电磁锁控制电路及电磁锁技术领域
本实用新型涉及电磁锁驱动领域，尤其涉及一种电磁锁及其控制电路。
背景技术
为了使用户更方便的收发快递，速递易越来越多的被普及到各个居民以及办公区
域。速递易的原理是利用电磁锁实现开锁与锁紧的。电磁锁是利用电磁原理，通过控制器的
控制与驱动电路的驱动，利用继电器或者其他电磁装置吸合簧舌实现开锁。
快递员在放快递或者用户在投递物件的时候，快递柜需要长时间维持打开状态以
保证完全将物件放入快递柜。现有的电磁锁是通过主控发一个打开并保持的命令来开启电
磁锁。这就意味着锁控板需要长期保持供电和驱动状态，由于并没有设保护电路，电磁线圈
在这样的情况下相当于短路，电磁线圈散热不够及时、温度提升速度快，此种状态持续超过
一定的时间，电磁线圈就烧毁了。这就导致了整个电磁锁的损坏。
此外，现有的电磁锁快递柜，由于工作机制问题，发生长时通电的情况并没有实时
反馈和预警，只能事后更换维修，为用户带了诸多不便。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型提出一种电磁锁及其控制电路。它能够有效
克服由于电磁锁长时间维持开锁状态而导致的电磁线圈烧毁的问题，从而起到保护作用。
为了实现上述目的，本实用新型的技术方案为：
一种电磁锁控制电路，包括驱动电路，还包括：
单稳态电路，与所述驱动电路相连，单稳态电路用于：
响应于从无效跳转为有效的外部控制信号，输出高电平；或者
响应于保持有效的所述外部控制信号，输出低电压；
驱动电路用于：
接收所述单稳态电路输出的高电平，驱动电磁锁执行机构工作实现开锁；或者
接收所述单稳态电路输出的低电平，停止电磁锁执行机构的工作保持开锁状态。
所述单稳态电路包括电容、第一电阻和第二电阻，所述电容通过第一电阻连接所
述驱动电路，所述电容与所述第一电阻之间的连接处通过所述第二电阻接地，所述电容用
于接收所述外部控制信号。
所述驱动电路包括三极管和MOS开关管，所述三极管的基极连接所述单稳态电路
的输出端，所述MOS开关管连接所述电磁锁执行机构，所述三极管根据所述单稳态电路的输
出信号，拉低MOS开关的栅极或拉高MOS开关管的栅极，以控制所述MOS开关管的导通与断
开。
还包括稳压二极管，位于所述驱动电路的输出端，用于稳定所述驱动电路的输出
电压。
第二方面，本申请提供一种电磁锁，所述电磁锁包括所述的电磁锁控制电路。
本实用新型的有益效果是：电磁锁控制电路通过采用响应于从无效跳转为有效的
外部控制信号并输出高电平，或者响应于保持有效的所述外部控制信号并输出低电压的单
稳态电路，和接收所述单稳态电路输出的高电平驱动电磁锁执行机构工作实现开锁，或者
接收所述单稳态电路输出的低电平停止电磁锁执行机构的工作保持开锁状态的驱动电路，
有效的解决了电磁锁长时间保持驱动状态时带来的电磁线圈销毁的问题，延长了电磁锁的
使用寿命，同时避免了由于软件死机等原因导致的电磁锁上通电时间过长而导致电磁线圈
烧坏电磁锁等问题。
附图说明
图1示出了根据本申请的实施例的电磁锁控制电路的电路图。
具体实施方式
为了更好的了解本实用新型的技术方案，下面结合附图1对本实用新型作进一步
说明。
如图1所示，一种电磁锁控制电路，包括单稳态电路与驱动电路；单稳态电路连接
驱动电路。单稳态电路用于：
响应于从无效跳转为有效的外部控制信号，输出高电平；或者
响应于保持有效的外部控制信号，输出低电压。
单稳态电路包括电容C19、第一电阻R51和第二电阻R53，电容C19用于接收外部控
制信号，电容C19通过第一电阻R51连接驱动电路，电容C19与第一电阻R51之间的节点通过
第二电阻R53接地。
驱动电路用于：
接收单稳态电路输出的高电平，驱动电磁锁执行机构工作实现开锁；或者
接收单稳态电路输出的低电平，停止电磁锁执行机构的工作保持开锁状态。
电磁锁执行机构包括继电器RL1以及与其连接的开锁机构。
驱动电路包括三极管Q10、MOS开关管Q9、电阻R52和电阻R54，上述的第一电阻R51
连接三极管Q10的基极，三极管Q10的发射极接地，三极管的集电极通过电阻R52连接MOS开
关管Q9的栅极，MOS开关管Q9的源极接电压源，MOS开关管Q9的源极与栅极之间设有电阻
R54，MOS开关管Q9的漏极连接继电器RL1的第1引脚，继电器RL1的第2引脚接地，继电器RL1
的第3引脚与第4引脚连接开锁机构。
驱动电路还包括稳压管D5，稳压管D5连接在MOS开关管Q9漏极与地之间，稳定输出
至继电器RL1的电压。
一种电磁锁控制电路，其工作过程为：
CTRL_SIG信号是来自主机或下位机的控制信号，当该控制信号从低电平“0”跳转
为高电平‘1’时，表示要开锁。LOCK_DRV信号是电源，由三极管Q10控MOS开关管Q9开关电源。
单稳态电路的触发信号为上升沿触发，即电平从低电平向高电平跳转的时候触
发。具体工作过程为：当CTRL_SIG信号为从‘0’变到‘1’时，即电平从低电平向高电平跳转的
时候，电容C19导通，输出高电平到三极管Q10，三极管Q10的基极与发射极导通，拉低MOS开
关管Q9的栅极，MOS开关管Q9导通、驱动继电器RL1使电磁锁打开。
当CTRL_SIG持续为‘1’即高电平，C19持续充电，R51和R53的连接节点“P1”电压持
续下降，当该点电压低于0.7V以后，三极管Q10截止。MOS开关管Q9的栅极电压回复12V，MOS
开关管Q9截止，继电器停止工作，使得电磁锁保持打开状态，从而避免了控制信号长时间为
“1”时传统的电磁锁的线圈烧毁的问题。
当CTRL_SIG由‘1’回到‘0’即由高电平向低电平跳转时，电容C19放电，电容C19的
电压回复0V。节点“P1”电压保持‘0’。等待下一次CTRL_SIG信号的变化。
本实用新型还公开了一种电磁锁，包括上述的电磁锁控制电路。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人
员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的
技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同
特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具
有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。