有机EL元件.pdf

摘要
申请专利号：	CN201180025675.6	申请日：	2011.05.16
公开号：	CN102906895A	公开日：	2013.01.30
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 51/50申请公布日:20130130\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):H01L 51/50申请日:20110516\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L51/50; H05B33/10	主分类号：	H01L51/50
申请人：	日本精机株式会社
发明人：	田所丰康
地址：	日本国新潟县
优先权：	2010.05.25 JP 2010-118939
专利代理机构：	北京三幸商标专利事务所 11216	代理人：	刘激扬
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内容摘要

本发明提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。该有机EL元件通过将至少具有发光层3b的有机层3层叠形成于阳极2与阴极4之间而成。其特征在于，发光层3b至少包含：电子迁移率(μeEM)与空穴迁移率(μhEM)之比(μeEM/μhEM)为0.6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中，前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(μhHT)与前述主体材料的电子迁移率(μeEM)之比(μhHT/μeEM)为0.1以上且为10以下。

权利要求书

权利要求书一种有机EL元件，其特征在于，该有机EL元件通过将至少具有发光层的有机层层叠形成于阳极与阴极之间而成，
所述发光层至少包含：电子迁移率(μeEM)与空穴迁移率(μhEM)之比(μeEM/μhEM)为0.6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中，
所述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(μhHT)与所述主体材料的电子迁移率(μeEM)之比(μhHT/μeEM)为0.1以上且为10以下。
根据权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于，所述空穴传输性掺杂剂在所述发光层中的浓度为50重量%以下。
根据权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于，所述发光掺杂剂与所述主体材料的离子化电位的差为0.05eV以上。

说明书

说明书有机EL元件
技术领域
本发明涉及有机EL(电致发光)元件，特别涉及有机EL元件的低电压化以及高效率化。
背景技术
以往，作为由有机材料形成的自发光元件的有机EL元件，例如已知有下述有机EL元件，其通过依次层叠：作为阳极的由ITO(氧化锡铟)等形成的第一电极、至少具有发光层的有机层、作为阴极的由铝(Al)等形成的非透光性的第二电极而形成。
该有机EL元件为：从前述第一电极注入空穴、或从第二电极注入电子而使空穴以及电子在前述发光层中再结合从而发出光的有机EL元件。使用了有机EL元件的有机EL显示器由于是自发光因而可视性优异，并且由于是完全固体元件，因而耐冲击性、在低温环境下的响应性优异，因此被采用于必须进行显示的瞬间判读的车辆用仪表等车载显示装置中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005‑108726号公报
发明内容
发明要解决的问题
特别是车载显示装置中采用的有机EL元件对在广范围的温度环境下的高可靠性提出了要求并且对低电力化提出了要求。为了提高在低电力且高温环境下的可靠性，低电压化和高效率化是重要的课题。对此，作为用于实现低电压化和高效率的方法，可考虑在发光层与阴极之间形成电子迁移率高的电子传输层，但是存在有如下问题：电子传输层的电子迁移率高时，则电子的供给变为过量，载流子平衡发生崩溃，在发光层与阳极之间形成的空穴传输层因电子而劣化、寿命变短。
另外，如专利文献1中公开的那样，存在如下方法：通过向发光层中加入可补足主体材料所具有的载流子传输性的辅助掺杂剂，在发光层中使空穴传输性材料、电子传输性材料这样的具有相反的载流子传输性的材料混合存在，从而将发光层自身设为双极(两载流子传输性)，提高发光层内的再结合概率并且提高发光效率。但是，在该方法中保持载流子平衡也是重要的，在提高高温环境下的可靠性上还有改善的余地。
因此本发明鉴于该问题而开发，其目的在于提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。
用于解决问题的方案
本发明为了解决前述课题，提供一种有机EL元件，其特征在于，该有机EL元件通过将至少具有发光层的有机层层叠形成于阳极与阴极之间而成，
前述发光层至少包含：电子迁移率(μeEM)与空穴迁移率(μhEM)之比(μeEM/μhEM)为0.6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中，
前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(μhHT)与前述主体材料的电子迁移率(μeEM)之比(μhHT/μeEM)为0.1以上且为10以下。
另外，其特征在于，前述空穴传输性掺杂剂在前述发光层中的浓度为50重量%以下。
另外，其特征在于，前述发光掺杂剂与前述主体材料的离子化电位的差为0.05eV以上。
发明的效果
本发明涉及有机EL元件，可提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。
附图说明
图1所示为作为本发明的实施方式的有机EL元件的图。
图2所示为本发明的实施例1~7和比较例1~4的试验结果的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
图1所示为本发明的实施方式的图。作为本实施方式的有机EL元件具有支撑基板1、作为阳极的第一电极2、有机层3、作为阴极的第二电极4。又，有机EL元件是将涂布吸湿剂的密封基板配设于支撑基板1上而密封的有机EL元件，但是在图1中省略了该密封基板。
支撑基板1为例如由透光性的玻璃材料形成的矩形的基板。在支撑基板1上，第一电极2、有机层3以及第二电极4依次地层叠形成。
第一电极2是作为注入空穴的阳极的电极，并且由利用溅射法等手段将铟锡氧化物(ITO)层状地形成于支撑基板1上而得到的氧化物透明导电膜形成，利用光刻等手段而图案化为规定的形状而得到。另外，第一电极2的表面可实施UV/O3处理、等离子体处理等表面处理而成。
有机层3由至少包含发光层的多层形成，是形成在第一电极2上的有机层。在本实施方式中，通过从第一电极2侧起依次地使空穴注入传输层3a、发光层3b、电子传输层3c以及电子注入层3d依次层叠形成而得到。
空穴注入传输层3a具有从第一电极2摄入空穴并且向发光层3b传递的功能，通过利用蒸镀法等手段将例如胺类化合物等空穴传输性材料形成为膜厚15~40nm左右的层状而得到。
发光层3b通过利用共蒸镀等手段将至少呈现发光的发光掺杂剂和空穴传输性掺杂剂添加于主体材料中而得到，该主体材料中，电子迁移率(以下将主体材料的电子迁移率记作μeEM)与空穴迁移率(以下将主体材料的空穴迁移率记作μhEM)之比(μeEM/μhEM)为0.6以上且为10以下(0.6≤μeEM/μhEM≤10)。前述主体材料通常在发光层3b中以最高的比率包含，可实现空穴以及电子的传输，并且具有在其分子内通过空穴以及电子发生再结合而使前述发光掺杂剂发光的功能，具有3.0eV左右的能量禁带。前述发光掺杂剂具有在空穴与电子的再结合时发生反应而发光的功能，由与前述主体材料的Ip(离子化电位)的差为0.05eV以上且显示例如绿色发光的荧光材料形成。前述空穴传输性掺杂剂具有提高从第一电极2向发光层3b注入空穴的注入效率的功能，前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(以下将空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率记作μhHT)与前述主体材料的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为0.1以上且为10以下(0.1≤μhHT/μeEM≤10)，在发光层3b中的浓度为50重量%以下，并且是玻璃化转变温度为85℃以上并且优选为110℃以上的材料。
电子传输层3c具有将电子传递给发光层3b的功能，例如通过利用真空蒸镀法等手段将羟基喹啉铝(aluminium quinolinol)(Alq3)等电子传输性材料层状地形成而得到。
电子注入层3d具有从第二电极4摄入电子的功能，例如通过利用真空蒸镀法等手段将氟化锂(LiF)、喹啉锂(Liq)薄膜状地形成而得到。
第二电极4是作为注入电子的阴极的电极，由利用蒸镀法等手段将例如铝(Al)等低电阻导电材料层状地形成于电子注入层3d上而得到的导电膜形成。
通过以上的各部分而构成有机EL元件。
本申请发明人等进行了深入研究，结果发现如下事实，从而达成本发明，将前述主体材料的空穴迁移率μhEM和电子迁移率μeEM规定为规定的范围，另外，将前述主体材料的电子迁移率μeEM和前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率μhHT规定为规定的范围，从而使有机EL元件的载流子平衡得到稳定化，可获得在低电力且高温环境下的可靠性高的元件。即，利用电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)为0.6以上且为10以下的(0.6≤μeEM/μhEM≤10)前述主体材料而形成发光层3b，将前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率μhHT与前述主体材料的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为0.1以上且为10以下的(0.1≤μhHT/μeEM≤10)前述空穴传输性掺杂剂添加于发光层3b，从而可使载流子平衡稳定而实现低电压和高效率，可获得在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。前述主体材料是将电子和空穴传输且使电子与空穴再结合而形成激子的材料，电子和空穴的迁移率的差大时，则形成激子的区域发生偏倚，在发光层3b之中无法均匀地发光，发生激子彼此的再结合而降低发光效率。并且无法再结合而溢出的电子或空穴对空穴注入传输层3a或电子传输层3c造成影响，使材料劣化并且使寿命特性恶化。为了调整该载流子的平衡，需要使前述主体材料的电子和空穴的迁移率的比率一致于某范围中。具体而言，如本发明那样迁移率的比为0.6≤μeEM/μhEM≤10之时可获得效果。另外，添加于前述主体材料的前述空穴传输性掺杂剂与低电压化和寿命特性有关，在电子迁移率μeEM高的前述主体材料中，电子蓄积于空穴注入传输层3a与发光层3b的界面并且溢出的电子使空穴注入传输层3a的空穴传输性材料发生劣化而使寿命特性恶化，但是通过添加前述空穴传输性掺杂剂从而可减低电子的蓄积并且可抑制空穴注入传输层3a的材料劣化。具体而言，如本发明那样将前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率μhHT与前述主体材料的电子迁移率μeEM的比率设为0.1≤μhHT/μeEM≤10，从而抑制效果显著。
另外，将前述空穴传输性掺杂剂按照在发光层3b中的浓度为50重量%以下的方式添加，从而可维持发光效率并且不需缩短寿命特性而可实现低电压化。发光层3b中的前述空穴传输性掺杂剂的浓度与驱动电压和效率以及寿命特性大大相关。前述空穴传输性掺杂剂的浓度高时则因前述空穴传输性掺杂剂的迁移率而导致电流电压特性的电压降低，但是由于与发光相关的前述主体材料变少因而引起发光效率的降低，为了发出相同的亮度而必须使电流较多流动，结果是寿命变短。在本发明中，发光层3b的前述主体材料和前述空穴传输性掺杂剂不会使发光效率降低到相同比率。然而，前述空穴传输性掺杂剂的浓度超过55重量%时则显著显现出发光效率的降低。
另外，通过使前述发光掺杂剂与前述主体材料的Ip之差为0.05eV以上，从而可从前述主体材料向前述发光掺杂剂将在前述主体材料中形成的激子的能量高效地转移到前述发光掺杂剂，并且可获得高的发光效率。前述发光掺杂剂和前述主体材料的Ip的差异与激子的能量移动的效率有关，Ip的差为0.05eV以下时则前述发光掺杂剂在前述发光掺杂剂自身中由空穴和电子形成激子并且发光的比例变高，而源自在前述主体材料中形成的激子的能量移动所导致的发光比例降低，因此发生发光效率的降低。
以下，进一步对本发明的实施例进行说明，但本发明不限定于此。图2表示各实施例及各比较例的性能比较。
实施例1
在支撑基板1上以膜厚145nm形成由ITO形成的第一电极2，在第一电极2上以膜厚30nm形成由空穴传输性材料HT1形成的空穴注入传输层3a。另外，在空穴注入传输层3a上将主体材料EM1和包含显示绿色发光的荧光掺杂剂GD1的前述发光掺杂剂和包含空穴传输性材料HT1的前述空穴传输性掺杂剂以45:1.5:5的比率而含有，而以膜厚50nm形成发光层3b。主体材料EM1的Ip=5.9eV，Ea(电子亲和力)=2.9eV，电子迁移率μeEM=3×10‑3cm2/Vs，空穴迁移率μhEM=2×10‑3cm2/Vs，电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)为1.5。荧光掺杂剂GD1的Eg(能量禁带)=2.4eV，Ip=5.8eV，与主体材料EM1的Ip的差为0.1eV。空穴传输性材料HT1的Tg(玻璃化转变温度)=130℃，Ip=5.4eV，空穴迁移率μhHT=4×10‑4cm2/Vs，发光层3b中的浓度为10重量%。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率μhHT与主体材料EM1的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为约0.13。进一步，在发光层3b上以膜厚25nm形成电子传输性材料ET1作为电子传输层3c。电子传输性材料ET1的Ip=5.8eV，Ea=3.0eV，电子迁移率μe=5×10‑6cm2/Vs。进一步，在电子传输层3c上以膜厚1nm形成LiF作为电子注入层3d，在电子注入层3d上以膜厚100nm形成Al作为第二电极4，从而制作出有机EL元件。实施例1显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.7V，电流效率L/J=28cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时。
实施例2
另外，作为实施例2，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM2，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。又，主体材料EM2的Ip=5.9eV，Ea=2.9eV，电子迁移率μeEM=6×10‑4cm2/Vs，空穴迁移率μhEM=1×10‑3cm2/Vs，电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)为0.6。另外，荧光掺杂剂GD1与主体材料EM2的Ip的差为0.1eV。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率μhHT与主体材料EM2的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为约0.67。实施例2显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.8V，电流效率L/J=26cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时。
实施例3
另外，作为实施例3，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM3，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。又，主体材料EM3的Ip=5.9eV，Ea=2.9eV，电子迁移率μeEM=4×10‑3cm2/Vs，空穴迁移率μhEM=4×10‑4cm2/Vs，电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)为10。另外，荧光掺杂剂GD1与主体材料EM3的Ip的差为0.1eV。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率μhHT与主体材料EM3的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为0.1。实施例3显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.8V，电流效率L/J=27cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了1800小时。
实施例4
另外，作为实施例4，将发光层3b中的主体材料EM1、荧光掺杂剂GD1以及空穴传输性材料HT1的比率设为25:1.5:25，将空穴传输性材料HT1在发光层3b中的浓度设为50重量%，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。实施例4显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.9V，电流效率L/J=25cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了1500小时。
实施例5
另外，作为实施例5，将发光层3b中的主体材料EM1、荧光掺杂剂GD1以及空穴传输性材料HT1的比率设为30:1.5:20，空穴传输性材料HT1在发光层3b中的浓度设为40重量%，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。实施例5显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.5V，电流效率L/J=27cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了1900小时。
实施例6
另外，作为实施例6，将发光层3b的前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴传输性材料HT2，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。又，空穴传输性材料HT2的Tg=128℃，Ip=5.5eV，空穴迁移率μhHT=3×10‑3cm2/Vs，发光层3b中的浓度为10%。另外，空穴传输性材料HT2的空穴迁移率μhHT与主体材料EM1的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为1。实施例6显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.4V，电流效率L/J=28cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时。
实施例7
另外，作为实施例7，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM2，将前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴传输性材料HT2，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。主体材料EM2的电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)为0.6。另外，空穴传输性材料HT2的空穴迁移率μhHT与主体材料EM2的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为5。实施例7显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.5V，电流效率L/J=28cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时(Lp=3000cd/m2)。
(比较例1)
另外，作为比较例1，在发光层3b中不含前述空穴传输性掺杂剂，将主体材料EM1和荧光掺杂剂GD1的比率设为50:1.5，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。比较例1显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=8.2V，电流效率L/J=17cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1000小时。
(比较例2)
另外，作为比较例2，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM4，将主体材料EM4、荧光掺杂剂GD1以及空穴传输性材料HT1的比率设为45:1.5:5，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。主体材料EM4的Ip=5.8eV，Ea=2.95eV，电子迁移率μeEM=3×10‑6cm2/Vs，空穴迁移率μhEM=1×10‑8cm2/Vs，电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)为300。另外，荧光掺杂剂GD1与主体材料EM4的Ip的差为0.05eV。另外，空穴传输性材料HT1在发光层3b中的浓度为10重量%。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率μhHT与主体材料EM4的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为约133。比较例2显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=7.5V，电流效率L/J=17cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1200小时。
(比较例3)
另外，作为比较例3，将发光层3b的前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴传输性材料HT3，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。空穴传输性材料HT3的Tg=100℃，Ip=5.4eV，空穴迁移率μhHT=8×10‑5cm2/Vs。另外，空穴传输性材料HT3的空穴迁移率μhHT与主体材料EM1的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为约0.03。比较例3显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=8.0V，电流效率L/J=16cd/A，在85℃的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1200小时。
(比较例4)
另外，作为比较例4，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM4，将前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴传输性材料HT3，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。电子迁移率μeEM与主体材料EM4的空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)为300。另外，空穴传输性材料HT3的空穴迁移率μhHT与主体材料EM4的电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)为约26.7。比较例4显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=8.0V，电流效率L/J=16cd/A，85℃的高温温度环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1200小时。
如图2所示，发光层3b的主体材料使用电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)落入本发明中的规定范围(0.6≤μeEM/μhEM≤10)内的主体材料EM1~3、并且空穴传输性掺杂剂适用可使主体材料EM 1~EM3的空穴迁移率μhHT与电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)落入本发明中的规定范围(0.1≤μhHT/μeEM≤10)内的空穴传输性材料HT 1或者HT2的实施例1~7中，显示低电压以及高效率，即使是高温环境下也可获得长寿命。与此相对，发光层3b中不具有空穴传输性掺杂剂的比较例1、以及比较例2、4、比较例3与实施例1~7相比驱动电压高，发光效率降低，在高温环境下的寿命减半时间也变短，因此作为有机EL元件的特性恶化。其中比较例2、4使用电子迁移率μeEM与空穴迁移率μhEM之比(μeEM/μhEM)落入本发明中的规定范围(0.6≤μeEM/μhEM≤10)外的主体材料EM4作为发光层3b的主体材料，空穴传输性掺杂剂中适用可使主体材料EM4的空穴迁移率μhHT与电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)落入本发明中的规定范围(0.1≤μhHT/μeEM≤10)外的空穴传输性材料HT3。比较例3的空穴传输性掺杂剂适用可使主体材料EM1的空穴迁移率μhHT与电子迁移率μeEM之比(μhHT/μeEM)落入本发明中的规定范围(0.1≤μhHT/μeEM≤10)外的空穴传输性材料HT3。因此，从图2也明显可知，如本发明那样通过形成发光层3b从而可获得在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。又，从图2明显可知，在实施例1~7之中，空穴传输性掺杂剂在发光层3b中的浓度高的实施例4中在高温环境下的寿命减半时间比较短，空穴传输性掺杂剂在发光层3b中的浓度优选为至少50重量%以下，进一步优选为40重量%以下。
又，本实施方式中，空穴注入传输层3a是利用单一层而形成的空穴注入传输层，但本发明的有机EL元件中，也可以为分别依次层叠空穴注入层以及空穴传输层而得到。另外，前述发光掺杂剂是显示绿色发光的发光掺杂剂，但是发光掺杂剂也可以为显示其它的发光色的发光掺杂剂。另外，发光层或者电子传输层也可以为多层形成的构成。
产业上的可利用性
本发明涉及有机EL元件，特别适合为在如下设备中使用的有机EL元件，该设备是设想要在车载用显示器等高温环境中使用的设备。
附图标记说明
1支撑基板，
2第一电极(阳极)，
3有机层，
3a空穴注入传输层，
3b发光层，
3c电子传输层，
3d电子注入层，
4第二电极(阴极)

资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 102906895 A(43)申请公布日 2013.01.30CN102906895A*CN102906895A*(21)申请号 201180025675.6(22)申请日 2011.05.162010-118939 2010.05.25 JPH01L 51/50(2006.01)H05B 33/10(2006.01)(71)申请人日本精机株式会社地址日本国新潟县(72)发明人田所丰康(74)专利代理机构北京三幸商标专利事务所 11216代理人刘激扬(54) 发明名称有机EL元件(57) 摘要本发明提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。该有机EL元件通过将。

2、至少具有发光层3b的有机层3层叠形成于阳极2与阴极4之间而成。其特征在于，发光层3b至少包含：电子迁移率(eEM)与空穴迁移率(hEM)之比(eEM/hEM)为0.6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中，前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(hHT)与前述主体材料的电子迁移率(eEM)之比(hHT/eEM)为0.1以上且为10以下。(30)优先权数据(85)PCT申请进入国家阶段日2012.11.23(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2011/061139 2011.05.16(87)PCT申请的公布数据WO2011/148801 JA 2011.12。

3、.01(51)Int.Cl.权利要求书1页说明书7页附图1页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页说明书 7 页附图 1 页1/1页21.一种有机EL元件，其特征在于，该有机EL元件通过将至少具有发光层的有机层层叠形成于阳极与阴极之间而成，所述发光层至少包含：电子迁移率(eEM)与空穴迁移率(hEM)之比(eEM/hEM)为0.6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中，所述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(hHT)与所述主体材料的电子迁移率(eEM)之比(hHT/eEM)为0.1以上且为10以下。2.根据权利要求1所。

4、述的有机EL元件，其特征在于，所述空穴传输性掺杂剂在所述发光层中的浓度为50重量%以下。3.根据权利要求1所述的有机EL元件，其特征在于，所述发光掺杂剂与所述主体材料的离子化电位的差为0.05eV以上。权利要求书CN 102906895 A1/7页3有机 EL 元件技术领域0001 本发明涉及有机EL(电致发光)元件，特别涉及有机EL元件的低电压化以及高效率化。背景技术0002 以往，作为由有机材料形成的自发光元件的有机EL元件，例如已知有下述有机EL元件，其通过依次层叠：作为阳极的由ITO(氧化锡铟)等形成的第一电极、至少具有发光层的有机层、作为阴极的由铝(Al)等形成的非透光性的第。

5、二电极而形成。0003 该有机EL元件为：从前述第一电极注入空穴、或从第二电极注入电子而使空穴以及电子在前述发光层中再结合从而发出光的有机EL元件。使用了有机EL元件的有机EL显示器由于是自发光因而可视性优异，并且由于是完全固体元件，因而耐冲击性、在低温环境下的响应性优异，因此被采用于必须进行显示的瞬间判读的车辆用仪表等车载显示装置中。0004 现有技术文献0005 专利文献0006 专利文献1：日本特开2005-108726号公报发明内容0007 发明要解决的问题0008 特别是车载显示装置中采用的有机EL元件对在广范围的温度环境下的高可靠性提出了要求并且对低电力化提出了要求。为了提高在低电。

6、力且高温环境下的可靠性，低电压化和高效率化是重要的课题。对此，作为用于实现低电压化和高效率的方法，可考虑在发光层与阴极之间形成电子迁移率高的电子传输层，但是存在有如下问题：电子传输层的电子迁移率高时，则电子的供给变为过量，载流子平衡发生崩溃，在发光层与阳极之间形成的空穴传输层因电子而劣化、寿命变短。0009 另外，如专利文献1中公开的那样，存在如下方法：通过向发光层中加入可补足主体材料所具有的载流子传输性的辅助掺杂剂，在发光层中使空穴传输性材料、电子传输性材料这样的具有相反的载流子传输性的材料混合存在，从而将发光层自身设为双极(两载流子传输性)，提高发光层内的再结合概率并且提高发光效率。但是，。

7、在该方法中保持载流子平衡也是重要的，在提高高温环境下的可靠性上还有改善的余地。0010 因此本发明鉴于该问题而开发，其目的在于提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。0011 用于解决问题的方案0012 本发明为了解决前述课题，提供一种有机EL元件，其特征在于，该有机EL元件通过将至少具有发光层的有机层层叠形成于阳极与阴极之间而成，0013 前述发光层至少包含：电子迁移率(eEM)与空穴迁移率(hEM)之比(eEM/说明书CN 102906895 A2/7页4hEM)为0.6以上且为10以下的主体材料；呈现发光的发光掺杂剂；以及空穴传输性掺杂剂，其中，0014 前述空穴传输性掺杂。

8、剂的空穴迁移率(hHT)与前述主体材料的电子迁移率(eEM)之比(hHT/eEM)为0.1以上且为10以下。0015 另外，其特征在于，前述空穴传输性掺杂剂在前述发光层中的浓度为50重量%以下。0016 另外，其特征在于，前述发光掺杂剂与前述主体材料的离子化电位的差为0.05eV以上。0017 发明的效果0018 本发明涉及有机EL元件，可提供在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。附图说明0019 图1所示为作为本发明的实施方式的有机EL元件的图。0020 图2所示为本发明的实施例17和比较例14的试验结果的图。具体实施方式0021 以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。0022 。

9、图1所示为本发明的实施方式的图。作为本实施方式的有机EL元件具有支撑基板1、作为阳极的第一电极2、有机层3、作为阴极的第二电极4。又，有机EL元件是将涂布吸湿剂的密封基板配设于支撑基板1上而密封的有机EL元件，但是在图1中省略了该密封基板。0023 支撑基板1为例如由透光性的玻璃材料形成的矩形的基板。在支撑基板1上，第一电极2、有机层3以及第二电极4依次地层叠形成。0024 第一电极2是作为注入空穴的阳极的电极，并且由利用溅射法等手段将铟锡氧化物(ITO)层状地形成于支撑基板1上而得到的氧化物透明导电膜形成，利用光刻等手段而图案化为规定的形状而得到。另外，第一电极2的表面可实施UV/O3处理、。

10、等离子体处理等表面处理而成。0025 有机层3由至少包含发光层的多层形成，是形成在第一电极2上的有机层。在本实施方式中，通过从第一电极2侧起依次地使空穴注入传输层3a、发光层3b、电子传输层3c以及电子注入层3d依次层叠形成而得到。0026 空穴注入传输层3a具有从第一电极2摄入空穴并且向发光层3b传递的功能，通过利用蒸镀法等手段将例如胺类化合物等空穴传输性材料形成为膜厚1540nm左右的层状而得到。0027 发光层3b通过利用共蒸镀等手段将至少呈现发光的发光掺杂剂和空穴传输性掺杂剂添加于主体材料中而得到，该主体材料中，电子迁移率(以下将主体材料的电子迁移率记作eEM)与空穴迁移率(以下将主体。

11、材料的空穴迁移率记作hEM)之比(eEM/hEM)为0.6以上且为10以下(0.6eEM/hEM10)。前述主体材料通常在发光层3b中以最高的比率包含，可实现空穴以及电子的传输，并且具有在其分子内通过空穴以及说明书CN 102906895 A3/7页5电子发生再结合而使前述发光掺杂剂发光的功能，具有3.0eV左右的能量禁带。前述发光掺杂剂具有在空穴与电子的再结合时发生反应而发光的功能，由与前述主体材料的Ip(离子化电位)的差为0.05eV以上且显示例如绿色发光的荧光材料形成。前述空穴传输性掺杂剂具有提高从第一电极2向发光层3b注入空穴的注入效率的功能，前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率(以下。

12、将空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率记作hHT)与前述主体材料的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为0.1以上且为10以下(0.1hHT/eEM10)，在发光层3b中的浓度为50重量%以下，并且是玻璃化转变温度为85以上并且优选为110以上的材料。0028 电子传输层3c具有将电子传递给发光层3b的功能，例如通过利用真空蒸镀法等手段将羟基喹啉铝(aluminium quinolinol)(Alq3)等电子传输性材料层状地形成而得到。0029 电子注入层3d具有从第二电极4摄入电子的功能，例如通过利用真空蒸镀法等手段将氟化锂(LiF)、喹啉锂(Liq)薄膜状地形成而得到。0030 第二电极4是作为。

13、注入电子的阴极的电极，由利用蒸镀法等手段将例如铝(Al)等低电阻导电材料层状地形成于电子注入层3d上而得到的导电膜形成。0031 通过以上的各部分而构成有机EL元件。0032 本申请发明人等进行了深入研究，结果发现如下事实，从而达成本发明，将前述主体材料的空穴迁移率hEM和电子迁移率eEM规定为规定的范围，另外，将前述主体材料的电子迁移率eEM和前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率hHT规定为规定的范围，从而使有机EL元件的载流子平衡得到稳定化，可获得在低电力且高温环境下的可靠性高的元件。即，利用电子迁移率eEM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)为0.6以上且为10以下的(0.6eEM/hE。

14、M10)前述主体材料而形成发光层3b，将前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率hHT与前述主体材料的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为0.1以上且为10以下的(0.1hHT/eEM10)前述空穴传输性掺杂剂添加于发光层3b，从而可使载流子平衡稳定而实现低电压和高效率，可获得在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。前述主体材料是将电子和空穴传输且使电子与空穴再结合而形成激子的材料，电子和空穴的迁移率的差大时，则形成激子的区域发生偏倚，在发光层3b之中无法均匀地发光，发生激子彼此的再结合而降低发光效率。并且无法再结合而溢出的电子或空穴对空穴注入传输层3a或电子传输层3c造成影响，使材料劣化并。

15、且使寿命特性恶化。为了调整该载流子的平衡，需要使前述主体材料的电子和空穴的迁移率的比率一致于某范围中。具体而言，如本发明那样迁移率的比为0.6eEM/hEM10之时可获得效果。另外，添加于前述主体材料的前述空穴传输性掺杂剂与低电压化和寿命特性有关，在电子迁移率eEM高的前述主体材料中，电子蓄积于空穴注入传输层3a与发光层3b的界面并且溢出的电子使空穴注入传输层3a的空穴传输性材料发生劣化而使寿命特性恶化，但是通过添加前述空穴传输性掺杂剂从而可减低电子的蓄积并且可抑制空穴注入传输层3a的材料劣化。具体而言，如本发明那样将前述空穴传输性掺杂剂的空穴迁移率hHT与前述主体材料的电子迁移率eEM的比率。

16、设为0.1hHT/eEM10，从而抑制效果显著。0033 另外，将前述空穴传输性掺杂剂按照在发光层3b中的浓度为50重量%以下的方式添加，从而可维持发光效率并且不需缩短寿命特性而可实现低电压化。发光层3b中的前述空穴传输性掺杂剂的浓度与驱动电压和效率以及寿命特性大大相关。前述空穴传输性掺说明书CN 102906895 A4/7页6杂剂的浓度高时则因前述空穴传输性掺杂剂的迁移率而导致电流电压特性的电压降低，但是由于与发光相关的前述主体材料变少因而引起发光效率的降低，为了发出相同的亮度而必须使电流较多流动，结果是寿命变短。在本发明中，发光层3b的前述主体材料和前述空穴传输性掺杂剂不会使发光效率。

17、降低到相同比率。然而，前述空穴传输性掺杂剂的浓度超过55重量%时则显著显现出发光效率的降低。0034 另外，通过使前述发光掺杂剂与前述主体材料的Ip之差为0.05eV以上，从而可从前述主体材料向前述发光掺杂剂将在前述主体材料中形成的激子的能量高效地转移到前述发光掺杂剂，并且可获得高的发光效率。前述发光掺杂剂和前述主体材料的Ip的差异与激子的能量移动的效率有关，Ip的差为0.05eV以下时则前述发光掺杂剂在前述发光掺杂剂自身中由空穴和电子形成激子并且发光的比例变高，而源自在前述主体材料中形成的激子的能量移动所导致的发光比例降低，因此发生发光效率的降低。0035 以下，进一步对本发明的实施例进行说。

18、明，但本发明不限定于此。图2表示各实施例及各比较例的性能比较。0036 实施例10037 在支撑基板1上以膜厚145nm形成由ITO形成的第一电极2，在第一电极2上以膜厚30nm形成由空穴传输性材料HT1形成的空穴注入传输层3a。另外，在空穴注入传输层3a上将主体材料EM1和包含显示绿色发光的荧光掺杂剂GD1的前述发光掺杂剂和包含空穴传输性材料HT1的前述空穴传输性掺杂剂以45:1.5:5的比率而含有，而以膜厚50nm形成发光层3b。主体材料EM1的Ip=5.9eV，Ea(电子亲和力)=2.9eV，电子迁移率eEM=310-3cm2/Vs，空穴迁移率hEM=210-3cm2/Vs，电子迁移率e。

19、EM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)为1.5。荧光掺杂剂GD1的Eg(能量禁带)=2.4eV，Ip=5.8eV，与主体材料EM1的Ip的差为0.1eV。空穴传输性材料HT1的Tg(玻璃化转变温度)=130，Ip=5.4eV，空穴迁移率hHT=410-4cm2/Vs，发光层3b中的浓度为10重量%。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率hHT与主体材料EM1的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为约0.13。进一步，在发光层3b上以膜厚25nm形成电子传输性材料ET1作为电子传输层3c。电子传输性材料ET1的Ip=5.8eV，Ea=3.0eV，电子迁移率e=510-6cm2/Vs。进一。

20、步，在电子传输层3c上以膜厚1nm形成LiF作为电子注入层3d，在电子注入层3d上以膜厚100nm形成Al作为第二电极4，从而制作出有机EL元件。实施例1显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.7V，电流效率L/J=28cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时。0038 实施例20039 另外，作为实施例2，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM2，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。又，主体材料EM2的Ip=5.9eV，Ea=2.9eV，电子迁移率eEM=6。

21、10-4cm2/Vs，空穴迁移率hEM=110-3cm2/Vs，电子迁移率eEM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)为0.6。另外，荧光掺杂剂GD1与主体材料EM2的Ip的差为0.1eV。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率hHT与主体材料EM2的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为约0.67。实施例2显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.8V，电流效率L/J=26cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时。说明书CN 102906895 A5/7页70040 实施例3004。

22、1 另外，作为实施例3，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM3，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。又，主体材料EM3的Ip=5.9eV，Ea=2.9eV，电子迁移率eEM=410-3cm2/Vs，空穴迁移率hEM=410-4cm2/Vs，电子迁移率eEM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)为10。另外，荧光掺杂剂GD1与主体材料EM3的Ip的差为0.1eV。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率hHT与主体材料EM3的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为0.1。实施例3显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.8V，电。

23、流效率L/J=27cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了1800小时。0042 实施例40043 另外，作为实施例4，将发光层3b中的主体材料EM1、荧光掺杂剂GD1以及空穴传输性材料HT1的比率设为25:1.5:25，将空穴传输性材料HT1在发光层3b中的浓度设为50重量%，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。实施例4显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.9V，电流效率L/J=25cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间。

24、超过了1500小时。0044 实施例50045 另外，作为实施例5，将发光层3b中的主体材料EM1、荧光掺杂剂GD1以及空穴传输性材料HT1的比率设为30:1.5:20，空穴传输性材料HT1在发光层3b中的浓度设为40重量%，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。实施例5显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.5V，电流效率L/J=27cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了1900小时。0046 实施例60047 另外，作为实施例6，将发光层3b的前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴。

25、传输性材料HT2，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。又，空穴传输性材料HT2的Tg=128，Ip=5.5eV，空穴迁移率hHT=310-3cm2/Vs，发光层3b中的浓度为10%。另外，空穴传输性材料HT2的空穴迁移率hHT与主体材料EM1的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为1。实施例6显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.4V，电流效率L/J=28cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时。0048 实施例70049 另外，作为实施例7，将发光层3b的前述。

26、主体材料变更为主体材料EM2，将前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴传输性材料HT2，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。主体材料EM2的电子迁移率eEM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)为0.6。另外，空穴传输性材料HT2的空穴迁移率hHT与主体材料EM2的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为5。实施例7显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=6.5V，电流效率L/J=28cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间超过了2000小时(Lp=3000cd/m2)。说明书CN 102。

27、906895 A6/7页80050 (比较例1)0051 另外，作为比较例1，在发光层3b中不含前述空穴传输性掺杂剂，将主体材料EM1和荧光掺杂剂GD1的比率设为50:1.5，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。比较例1显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=8.2V，电流效率L/J=17cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1000小时。0052 (比较例2)0053 另外，作为比较例2，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM4，将主体材料EM4、荧光掺杂剂GD1以及空穴传输。

28、性材料HT1的比率设为45:1.5:5，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。主体材料EM4的Ip=5.8eV，Ea=2.95eV，电子迁移率eEM=310-6cm2/Vs，空穴迁移率hEM=110-8cm2/Vs，电子迁移率eEM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)为300。另外，荧光掺杂剂GD1与主体材料EM4的Ip的差为0.05eV。另外，空穴传输性材料HT1在发光层3b中的浓度为10重量%。另外，空穴传输性材料HT1的空穴迁移率hHT与主体材料EM4的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为约133。比较例2显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd/。

29、m2时的驱动电压E=7.5V，电流效率L/J=17cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1200小时。0054 (比较例3)0055 另外，作为比较例3，将发光层3b的前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴传输性材料HT3，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。空穴传输性材料HT3的Tg=100，Ip=5.4eV，空穴迁移率hHT=810-5cm2/Vs。另外，空穴传输性材料HT3的空穴迁移率hHT与主体材料EM1的电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)为约0.03。比较例3显示绿色发光，其特性为发光亮度Lp=13500cd。

30、/m2时的驱动电压E=8.0V，电流效率L/J=16cd/A，在85的高温环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1200小时。0056 (比较例4)0057 另外，作为比较例4，将发光层3b的前述主体材料变更为主体材料EM4，将前述空穴传输性掺杂剂变更为空穴传输性材料HT3，此外与实施例1同样地进行了有机EL元件的制作以及特性的测定。电子迁移率eEM与主体材料EM4的空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)为300。另外，空穴传输性材料HT3的空穴迁移率hHT与主体材料EM4的电子迁移率eE M之比(hHT/eEM)为约26.7。比较例4显示绿色发光，其特性为发。

31、光亮度Lp=13500cd/m2时的驱动电压E=8.0V，电流效率L/J=16cd/A，85的高温温度环境下的初始亮度Lp=3000cd/m2下进行DC驱动时的寿命减半时间为1200小时。0058 如图2所示，发光层3b的主体材料使用电子迁移率eEM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)落入本发明中的规定范围(0.6eEM/hEM10)内的主体材料EM13、并且空穴传输性掺杂剂适用可使主体材料EM 1EM3的空穴迁移率hHT与电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)落入本发明中的规定范围(0.1hHT/eEM10)内的空穴传输性材料HT 1或者HT2的实施例17中，显示低电压以及高效率，即使是。

32、高温环境下也可获得长寿命。与此相对，发光层3b中不具有空穴传输性掺杂剂的比较例1、以及比较说明书CN 102906895 A7/7页9例2、4、比较例3与实施例17相比驱动电压高，发光效率降低，在高温环境下的寿命减半时间也变短，因此作为有机EL元件的特性恶化。其中比较例2、4使用电子迁移率eEM与空穴迁移率hEM之比(eEM/hEM)落入本发明中的规定范围(0.6eEM/hEM10)外的主体材料EM4作为发光层3b的主体材料，空穴传输性掺杂剂中适用可使主体材料EM4的空穴迁移率hHT与电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)落入本发明中的规定范围(0.1hHT/eEM10)外的空穴传输性材料。

33、HT3。比较例3的空穴传输性掺杂剂适用可使主体材料EM1的空穴迁移率hHT与电子迁移率eEM之比(hHT/eEM)落入本发明中的规定范围(0.1hHT/eEM10)外的空穴传输性材料HT3。因此，从图2也明显可知，如本发明那样通过形成发光层3b从而可获得在低电力且高温环境下的可靠性高的有机EL元件。又，从图2明显可知，在实施例17之中，空穴传输性掺杂剂在发光层3b中的浓度高的实施例4中在高温环境下的寿命减半时间比较短，空穴传输性掺杂剂在发光层3b中的浓度优选为至少50重量%以下，进一步优选为40重量%以下。0059 又，本实施方式中，空穴注入传输层3a是利用单一层而形成的空穴注入传输层，但本发。

34、明的有机EL元件中，也可以为分别依次层叠空穴注入层以及空穴传输层而得到。另外，前述发光掺杂剂是显示绿色发光的发光掺杂剂，但是发光掺杂剂也可以为显示其它的发光色的发光掺杂剂。另外，发光层或者电子传输层也可以为多层形成的构成。0060 产业上的可利用性0061 本发明涉及有机EL元件，特别适合为在如下设备中使用的有机EL元件，该设备是设想要在车载用显示器等高温环境中使用的设备。0062 附图标记说明0063 1支撑基板，0064 2第一电极(阳极)，0065 3有机层，0066 3a空穴注入传输层，0067 3b发光层，0068 3c电子传输层，0069 3d电子注入层，0070 4第二电极(阴极)说明书CN 102906895 A1/1页10图1图2说明书附图CN 102906895 A10。

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