电致发光显示器的驱动方法和制造方法.pdf

电致发光显示板的驱动装置和驱动方法和制造方法，电致发光显示板包括：电致发光显示板，具有配置在栅线与数据线交叉点处的多个电致发光元件；电流发生电路，产生对应外部供给的数字数据的电流；数据驱动器，在每个水平周期中，取样来自电流发生电路的电流，产生对应电流的数据电压，和将产生的数据电压供给数据线；时序控制器，控制数据驱动器，将数字数据供给电流发生电路，和产生取样控制信号。取样控制信号控制数据驱动器，和将取样的信号供给数据驱动器。

1、  一种驱动电致发光显示板的驱动装置，包括：
电致发光显示板，具有配置在栅线与数据线交叉点处的多个发光元件；
电流发生电路，用于产生对应于外部供给的数字数据的电流；
数据驱动器，用于在每个水平周期取样来自电流发生电路的电流，产生对应于电流的数据电压，和向数据线供给所产生的数据电压；和
时序控制器，用于控制数据驱动器，以将数字数据供给电流发生电路，产生控制数据驱动器的取样控制信号，并将取样的信号供给数据驱动器。

2、  按照权利要求1的驱动装置，其特征在于，数据驱动器包括：
第一和第二取样电路，用于产生数据电压；和
模拟缓冲器，用于缓冲每个水平周期由第一和第二取样电路交替供给的数据电压，和将缓冲后的数据电压供给数据线。

3、  按照权利要求2的驱动装置，其特征在于，第一和第二取样电路包括：
电压供给线；
存储装置，用于利用来自电压供给线的电压，存储对应于电流的数据电压，所述的存储装置由取样控制信号来驱动；和
开关装置，用于响应取样控制信号转换存储装置中存储的数据电压。

4、  按照权利要求3的驱动装置，其特征在于，存储装置包括：第一开关，取样开关，和存储数据电压的电容器，
其中，第一开关连接在电流发生电路的输出线与取样开关的控制端之间，
其中，电容器连接在取样开关的控制端与电压供给线之间，控制端连接到第一开关与电容器之间设置的结点，和
其中，取样开关连接在第一开关与电压供给线之间。

5、  按照权利要求4的驱动装置，其特征在于，存储装置还包括连接在第一开关与取样开关之间的第二开关。

6、  按照权利要求5的驱动装置，其特征在于，在水平周期中第一和第二开关响应取样控制信号同时导通，然后顺序断开。

7、  按照权利要求6的驱动装置，其特征在于，第二开关在第一开关之前断开。

8、  按照权利要求6的驱动装置，其特征在于，在每个水平周期第一和第二取样电路的第三开关响应取样控制信号交替驱动。

9、  按照权利要求5的驱动装置，其特征在于，开关装置包括连接在结点与模拟缓冲器之间的第三开关，第三开关将存储在储能电容器中的电压转换到模拟缓冲器中。

10、  按照权利要求5的驱动装置，其特征在于，电压供给线输入的电压经取样开关、第二开关、第一开关和电流转换电路的输出线流入电流发生电路中，电容器存储在取样开关的控制端与输入线之间的电压。

11、  按照权利要求4的驱动装置，其特征在于，开关装置包括连接在结点与模拟缓冲器之间的第三开关，第三开关将在电容器中存储的电压转换到模拟缓冲器中。

12、  按照权利要求11的驱动装置，其特征在于，在水平周期N中，第一取样电路将数据电压存储到电容器中，其中N是整数，在(N+1)周期中，将存储在电容器中的电压供给模拟缓冲器，和
在水平周期(N+1)中，第二取样电路将数据电压存储到电容器中，而在水平周期N中，将电容器中存储的电压供给模拟缓冲器。

13、  按照权利要求11的驱动装置，其特征在于，在多个交替的水平周期中，第一和第二取样电路将数据电压存储在它们各自的电容器中。

14、  一种驱动电致发光显示板的驱动方法，包括以下步骤：
制备电致发光显示板，具有配置在栅线与数据线交叉点处的电致发光元件；
产生对应外部供给的数字数据的电流；
在每个水平周期取样电流，产生并存储对应于电流的数据电压；
将存储的数据电压供给数据线；和
用数据电压驱动发光元件。

15、  按照权利要求14的方法，其特征在于，产生和存储数据电压的步骤包括：
在每个水平周期中，响应用第一和第二取样电路取样的控制信号，产生对应于用电压供给线供给的电压所产生的电流的数据电压；和
用第一和第二电容器存储数据电压。

16、  按照权利要求15的方法，其特征在于，将存储的数据电压供给数据线的步骤包括：
在每个水平周期，将存储在第一和第二取样电路的第一和第二电容器中的数据电压交替地转换到缓冲器中；和
缓冲数据电压。

17、  按照权利要求16方法，其特征在于，还包括缓冲后的电压供给数据线的步骤。

18、  一种电致发光显示板的制造方法，包括以下步骤：
设置电致发光显示板，它具有配置在栅线与数据线的交叉点处的多个电致发光元件；
设置电流发生电路，用于产生对应于来自外部的数字数据的电流；和
设置数据驱动器，用于在每个水平周期取样来自电流发生电路的电流，产生对应于电流的数据电压，和将数据电压供给在基板一边的数据线。

19、  按照权利要求18的方法，其特征在于，设置数据驱动器的步骤包括：
设置第一和第二取样电路，用于产生数据电压；和
设置模拟缓冲器，用于在每个水平周期交替地缓冲由第一和第二取样电路供给的数据电压，并将缓冲后的数据电压供给数据线。

20、  按照权利要求19的方法，其特征在于，设置第一和第二取样电路的步骤包括：
设置电压供给线；
设置用取样控制信号驱动的存储装置，用于存储用电压供给线供给的电压产生的电流的数据电压；和
设置开关装置，用于响应取样控制信号将存储装置中存储的数据电压转换到模拟缓冲器中。

21、  按照权利要求20的方法，其特征在于，设置存储装置的步骤包括：
设置连接在电流发生电路的输出线与电压供给线之间的第一开关；
设置连接在第一开关与电压供给线之间的第二开关；
设置连接在第二开关与电压供给线之间的取样开关；和
设置连接在取样开关的控制端与电压供给线之间的电容器，用于存储数据电压，而取样开关的控制端连接到位于第一和第二开关之间的结点。

22、  按照权利要求20的方法，其特征在于，设置转换装置的步骤包括设置连接在结点与模拟缓冲器之间的第三开关，用于将存储在电容器中的电压转换到模拟缓冲器中。

电致发光显示器的驱动方法和制造方法
本申请要求2003年6月21日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请No.40489/2003的优先权，该韩国专利申请在本申请中引作参考。
技术领域
本发明涉及电致发光显示器(ELD)，具体涉及电致发光显示板的驱动装置、驱动方法和制造方法。
背景技术
通常，平板显示器可以减轻重量和减小尺寸。由于平板显示器重量减轻和尺寸减小，因而消除了阴极射线管(CRT)的某些缺陷。这种平板显示器包括：液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示器(PDP)和电致发光(EL)显示器。
EL显示器是通过磷材料中的电子与空穴复合而发光的自发光显示器。LE显示器具有某些与CRT相同的优点，其中，它比要求分开光源的类似LCD的无源类发光器件有更快的响应速度。EL显示器可以分(类)为电流驱动系统和电压驱动系统。
图1是现有的普通电致发光显示板中的有机发光元件的结构示意图。参见图1，EL显示器的有机EL显示器包括：电子注入层4，电子载流子层6，发光层8，空穴载流子层10和空穴注入层12，上述这些层按顺序设置在阴极2与阳极14之间。
在电压加到透明电极(阳极14)与金属电极(阴极2)之间时，阴极2产生的电子经过电子注入层4和电子载流子层6移动到发光层8中。同时，阳极14中产生的空穴经过空穴注入层12和空穴载流子层10移动到发光层8。因此，分别从电子载流子层6和空穴载流子层10移入的电子和空穴在发光层8复合并且发光。所发射的光经透明电极(阳极14)发射到器件外边，由此产生图形。
图2是现有的普通电致发光显示板用的驱动装置的结构框图。参见图2，现有的有源矩阵型EL显示器包括：EL显示板16，具有配置在多条栅极线GL中的一条与多条数据线DL中的一条交叉的各个交叉点的像素(以下叫做“PE”)单元22。EL显示板还包括驱动栅极线GL的栅驱动器18。EL显示板还包括驱动数据线DL的数据驱动器20。EL显示板还包括控制数据驱动器20和栅驱动器18的时序控制器28。
图3是现有的各个像素单元的等效电路图。参见图3，现有的有源矩阵型EL显示器包括：外部电流发生电路32。外部电流发生电路32连接到数据线DL。
时序控制器28产生栅控制信号GCS，控制驱动栅极线GL的栅驱动器18。时序控制器28还产生数据控制信号DCS，控制驱动数据线DL的数据驱动器20。而且，时序控制器28校正外部供给的数据信号并将其供给数据驱动器20。
栅驱动器18响应来自时序控制器28的栅控制信号GCS产生按顺序使能栅极线GL的栅信号。所产生的栅信号包括起始脉冲和时钟信号。栅驱动器18将栅信号顺序加到栅极线GL。
数据驱动器20响应来自时序控制器28的控制信号，将来自时序控制器28的数据信号经数据电极线DL加到像素单元22。栅驱动器18驱动每条栅极线GL时，数据驱动器20将每个水平周期的用于水平线的数据信号加到数据线DL。
栅信号加到阴极(栅极线GL)时，选择每个像素单元22。所选择的像素单元根据是电流信号的像素信号发光。像素信号加到阳极，数据线DL。每个像素单元22作为连接在数据线DL与栅极线GL之间的二极管而显示出来。这种像素单元22由栅极线GL上使能的栅信号驱动。因此，像素单元根据数据线DL上的数据信号的大小发光。
每个像素单元22包括：电压供给线VDD，发光元件OLED，和发光元件驱动电路30。每个像素单元还包括发光元件驱动电路30。发光元件OLED连接在电压供给线VDD与地电压电源GND之间。发光元件驱动电路30响应来自每条数据线DL和栅极线GL的驱动信号驱动发光元件OLED。
如图3所示，发光元件驱动电路30包括连接在电压供给线VDD与发光元件OELD之间的驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”。发光元件驱动电路30还包括连接到栅极线GL和数据线DL的第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”。发光元件驱动电路30还包括连接到第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”和栅极线GL的第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”。发光元件驱动电路30还包括转换薄膜晶体管(TFT)“T2”。发光元件驱动电路30还包括连接在驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”和转换薄膜晶体管(TFT)“T2”中的每个薄膜晶体管的栅电极端和电压供给线VDD之间的储能电容器Cst。这里，薄膜晶体管是P-型电子金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
转换薄膜晶体管(TFT)“T2”连接在位于第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”和第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”之间的结点与电压供给线VDD之间。转换薄膜晶体管(TFT)“T2”构成与驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”相关的镜像电流电路。从而，转换薄膜晶体管(TFT)“T2”将电流转换为电压。
驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”的栅电极端连接到转换薄膜晶体管(TFT)“T2”的栅电极端。驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”的源电极端连接到电压供给线VDD。驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”的漏电极端连接到发光元件OLED。
转换薄膜晶体管(TFT)“T2”的源电极端连接到电压供给线VDD。转换薄膜晶体管(TFT)“T2”的漏电极端连接到第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”的漏电极端和第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”的源电极端。
第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”的源电极端连接到数据线DL。第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”的漏电极端连接到第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”的源电极端，它还连接到转换薄膜晶体管(TFT)“T2”的漏电极端，如上述的。第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”地漏电极端连接到驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”的栅电极端，转换薄膜晶体管(TFT)“T2”的栅电极端和储能电容器Cst。第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”和第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”中的每个薄膜晶体管的栅电极端连接到栅极线GL。
假设转换薄膜晶体管(TFT)“T2”和驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”具有相同的特性并彼此相邻设置，构成镜像电流电路。因此，当转换薄膜晶体管(TFT)“T2”的宽度与长度之比等于驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”的宽度与长度之比时，转换薄膜晶体管(TFT)“T2”中流动的电流量等于驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”中流动的电流量。
以下描述这种发光元件驱动电路30的驱动。首先，如果栅ON(导通)信号加到栅极线GL上，然后，第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”和第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”导通。随后，经第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”和第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”供给来自数据线DL的数据信号。数据信号导通驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”和转换薄膜晶体管(TFT)“T2”中的每个薄膜晶体管。因此，驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”控制其源电极端与漏电极端之间的电流。响应加到驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”的栅电极端的数据信号从电压供给线VDD供给电流。驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”给发光元件OLED加受控制的电流，因此，使发光元件OLED发光，光亮度对应数据信号。
同时，转换薄膜晶体管(TFT)“T2”经第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”和数据线DL连接到外部电流发生电路32。因此，由电压供给线VDD供给的电流id经转换薄膜晶体管(TFT)“T2”和第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”进入外部电流发生电路32。电压供给线VDD供给的电流id进入外部电流发生电路32时，驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”中流动的电流等于转换薄膜晶体管(TFT)“T2”中流动的电流。其原因是，驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”和转换薄膜晶体管(TFT)“T2”构成镜像电流电路。
储能电容器Cst根据从电压供给线VDD进入外部电流发生电路32的电流量id存储来自电压供给线VDD的电压。换句话说，来自电压供给线VDD的电流id进入外部电流发生电路32时，储能电容器Cst存储转换薄膜晶体管(TFT)“T2”的栅电极端与源电极端之间的电压。
另一方面，如果栅OFF(截止)信号加到栅极线GL上，然后，第一开关薄膜晶体管(TFT)“T3”和第二开关薄膜晶体管(TFT)“T4”截止。随后，由于储能电容器Cst存储有电压而驱动驱动薄膜晶体管(TFT)“T1”，由此将电流加到发光元件OLED。
这种现有的有源矩阵型EL显示器消除了相邻的像素单元22之间产生的条纹现象，这种条纹现象是由于用电流驱动的数据驱动器驱动EL显示板造成用多晶硅膜构成的多个TFT之间的特性不同引起TFT的不一致而产生的。但是，现有的有源矩阵型EL显示器有多种缺点。例如，现有的有源矩阵型EL显示器包括4个TFT，用于驱动每个像素单元22的发光元件OLED。当通过阳极从发光元件OLED发光时，它也具有低的孔径比，所述的阳极是透明电极。
发明内容
因此，本发明涉及电致发光显示板的驱动装置、驱动方法，和制造方法，其克服了由于现有技术中存在的限制和缺点引起的一个或多个问题。
本发明的目的是，提供一种转换装置，它将外部供给的电流转换成驱动电致发光显示板的电压。
本发明的另一目的是，提供一种驱动装置，用于驱动具有增大的孔径比的电致发光显示板。
本发明的另一目的是，提供一种转换方法，用于将外部供给的电流转换成驱动电致发光显示板的驱动电压。
本发明的另一目的是，提供一种驱动方法，用于驱动具有增大的孔径比的电致发光显示板。
本发明的另一目的是，提供一种电致发光显示板的制造方法，电致发光显示板具有将外部供给的电流转换成电压的驱动电路。
本发明的另一目的是，提供一种具有增大的孔径比的电致发光显示板的制造方法。
本发明的其它特征和优点将在下面的说明中给出，其中一部分特征和优点可以从说明中明显得出或是通过对本发明的实践而得到。通过在文字说明部分、权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了得到这些和其它优点并根据本发明的目的，作为具体和广义的描述，本发明的驱动电致发光显示板的驱动装置包括：电致发光显示板，其具有在栅线与数据线的交叉点设置的多个电致发光元件；电流发生电路，用于产生对应外部供给的数字数据的电流；数据驱动器，用于取样每个水平周期来自电流发生电路的电流，产生对应电流的数据电压，将所产生的数据电压供给数据线；和时序控制器，用于控制数据驱动器，并将数字数据加到电流发生电路，以产生用于控制数据驱动器的取样控制信号，将取样的信号加到数据驱动器。
按照本发明的另一技术方案，电致发光显示板的驱动方法包括：制备电致发光显示板，它具有设置在栅线和数据线的交叉点的多个电致发光元件；产生对应外部供给的数字数据的电流；取样每个水平周期中的电流，产生和存储对应电流的数据电压；将存储的数据电压加到数据线；和用数据电压驱动发光元件。
按照本发明的另一技术方案，电致发光显示板的制造方法包括：设置电致发光显示板，它具有设置在栅线和数据线的交叉点的多个电致发光元件；设置电流发生电路，用于产生对应来自外部的数字数据的电流；和设置数据驱动器，用于取样每个水平周期来自电流发生电路的电流，产生对应电流的数据电压，和将数据电压加到基板一边处的数据线。
应该了解，以上的一般描述和以下的详细描述都是示例性和说明性描述，旨在进一步描述所要求保护的本发明。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与说明书相结合并构成说明书的一部分，所述附图表示本发明的实施例并与说明书一起解释本发明的原理。附图中：
图1是现有的普通电致发光显示板中的有机发光元件的结构剖视图；
图2是驱动现有的普通电致发光显示板的驱动装置的结构框图；
图3是现有的每个像素单元的等效电路图；
图4是按照本发明一个实施例的驱动电致发光显示板的驱动装置的结构框图；
图5是按照本发明一个实施例的电致发光显示板中内构的数据驱动器的结构框图；
图6是按照本发明一个实施例的取样驱动器的电路图；
图7是按照本发明一个实施例的驱动薄膜晶体管的驱动时序图；和
图8是按照本发明一个实施例的每个像素单元的等效电路图。
具体实施方式
现在，参见附图，详细说明附图中显示的本发明的优选实施例。
图4是按本发明一个实施例的驱动电致发光显示板的驱动装置的结构框图。参见图4，驱动电致发光(EL)显示板的驱动装置包括：具有像素单元122的EL显示板116，每个像素单元具有两个薄膜晶体管(TFT)。驱动装置还包括驱动栅极线GL的栅驱动器118。驱动装置还包括外部电流发生器132，用于产生对应来自外部的数字数据的电流，电流加到数据驱动器120。驱动装置包括数据驱动器120。驱动装置还包括时序控制器128，控制数据驱动器120和栅驱动器118，和加数字数据DATA到外部电流发生电路132。
像素单元配置在一条栅极线与一条数据线DL的每个交叉点处。数据驱动器120产生对应电流idata的数据电压Vd，电流idata从用两个取样电路的外部电流发生电路132输入。数据驱动器120将产生的数据电压Vd供给数据线DL。
时序控制器128产生栅控制信号GCS，控制驱动栅极线GL的栅驱动器118的驱动。时序控制器128产生数据控制信号DCS，控制驱动数据线DL的数据驱动器的驱动。而且，时序控制器128校准外部供给的数字数据DATA，加数字数据DATA到外部电流发生电路132。
栅驱动器118响应来自时序控制器128的栅控制信号GCS产生栅信号，用于顺序启动栅极线GL。栅信号包括起始脉冲和时钟信号。栅驱动器118将多个栅信号顺序加到栅极线GL。
外部电流发生电路132产生对应来自时序控制电路128的数字数据DATA的电流idata，将它经数据信号供给线162加到数据驱动器120。换句话说，外部电流发生电路132从数据驱动器120接收对应来自时序控制器128的数字数据DATA的电流idata。
数据驱动器120产生对应电流idata的数据电压Vd。响应来自时序控制器128的控制信号，经数据信号供给线162从外部电流发生电路132输入电流idata。数据驱动器120经数据线DL加数据电压Vd到像素单元122。这种情况下，当栅驱动器118驱动每条栅极线GL时，每个水平周期数据驱动器120加用于每条水平线的数据电压到数据线DL。
图5是按本发明一个实施例的电致发光显示板中内构的数据驱动器的结构框图。如图5所示，数据驱动器120包括多个取样驱动器150(1)到150(n)。取样电路取样经数据信号供给线162输入的电流idata，每个水平周期1H交换一次，由此产生对应电流idata的数据电压Vd。
图6是按本发明一个实施例的取样驱动器的电路图。如图6所示，多个取样驱动器150(1)到50(n)中的每个取样驱动器包括第一和第二取样电路170和172，每个水平周期响应来自时序控制器128线的取样控制信号SCS交替地被驱动。取样驱动器150(1)到50(n)产生对应来自外部电流发生电路132的电流idata的数据电压Vd。设置模拟缓冲器180，缓冲由第一和第二取样电路170和172中的每个取样电路交替供给的数据电压。模拟缓冲器180加数据电压到数据线DL。
第一取样电路170包括连接到数据信号供给线162的第一开关TFT SW1。第一取样电路170包括在第一结点N1连接到第一开关TFT SW1的第二开关TFTSW2。第一取样电路170还包括连接在第二开关TFT SW2与电压供给线VDD之间的第一取样TFT STFT1。第一取样电路170还包括第一储能电容器Cst1。第一储能电容器Cst1连接在电源供给线VDD与第一结点N1之间。第一取样电路170还包括连接在第一结点N1与模拟缓冲器180之间的第三开关TFT SW3，将存储在第一储能电容器Cst1中的电压供给模拟缓冲器180。因此，第一结点N1代表第一储能电容器Cst1、第一开关TFT SW1、第二开关TFT SW2和第三开关TFT SW3之间的结点。这里，TFT是P-型电子金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
第一开关TFT SW1的源电极端连接到数据信号供给线162。第一开关TFTSW1的漏电极端在第一结点N1连接到第二开关TFT SW2的源电极端。第二开关TFT SW2的漏电极端连接到第一取样TFT STFT1的漏电极端。第一取样TFTSTFT1的栅电极端在第一结点N1连接到第一储能电容器Cst1。第三开关TFTSW3的源电极端连接到第一结点N1，第三开关TFT SW3的漏电极端连接到模拟缓冲器180。
第二取样电路172的电路结构与上述的第一取样电路170的电路结构类似。第二取样电路172包括连接到数据信号供给线的第四开关TFT SW4。第二取样电路172包括在第二结点N2连接到第四开关TFT SW4的第五开关TFT SW5。第二取样电路172还包括连接在第五开关TFT SW5与电压供给线VDD之间的第二取样TFT STFT2。第二取样电路172还包括连接在第二结点N2与电压供给线VDD之间的第二储能电容器Cst2。第二取样电路172还包括连接在第二结点N2与模拟缓冲器180之间的第六开关TFT SW6，将存储在第二储能电容器Cst2中的电压供给模拟缓冲器180。因此，第二结点N2代表第二储能电容器Cst2、第四开关TFT SW4、第五开关TFT SW5和第六开关TFT SW6之间的结点。TFT是P-型电子金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
第四开关TFT SW4的源电极端连接到数据信号供给线162。第四开关TFTSW4的漏电极端在第二结点N2连接到第五开关TFT SW5的源电极端。第五开关TFT SW5的漏电极端连接到第二取样TFT STFT2的漏电极端。第二取样TFTSTFT2的栅电极端在第二结点N2连接到第二储能电容器Cst2。第六开关TFTSW6的源电极端连接到第二结点N2。第六开关TFT SW6的漏电极端连接到模拟缓冲器180。
图7是按本发明一个实施例的驱动薄膜晶体管的驱动时序图。用来自时序控制器128的取样控制信号SCS驱动第一到第三TFT SW1到SW3。同样，用来自时序控制器128的取样控制信号SCS驱动第四到第六TFT SW4到SW6。控制信号包括A1、A2、A3、B1、B2、和B3，如图7所显示的。模拟缓冲器180将由第一和第二取样电路170和172交替供给的数据电压一次一个地供给数据线DL，起到缓冲器的功能。
现在参见图7说明图6中显示的多个取样驱动器150(1)到50(n)中的每个取样驱动器的操作。首先，假设数据电压存储在第二取样电路172的第二储能电容器Cst2中。因此，多个取样驱动器150(1)到50(n)中的每个取样驱动器的第一取样电路170，响应在水平周期N中来自时序控制电路128的取样控制信号SCS，将数据电压存储到第一储能电容器Cst1中。在该第N水平周期中，第二取样电路172将存储在第二储能电容器Cst2中的数据电压供给模拟缓冲器180。因此，模拟缓冲器180缓冲来自第二取样电路172的第二储能电容器Cst2的数据电压。模拟缓冲器180向连接到此的数据线DL供给缓冲后的数据电压。然后，每个取样驱动器150(1)到150(n)的第二取样电路172在水平周期(N+1)中响应来自时序控制器128的取样控制信号SCS将数据电压存储到第二储能电容器Cst2中。在该水平周期(N+1)中，第一取样电路170将存储在第一储能电容器Cst1中的数据电压供给模拟缓冲器180。由此，模拟缓冲器180缓冲来自第一取样电路170的第一储能电容器Cst1的数据电压。模拟缓冲器180向连接到此的数据线DL供给缓冲后的数据信号。更具体地说，第一取样电路170的第三开关TFT SW3在水平周期N中转换到截止状态，而第一开关TFT SW1和第二开关TFT SW2供给具有预定周期的ON信号。第二取样电路172的第六TFT SW6转换到导通状态，而第四开关TFT SW4第五开关TFT SW5转换到截止状态。这种情况下，数据电压Vd存储在第二储能电容器Cst2中。
因此，在第N周期中，ON信号同时供给第一开关TFT SW1和第二开关TFTSW2，由此使第一开关TFT SW1和第二开关TFT SW2导通。第一开关TFT SW1和第二开关TFT SW2导通时，第一取样TFT STFT1用流过连接到其栅电极端的第一结点N1的电流导通。由此，第一取样TFT STFT1经第二开关TFT SW2和第一开关TFT SW1连接到数据信号供给线162。而且来自电压供给线VDD的电压经第一取样TFT STFT1、第二开关TFT SW2、第一开关TFT SW1和数据信号供给线162进入外部电流发生电路132。
然后，第一取样TFT STFT1的栅电极端与源电极端之间的电压存储在第一储能电容器Cst1中。存储在第一储能电容器Cst1中的电压对应由外部电流发生电路132产生的电流。为了稳定存储在第一储能电容器Cst1中的电压，通过按预定间隔t1顺序截止第一取样TFT STFT1、第一开关TFT SW1和第二开关TFT SW2防止产生漏电流。
而且，在第N水平周期，第二取样电路172经第六开关TFT SW6将存储在第二储能电容器Cst2中的数据电压Vd供给模拟缓冲器180。模拟缓冲器180缓冲由第二取样电路172的第二储能电容器Cst2供给的数据电压Vd。在N水平周期中，模拟缓冲器180将缓冲后的数据电压供给连接到此的数据线DL。
然后，在第(N+1)水平周期中，第二取样电路172的第六开关TFT SW6截止，而第四开关TFT SW4和第五开关TFT SW5供给具有预定周期的ON信号。在第(N+i)水平周期中，第一取样电路170的第三开关TFT SW3导通，而第一开关TFT SW1和第二开关TFT SW2截止。
因此，在第(N+1)水平周期中，向第四开关TFT SW4和第五开关TFT SW5同时提供ON信号，并使第四开关TFT SW4和第五开关TFT SW5导通。当第四开关TFT SW4和第五开关TFT SW5导通时，第二取样TFT STFT2由流过连接到其栅电极端的第二结点N2的电流来导通用。因此，第二取样TFT STFT2经第五开关TFT SW5和第四开关TFT SW4连接到数据信号供给线162。因此，由电压供给线VDD供给的电压经第二取样TFT STFT2、第五开关TFT SW5、第四开关TFT SW4和数据信号供给线162进入外部电流发生电路132。
第二取样TFT STFT2的栅电极端与源电极端之间的电压存储在第二储能电容器Cst2中。存储在第二储能电容器Cst2中的电压对应由外部电流发生电路132产生的电流。然后，为了稳定存储在第二储能电容器Cst2中的电压，通过按预定间隔t1顺序截止第二取样TFT STFT2、第四开关TFT SW4和第五开关TFT SW5来防止产生漏电流。
另一方面，在第(N+1)水平周期中，第一取样电路170向模拟缓冲器180供给在N水平周期中存储在第一储能电容器Cst1中的数据电压Vd。因此，模拟缓冲器180缓冲由第一取样电路170的第一储能电容器Cst1供给的数据电压Vd。在第(N+1)水平周期中，模拟缓冲器180将缓冲后的数据电压Vd供给与其连接的数据线DL。
当栅信号加到阴极(即栅极线GL)上时，选择每个像素单元122，由此产生对应加到阳极(即，数据线DL)上的像素信号(即电流信号)的光。每个像素单元122同样可以用连接在数据线DL与栅极线GL之间的二极管表示。这种像素单元122用在栅极线GL上使能的栅信号驱动，由此，根据数据线DL上的数据信号的大小发光。
图8是按本发明一个实施例的每个像素单元的等效电路图。如图8所显示的，每个像素单元122包括电压供给线VDD。每个像素单元122还包括发光元件OLED。每个像素单元122还包括发光元件驱动电路130。发光元件OLED连接在电压供给线VDD与发光元件驱动电路130之间。发光元件驱动电路130响应来自每条数据线DL和栅极线GL的驱动信号驱动发光元件OLED。
发光元件驱动电路130包括连接在电压供给线VDD与发光元件OLED之间的驱动薄膜晶体管(TFT)T1。发光元件驱动电路130还包括连接到栅极线GL和数据线DL的开关TFT T2。开关TFT T2将数据驱动器120的模拟缓冲器180供给的数据电压Vd转换到驱动薄膜晶体管(TFT)Ti的栅电极端。发光元件驱动电路130还包括储能电容器Cst。电容器Cst的一端连接到开关TFT T2的漏电极端与驱动TFT T1的栅之间的结点上。电容器Cst的另一端连接到电压供给线VDD。这里TFT是P-型电子金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
驱动薄膜晶体管(TFT)T1的栅电极端连接到开关TFT T2的漏电极端。驱动薄膜晶体管(TFT)T1的源电极端连接到电压供给线VDD。驱动薄膜晶体管(TFT)T1的漏电极端连接到发光元件OLED。
开关TFT T2的源电极端连接到数据线DL。开关TFT T2的漏电极端连接到驱动薄膜晶体管(TFT)T1的栅电极端和储能电容器Cst。开关TFT T2的栅电极端连接到栅极线GL。
以下说明发光元件驱动电路130的驱动。首先，当栅ON信号供给栅极线GL时，开关TFT T2导通。开关TFT T2导通时，经数据线DL由数据驱动器120的模拟缓冲器180供给的数据电压Vd经开关TFT T2供给驱动薄膜晶体管(TFT)T1的栅电极端。因此，用供给其栅电极端的数据信号导通驱动薄膜晶体管(TFT)T1，以控制从电压供给线VDD输入的在其源电极端与漏电极端之间的电流。驱动薄膜晶体管(TFT)T1将受控制的电流供给发光元件OLED，由此引起发光元件OLED发光，其亮度对应数据信号。同时，储能电容器Cst存储驱动薄膜晶体管(TFT)T1的栅电极端与源电极端之间的电压。
另一方面，当栅OFF信号供给栅极线GL时，开关TFT T2截止。开关TFTT2截止时，由于储能电容器Cst存储有电压，所以储能电容器Cst可以驱动所述的驱动薄膜晶体管(TFT)T1，由此向发光元件OLED供给电流。
按本发明的另一实施例，每个像素单元可以构成为包括至少两个薄膜晶体管(TFT)。
按本发明实施例的EL显示器的制造方法，其中设置了如上所述的EL显示板；电流发生电路；数据驱动器；位于数据驱动器后面的取样驱动器；栅驱动器和时序控制器。
按本发明实施例的驱动电致发光显示板的驱动装置和驱动方法，和按本发明实施例的电致发光显示板的制造方法，其中用数据驱动器的第一和第二取样电路产生对应于来自外部电流发生电路的电流的数据电压，由此用所产生的数据电压驱动发光元件。因此，其可以消除由构成薄膜晶体管(TFT)的多晶硅膜的特性差异所引起的薄膜晶体管的不一致而造成的相邻像素单元之间产生的条纹。
如上述的，按照本发明，用至少两个薄膜晶体管驱动发光元件，由此可以增大电致发光显示板的孔径比。而且，按照本发明，用包括电流驱动电路和电压驱动电路的复杂系统驱动电致发光显示板，可以消除用现有的电流驱动电路驱动电致发光显示板所造成的相邻像素单元之间产生的条纹。
本行业的技术人员应该了解，在不脱离本发明的精神或范围的前提下，可以对本发明作出各种改进和变化，这些改进和变化都属于由所附权利要求书及其等同物所限定的要求保护的本发明的范围。