电子部件、电子设备以及移动体.pdf

提供电子部件、电子设备以及移动体，电子部件提高了生产率且具有优异特性，电子设备以及移动体具有该电子部件。本发明的电子部件(1)具有：具有振动元件(5)的空腔部(S)的底部；顶部(641)，其具有孔(642)，并隔着空腔部(S)与底部相对地配置；遮挡部(621)，其在空腔部(S)内被配置在空腔部(S)的底部与顶部(641)之间，在从空腔部(S)的底部和顶部(641)排列的方向俯视观察时，遮挡部(621)与孔(642)重叠；以及密封部(662)，其经由孔(642)与顶部(641)以及遮挡部(621)这两者相连，将孔(642)密封。

1.  一种电子部件，其特征在于，具有：
底部，其具有功能部；
顶部，其具有孔，且该顶部与所述底部隔着空腔部进行配置；
遮挡部，其在所述空腔部内被配置在所述底部和所述顶部之间，在从所述底部和所述顶部排列的方向俯视观察时，该遮挡部与所述孔重叠；以及
密封部，其与所述顶部以及所述遮挡部这两者相连，将所述孔密封。

2.  根据权利要求1所述的电子部件，其中，
所述电子部件具有遮挡层，该遮挡层具有所述遮挡部以及开口部，
所述开口部被配置在所述俯视时与所述孔错开的位置。

3.  根据权利要求2所述的电子部件，其中，
在所述俯视时，全部所述开口部相对于所述空腔部内的所述遮挡层所占的面积的比例处于20％以上且80％以下的范围内。

4.  根据权利要求2或3所述的电子部件，其中，
所述开口部具有在所述俯视时与所述底部的中心部重叠的开口部。

5.  根据权利要求4所述的电子部件，其中，
在所述俯视时，与所述中心部重叠的开口部相对于所述空腔部内的所述遮挡层所占的面积的比例处于10％以上且40％以下的范围内。

6.  根据权利要求1～3中的任意一项所述的电子部件，其中，
所述功能部具有：
膜片部，其因受压而挠曲变形；以及
挠曲检测元件，其输出与所述膜片部的挠曲变形对应的信号。

7.  根据权利要求1～3中的任意一项所述的电子部件，其中，
所述功能部具有谐振器。

8.  根据权利要求1～3中的任意一项所述的电子部件，其中，
所述遮挡部与所述顶部之间的距离小于所述遮挡部与所述底部之间的距离。

9.  根据权利要求1～3中的任意一项所述的电子部件，其中，
所述遮挡部与所述顶部之间的距离大于所述遮挡部与所述底部之间的距离。

10.  根据权利要求1～3中的任意一项所述的电子部件，其中，
所述电子部件具有密封层，该密封层具有所述密封部，
所述密封层的厚度在所述遮挡部与所述顶部之间的距离以上。

11.  根据权利要求1～3中的任意一项所述的电子部件，其中，
所述遮挡部与所述顶部之间的距离处于1μm以上且5μm以下的范围内。

12.  一种电子设备，其特征在于，所述电子设备具有权利要求1～11中的任意一项所述的电子部件。

13.  一种移动体，其特征在于，所述移动体具有权利要求1～11中的任意一项所述的电子部件。

电子部件、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及电子部件、电子设备以及移动体。
背景技术
已知有使用半导体制造工艺形成的具有空腔部的电子部件(例如，参照专利文献1)。
例如，专利文献1中记载的电子部件具有：基板；功能结构体，其构成在该基板上形成的具有可动部的功能元件；以及覆盖结构，其划分出配置有该功能结构体的空腔部。覆盖结构包含以包围空腔部的周围的方式形成在基板上的层间绝缘膜和布线层的层叠结构，覆盖结构中的从上方覆盖空腔部的上方覆盖部具有：具有与空腔部相对的贯通孔的第1覆盖层；以及将该第1覆盖层的贯通孔封闭的第2覆盖层，第1覆盖层由布线层的一部分构成。
此外，在专利文献1中，公开了如下结构：在功能结构体与第1覆盖层之间，设置有第3覆盖层，该第3覆盖层在俯视时与第1覆盖层的贯通孔重叠，且具备在俯视时与第1覆盖层重叠的贯通孔。通过该结构，例如，即使在利用气相生长法来成膜出第2覆盖层的情况下，也能够防止第2覆盖层的材料附着到功能结构体。
这样的电子部件的制造方法具有如下工序：结构体形成工序，与牺牲层一起形成功能结构体；绝缘膜形成工序，在功能结构体上形成层间绝缘膜；布线形成工序，在层间绝缘膜上形成布线层，将布线层的一部分作为覆盖功能结构体的上方并具有贯通孔的第1覆盖层；释放工序，通过第1覆盖层的贯通孔，去除功能结构体上的层间绝缘膜和牺牲层；以及覆盖工序，形成将第1覆盖层的贯通孔封闭的第2覆盖层。
但是，在专利文献1所记载的电子部件中，在覆盖工序中，必须利用气相成膜法使第2覆盖层的构成材料沉积在第1覆盖层的贯通孔的侧面，由此封闭第1覆盖层的贯通孔，因此，必须减小第1覆盖层的贯通孔的宽度。因此，在释放工序时，蚀刻液的出入变差，其结果是，存在生产率下降这样的问题。
专利文献1：日本特开2009-105411号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供提高了生产率且具有优异特性的电子部件，并提供具有该电子部件的电子设备以及移动体。
这样的目的，通过下述的本发明而达成。
[应用例1]
本发明的电子部件的特征在于，具有：底部，其具有功能部；顶部，其具有孔，且该顶部与所述底部隔着空腔部进行配置；遮挡部，其在所述空腔部内被配置在所述底部和所述顶部之间，在从所述底部和所述顶部排列的方向俯视观察时，该遮挡部与所述孔重叠；以及密封部，其与所述顶部以及所述遮挡部这两者相连，将所述孔密封。
根据这样的电子部件，密封部经由顶部的孔与顶部以及遮挡部这两者相连，将顶部的孔密封，因此，能够增大顶部的孔的宽度。因此，在制造电子部件时，在通过顶部的孔进行湿蚀刻时，能够改善蚀刻液的进出，其结果是，能够提高生产率。
此外，遮挡部在俯视时与顶部的孔重叠，因此，在利用气相成膜法形成密封层时，能够减少构成密封层的材料附着到功能部的情况。因此，能够减少功能部的意外的特性变化，其结果是，能够发挥优异的特性。
[应用例2]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述电子部件具有遮挡层，该遮挡层具有所述遮挡部以及开口部，所述开口部被配置在所述俯视时与所述孔错开的位置。
由此，在利用气相成膜法来形成密封层时，能够有效地减少构成密封层的材料附着到功能部的情况。
[应用例3]
在本发明的电子部件中，优选的是，在所述俯视时，全部所述开口部相对于所述空腔部内的所述遮挡层所占的面积的比例处于20％以上且80％以下的范围内。
由此，能够改善在通过顶部的孔进行湿蚀刻时的蚀刻液的进出，并且能够有效地减少构成密封层的材料附着到功能部的情况。
[应用例4]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述开口部具有在所述俯视时与所述底部的 中心部重叠的开口部。
由此，即使遮挡层与顶部一起朝底部侧挠曲，也能够减少遮挡层(遮挡部)与功能部接触的情况。因此，能够减少功能部的意外的特性变化。
[应用例5]
在本发明的电子部件中，优选的是，在所述俯视时，与所述中心部重叠的开口部相对于所述空腔部内的所述遮挡层所占的面积的比例处于10％以上且40％以下的范围内。
由此，能够确保遮挡部所需的面积，而且，即使遮挡层与顶部一起朝底部侧挠曲，也能够减少遮挡层(遮挡部)与功能部接触的情况。
[应用例6]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述功能部具有：膜片部，其因受压而挠曲变形；以及挠曲检测元件，其输出与所述膜片部的挠曲变形对应的信号。
由此，能够将本发明的电子部件作为压力传感器来使用。此外，在这样的压力传感器中，在构成密封层的材料附着到膜片部或挠曲检测元件的情况下，容易产生意外的特性变化。因此，当在这样的压力传感器中应用本发明时，其效果显著。此外，在这样的压力传感器中，在遮挡层与顶部一起朝底部侧挠曲而与膜片部接触的情况下，也容易产生意外的特性变化。因此，如果在这样的压力传感器中，减少遮挡层(遮挡部)与功能部接触的情况，则其效果显著。
[应用例7]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述功能部具有谐振器。
由此，可以将本发明的电子部件用于振荡器、振子、加速度传感器、角速度传感器、压力传感器等。此外，在这样的电子部件中，在构成密封层的材料附着到谐振器的情况下，容易产生意外的特性变化。因此，当在这样的电子部件中应用本发明时，其效果显著。此外，在这样的电子部件中，在遮挡层与顶部一起朝底部侧挠曲而与谐振器接触的情况下，也容易产生意外的特性变化。因此，如果在这样的电子部件中，减少遮挡层(遮挡部)与功能部接触的情况，则其效果显著。
[应用例8]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述遮挡部与所述顶部之间的距离小于所述遮挡部与所述底部之间的距离。
由此，能够使密封部的形成变得容易，并且能够增大功能部与遮挡部之间的距离，从而减少遮挡部与功能部接触的情况。
[应用例9]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述遮挡部与所述顶部之间的距离大于所述遮挡部与所述底部之间的距离。
由此，能够实现电子部件的低高度化，且能够增大遮挡部与顶部之间形成的间隙，从而改善通过顶部的孔进行湿蚀刻时的蚀刻液的进出。
[应用例10]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述电子部件具有密封层，该密封层具有所述密封部，所述密封层的厚度在所述遮挡部与所述顶部之间的距离以上。
由此，能够通过利用气相成膜法形成具有密封部的密封层这样的简单方法，利用密封层将顶部的孔密封。
[应用例11]
在本发明的电子部件中，优选的是，所述遮挡部与所述顶部之间的距离处于1μm以上且5μm以下的范围内。
由此，能够通过利用气相成膜法形成具有密封部的密封层这样的简单方法，利用密封层将顶部的孔密封。
[应用例12]
本发明的电子设备的特征在于具有本发明的电子部件。
由此，能够提供具备提高了生产率且具有优异特性的电子部件的电子设备。
[应用例13]
本发明的移动体的特征在于具有本发明的电子部件。
由此，能够提供具备提高了生产率且具有优异特性的电子部件的移动体。
附图说明
图1是示出本发明的电子部件的第1实施方式的剖视图。
图2是示出图1所示的电子部件具有的振动元件(功能部)的图，图2的(a)是剖视图，图2的(b)是俯视图。
图3的(a)是图1所示的电子部件具有的顶部的俯视图，图3的(b)是图1所 示的电子部件具有的遮挡部的俯视图。
图4是用于说明图1所示的电子部件具有的密封部的局部放大剖视图。
图5是示出图1所示的电子部件的制造工序(固定电极形成工序)的图。
图6是示出图1所示的电子部件的制造工序(可动电极形成工序)的图。
图7是示出图1所示的电子部件的制造工序(腔室形成工序)的图。
图8是用于说明图7所示的腔室形成工序中的密封层的形成的图。
图9是示出本发明第2实施方式的电子部件具有的振动元件(功能部)的图，图9的(a)是剖视图，图9的(b)是俯视图。
图10是示出本发明的电子部件的第3实施方式的剖视图。
图11是用于说明图10所示的电子部件具有的挠曲检测元件的俯视图。
图12是用于说明图10所示的电子部件的作用的图，图12的(a)是示出膜片部的状态的剖视图，图12的(b)是示出挠曲检测元件的状态的俯视图。
图13是示出作为本发明的电子设备的第1例的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。
图14是示出作为本发明的电子设备的第2例的移动电话(也包括PHS)的结构的立体图。
图15是示出作为本发明的电子设备的第3例的数字静态照相机的结构的立体图。
图16是示出作为本发明的移动体的一例的汽车的结构的立体图。
标号说明
1：电子部件；1A：电子部件；1B：电子部件；2：基板；2B：基板；5：振动元件；5A：振动元件；5B：压电电阻元件；5a：压电电阻元件；5b：压电电阻元件；5c：压电电阻元件；5d：压电电阻元件；6：层叠结构体；20：膜片部；21：半导体基板；21B：SOI基板；22：绝缘膜；23：绝缘膜；24：硅层；25：二氧化硅层；26：硅层；31：导体层；32：绝缘层；51：下部电极；51a：下部电极；51b：下部电极；51c：下部电极；51d：下部电极；52：下部电极；52A：下部电极；53：上部电极；53A：上部电极；54：金属部；54A：金属部；61：层间绝缘膜；62：布线层；63：层间绝缘膜；64：布线层；65：表面保护膜；66：密封层；71：导体膜；72：牺牲层；73：导体膜；74：层间绝缘膜；75：层间绝缘膜；100：显示部；241：凹部；251：受压面；261：布线；261a：布线；261b：布线；261c：布线；261d：布线；531：可 动部；531A：可动部；531a：可动部；531b：可动部；531c：可动部；531d：可动部；532：固定部；532A：固定部；533：连结部；533A：连结部；621：遮挡部；622：开口部；622A：开口部；622a：开口部；622b：开口部；641：顶部；642：孔；642a：孔；642b：孔；661：覆盖部；661X1：层；661X2：层；662：密封部；662a：密封部；662b：密封部；662X1：层；662X2：层；721：开口；1100：个人计算机；1102：键盘；1104：主体部；1106：显示单元；1200：移动电话；1202：操作按钮；1204：接听口；1206：通话口；1300：数字静态照相机；1302：壳体；1304：受光单元；1306：快门按钮；1308：存储器；1312：视频信号输出端子；1314：输入/输出端子；1430：电视监视器；1440：个人计算机；1500：移动体；1501：车体；1502：车轮；2000：显示部；A：距离；B：距离；P：压力；S：空腔部；W：宽度。
具体实施方式
以下，基于附图所示的各实施方式，对本发明的电子部件、电子设备以及移动体进行详细说明。
＜第1实施方式＞
1.电子部件
图1是示出本发明的电子部件的第1实施方式的剖视图。图2是示出图1所示的电子部件具有的振动元件(功能部)的图，图2的(a)是剖视图，图2的(b)是俯视图。图3的(a)是图1所示的电子部件具有的顶部的俯视图，图3的(b)是图1所示的电子部件具有的遮挡部的俯视图。图4是用于说明图1所示的电子部件具有的密封部的局部放大剖视图。
图1所示的电子部件1具有：基板2(基体)；振动元件5(谐振器)，其被配置在基板2上；以及层叠结构体6，其与基板2之间形成了收纳振动元件5的空腔部S(腔室)。在本实施方式中，在基板2的靠振动元件5侧的面上，除了振动元件5以外，还配置有导体层31，此外，在基板2与层叠结构体6之间，配置有绝缘层32。此处，振动元件5构成“功能部”，基板2的面向空腔部S的部分或在该部分包含振动元件5的结构体构成“底部”(以下也称作“空腔部S的底部”)。此外，层叠结构体6具有“顶部”、“遮挡部”以及“密封部”。以下，依次对这各个部分进行说明。
-基板2-
基板2具有：半导体基板21；设置在半导体基板21的一个面上的绝缘膜22；以及设置在绝缘膜22的与半导体基板21相反一侧的面上的绝缘膜23。
半导体基板21由硅等半导体构成。此外，半导体基板21不限于硅基板那样的由单一材料构成的基板，例如，也可以是SOI基板那样的具有层叠结构的基板。
绝缘膜22具有绝缘性，例如为二氧化硅膜。此外，绝缘膜23例如为氮化硅膜，具有绝缘性，并对于含有氢氟酸的蚀刻液具有耐受性。此处，在半导体基板21(硅基板)与绝缘膜23(氮化硅膜)之间夹设有绝缘膜22(二氧化硅膜)，由此，能够利用绝缘膜22缓解绝缘膜23成膜时所产生的应力传到半导体基板21。此外，在半导体基板21及其上方形成半导体电路的情况下，绝缘膜22还能够作为元件间分离膜来使用。需要说明的是，绝缘膜22、23不限于上述构成材料，此外，也可以根据需要省略绝缘膜22、23中的任意一方。
在这样的基板2的绝缘膜23上，配置有构图而成的导体层31。该导体层31具有导电性，例如通过在单晶硅、多晶硅(polysilicon)或非晶硅中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而构成的。此外，虽然没有图示，但导体层31被构图为具有第1部分和第2部分，其中，第1部分构成与振动元件5电连接的布线，第2部分与该第1部分分离且电绝缘。
此外，在导体层31上，配置有绝缘层32。该绝缘层32例如为二氧化硅膜。此外，也可以省略该绝缘层32。
-振动元件5-
振动元件5(功能部)是谐振器。如图2所示，该振动元件5具有：配置在基板2的绝缘膜23上的1对下部电极51、52；以及支承于下部电极52的上部电极53。
下部电极51、52分别呈沿着基板2的板状或片状，且彼此分离地配置。此外，虽然没有图示，但下部电极51、52分别与上述导体层31具有的布线电连接。此处，下部电极51构成“固定电极”。此外，下部电极52可以省略。在该情况下，上部电极53可以直接固定于绝缘膜23。
上部电极53具有：与下部电极51隔开间隔而相对的板状或片状的可动部531；固定于下部电极52的固定部532；以及连结可动部531与固定部532的连结部533。该上部电极53与上述下部电极52电连接。此处，上部电极53构成“可动电极”。
这样的下部电极51、52以及上部电极53具有导电性，分别通过在单晶硅、多晶 硅(polysilicon)或非晶硅中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质来构成。
此外，下部电极51、52的膜厚各自没有特别限定，例如可以为0.1μm以上且1.0μm以下。此外，上部电极53的膜厚没有特别限定，例如可以为0.1μm以上且1.0μm以下。
-层叠结构体6-
层叠结构体6以划分出收纳振动元件5的空腔部S的方式形成。该层叠结构体6具有：以俯视时包围振动元件5的方式在基板2上形成的层间绝缘膜61；在层间绝缘膜61上形成的布线层62；在布线层62以及层间绝缘膜61上形成的层间绝缘膜63；在层间绝缘膜63上形成的布线层64；在布线层64以及层间绝缘膜63上形成的表面保护膜65；以及设置在顶部641上的密封层66。
层间绝缘膜61、63例如分别为二氧化硅膜。此外，布线层62、64以及密封层66分别由铝等金属构成。此外，表面保护膜65例如为氮化硅膜。
布线层64具有顶部641，该顶部641与基板2(具有功能部的底部)隔着空腔部S进行配置，在该顶部641中，形成有在其厚度方向上贯通的多个孔642(开孔)。
顶部641呈在沿着基板2的板面的方向上扩展的形状。此外，如图3的(a)所示，在顶部641中形成的多个孔642由4个孔642a和4个孔642b构成，其中，4个孔642a与在俯视时呈四边形的空腔部S的4个边对应地设置，4个孔642b与在俯视时呈四边形的空腔部S的4个边对应地设置在4个孔642a的内侧。此外，各孔642a、642b呈沿着在俯视时呈四边形的空腔部S的对应的边延伸的缝隙形状。
布线层62具有遮挡部621，该遮挡部621在空腔部S内被配置在基板2与顶部641之间，在该遮挡部621中，形成有在其厚度方向上贯通的多个开口部622。此处，布线层62构成具有遮挡部621以及开口部622的“遮挡层”。
遮挡部621呈在空腔部S内在沿着基板2的板面的方向上扩展的形状。此外，在遮挡部621中形成的多个开口部622在从基板2和顶部641排列的方向俯视观察时(以下，简单称作“俯视时”)与孔642不重叠。
更具体说明的话，如图3的(b)所示，多个开口部622由4个开口部622a和1个开口部622b构成，其中，4个开口部622a与在俯视时呈四边形的空腔部S的4个角部对应地设置，1个开口部622b设置在俯视时的4个开口部622a的内侧。
4个开口部622a俯视时与上述顶部641的4个孔642a和4个孔642b之间的环 状区域对应地设置。此外，各开口部622a呈缝隙形状，具有与在俯视时呈四边形的空腔部S的对应的角部以及与其相邻的两个边对应地弯曲的部分。
此外，1个开口部622b俯视时与上述顶部641的4个孔642b的内侧区域对应地设置。此外，开口部622b呈与在俯视时呈四边形的空腔部S对应的四边形。
密封层66具有：覆盖部661，其覆盖顶部641的与遮挡部621相反一侧的面；以及密封部662(662a、662b)，它们从该覆盖部661经由顶部641的孔642(642a、642b)延伸到遮挡部621。
此处，密封部662经由孔642与顶部641以及遮挡部621这两者相连，将孔642密封。如后面详细记述的那样，这样的密封部662是利用气相成膜法、通过孔642在遮挡部621上沉积密封层66的构成材料而形成的。因此，不需要像在孔的侧面沉积材料来进行密封的现有方法那样减小孔的宽度，能够高效地进行密封。因此，能够增大顶部641的孔642的宽度。因此，在制造后述那样的电子部件1时，在通过顶部641的孔642进行湿蚀刻时，能够改善蚀刻液的进出，其结果是，能够提高生产率。
此外，由于遮挡部621在俯视时与顶部641的孔642重叠，即由于遮挡部621的开口部622被配置在俯视时与孔642错开的位置(在本实施方式中，与顶部641的孔642不重叠)，因此，在利用气相成膜法来形成密封层66时，能够减少构成密封层66的材料附着到振动元件5的情况。因此，能够减少振动元件5的意外的特性变化，其结果是，能够发挥优异的特性。
此外，遮挡部621的开口部622b在俯视时设置在空腔部S的底部的中央部，包含空腔部S的底部的中心。这样，开口部622b在俯视时与空腔部S的底部的中心部重叠，由此，即使布线层62与顶部641一起朝底部侧挠曲，也能够减少布线层62(遮挡部621)与振动元件5接触的情况。因此，利用这点，也能够减少振动元件5的意外的特性变化。
此处，在俯视时，全部开口部622相对于空腔部S内的布线层62所占的面积的比例(布线层62在空腔部S内的开口率)优选处于20％以上且80％以下的范围内，更优选处于30％以上且70％以下的范围内。由此，能够改善在通过顶部641的孔642进行湿蚀刻时的蚀刻液的进出，且能够有效地减少构成密封层66的材料附着到振动元件5的情况。与此相对，在该比例过小时，由于顶部641与遮挡部621之间的距离等，难以高效地进行经由开口部622的蚀刻液的进出。另一方面，在该比例过大时， 有时会由于遮挡部621的厚度及材料等，导致遮挡部621的机械强度不足。
此外，在俯视时，开口部622b(在俯视时与底部的中心部重叠的开口部)相对于空腔部S内的布线层62所占的面积的比例优选处于10％以上且40％以下的范围内，更优选处于25％以上且35％以下的范围内。由此，能够确保遮挡部621所需的面积，而且，即使遮挡部621与顶部641一起朝空腔部S的底部侧挠曲，也能够减少布线层62与振动元件5接触的情况。与此相对，在该比例过小时，由于振动元件5的大小、遮挡部621与空腔部S的底部之间的距离、以及遮挡部621和顶部641的刚性等，难以减少布线层62与振动元件5接触的情况。另一方面，在该比例过大时，有时会由于空腔部S的形状等，导致确保上述那样的遮挡部621的功能所需的面积不足。
此外，遮挡部621与顶部641之间的距离A可以大于或小于遮挡部621与空腔部S的底部之间的距离B。在遮挡部621与顶部641之间的距离A小于遮挡部621与空腔部S的底部之间的距离B的情况下，由于减小了距离A，使得密封部662的形成变得容易，而且，能够增大振动元件5与遮挡部621之间的距离B，减少遮挡部621与振动元件5接触的情况。
另一方面，在遮挡部621与顶部641之间的距离A大于遮挡部621与空腔部S的底部之间的距离B的情况下，能够实现电子部件1的低高度化，且能够增大在遮挡部621与顶部641之间形成的间隙，从而改善通过顶部641的孔642进行湿蚀刻时的蚀刻液的进出。此外，在图1和图4中，作为示例，图示出了遮挡部621与顶部641之间的距离A小于遮挡部621与空腔部S的底部之间的距离B的情况。
此外，具体而言，遮挡部621与顶部641之间的距离A没有特别限定，优选为1μm以上且5μm以下，更优选为2μm以上且4μm以下。由此，能够使用气相成膜法来容易地形成密封层66，能够实现电子部件的制造的简单化。此外，能够实现电子部件1的低高度化，且能够使顶部641与遮挡部621之间的蚀刻液的流通变得优异。
此外，遮挡部621与空腔部S的底部之间的距离B没有特别限定，优选为2μm以上且10μm以下，更优选为4μm以上且8μm以下。由此，能够实现电子部件1的低高度化以及制造的简单化，且能够减少遮挡部621与振动元件5的接触。
此外，密封层66的厚度t在遮挡部621与顶部641之间的距离A以上。由此，能够通过利用气相成膜法形成具有密封部662的密封层66这样的简单方法，利用密封层66将顶部641的孔642密封。此处，密封层66的厚度t是指覆盖部661的厚度。 此外，在图示中，覆盖部661的厚度是均匀的，而在利用气相成膜法来形成密封层66时，有时会在覆盖部661的与密封部662对应的部分处形成有凹部(参照图8)。
此外，具体而言，遮挡部621与顶部641之间的距离A优选处于1μm以上且5μm以下的范围内，更优选处于2μm以上且4μm以下的范围内。由此，能够通过利用气相成膜法形成具有密封部662的密封层66这样的简单方法，利用密封层66将顶部641的孔642密封。
此外，顶部641的各孔642的宽度W没有特别限定，出于改善蚀刻液的进出的观点，相对于遮挡部621与顶部641之间的距离A，优选为该距离A的1倍以上且30倍以下，更优选为2倍以上且20倍以下，进一步优选为3倍以上且15倍以下。与此相对，在宽度W过小时，难以改善经由孔642的蚀刻液的进出。另一方面，在宽度W过大时，必须增大遮挡部621的面积，开口部622的面积随之变小，因此，难以改善经由开口部622的蚀刻液的进出。
此外，在半导体基板21上及其上方，除了上述结构以外，还可以制成半导体电路。该半导体电路具有MOS晶体管等有源元件，此外，具有根据需要而形成的电容器、电感器、电阻、二极管、布线(包含与下部电极51连接的布线、与上部电极53连接的布线以及布线层62、64)等电路要素。此外，虽然没有图示，但在布线层62与绝缘膜23之间，以跨越空腔部S的内外的方式配置有与上述振动元件5电连接的布线，布线层62形成为与该布线分离。
由基板2和层叠结构体6划分出的空腔部S作为收纳振动元件5的收纳部而发挥作用。此外，空腔部S为密闭的空间。在本实施方式中，空腔部S为真空状态(300Pa以下)。由此，能够使振动元件5的振动特性变得优异。不过，空腔部S可以不是真空状态，也可以是大气压、气压比大气压低的减压状态、或者气压比大气压高的加压状态。此外，也可以在空腔部S中封入氮气、稀有气体等惰性气体。
以上，对电子部件1的结构进行了简单说明。
在这样构成的电子部件1中，通过在下部电极51与上部电极53之间施加周期性变化的电压，由此，可动部531在与下部电极51接近的方向和分离的方向上交替地移位而进行弯曲振动。这样，电子部件1能够作为如下的静电驱动型的振子来使用：在下部电极51与可动部531之间产生周期性变化的电场，使可动部531振动。
这样的电子部件1例如可以通过与振荡电路(驱动电路)组合而作为取出规定频 率的信号的振荡器来使用。而且，该振荡电路可以作为半导体电路设置在基板2上。此外，电子部件1也可以应用于陀螺仪传感器、压力传感器、加速度传感器、倾斜传感器等各种传感器。
在这样的包含作为谐振器的振动元件5的电子部件1中，在构成密封层66的材料附着到振动元件5的情况下，容易产生意外的特性变化。因此，当在这样的电子部件1中应用本发明时，其效果显著。此外，在这样的电子部件1中，在布线层62与顶部641一起朝空腔部S的底部侧挠曲而与振动元件5接触的情况下，也容易产生意外的特性变化。因此，如果在这样的电子部件1中，减少布线层62(遮挡部621)与振动元件5接触的情况，则其效果显著。
(电子部件的制造方法)
接下来，对电子部件1的制造方法进行简单说明。
图5是示出图1所示的电子部件的制造工序(固定电极形成工序)的图，图6是示出图1所示的电子部件的制造工序(可动电极形成工序)的图，图7是示出图1所示的电子部件的制造工序(腔室形成工序)的图。此外，图8是用于说明图7所示的腔室形成工序中的密封层的形成的图。以下，基于这些图进行说明。
[振动元件形成工序]
-准备基板的工序-
首先，如图5的(a)所示，准备半导体基板21(硅基板)。
此外，当在半导体基板21上及其上方形成半导体电路的情况下，在半导体基板21的上表面中的不形成绝缘膜22以及绝缘膜23的部分处，通过离子掺杂形成半导体电路的MOS晶体管的源极以及漏极。
接下来，如图5的(b)所示，在半导体基板21的上表面形成绝缘膜22(二氧化硅膜)。
绝缘膜22(二氧化硅膜)的形成方法没有特别限定，例如可以使用热氧化法(包括LOCOS法、STI法)、溅射法、CVD法等。此外，绝缘膜22可根据需要进行构图，例如，在半导体基板21的上表面或其上方形成半导体电路的情况下，以使半导体基板21的上表面的一部分露出的方式，对绝缘膜22进行构图。
然后，如图5的(c)所示，在绝缘膜22上形成绝缘膜23(氮化硅膜)。
绝缘膜23(氮化硅膜)的形成方法没有特别限定，例如，可以使用溅射法、CVD 法等。此外，绝缘膜23可根据需要进行构图，例如，当在半导体基板21的上表面或其上方形成半导体电路的情况下，以使半导体基板21的上表面的一部分露出的方式对绝缘膜23进行构图。
-形成固定电极形成用膜的工序-
接下来，如图5的(d)所示，在绝缘膜23上形成用于形成导体层31以及下部电极51、52的导体膜71(固定电极形成用膜)。
具体而言，例如，在绝缘膜23上，利用溅射法、CVD法等形成由多晶硅或非晶硅构成的硅膜，然后在该硅膜中掺杂磷等杂质，由此形成导体膜71。此外，根据绝缘膜23的结构，也可以在外延地生长出的硅膜中掺杂磷等杂质，由此形成导体膜71。
接下来，如图5的(e)所示，对导体膜71构图，形成导体层31以及下部电极51、52。
具体而言，例如，在导体膜71上涂布光致抗蚀剂，按照导体层31以及下部电极51、52的形状(俯视形状)进行构图，形成光致抗蚀剂膜。然后，使用该光致抗蚀剂膜作为掩模，对导体膜71进行蚀刻，然后去除光致抗蚀剂膜。由此，形成导体层31以及下部电极51、52。
此外，在半导体基板21的上表面或其上方形成半导体电路的情况下，例如，与下部电极51、52等的构图同时地，对导体膜71进行构图，形成半导体电路的MOS晶体管的栅电极。
-形成牺牲层的工序-
接下来，如图6的(a)所示，在下部电极51上，形成牺牲层72。在本实施方式中，在下部电极52上的一部分(形成固定部532的部分)以外的整个区域，形成牺牲层72。在该牺牲层72上，与形成固定部532的部分对应地形成开口721。
在本实施方式中，牺牲层72为二氧化硅膜，在后述的工序中，将其一部分去除，剩余部分成为绝缘层32。此外，在省略绝缘层32的情况下，也可以使牺牲层72形成为仅覆盖下部电极51。此外，牺牲层72也可以由PSG(掺磷玻璃)等构成。
此外，牺牲层72的形成方法没有特别限定，例如，可以使用溅射法或CVD法等。
-形成可动电极形成用膜的工序-
接下来，如图6的(b)所示，在开口721内以及牺牲层72上，形成用于形成上部电极53的导体膜73(可动电极形成用膜)。
具体而言，例如，在开口721内以及牺牲层72上，利用溅射法、CVD法等沉积多晶硅或非晶硅而形成硅膜，然后，在该硅膜中掺杂磷等杂质，由此形成导体膜73。此外，根据牺牲层72的结构，也可以在外延地生长出的硅膜中掺杂磷等杂质，由此形成导体膜73。此外，硅膜也可以利用回蚀或CMP(chemicalmechanicalpolishing：化学机械抛光)等进行平坦化。
接下来，如图6(c)所示，对导体膜73进行构图，形成上部电极53。
具体而言，例如，在导体膜73上涂布光致抗蚀剂，按上部电极53的形状(俯视形状)进行构图，形成光致抗蚀剂膜。进而，使用该光致抗蚀剂膜作为掩模，对导体膜73进行蚀刻，然后去除光致抗蚀剂膜。由此，形成上部电极53。
如上所述，形成具有下部电极51、52以及上部电极53的振动元件5。
[腔室形成工序]
如图7的(a)所示，在振动元件5以及牺牲层72的上侧，形成层间绝缘膜74、75、布线层62、64以及表面保护膜65。
具体而言，例如，在振动元件5以及牺牲层72上，利用溅射法、CVD法等形成二氧化硅膜，通过蚀刻对该二氧化硅膜进行构图，由此，形成层间绝缘膜74，该层间绝缘膜74形成有呈与布线层62对应的形状的贯通孔。进而，以填充层间绝缘膜74的贯通孔的方式，在层间绝缘膜74上，利用溅射法、CVD法等形成由铝构成的膜，通过蚀刻对该膜进行构图(去除无用部分)，由此形成布线层62。
然后，在与层间绝缘膜74同样地形成层间绝缘膜75后，与布线层62同样地形成布线层64。此外，在形成布线层64后，利用溅射法、CVD法等，形成作为二氧化硅膜、氮化硅膜、聚酰亚胺膜、环氧树脂等的表面保护膜65。
此外，这样的层间绝缘膜与布线层的层叠结构可利用通常的CMOS工艺形成，其层叠数可根据需要适当设定。即，根据需要，有时可隔着层间绝缘膜而层叠更多布线层。此外，当在半导体基板21的上表面或其上方形成半导体电路的情况下，例如与布线层62、64的形成同时地，形成与半导体电路的MOS晶体管的栅电极等电连接的布线层。
-对牺牲层进行蚀刻的工序-
接下来，如图7的(b)所示，去除牺牲层72以及层间绝缘膜74、75的一部分，由此形成空腔部S、绝缘层32以及层间绝缘膜61、63。
具体而言，利用通过了在顶部641中形成的多个孔642的蚀刻，去除位于振动元件5的周围及下部电极51与可动部531之间的牺牲层72和层间绝缘膜74、75。由此，形成收纳振动元件5的空腔部S，并且，在下部电极51与可动部531之间形成空隙，成为可驱动振动元件5的状态。
此处，关于层间绝缘膜74、75以及牺牲层72的去除(释放工序)，例如，能够通过从多个孔642提供作为蚀刻液的氢氟酸、缓冲氢氟酸等的湿蚀刻来进行。此时，如图8的(a)所示，从孔642流入的蚀刻液流过顶部641与遮挡部621之间以及在遮挡部621中形成的开口部622。由此，能够高效地蚀刻掉层间绝缘膜74、75的无用部分。此外，金属部54、绝缘膜23以及布线层62、64对于在释放工序中实施的蚀刻具有耐受性，作为所谓的蚀刻阻挡层而发挥作用。此外，在蚀刻之前，可以根据需要，在包含作为蚀刻对象的部分的结构体的外表面利用光致抗蚀剂等形成保护膜。
接下来，如图7的(c)所示，在顶部641上，形成密封层66。
具体而言，例如，利用溅射法、CVD法等气相成膜法，形成由二氧化硅膜、氮化硅膜、Al、Cu、W、Ti、TiN等金属膜等构成的密封层66，将各孔642密封。
在使用气相成膜法来形成密封层66时，如图8的(b)～图8的(d)所示，密封层66的构成材料沉积在顶部641上以及孔642的侧面上，并且，还通过孔642而沉积在遮挡部621上。此处，通常，在孔642的侧面上沉积密封层66的构成材料的速度(厚度增大的速度)比在顶部641上以及遮挡部621上沉积密封层66的构成材料的速度慢。
如图8的(b)所示，在形成密封层66的初始阶段中，以沉积在顶部641上的层661X1与沉积在遮挡部621上的层662X1相互分离的状态，形成层661X1。进而，当在遮挡部621上以及顶部641上进一步沉积密封层66的构成材料时，如图8的(c)所示，沉积在顶部641上的层661X2与沉积在遮挡部621上的层662X2成为彼此相连的状态，形成层661X2。此处，在利用沉积在孔642的侧面上的层将孔642密封之前，沉积在遮挡部621上的层成为与顶部641接触的厚度。由此，能够形成经由孔642与顶部641以及遮挡部621这两者相连的层661X2。此外，在遮挡部621上以及顶部641上进一步沉积密封层66的构成材料，并根据需要进行平坦化处理，由此，如图8的(d)所示那样得到密封层66。
通过以上那样的工序，能够制造出电子部件1。
＜第2实施方式＞
接下来，对本发明的第2实施方式进行说明。
图9是示出本发明第2实施方式的电子部件具有的振动元件(功能部)的图，图9的(a)是剖视图，图9的(b)是俯视图。
以下，对本发明的第2实施方式进行说明，不过，以与上述实施方式的不同点为中心进行说明，对于相同事项省略其说明。
第2实施方式除了可动电极和固定电极的数量以及遮挡部的开口部的大小不同以外，与上述第1实施方式相同。
图9所示的电子部件1A具有振动元件5A。振动元件5A具有4个下部电极51、下部电极52A以及支承于下部电极52A的上部电极53A。
4个下部电极51(固定电极)由两个下部电极51a、51b和两个下部电极51c、51d构成，其中，两个下部电极51a、51b在俯视时隔着下部电极52A且沿着第1方向(图9的(b)中的左右方向)排列，两个下部电极51c、51d隔着下部电极52A且沿着与第1方向垂直的第2方向(图9的(b)中的上下方向)排列。此外，4个下部电极51在俯视时分别与下部电极52A分离地配置。
两个下部电极51a、51b经由未图示的布线彼此电连接，且构成为彼此为相同电位。同样，两个下部电极51c、51d经由未图示的布线彼此电连接，且构成为彼此为相同电位。
上部电极53A(可动电极)具有4个可动部531A、固定于下部电极52A的固定部532A以及连结各可动部531A与固定部532A的连结部533A。
4个可动部531A与上述4个下部电极51对应地设置，各可动部531A与对应的下部电极51隔开间隔而相对。即，4个可动部531A由两个可动部531a、531b和两个可动部531c、531d构成，其中，两个可动部531a、531b隔着固定部532A，沿着第1方向(图9的(b)中的左右方向)排列，两个可动部531c、531d隔着固定部532A，沿着与第1方向垂直的第2方向(图9的(b)中的上下方向)排列。
在这样的上部电极53A的固定部532A上，配置有多个金属部54A。
在这样构成的电子部件1A中，在下部电极51a、51b和上部电极53A之间，施加周期性变化的第1电压(交变电压)，并且，在下部电极51c、51d和上部电极53A之间施加第2电压，该第2电压相比于第1电压，除了相位偏移180°以外，与第1 电压相同。
这样，可动部531a、531b在与下部电极51a、51b接近的方向和分离的方向上交替地移位而进行弯曲振动，并且，以与可动部531a、531b反相的方式，可动部531c、531d在与下部电极51c、51d接近的方向和分离的方向上交替地移位而进行弯曲振动。即，当可动部531a、531b在与下部电极51a、51b接近的方向上移位时，可动部531c、531d在与下部电极51c、51d分离的方向上移位，另一方面，当可动部531a、531b在与下部电极51a、51b分离的方向上移位时，可动部531c、531d在与下部电极51c、51d接近的方向上移位。
这样，通过使可动部531a、531b与可动部531c、531d反相地振动，能够使得从可动部531a、531b传到固定部532A的振动与从可动部531c、531d传到固定部532A的振动相互抵消。其结果是，能够减少这些振动经由固定部532A泄漏到外部的所谓振动泄漏，能够提高电子部件1A的振动效率。这样，在电子部件1A中，可动部531A的数量为多个，由此，能够减少从可动部531A向外部的振动泄漏。
在这样的电子部件1A中，在构成未图示的密封层的材料附着到振动元件5A的情况下，也容易产生意外的特性变化。此外，在这样的电子部件1A中，在未图示的布线层与顶部一起挠曲而与振动元件5A接触的情况下，也容易产生意外的特性变化。因此，在这样的电子部件1A中，在图9的(b)的由虚线表示的范围中设置遮挡部的开口部622A。
开口部622A在俯视时包含上部电极53A。由此，能够减少遮挡部与上部电极53A接触的情况。此外，开口部622A在俯视时包含由4个下部电极51的构成的整个组。由此，能够减少遮挡部与下部电极51接触而发生短路的情况。
＜第3实施方式＞
接下来，对本发明的第3实施方式进行说明。
图10是示出本发明的电子部件的第3实施方式的剖视图，图11是用于说明图10所示的电子部件具有的挠曲检测元件的俯视图。此外，图12是用于说明图10所示的电子部件的作用的图，图12的(a)是示出膜片部的状态的剖视图，图12的(b)是示出挠曲检测元件的状态的俯视图。
以下，对本发明的第3实施方式进行说明，不过，与以上述实施方式的不同点为中心进行说明，对于相同事项省略其说明。
第3实施方式除了具有膜片部并且具有作为挠曲检测元件的压电电阻元件来替代振动元件以外，与上述第1实施方式相同。
图10所示的电子部件1B构成为能够检测压力。该电子部件1B具有包含压电电阻元件5B以及膜片部20的基板2B来替代第1实施方式的电子部件1中的基板2。此处，膜片部20构成“功能部”。
基板2B具有SOI基板21B、设置在SOI基板21B的一个面上的绝缘膜22以及设置在绝缘膜22上的绝缘膜23。
SOI基板21B是依次层叠由单晶硅构成的硅层24(处理层)、由二氧化硅膜构成的二氧化硅层25(外包层)和由单晶硅构成的硅层26(器件层)而构成的。
在该基板2B中设置有膜片部20，该膜片部20比周围的部分薄，会因受压而挠曲变形。膜片部20是贯通硅层24而在SOI基板21B的下表面设置有底的凹部241而形成的。在这样的膜片部20中，凹部241的底面(二氧化硅层25)成为受压面251。此外，凹部241可通过蚀刻来形成。
在本实施方式的基板2B中，膜片部20由SOI基板21B的二氧化硅层25和硅层26、绝缘膜22以及绝缘膜23这4层构成。此外，凹部241也可以不贯通硅层24。
在这样的膜片部20的硅层26的与受压面251相反一侧(空腔部S侧)的面上，设置有多个压电电阻元件5B。
如图11所示，多个压电电阻元件5B由配置在膜片部20的外周部的多个压电电阻元件5a、5b、5c、5d构成。
与在俯视时呈四边形的膜片部20的4个边分别对应地配置有压电电阻元件5a、压电电阻元件5b、压电电阻元件5c、压电电阻元件5d。
压电电阻元件5a沿着与膜片部20的对应的边垂直的方向延伸。而且，压电电阻元件5a的两端部与1对布线261a电连接。同样，压电电阻元件5b沿着与膜片部20的对应的边垂直的方向延伸。而且，压电电阻元件5b的两端部与1对布线261b电连接。
另一方面，压电电阻元件5c沿着与膜片部20的对应的边平行的方向延伸。而且，压电电阻元件5c的两端部与1对布线261c电连接。同样，压电电阻元件5d沿着与膜片部20的对应的边平行的方向延伸。而且，压电电阻元件5d的两端部与1对布线261d电连接。
需要说明的是，以下，将布线261a、261b、261c、261d统称为“布线261”。
这样的压电电阻元件5B以及布线261例如分别由掺杂(扩散或注入)了磷、硼等杂质的硅(单晶硅)构成。此处，布线261中的杂质的掺杂浓度高于压电电阻元件5B中的杂质的掺杂浓度。此外，布线261也可以由金属构成。
此外，多个压电电阻元件5B构成为自然状态下的电阻值彼此相等。
以上说明那样的压电电阻元件5B通过布线261等构成了桥式电路(惠斯登电桥电路)。该桥式电路与提供驱动电压的驱动电路(未图示)连接。而且，该桥式电路输出与压电电阻元件5B的电阻值对应的信号(电压)。
在这样的电子部件1B中，空腔部S作为压力基准室而发挥作用，该压力基准室形成电子部件1B检测的压力的基准值。通过将空腔部S设为真空状态，可以将电子部件1B作为以真空状态为基准来检测压力的“绝对压力传感器”来使用，其方便性提高。
如图12的(a)所示，在这样的结构的电子部件1B中，在向受压面251施加压力P时，膜片部20朝空腔部S侧挠曲变形。如图12的(b)所示，随着该变形，压电电阻元件5a、5b、5c、5d变形，从而压电电阻元件5a、5b、5c、5d的电阻值发生变化。由此，压电电阻元件5a、5b、5c、5d所构成的桥式电路的输出发生变化，能够基于该输出，求出在受压面251上受到的压力的大小。
此外，在这样的作为压力传感器而使用的电子部件1B中，在构成密封层66的材料附着到膜片部20或压电电阻元件5B的情况下，容易产生意外的特性变化。因此，当在这样的压力传感器中应用本发明时，其效果显著。此外，在电子部件1B中，在遮挡层与顶部一起朝空腔部S的底部侧挠曲而与膜片部20接触的情况下，也容易产生意外的特性变化。因此，如果在这样的压力传感器中，减少遮挡层(遮挡部)与膜片部20接触的情况，则其效果显著。
2.电子设备
接下来，基于图13～图15，对应用了本发明的电子部件的电子设备(本发明的电子设备)进行详细说明。
图13是示出作为本发明的电子设备的第1例的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。在该图中，个人计算机1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部2000的显示单元1106构成，显示单元1106经由铰接结构部以能够转 动的方式支承于主体部1104。在这样的个人计算机1100中，内置有电子部件1(振荡器)。
图14是示出作为本发明的电子设备的第2例的移动电话(也包括PHS)的结构的立体图。在该图中，移动电话1200具有多个操作按钮1202、接听口1204以及通话口1206，在操作按钮1202与接听口1204之间，配置有显示部2000。在这样的移动电话1200中，内置有电子部件1(振荡器)。
图15是示出作为本发明的电子设备的第3例的数字静态照相机的结构的立体图。此外，在该图中，还简易地示出了与外部设备的连接。此处，通常的照相机利用被摄体的光像而使银盐相片胶卷感光，与此相对，数字静态照相机1300利用CCD(ChargeCoupledDevice：电荷耦合器件)等摄像元件，对被摄体的光像进行光电转换，生成摄像信号(图像信号)。
在数字静态照相机1300的壳体(机身)1302的背面设置有显示部100，构成为基于CCD的摄像信号进行显示，显示部100作为将被摄体显示为电子图像的取景器而发挥作用。此外，在壳体1302的正面侧(图中背面侧)，设置有包含光学透镜(摄像光学系统)及CCD等的受光单元1304。
在摄影者确认显示部100中显示的被摄体像并按下快门按钮1306时，该时刻的CCD的摄像信号被传送/保存到存储器1308中。此外，在该数字静态照相机1300中，在壳体1302的侧面，设置有视频信号输出端子1312和数据通信用的输入/输出端子1314。而且，如图所示，根据需要，分别使视频信号输出端子1312与电视监视器1430连接，使数据通信用的输入/输出端子1314与个人计算机1440连接。此外构成为，通过规定的操作，将存储器1308中保存的摄像信号输出到电视监视器1430或个人计算机1440。在这样的数字静态照相机1300中，内置有电子部件1(振荡器)。
以上说明的电子设备具有优异的可靠性。
此外，具有本发明的电子部件的电子设备除了可以应用于图13的个人计算机(移动型个人计算机)、图14的移动电话、图15的数字静态照相机以外，例如还可以应用于喷墨式喷出装置(例如喷墨打印机)、膝上型个人计算机、电视、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼器、电子记事本(也包含带通信功能的)、电子词典、电子计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、电视电话、防盗用视频监视器、电子双筒望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测 装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
3.移动体
图16是示出作为本发明的移动体的一例的汽车的结构的立体图。
在该图中，移动体1500具有车体1501和4个车轮1502，并构成为利用车体1501中设置的未图示的动力源(发动机)使车轮1502旋转。在这样的移动体1500中，内置有电子部件1(振荡器)。
以上说明那样的移动体具有优异的可靠性。此外，本发明的移动体不限于汽车，例如也可以应用于飞机、船舶、摩托车等各种移动体。
以上，基于图示的各实施方式对本发明的电子部件、电子设备以及移动体进行了说明，但本发明不限于此，各部分的结构可以置换为具有相同功能的任意结构。此外，也可以附加其它任意结构物。
此外，作为功能部，不限于上述实施方式的附图所述的结构，例如，也可以将可动部设为两端固定。此外，在上述实施方式中，以利用成膜来形成固定电极以及可动电极的情况为例进行了说明，但不限于此，例如，也可以通过对基板进行蚀刻来形成固定电极或可动电极。此外，功能部不限于振动元件或膜片，也可以是设置在密闭的空腔部的底部的各种部件或各种元件。
此外，遮挡部的开口部以及顶部的孔各自的形状、配置、大小不限于上述实施方式，例如，也可以省略图3的(a)所示的顶部641的孔642a或孔642b，还可以省略图3的(b)所示的遮挡部621的开口部622a或622b。此外，孔642以及开口部622可以分别具有宽度不同的部分，此外，也可以具有宽度连续或间断地变化的部分。