一种阵列基板检测方法和检测系统.pdf

本发明公开了一种阵列基板检测方法和检测系统，用以在对阵列基板进行像素检测之前，对该阵列基板进行颗粒检测，以避免阵列基板上的大颗粒对调节器造成损伤。所述系统包括电荷藕合器件图像传感器CCD、调节器、光信号处理装置、对焦装置和阵列基板，其中：光信号处理装置，设置于光源和调节器之间，用于向调节器传送光源发射的光信号；以及向CCD反射调节器反射的光信号；调节器，用于在对阵列基板包含的指定区域进行颗粒检测时，向光信号处理装置反射光信号；CCD，用于接收光信号处理装置反射的光信号；并将接收到的光信号传送至对焦装置；对焦装置，用于根据接收到的光信号的对焦行程确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过。

权利要求书
1.  一种阵列基板检测系统，其特征在于，包括电荷藕合器件图像传感器 CCD、调节器、光信号处理装置、对焦装置和阵列基板，其中：
所述光信号处理装置，设置于光源和调节器之间，用于向调节器传送所述 光源发射的光信号；以及向所述CCD反射所述调节器反射的光信号；
所述调节器，用于在对所述阵列基板包含的指定区域进行颗粒检测时，向 所述光信号处理装置反射光信号；
所述CCD，用于接收所述光信号处理装置反射的光信号；并将接收到的光 信号传送至所述对焦装置；
所述对焦装置，用于根据接收到的光信号的对焦行程确定对当前检测区域 的颗粒检测是否通过。

2.  如权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述对焦装置，具体用于确定接收到的光信号的对焦行程；比较所述对焦 行程与预设的对焦行程取值范围；根据比较结果确定对当前检测区域的颗粒检 测是否通过。

3.  如权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述对焦装置，具体用于确定所述对焦行程在预设的对焦行程取值范围之 外时，确定对当前检测区域的颗粒检测未通过；以及在所述对焦行程在预设的 对焦行程取值范围之内时，则确定对当前检测区域的颗粒检测通过。

4.  如权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述调节器，还用于在对所述阵列基板进行像素检测时，跳过颗粒检测未 通过的第一区域。

5.  如权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述调节器，还用于在对颗粒检测通过的第二区域进行像素检测时，向所 述光信号处理装置反射光信号；
所述光信号处理装置，用于向所述CCD反射所述调节器反射的光信号；
所述CCD，还用于针对所述第二区域，根据是否接收到所述光信号中的指 定分量确定对所述第二区域的像素检测是否通过。

6.  如权要求1所述的系统，其特征在于，
所述CCD接收所述调节器反射的光信号的表面设置有第一偏振片，用于 在接收到所述光信号处理装置反射的光信号之后，滤除所述光信号中、除S分 量以外的其余分量。

7.  如权利要求1～6任一权利要求所述的系统，其特征在于，所述调节器， 包括偏振分束器、第一透明电极、液晶盒、第二偏振片和第二透明电极，其中：
所述偏振分束器，用于反射接收到的光信号中的S分量，透过除S分量以 外的其余分量；
所述第一透明电极位于所述偏振分束器和液晶盒之间，所述第二透明电极 位于所述调节器的下表面；所述第一透明电极和第二透明电极用于在对所述阵 列基板进行颗粒检测时，通过施加电压在所述液晶盒中形成电场；
所述第二偏振片位于所述液晶盒和所述第二透明电极之间，用于透过接收 到的光信号中的S分量。

8.  一种基于权利要求1～7任一阵列基板检测系统的阵列基板检测方法， 其特征在于，包括：
在对所述阵列基板包含的指定区域进行颗粒检测时，CCD接收光信号处 理装置反射的光信号；
所述CCD将接收到的光信号传送给对焦装置，使得所述对焦装置根据接 收到的光信号的对焦行程确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过。

9.  如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对焦装置具体用于按照 以下方法确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过：
所述对焦装置根据接收到的光信号确定所述光信号的对焦行程；
所述对焦装置比较所述对焦行程与预设的对焦行程取值范围；
所述对焦装置根据比较结果确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过。

10.  如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对焦装置根据比较结果 确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过，具体包括：
如果所述对焦行程在预设的对焦行程取值范围外，则确定对当前检测区域 的颗粒检测未通过；
如果所述对焦行程在预设的对焦行程取值范围内，则确定对当前检测区域 的颗粒检测通过。

说明书一种阵列基板检测方法和检测系统
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板检测方法和检测系 统。
背景技术
现有的阵列基板检测方法主要有以下两种方式：第一种是电学方式，第二 种是光学方式。光学方式利用反射型液晶显示器件，通过测量反射光的光强， 判断阵列基板中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)器件是否正 常。
如图1所示，为用于光学方式进行阵列(Array)基板检测的调节器 (Modulator)的结构示意图，包括：偏振分束器11、位于偏振分束器11和液 晶盒13之间的透明电极(ITO，Indium Tin Oxides)12、液晶盒13和彩色镜片 14，其中，彩色镜片14位于调节器的下表面。
阵列基板检测过程如下：Modulator(调节器)与阵列基板保持50uM的距 离(通常为Modulator的彩色镜片距离阵列基板50uM)，检测时先给阵列基板 上所有像素施加电压，然后一边移动Modulator，一边检查TFT的状态。从光 源发射的光通过偏振分束器时，入射光中的P分量直接通过，S分量改变光路 后入射到液晶盒中。如果像素处于正常状态，那么透明电极与像素之间的电压 大于取值范围电压，液晶分子将垂直配向，入射到液晶盒上的S分量保持原来 的偏振状态，经彩色镜片反射，通过液晶盒和偏振分束器后返回到光源。如果 像素出现不良，那么透明电极与像素电极之间的电压为零，通过液晶盒的S分 量的偏振状态将发生变化，经彩色镜片反射后通过偏振分束器入射到CCD (Charge Coupled Device，电荷耦合器件图像传感器)中。
TFT生产过程中玻璃破碎造成的玻璃碎屑或大的颗粒会对进行阵列基板 检测的Modulator造成划伤，轻则造成重复性的假不良，重则造成阵列基板划 伤或Modulator内液晶泄露污染阵列基板，造成阵列基板报废，增大了生产成 本，所以降低Modulator划伤对降低生产成本至关重要。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板检测方法和检测系统，用以在对阵列基板 进行像素检测之前，对该阵列基板进行颗粒检测，以避免阵列基板上的大颗粒 对调节器造成损伤。
本发明实施例提供一种阵列基板检测系统，包括电荷藕合器件图像传感器 CCD、调节器、光信号处理装置、对焦装置和阵列基板，其中：
所述光信号处理装置，设置于光源和调节器之间，用于向调节器传送所述 光源发射的光信号；以及向所述CCD反射所述调节器反射的光信号；
所述调节器，用于在对所述阵列基板包含的指定区域进行颗粒检测时，向 所述光信号处理装置反射光信号；
所述CCD，用于接收所述光信号处理装置反射的光信号；并将接收到的光 信号传送至所述对焦装置；
所述对焦装置，用于根据接收到的光信号的对焦行程确定对当前检测区域 的颗粒检测是否通过。
所述对焦装置，具体用于确定接收到的光信号的对焦行程；比较所述对焦 行程与预设的对焦行程取值范围；根据比较结果确定对当前检测区域的颗粒检 测是否通过。
所述对焦装置，具体用于在所述对焦行程在预设的对焦行程取值范围外 时，确定对当前检测区域的颗粒检测未通过；以及在所述对焦行程在预设的对 焦行程取值范围内时，则所述对焦装置确定对当前检测区域的颗粒检测通过。
所述调节器，还用于在对所述阵列基板包含的指定区域进行像素检测时， 跳过颗粒检测未通过的第一区域。
所述调节器，还用于在对颗粒检测通过的第二区域进行像素检测时，向所 述光信号处理装置反射光信号；
所述光信号处理装置，用于向所述CCD反射所述调节器反射的光信号；
所述CCD，还用于针对所述第二区域，根据是否接收到所述光信号中的指 定分量确定对所述第二区域的像素检测是否通过。
所述CCD接收所述调节器反射的光信号的表面设置有第一偏振片，用于 在接收到所述光信号处理装置反射的光信号之后，滤除所述光信号中、除S分 量以外的其余分量。
所述调节器，包括偏振分束器、第一透明电极、液晶盒、第二偏振片和第 二透明电极，其中：
所述偏振分束器，用于反射接收到的光信号中的S分量，透过除S分量以 外的其余分量；
所述第一透明电极位于所述偏振分束器和液晶盒之间，所述第二透明电极 位于所述调节器的下表面；所述第一透明电极和第二透明电极用于在对所述阵 列基板进行颗粒检测时，通过施加电压在所述液晶盒中形成电场；
所述第二偏振片位于所述液晶盒和所述第二透明电极之间，用于透过接收 到的光信号中的S分量。
本发明实施例提供一种基于上述阵列基板检测系统的阵列基板检测方法， 包括：
在对所述阵列基板包含的指定区域进行颗粒检测时，CCD接收光信号处 理装置反射的光信号；
所述CCD将接收到的光信号传送给对焦装置，使得所述对焦装置根据接 收到的光信号的对焦行程确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过。
其中，所述对焦装置具体用于按照以下方法确定对当前检测区域的颗粒检 测是否通过：
所述对焦装置根据接收到的光信号确定所述光信号的对焦行程；
所述对焦装置比较所述对焦行程与预设的对焦行程取值范围；
所述对焦装置根据比较结果确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过。
所述对焦装置根据比较结果确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过，具 体包括：
如果所述对焦行程在预设的对焦行程取值范围外，则确定对当前检测区域 的颗粒检测未通过；
如果所述对焦行程在预设的对焦行程取值范围内，则确定对当前检测区域 的颗粒检测通过。
本发明实施例提供的阵列基板检测系统和检测方法，通过调节器将反射光 的光信号反射到CCD，并由CCD将接收到的光信号传送给对焦装置，对焦装 置根据接收到的光信号的对焦行程来判断对阵列基板的颗粒检测是否通过，上 述过程中，通过对阵列基板进行颗粒检测，避免了在对阵列基板进行像素检测 时，由于阵列基板上存在大颗粒时对调节器造成损伤。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明 书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可 通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获 得。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部 分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不 当限定。在附图中：
图1为现有技术中，调节器的结构示意图；
图2为本发明实施例中，阵列基板检测系统的结构示意图；
图3为本发明实施例中，Modulator的结构示意图；
图4为本发明实施中，Modulator的两电极之间不施加电压时的示意图；
图5a为本发明实施例中，对阵列基板进行颗粒检测时的第一种光信号传 递示意图；
图5b为本发明实施例中，对阵列基板进行颗粒检测时的第二种光信传递 示意图；
图6a为本发明实施例中，阵列基板上不存在大颗粒时的对焦行程确定示 意图；
图6b为本发明实施例中，阵列基板上存在大颗粒时的对焦行程确定示意 图；
图7为本发明实施例中，对阵列基板进行像素检测时的结构示意图；
图8为本发明实施例中，阵列基板检测方法的实施流程示意图。
具体实施方式
为了避免对阵列基板进行检测时，阵列基板上存在的大颗粒对调节器造成 损伤，本发明实施例提供一种阵列基板检测系统和检测方法。
在对阵列基板进行像素检测之前，需要将调节器(Modulator)移动至阵列 基板上方50um处，这个过程称为Gap。为了避免阵列基板上的大颗粒(如TFT 生产过程中的玻璃碎屑或者其他一些大的颗粒)对调节器造成损伤，本发明实 施例中，在Gap之前(即调节器与阵列基板之间的距离大于50um时)，首先 对阵列基板进行颗粒检测，只有颗粒检测通过后，才对对阵列基板进行像素检 测。
以下结合说明书附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所 描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明，并且在不 冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
如图2所示，为本发明实施例提供的阵列基板检测系统的结构示意图，包 括CCD21、调节器22、对焦装置23、阵列基板24和光信号处理装置25，其 中：
光信号处理装置25，设置于光源和调节器22之间，用于向调节器22传送 光源发射的光信号；以及向CCD21反射调节器22反射的光信号；
调节器22，用于在对阵列基板24包含的指定区域进行颗粒检测时，向光 信号处理装置25反射光信号；
CCD 21，用于接收光信号处理装置25反射的光信号；并将接收到的光信 号传送至对焦装置23；
对焦装置23，用于根据接收到的光信号的对焦行程确定对当前检测区域的 颗粒检测是否通过。
为了准确确定入射光的反射光的对焦行程，本发明实施例中提供了一种 Modulator。
如图3所示，为本发明实施例提供的Modulator的结构示意图。包括偏振 分束器31、第一透明电极32、液晶盒33、第二偏振片34和第二透明电极35， 其中：
偏振分束器31，用于反射接收到的光信号中的S分量，透过除S分量以外 的其余分量；
第一透明电极32位于偏振分束器31和液晶盒33之间，第二透明电极35 位于调节器22的下表面(即靠近阵列基本的一面)；第一透明电极32和第二 透明电极35用于在对阵列基板进行颗粒检测时，通过施加电压在液晶盒33中 形成电场；
第二偏振片34位于液晶盒33和第二透明电极35之间，用于透过接收到 的光信号中的S分量。
较佳的，具体实施时，偏振分束器32为半反半透型，对于光源发射的入 射光，偏振分束器32允许除光信号的S分量以外的其余分量通过，并反射光 信号中的S分量。
与现有的Modulator相比，本发明实施例提供的Modulator在下表面增加 一层导电的透明ITO膜，并将原有的彩色镜片替换为半反半透的偏振片(只透 过指定分量的偏振光)。
具体实施时，本发明实施例中，在CCD接收光信号的表面增加一层偏振 片，该偏振片用于滤除接收到的光信号中、除S分量以外的其余分量，也就是 说，只有光信号中的S分量可以通过CCD传送给聚焦装置。
如图4所示，为本发明实施中，在两透明电极之间不施加电压时的示意图。 由于两透明电极间无电压，入射到液晶盒上的S分量通过液晶层后偏振状态将 发生变化，到达液晶盒后，经液晶分子反射后，由于无法通过调节器的偏振片， 而被调节器的偏振片继续反射到达偏振分束器。
具体实施时，可以按照以下过程对阵列基板包含的指定区域进行颗粒检 测：在Gap之前在Modulator的两个透明电极之间施加电压，使得两透明电极 之间形成均匀的电场，在电场作用下，液晶分子将垂直配向，入射到液晶盒上 的S分量保持原来的偏振状态，偏振光通过液晶层到达阵列基板，反射后到达 偏振分束器，经偏振分束器反射后到达光信号处理装置，再经光信号处理装置 反射后，到达CCD，CCD表面的偏振片滤除其他分量，保留S分量进入CCD， 并由CCD传送给聚焦装置。在用于对阵列基板进行颗粒检测时，光信号的传 递过程如下：从光源发射出的光信号(为了便于描述，本发明实施例中称之为 入射光)，入射光经过光信号处理装置25后到达调节器22的偏振分束器31， 由于偏振分束器31反射光信号中的S分量，允许除S分量以外的其余分量透 过，即入射光到达偏振分束器31后，反射仅包含S分量的第一光信号，第一 光信号继续在调节器22中传播，经过第一透明电极、液晶盒、第二偏振片(仅 透过第一光信号中的S分量)、第二透明电极、到达阵列基板24，阵列基板反 射接收到的第一光信号，为了便于描述，将反射后的第一光信号称为第二光信 号，第二光信号依次经过第二透明电极。第二偏振片(仅透过第二光信号中的 S分量)、液晶盒、第一透明电极到达偏振分束器，偏振分束器反射第二光信号 中的S分量，假设称之为第三光信号，第三光信号到达光信号处理装置之后， 经光信号处理装置反射，到达CCD，由设置于CCD表面的第一偏振片滤除除 S分量以外的其余分量，透过S分量进入CCD，CCD将接收到的S分量传送 给聚焦装置，由聚焦装置确定接收到的光信号的聚焦行程。如图5a所示，为 阵列基板上不存在大颗粒(大于50um的颗粒)时的光信号传输示意图。
如图5b所示，为阵列基板存在大颗粒(大于50um的颗粒)时的光信号传 输示意图。其与阵列基板上不存在大颗粒(大于50um的颗粒)时的光信号传 输示意图类似，所不同的是，在存在大颗粒时，光信号在到达大颗粒时即被反 射。由于光信号的传输距离不同，因此，本发明实施例中，对焦装置可以根据 光信号的聚焦行程确定对阵列基板的颗粒检测是否通过。
较佳的，对焦装置13可以用于在接收到CCD发送的光信号之后，首先确 定光信号的对焦行程，比较确定出的对焦行程与预设的对焦行程取值范围，根 据比较结果对当前检测区域的颗粒检测是否通过。
具体的，对焦装置13可以包括自动对焦传感器和相应的相机，由于相机 的焦距为固定的，为了使成像清晰，必须使Modulator与阵列基板保持一定的 距离，当阵列基板上有大颗粒时，Modulator与大颗粒之间的距离不满足清晰 成像的条件，因此，需要Modulator抬高相应的高度，即需要增大聚焦行程。 如图6a所示，为阵列基板上不存在大颗粒时的聚焦行程确定示意图，如图6b 所示，其为阵列基板上存在大颗粒时的聚焦行程确定示意图。
基于上述原理，本发明实施例中，假设Modulator与阵列基板之间的距离 为H，则如果对焦行程L的取值范围为H≤L<H+l时，确定对焦成功，否则， 确定对焦失败其中，l<50um。较佳的，具体实施时，l可以为允许阵列基板上 存在的颗粒的最大直径确定。例如，如果允许阵列基板上存在的颗粒的最大直 径为30um，则l可以设置为30um。若果对焦成功，即对焦行程在预设的对焦 行程取值范围之内，说明对阵列基板的当前检测区域进行的颗粒检测通过，如 果对焦失败，即对焦行程在预设的对焦行程取值范围之外，说明对阵列基板的 当前检测区域进行的颗粒检测未通过。
具体实施时，在对阵列基板进行像素检测之前，通过将未通过颗粒检测的 区域预先设置不进行检测的区域，这样，Modulator在对阵列基板进行像素检 测时，可以跳过颗粒检测未通过的区域，仅对颗粒检测通过的区域进行检测， 防止对Modulator造成损伤。
具体实施时，在完成对阵列基板的颗粒检测之后，可以采用现有技术提供 的光学检测方式对阵列基板进行像素检测，也可以基于本发明实施例提供的阵 列基板检测系统对阵列基板进行像素检测。
如图7所示，为利用本发明实施例提供的阵列基板检测系统对阵列基板进 行像素检测的示意图，首先将Modulator移动至距离阵列基板上方50um处， 给阵列基板上所有像素施加电压，然后一边移动Modulator，一边检查TFT状 态。具体的，从光源发射的光通过偏振分束器时，入射光中除了S分量的其余 分量直接通过。S分量改变光路后入射到液晶盒中，如果像素处于正常状态(如 图7中编号为1的光信号的传播路径所示)，那么第一透明电极与像素之间的 电压大于阈值电压，液晶分子将垂直配向，入射到液晶盒上的S分量保持原来 的偏振状态，经第二偏振片和透明电极达到阵列基板后发生反射，再依次通过 第二透明电极、第二偏振光片、液晶盒、偏振分束器、光信号处理装置进入 CCD(光信号的传播过程与上述图5a中相同，这里不再赘述)。如果像素出现 不良(如图7中编号为2的光信号传输路径所示)，那么透明电极与像素电极 之间的电压为零，通过液晶盒的S分量的偏振状态将发生变化，发生变化后的 光信号无法透过第二偏振片，而是被第二偏振光片反射透过偏振分束器，如图 7所示，无法进入CCD中。因此，可以根据是否接收到光信号中的S分量确 定对阵列基板当前区域的像素检测是否通过，如果能够接收到，则说明像素良 好，否则说明像素不良。
需要说明的是，在对阵列基板进行像素检测时，无需进行上述的对焦过程。
基于同一发明构思，本发明实施例中还提供了阵列基板检测方法，由于上 述方法解决问题的原理与阵列基板检测系统相似，因此上述方法的实施可以参 见系统的实施，重复之处不再赘述。
如图8所示，为本发明实施例提供的阵列基板检测方法的实施流程示意图， 包括：
S81、在对阵列基板包含的指定区域进行颗粒检测时，CCD接收光信号 处理装置反射的光信号；
S82、CCD将接收到的光信号传送给对焦装置，使得对焦装置根据接收到 的光信号的对焦行程确定对当前检测区域的颗粒检测是否通过。
具体实施时，对焦装置可以按照以下步骤确定对当前检测区域的颗粒检测 是否通过：
步骤一、对焦装置根据接收到的光信号确定所述光信号的对焦行程；
步骤二、对焦装置比较所述对焦行程与预设的对焦行程取值范围；
步骤三、对焦装置根据比较结果确定对当前检测区域的颗粒检测是否通 过。
其中，步骤三中，如果对焦行程在预设的对焦行程取值范围外，则确定对 当前检测区域的颗粒检测未通过；如果对焦行程在预设的对焦行程取值范围 内，则确定对当前检测区域的颗粒检测通过。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基 本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要 求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发 明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及 其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。