液晶显示装置及其制作方法.pdf

本发明公开了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：阵列基板、与阵列基板相对设置的彩色滤光基板、夹置在阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层，彩色滤光基板包括面向阵列基板表面设置的黑矩阵、色阻层、第一公共电极和平坦层，阵列基板包括多条扫描线，覆盖在扫描线表面的第一绝缘层，设置在第一绝缘层表面的第二绝缘层，多条设置在第一绝缘层表面的相互平行的数据线，设置在第一和第二绝缘层表面以及数据线表面的第三绝缘层，设置在第三绝缘层表面的第二公共电极，覆盖在第二公共电极和第三绝缘层表面的第四绝缘层，覆盖在第三绝缘层和第四绝缘层表面的像素电极，像素电极还与数据线相接触。本发明能够提高液晶显示装置的穿透率。

权利要求书
1.  一种液晶显示装置，其特征在于，该液晶显示装置包括：阵列基板、与该阵列基板相对设置的彩色滤光基板、夹置在该阵列基板和该彩色滤光基板之间的液晶层；
该彩色滤光基板包括面向该阵列基板表面设置的黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层；
该阵列基板包括多条扫描线，覆盖在该扫描线表面的第一绝缘层，设置在该第一绝缘层表面的第二绝缘层，多条设置在该第一绝缘层表面的相互平行的数据线，设置在该第一绝缘层和该第二绝缘层表面以及该数据线表面的第三绝缘层，设置在该第三绝缘层表面的第二公共电极，覆盖在该第二公共电极和该第三绝缘层表面的第四绝缘层，覆盖在该第三绝缘层和该第四绝缘层表面的像素电极，其中，该多条扫描线和该多条数据线相互交叉以限定出多个像素单元；该像素电极还与该数据线相接触。

2.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该阵列基板上还开设一过孔，该过孔位于该数据线的正上方并穿过该第三绝缘层和该第四绝缘层，且该过孔的底部与该数据线的表面相接触，该像素电极设置在该过孔的内壁面，且该像素电极与位于该过孔底部的数据线表面相接触。

3.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，给该彩色滤光基板上设置的该第一公共电极提供交流的公共电压，给该阵列基板上设置的该第二公共电极提供直流的公共电压。

4.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该第一绝缘层、该第三绝缘层以及该第四绝缘层的材料为氮化硅。

5.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，该第一公共电极、该第二公共电极以及该像素电极为透明导电材质。

6.  一种液晶显示装置的制作方法，其特征在于，其包括：
提供液晶显示装置的彩色滤光基板，并在该彩色滤光片基板上依次形成黑矩阵、色阻层、第一公共电极和平坦层；
形成阵列基板的第二玻璃基底，在该第二玻璃基底上方形成多条扫描线，在该扫描线表面和该第二玻璃基底表面形成第一绝缘层，并在该第一绝缘层表面形成第二绝缘层；
在该第一绝缘层表面形成多条相互平行的数据线，在该第一绝缘层表面、该第二绝缘层表面和该数据线表面形成第三绝缘层，在该第三绝缘层表面形成第二公共电极，在该第二公共电极表面和该第三绝缘层表面形成第四绝缘层；以及
在该第三绝缘层和该第四绝缘层表面覆盖像素电极，且使该像素电极与该数据线相接触。

7.  根据权利要求6所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于，使该像素电极与该数据线相接触包括：在该数据线的正上方开设一穿过该第三绝缘层和该第四绝缘层的过孔，且该过孔的底部与该数据线的表面相接触，在该过孔的内壁面形成该像素电极，且该像素电极与位于该过孔底部的该数据线表面相接触，并覆盖在该第三绝缘层和该第四绝缘层的表面。

8.  根据权利要求6所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于，液晶显示装置的制作方法还包括：给该彩色滤光基板上设置的该第一公共电极提供交流的公共电压，给该阵列基板上设置的该第二公共电极提供直流的公共电压。

9.  根据权利要求6所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于，该第一绝缘层、该第三绝缘层以及该第四绝缘层的材料为氮化硅。

10.  根据权利要求6所述的液晶显示装置的制作方法，其特征在于，该第一公共电极、该第二公共电极以及该像素电极为透明导电材质。

说明书液晶显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种液晶显示装置及其制作方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，目前在平板显示领域占主导地位。随着显示技术的快速发展，采用TN(twisted nematic，扭曲向列)技术架构的TN型液晶显示装置由于成本低廉以及响应速度快等多种优势，受到消费者的关注。
图1是现有的一种TN型液晶显示装置的局部剖面结构示意图。如图1所示，现有的TN型液晶显示装置，包括阵列基板11、彩色滤光基板12及夹置于阵列基板11和彩色滤光基板12之间的液晶层13。彩色滤光基板12包括基板及设置在基板面向阵列基板11一侧的表面的第一公共电极127以及第一配向层128。阵列基板11包括基板101及依次设置在基板101面对彩色滤光基板12一侧的表面的数据线103、第二公共电极105、像素电极106以及第二配向层107。其中，第二公共电极105设置在数据线103的一侧，且与数据线103位于同一层，第一配向层128、第二配向层107的摩擦方向相互垂直。当第一公共电极127、像素电极106之间没有外加电压时，此时TN型液晶显示装置能使偏振方向平行于入射线配向层方向的线偏振光转换为偏振方向与入射线偏振光的偏振方向相垂直的线偏振光出射；当第一公共电极127、像素电极106之间的外加电压大于等于阈值电压时，TN型液晶显示装置不改变入射线偏振光的偏振状态。在上述过程中，液晶层 13中的液晶分子均以一定的规律整齐排列。但是，实际中，由于第二公共电极105、数据线103之间也存在电场，而在第二公共电极105和数据线103之间电场的作用下，靠近数据线103的液晶分子排列极不规律，使得TN型液晶显示装置数据线103附近容易出现漏光现象，从而使得液晶显示装置的开口率和穿透率降低。为了解决上述问题，现有技术通常可以在彩色滤光基板12表面正对数据线103两侧布置一定宽度的不透明的材料，例如黑矩阵来阻挡光线泄漏。但是，这种方法由于一定宽度的黑矩阵的存在而容易导致液晶显示装置的有效显示面积减小、开口率降低、穿透率降低、亮度降低，进而影响液晶显示装置画面的显示质量。
发明内容
本发明提供一种液晶显示装置，解决上述液晶显示装置穿透率较低的问题。
所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：阵列基板、与阵列基板相对设置的彩色滤光基板、夹置在阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层，彩色滤光基板包括面向阵列基板表面设置的黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层，阵列基板包括多条扫描线，覆盖在扫描线表面的第一绝缘层，设置在第一绝缘层表面的第二绝缘层，多条设置在第一绝缘层表面的相互平行的数据线，设置在第一绝缘层和第二绝缘层表面以及数据线表面的第三绝缘层，设置在第三绝缘层表面的第二公共电极，覆盖在第二公共电极和第三绝缘层表面的第四绝缘层，覆盖在第三绝缘层和第四绝缘层表面的像素电极，其中，所述多条扫描线和所述多条数据线相互交叉以限定出多个像素单元；像素电极还与数据线相接触。
在本发明的一个实施例中，阵列基板上还开设一过孔，过孔位于数据线的正上方并穿过第三绝缘层和第四绝缘层，且过孔的底部与数据线的表面相接触，像素电极设置在过孔的内壁面，且像素电极与位于过孔底部的数据线表面相接触。
在本发明的一个实施例中，给彩色滤光基板上设置的第一公共电极提供交流的公共电压，给阵列基板上设置的第二公共电极提供直流的公共电压。
在本发明的一个实施例中，第一绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层的材料为氮化硅。
在本发明的一个实施例中，第一公共电极、第二公共电极以及像素电极为透明导电材质。
本发明实施例提供了一种液晶显示装置的制作方法，所述液晶显示装置的制作方法包括：提供液晶显示装置的彩色滤光基板，并在彩色滤光片基板上依次形成黑矩阵、色阻层、第一公共电极、和平坦层；形成阵列基板的第二玻璃基底，在第二玻璃基底上方形成多条扫描线，在扫描线表面和第二玻璃基底表面形成第一绝缘层，并在第一绝缘层表面形成第二绝缘层；在第一绝缘层表面形成多条相互平行的数据线，在第一绝缘层表面、第二绝缘层表面和数据线表面形成第三绝缘层，在第三绝缘层表面形成第二公共电极，在第二公共电极表面和第三绝缘层表面形成第四绝缘层；以及在第三绝缘层和第四绝缘层表面覆盖像素电极，且使像素电极与数据线相接触。
在本发明的一个实施例中，使像素电极与数据线相接触包括：在数据线的正上方开设一穿过第三绝缘层和第四绝缘层的过孔，且过孔的底部与数据线的表面相接触，在过孔的内壁面形成像素电极，且像素电极与位于过孔底部的数据线表面相接触，并覆盖在第三绝缘层和第四绝缘层的表面。
在本发明的一个实施例中，液晶显示装置的制作方法还包括：给彩色滤光基板上设置的第一公共电极提供交流的公共电压，给阵列基板上设置的第二公共电极提供直流的公共电压。
在本发明的一个实施例中，第一绝缘层、第三绝缘层以及第四绝缘层的材料为氮化硅。
在本发明的一个实施例中，第一公共电极、第二公共电极以及像素电极为透明导电材质。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
将阵列基板上的第二公共电极设置在第三绝缘层表面，第二公共电极位于数据线上方，因此可以屏蔽第二公共电极和数据线之间形成的电场，使得数据线上的电压变化对彩色滤光基板上设置的第一公共电极的公共电压影响很小，因此，彩色滤光基板上设置的第一公共电极的公共电压会很稳定，所以能够使数据线附近的液晶排列整齐，减少数据线附近的漏光，从而提升了液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是现有的一种TN型液晶显示装置的局部剖面结构示意图；
图2是本发明实施例的液晶显示装置的平面图；
图3是图2的液晶显示装置沿II-II的局部剖面结构示意图；
图4是提供给图2的液晶显示装置的电压的波形意图；
图5是比较例的液晶显示装置的平面图；
图6a是比较例的的液晶显示装置的位置-穿透率波形图；
图6b是比较例的液晶层中的液晶分子排列示意图；
图7a是本发明实施例的液晶显示装置的位置-穿透率波形图；
图7b是本发明实施例的液晶显示装置的液晶层中的液晶分子排列示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的液晶显示装置及其制作方法其具体实施方式、结构、特征及功效，详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例详细说明中将可清楚的呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
图2是本发明实施例的液晶显示装置的平面图。图3是图2的液晶显示装置沿II-II的局部剖面结构示意图。请参考图2和图3，本实施例的液晶显示装置300是TN型的液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)，但并不以此为限，例如也可以是主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示装置。液晶显示装置300包括：阵列基板301、与阵列基板301相对设置的彩色滤光基板303、夹置在阵列基板301和彩色滤光基板303之间的液晶层305。本实施例中，液晶层305中的液晶分子是TN型液晶。
其中，彩色滤光基板303包括第一玻璃基底311、设置在第一玻璃基底311表面的黑矩阵312、设置在第一玻璃基底311且和黑矩阵312间隔设置 的色阻层313、覆盖在色阻层313和黑矩阵312表面的第一公共电极316和覆盖在第一公共电极316表面的平坦层(Over Coat)318，即，平坦层318位于第一公共电极316的面向阵列基板301的一侧，具体地，该第一公共电极316设置于色阻层313和平坦层318中间，但并不以此为限，在其他实施例中，该第一公共电极316也可以设置于该第一玻璃基底311与黑矩阵312以及色阻层313之间，此外，该第一公共电极316还可以设置于色阻层313与黑矩阵312以及第一玻璃基底311之间。其中，黑矩阵312可由树脂材料形成，平坦层318可由有机绝缘材料形成。第一公共电极316为透明导电材质，例如氧化铟锡(ITO)等。
阵列基板301包括第二玻璃基底330，设置在第二玻璃基底330表面的多条扫描线331，覆盖在扫描线331表面和第二玻璃基底330表面的第一绝缘层341，设置在第一绝缘层341表面的第二绝缘层344，多条设置在第一绝缘层341表面的相互平行的数据线345，设置在第一绝缘层341表面、第二绝缘层344表面和数据线345表面的第三绝缘层350，设置在第三绝缘层350表面的第二公共电极343，覆盖在第二公共电极343表面和第三绝缘层350表面的第四绝缘层336，覆盖在第三绝缘层350和第四绝缘层336表面的像素电极334，像素电极334还与数据线345相接触。其中，数据线345与扫描线331相互交叉绝缘设置以限定出多个像素单元，第一绝缘层341、第三绝缘层350、以及第四绝缘层336的材料可以为SiNx(氮化硅)，第二公共电极343及像素电极334为透明导电材质，例如氧化铟锡(ITO)等。第二绝缘层344的材料可以为非晶硅(a-Si)或N型硅(n+Si)。
进一步地，本实施例中，阵列基板301上还开设一过孔355，过孔355位于数据线345的正上方并穿过第三绝缘层350和第四绝缘层336，且过孔355的底部与数据线345的表面相接触，像素电极334设置在过孔355的内壁面，且像素电极334与位于过孔355底部的数据线345表面相接触。
在本发明实施例中，由于阵列基板301的第三绝缘层350表面上设置的第二公共电极343使用透明导电材料制成，并且第二公共电极343位于数据线345上方，因导电材料具有屏蔽电场作用，因此第二公共电极343可以屏蔽第二公共电极343和数据线345之间形成的电场，能够使数据线345附近的液晶排列整齐，减少数据线345附近的漏光，因而可减小在彩色滤光基板303上设置的黑矩阵312的宽度，从而提升了液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。
图4是提供给图2的液晶显示装置的电压的波形意图。请参考图4，曲线DV1是数据线345上的电压变化曲线，曲线AV1是给阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压的变化曲线，曲线CFV1是给彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压的变化曲线，曲线GV1是扫描线331上的电压变化曲线。在本发明实施例中，给液晶显示装置提供两种公共电压：给阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压，用以屏蔽第二公共电极343和数据线345之间的干扰电场并与像素电极334形成储存电容；给彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压，可以有效防止液晶层305中的液晶被极化。并且，现有技术因第二公共电极设置于数据线一侧，且与数据线位于同一层，使得数据线上的电压变化时也会引起彩色滤光基板上设置的第一公共电极的电压发生变化，因此彩色滤光基板上设置的第一公共电极的电压也会不稳定。而本发明实施例中，阵列基板301上设置的第二公共电极343位于数据线345上方，因此可以屏蔽第二公共电极343和数据线345之间形成的电场，使得数据线345上的电压变化对彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压影响很小，彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压会很稳定，使得数据线345附近的液晶排列整齐，减少了数据线345附近的漏光，从而提升了液晶显示装置的开 口率、亮度和穿透率。此外，由于给彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压，而给阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压，第一公共电极316与第二公共电极343之间的电压差基本保持不变(如图4所示)，可以使得数据线345附近的液晶分子排列整齐，呈现不透光状态，可防止数据线345附近的漏光现象，进一步提升了液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。
下面为本发明实施例提供的液晶显示装置与比较例的液晶显示装置的穿透率(transmittance)模拟结果，比较例的液晶显示装置为现有的一种液晶显示装置。图5是比较例的液晶显示装置的平面图，请参考图5，该比较例的液晶显示装置与本发明实施例提供的液晶显示装置区别在于：比较例中，阵列基板上设置的第二公共电极位于数据线545的一侧，且给彩色滤光基板上设置的第一公共电极提供的公共电压，和给阵列基板上设置的第二公共电极提供的公共电压相同；本发明实施例中，第二公共电极343设置在第三绝缘层350的表面，并且给彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压，给阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压。与比较例相比，本发明实施例提供的液晶显示装置由于阵列基板301上设置的第二公共电极343位于数据线345上方，因此可以屏蔽第二公共电极343和数据线345之间形成的电场，使得数据线345上的电压变化对彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压影响很小，因此，彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压会很稳定，能够使数据线345附近的液晶排列整齐，减少数据线345附近的漏光，从而提升了液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。此外，由于给彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压，而给阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压，第一公共电极316与第二公共电极343之间的电压差基本保持不变(如图4所 示)，如此更进一步使得数据线345附近的液晶分子排列整齐，呈现不透光状态，防止了数据线345附近的漏光现象，进一步提升液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率，具体模拟结果可见图6a-7b。
图6a和图6b分别是比较例的液晶显示装置的位置-穿透率波形图及液晶层中的液晶分子排列示意图。图7a和图7b分别是本发明实施例的液晶显示装置的位置-穿透率波形图及液晶层中的液晶分子排列示意图。如图6a所示，曲线601是如图5所示的液晶显示装置的亮态穿透率随着相对应的阵列基板和彩色滤光基板的位置从左到右方向(即图6a中的x轴方向)的变化曲线，曲线603是如图5所示的液晶显示装置的暗态穿透率随着相对应的阵列基板和彩色滤光基板的位置从左到右方向(即图6a中的x轴方向)的变化曲线。如图7a所示，曲线701是本发明实施例的液晶显示装置的亮态穿透率随着相对应的阵列基板301和彩色滤光基板303的位置从左到右方向(即图7a中的x轴方向)的变化曲线，曲线703是本发明实施例的液晶显示装置的暗态穿透率随着相对应的阵列基板301和彩色滤光基板303的位置从左到右方向(即图7a中的x轴方向)的变化曲线。将图7a中本发明实施例的液晶显示装置的位置-穿透率波形701和图6a中比较例的液晶显示装置的位置-穿透率波形601进行比较可以看出，在相同的基板位置时，本发明实施例的液晶显示装置的亮态穿透率高于比较例的液晶显示装置的亮态穿透率。将图7a中本发明实施例液晶显示装置的位置-穿透率波形703和图6a中比较例的液晶显示装置的位置-穿透率波形603进行比较可以看出，在相同的基板位置时，本发明实施例的液晶显示装置的穿透率高于比较例的液晶显示装置的暗态穿透率。并且，如图5所示的液晶显示装置的因第二公共电极设置于数据线一侧，使得数据线上的电压变化时会引起彩色滤光基板上设置的第一公共电极的电压不稳定，且第二公共电极343和数据线345之间形成的电场无法屏蔽，使得数据线345附近的液晶排列不 整齐(如图6b所示)，数据线345附近出现漏光现象，从而降低了液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。本发明实施例的液晶显示装置300由于阵列基板301上设置的第二公共电极343位于数据线345上方，可以屏蔽第二公共电极343和数据线345之间形成的电场，使得数据线345上的电压变化对彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压影响很小，因此，彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压会很稳定，数据线345附近的液晶排列整齐，减少数据线345附近的漏光，从而提升了液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。此外，由于给彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压，而给阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压，第一公共电极316与第二公共电极343之间的电压差基本保持不变(如图4所示)，如此更进一步使得数据线345附近的液晶分子排列整齐(如图7b所示)，呈现不透光状态，从而防止了数据线345附近的漏光现象，进一步提升液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。
以下将对液晶显示装置300的制作方法作进一步说明。
首先，提供液晶显示装置300的彩色滤光基板303。本实施例中，液晶显示装置300包括阵列基板301、与阵列基板301相对设置的彩色滤光基板303、夹置在阵列基板301和彩色滤光基板303之间的液晶层305，但并不以此为限。彩色滤光基板303的制作步骤包括在彩色滤光片基板303上依次形成黑矩阵312、色阻层313、第一公共电极316、和平坦层318等结构的制作步骤，其为本领域技术人员较为熟知，在此不再赘述。
然后，形成阵列基板301的第二玻璃基底330，在第二玻璃基底330上方形成多条扫描线331，在扫描线331表面和第二玻璃基底330表面形成第一绝缘层341，并在第一绝缘层341表面形成第二绝缘层344。
然后，采用曝光显影蚀刻工艺在第一绝缘层341表面形成多条相互平 行的数据线345，在第一绝缘层341表面、第二绝缘层344表面和数据线345表面形成第三绝缘层350，在第三绝缘层350表面形成第二公共电极343，在第二公共电极343表面和第三绝缘层350表面形成第四绝缘层336。
接着，在该第三绝缘层350和第四绝缘层336表面覆盖像素电极334，且使像素电极334与数据线345相接触。具体地，使像素电极334与该数据线345相接触包括：在数据线345的正上方开设一穿过第三绝缘层350和第四绝缘层336的过孔355，且过孔355的底部与数据线345的表面相接触，在过孔355的内壁面形成像素电极334，且像素电极334与位于过孔355底部的数据线345表面相接触，并覆盖在第三绝缘层350和第四绝缘层336的表面。
其中，第一绝缘层341、第三绝缘层350、以及第四绝缘层336的材料可以为SiNx(氮化硅)，第二公共电极343及像素电极334为透明导电材质，例如氧化铟锡(ITO)等。第二绝缘层344的材料可以为非晶硅(a-Si)或N型硅(n+Si)。
此外，在制作完成像素电极334后还包括其他结构例如保护层的制作、贴附偏光片等，其为本领域技术人员较为熟知，在此不再赘述。
此外，本实施例中，液晶显示装置300的制作方法还包括：给该彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压，给该阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压。
综上所述，本实施例提供的液晶显示装置，通过将阵列基板301上的第二公共电极343设置在第三绝缘层350表面，第二公共电极343位于数据线345上方，可以屏蔽第二公共电极343和数据线345之间形成的电场，使得数据线345上的电压变化对彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压影响很小，因此彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316的公共电压会很稳定，能够使数据线345附近的液晶排列整齐，减少了 数据线345附近的漏光，从而提升液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。
此外，本发明实施例的液晶显示装置由于给彩色滤光基板303上设置的第一公共电极316提供交流的公共电压，而给阵列基板301上设置的第二公共电极343提供直流的公共电压，第一公共电极316与第二公共电极343之间的电压差基本保持不变(如图4所示)，如此更进一步使得数据线345附近的液晶分子排列整齐，呈现不透光状态，防止了数据线345附近的漏光现象，进一步提升液晶显示装置的开口率、亮度和穿透率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。