“W/L”，M4的尺寸为“K(W/L)”，假设M2的电流为Iref，则有：0008 00。
6、09 此电流与电源电压无关，则M9电流也为Iref，设M8栅极电压为VB，设M11的尺寸为(W/L)M11则有：0010 0011 0012 PMOS管M8作为源极跟随器，所以VOVB，即：说 明 书CN 104407664 A2/2页40013 0014 可见，输出电压VO与电源电压无关。当负载变化导致VO电压降低，则M8的漏极电压降低，则M6的漏极电压降低，即M7的栅极电压降低会使得M7的漏极升高，及VO电压升高；反之，当负载变化导致VO电压升高，则M8的漏极电压升高，则M6的漏极电压升高，即M7的栅极电压升高会使得M7的漏极降低，及VO电压降低，形成负反馈，稳定输出电压VO。0015 综上所述，本电路通过简单的偏置电路产生基准电流，基准电流流经电阻产生基准电压，再结合负反馈原理实现了一个简单的线性电源。说 明 书CN 104407664 A1/1页5图 1说 明 书 附 图CN 104407664 A。