一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410050506.3

申请日:

2014.02.13

公开号:

CN104849955A

公开日:

2015.08.19

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/64申请日:20140213|||公开

IPC分类号:

G03F1/64(2012.01)I; G03F1/82(2012.01)I

主分类号:

G03F1/64

申请人:

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人:

张士健

地址:

201203上海市浦东新区张江路18号

优先权:

专利代理机构:

北京市磐华律师事务所11336

代理人:

高伟; 赵礼杰

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内容摘要

本发明提供一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法,涉及半导体技术领域。该掩膜板支撑装置,包括用于支撑掩膜板的框架以及设置于所述框架底部并与所述框架组成容置空间的底板;其中,所述框架的外侧设置有用于防止掩膜板水平移动的防滑挡板,所述防滑挡板的顶端高于所述框架的顶端。该掩膜板支撑装置,由于具有设置于框架底部并与框架组成容置空间的底板,可以在清洗掩膜板时防止掩膜板保护膜被清洗液腐蚀,因而在进行掩膜板清洗时,可以省略去除和安装掩膜板保护膜的步骤,降低工艺复杂度和成本。该清洗掩膜板的方法,应用了上述的掩膜板支撑装置,省略了去除和安装掩膜板保护膜的步骤,降低了工艺复杂度和成本。

权利要求书

权利要求书
1.  一种掩膜板支撑装置,其特征在于,包括用于支撑掩膜板的框架以及设置于所述框架底部并与所述框架组成容置空间的底板;其中,所述框架的外侧设置有用于防止掩膜板水平移动的防滑挡板,所述防滑挡板的顶端高于所述框架的顶端。

2.  如权利要求1所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述框架的各个侧壁的高度相同。

3.  如权利要求1所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述底板为矩形,所述框架由首尾相连的四个矩形的侧壁组成,其中,每个侧壁的底边与所述底板的一条边相连。

4.  如权利要求3所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述框架的至少两个相对的侧壁之上设置有所述防滑挡板。

5.  如权利要求3所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述框架的四个侧壁之上均具有所述防滑挡板,并且,所述防滑挡板首尾相连形成位于所述框架外侧的防滑框架。

6.  如权利要求1所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述防滑挡板的底端高于所述框架的底端。

7.  如权利要求1至6任一项所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述框架的顶端设置有用于吸附掩膜板的吸附装置。

8.  如权利要求1至6任一项所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述框架、所述底板与所述防滑挡板为一体成型的结构。

9.  如权利要求1至6任一项所述的掩膜板支撑装置,其特征在于,所述框架、所述底板与所述防滑挡板的材料为聚四氟乙烯。

10.  一种清洗掩膜板的方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S101:将掩膜板放置于如权利要求1所述的掩膜板支撑装置之上,其中,所述掩膜板的设置有掩膜板保护膜的一侧朝向所述框架与所述底板组成的容置空间;
步骤S102:对所述掩膜板进行清洗并进行干燥处理;
步骤S103:从所述掩膜板支撑装置上取下所述掩膜板。

说明书

说明书一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法。
背景技术
在半导体技术领域中,半导体器件的制程中的许多工艺步骤都需要通过光刻技术实现,而在光刻技术中,掩膜板作为不可或缺的设备,起着至关重要的作用。
掩膜板的清洁与否,直接关系着最终制得的半导体器件的良率。在半导体器件制程中,当发现掩膜板上存在污染物(例如杂质颗粒或其他污染物)时,一般就需要对掩膜板进行清洗。目前,对掩膜板进行清洗的方法主要包括如下三种:(1)使用氮气(N2)对污染物进行吹扫,以去除污染物;(2)使用蘸有丙酮的棉签对污染物进行擦拭去除;(3)使用清洗液对掩膜板进行清洗。其中,第一种和第二种清洗方法,去除污染物的效果往往并不理想。因此,一般都需要采用第三种清洗方法对掩膜板进行清洗。
现有技术中,一种典型的掩膜板,在使用过程中,需要在掩膜板100上设置掩膜板保护膜(pellicle)101,如图1A所示。其中,掩膜板保护膜(pellicle)的作用是防止在掩膜板的使用过程中杂质颗粒对掩膜板100的下表面造成污染。对于设置有掩膜板保护膜的掩膜板,在使用过程中,掩膜板100的上表面很有可能被污染。在现有技术中,采用上述第三种方法对该设置有掩膜板保护膜的掩膜板进行清洗时,一般包括如下步骤:
步骤E1:去除设置于掩膜板100上的掩膜板保护膜101,如图1B所示。其中,污染物600位于掩膜板100的上表面。
步骤E2:将掩膜板100放置于清洗装置的支撑件102上,使用清洗液对掩膜板100进行清洗,如图1C所示。清洗的方法,可以为 喷淋或其他方法。
步骤E3:将清洗完毕的掩膜板100进行旋转烘干,如图1D所示。
步骤E4:在掩膜板100上组装掩膜板保护膜101,如图1E所示。
上述这一掩膜板的清洗方法,由于需要在清洗前后分别拆装掩膜板保护膜101,因此,往往工艺比较复杂,且成本较高。
由此可见,在现有技术中,在清洗设置有掩膜板保护膜的掩膜板时,存在工艺复杂和成本较高的问题。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种掩膜板支撑装置,可以用于设置有掩膜板保护膜的掩膜板的清洗工艺中,能够简化清洗工艺,降低成本。
本发明实施例一提供一种掩膜板支撑装置,包括用于支撑掩膜板的框架以及设置于所述框架底部并与所述框架组成容置空间的底板;其中,所述框架的外侧设置有用于防止掩膜板水平移动的防滑挡板,所述防滑挡板的顶端高于所述框架的顶端。
其中,所述框架的各个侧壁的高度相同。
可选地,所述底板为矩形,所述框架由首尾相连的四个矩形的侧壁组成,其中,每个侧壁的底边与所述底板的一条边相连。
可选地,所述框架的至少两个相对的侧壁之上设置有所述防滑挡板。
可选地,所述框架的四个侧壁之上均具有所述防滑挡板,并且,所述防滑挡板首尾相连形成位于所述框架外侧的防滑框架。
可选地,所述防滑挡板的底端高于所述框架的底端。
可选地,所述框架的顶端设置有用于吸附掩膜板的吸附装置。
可选地,所述框架、所述底板与所述防滑挡板为一体成型的结构。
可选地,所述框架、所述底板与所述防滑挡板的材料为聚四氟乙烯。
本发明实施例二提供一种清洗掩膜板的方法,所述方法包括:
步骤S101:将掩膜板放置于掩膜板支撑装置之上,其中,所述掩膜板的设置有掩膜板保护膜的一侧朝向所述框架与所述底板组成 的容置空间;
步骤S102:对所述掩膜板进行清洗并进行干燥处理;
步骤S103:从所述掩膜板支撑装置上取下所述掩膜板。
本发明的掩膜板支撑装置,具有设置于框架底部并与框架组成容置空间的底板,可以在清洗掩膜板时防止掩膜板保护膜被清洗液腐蚀。在进行掩膜板清洗时,可以省略去除和安装掩膜板保护膜的步骤,降低工艺复杂度和成本。本发明的清洗掩膜板的方法,应用了该掩膜板支撑装置,省略了去除和安装掩膜板保护膜的步骤,降低了工艺复杂度和成本。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述,用来解释本发明的原理。
附图中:
图1A-1E为现有技术中的一种清洗掩膜板的方法的各步骤的示意图;
图2A为本发明实施例一的掩膜板支撑装置的一种俯视图;
图2B为本发明实施例一的掩膜板支撑装置的一种示意性剖视图;
图2C为本发明实施例一的掩膜板支撑装置的一种使用状态参考图;
图3A-3D为本发明实施例二的清洗掩膜板的方法的各步骤的示意图。
具体实施方式
在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本发明发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明,将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构,以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描 述如下,然而除了这些详细描述外,本发明还可以具有其他实施方式。
实施例一
下面,参照图2A和图2B来描述本发明实施例的掩膜板支撑装置。其中,图2A为本发明实施例一的掩膜板支撑装置的一种典型结构的俯视图;图2B为图2A中的掩膜板支撑装置的沿A-A线的示意性剖视图,图2C为本发明实施例一的掩膜板支撑装置的使用状态参考图。其中,图2C中的掩膜板支撑装置与图2B相同,为了更好地示意掩膜板支撑装置的结构,在图2C中示出了放置于该掩膜板支撑装置之上的掩膜板100(包括设于掩膜板100上的掩膜板保护膜101)以及用于夹持该掩膜板支撑装置的清洗装置的支撑件102。
如图2A和图2B所示,本发明实施例的掩膜板支撑装置200,包括用于支撑掩膜板的框架201以及设置于框架201的底部并与框架201组成容置空间的底板202。其中,框架201的外侧设置有顶端位置高于框架201的顶端的防滑挡板203,防滑挡板203主要作用在于防止放置于其上的掩膜板100的水平移动。
其中,框架201的各个侧壁的高度相同。
示例性地,如图2A所示,底板202为矩形,框架201由首尾相连的四个矩形的侧壁组成,每个侧壁的底边与底板202的一条边相连。进一步地,由于掩膜板一般为正方形,底部202优选为正方形。
在本实施例中,防滑挡板203应位于框架201的至少两个相对的侧壁之上。示例性地,图2A和图2B示出的掩膜板支撑装置200中,框架201的四个侧壁之上均具有防滑挡板203,并且,防滑挡板203首尾相连形成位于框架201外侧的防滑框架,如图2A所示。在实际应用中,防滑挡板203的长度可以小于或等于框架的侧壁的长度。
进一步地,可以使得防滑挡板203的底端高于框架201的底端,以在掩膜板支撑装置200的底部形成易于清洗装置的支撑件102夹持的结构,如图2B和2C所示。
进一步地,还可以在框架201的顶端设置用于吸附掩膜板的吸附装置(图中未示出),以进一步防止掩膜板的水平移动。示例性地,该吸附装置为真空吸盘。
示例性地,框架201、底板202与防滑挡板203为一体成型的结构。即,掩膜板支撑装置200为一体成型的结构。
其中,框架201、底板202与防滑挡板203的材料可以为聚四氟乙烯、可以防止清洗液腐蚀的合金或其他合适的材料。
由于该掩膜板支撑装置200具有底板202,因此,在对掩膜板进行清洗时,可以将掩膜板放置于该掩膜板支撑装置200之上,而将掩膜板上的掩膜板保护膜101置于框架201与底板202组成的容置空间内,保护掩膜板保护膜101不被清洗液腐蚀。因此,在进行掩膜板清洗时,可以免去去除和安装掩膜板保护膜101的步骤,降低工艺复杂度和成本。
本实施例的掩膜板支撑装置200,可以用于支撑各种掩膜板,在实际应用中,该掩膜板支撑装置200的规格以大小刚好容置相应的掩膜板为佳。如图2C所示,底板202的边长应稍大于掩膜板100的边长,框架201的高度应稍高于掩膜板保护膜101的下表面到掩膜板100的距离,框架201的相对的两个侧壁的内侧之间的距离应小于掩膜板100的边长但应大于掩膜板保护膜101的边长。下面,以一个具体的实例介绍一下该掩膜板支撑装置200的尺寸与相应的掩膜板的尺寸之间的关系。在现有技术中,一种6英寸的掩膜板的规格如下:掩膜板100与掩膜板保护膜101均为正方形,掩膜板的边长为152.4mm(6英寸),掩膜板的厚度为6.35mm,掩膜板保护膜的边长一般为105mm-120mm,掩膜板保护膜101的下表面到掩膜板100的距离一般为4.5mm-6mm。本发明实施例提供一种用于支撑该种掩膜板的掩膜板支撑装置,该掩膜板尺寸装置的尺寸规格如下:底板202为正方形,底板202的边长为153mm,框架201的每个侧壁的宽度为4mm,框架201外侧的防滑挡板203的顶端到底板202的底面的距离为15mm,防滑挡板203自身的高度为12mm,防滑挡板203的顶端高出框架201的高度为掩膜板的厚度6.35mm。
实施例二
本发明实施例提供一种清洗掩膜板的方法,其在清洗过程中使用实施例一中的掩膜板支撑装置200来支撑掩膜板。其中,图3A-3D 示出了本发明实施例二的清洗掩膜板的方法的各步骤的示意图。
本实施例的清洗掩膜板的方法,包括如下步骤:
步骤S101:将掩膜板100放置于掩膜板支撑装置200之上,其中,所述掩膜板100的设置有掩膜板保护膜101的一侧朝向掩膜板支撑装置200的框架201与底板202共同组成的容置空间,如图3A所示。
其中,污染物600位于掩膜板100的上表面(与掩膜板保护膜101所在的表面相对的另一表面),如图3A所示。
其中,掩膜板支撑装置200可以直接放置于现有技术中的清洗装置的支撑件102之上,如图1A所示。
步骤S102:对掩膜板100进行清洗并进行干燥处理。
其中,清洗的方法可以为喷淋清洗液,如图3B所示;干燥处理的方法可以为旋转干燥,如图3C所示。
步骤S103:从所述掩膜板支撑装置200上取下掩膜板100,如图3D所示。
经过上述步骤,掩膜板100上的污染物600被清洗去除,并且,掩膜板保护膜101未收到清洗液的腐蚀,如图3D所示。
本发明实施例的清洗掩膜板的方法,在清洗过程中采用了实施例一所述的掩膜板支撑装置200,该掩膜支撑装置200的底板202与框架201组成密闭的容置空间,可以保护掩膜板保护膜101使其免受清洗液的腐蚀。因此,在进行掩膜板清洗时,可以省略现有技术中的去除和安装掩膜板保护膜101的步骤,降低工艺复杂度和成本。
本发明已经通过上述实施例进行了说明,但应当理解的是,上述实施例只是用于举例和说明的目的,而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是,本发明并不局限于上述实施例,根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改,这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

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本发明提供一种掩膜板支撑装置和清洗掩膜板的方法,涉及半导体技术领域。该掩膜板支撑装置,包括用于支撑掩膜板的框架以及设置于所述框架底部并与所述框架组成容置空间的底板;其中,所述框架的外侧设置有用于防止掩膜板水平移动的防滑挡板,所述防滑挡板的顶端高于所述框架的顶端。该掩膜板支撑装置,由于具有设置于框架底部并与框架组成容置空间的底板,可以在清洗掩膜板时防止掩膜板保护膜被清洗液腐蚀,因而在进行掩膜板清洗时。

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