一种液晶显示装置及其制备方法.pdf

本发明实施例提供了一种液晶显示装置及其制备方法，涉及显示技术领域，可有效提升检测偏光片贴附的效率以及精度。该液晶显示装置包括：彩膜基板、阵列基板、上偏光片和下偏光片；彩膜基板包括第一刻度标尺和第二刻度标尺；阵列基板包括第三刻度标尺和第四刻度标尺，且均位于非显示区域；第一刻度标尺用于测量上偏光片中相互平行的至少一个第一边到靠近的彩膜基板边缘的距离，第二刻度标尺用于测量上偏光片中相互平行的至少一个第二边到靠近的彩膜基板边缘的距离；第三刻度标尺用于测量下偏光片中相互平行的至少一个第三边到靠近的阵列基板边缘的距离，第四刻度标尺用于测量下偏光片中相互平行的至少一个第四边到靠近的阵列基板边缘的距离。

权利要求书
1.  一种液晶显示装置，包括：彩膜基板、阵列基板、位于所述彩 膜基板一侧的上偏光片和位于所述阵列基板一侧的下偏光片；其特征 在于，
所述彩膜基板包括第一刻度标尺和第二刻度标尺；所述阵列基板 包括第三刻度标尺和第四刻度标尺；
其中，所述第一刻度标尺、第二刻度标尺、第三刻度标尺和第四 刻度标尺均位于非显示区域；
所述第一刻度标尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第一边中 至少一个第一边到靠近的所述彩膜基板边缘的距离，所述第二刻度标 尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第二边中至少一个第二边到靠 近的所述彩膜基板边缘的距离；
所述第三刻度标尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第三边中 至少一个第三边到靠近的所述阵列基板边缘的距离，所述第四刻度标 尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第四边中至少一个第四边到靠 近的所述阵列基板边缘的距离。

2.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一 刻度标尺为一个；所述第二刻度标尺为一个。

3.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第三 刻度标尺为一个；所述第四刻度标尺为一个。

4.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一 刻度标尺和所述第二刻度标尺与所述彩膜基板中的黑矩阵层同层设 置。

5.  根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第三 刻度标尺和所述第四刻度标尺与所述阵列基板中的金属层同层设置且 绝缘。

6.  根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述第 三刻度标尺和所述第四刻度标尺所在的区域，除所述第三刻度标尺和 所述第四刻度标尺外，均为透明材料。

7.  根据权利要求1至6任一项所述的液晶显示装置，其特征在于， 沿刻度方向，所述第一刻度标尺和所述第二刻度标尺的一边与所述彩 膜基板的边缘齐平；
沿刻度方向，所述第三刻度标尺和所述第四刻度标尺的一边与所 述阵列基板的边缘齐平。

8.  根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一 刻度标尺、所述第二刻度标尺、所述第三刻度标尺和所述第四刻度标 尺的中心刻度均处于刻度标尺的中间位置；
所述第一刻度标尺的中心刻度与所述第一边的预定位置重合，所 述第二刻度标尺的中心刻度与所述第二边的预定位置重合，所述第三 刻度标尺的中心刻度与所述第三边的预定位置重合，所述第四刻度标 尺的中心刻度与所述第四边的预定位置重合。

9.  根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一 刻度标尺、所述第二刻度标尺、所述第三刻度标尺和所述第四刻度标 尺的长度在100-400μm之间。

10.  一种液晶显示装置的制备方法，包括：形成对盒成型的彩膜 基板和阵列基板、位于所述彩膜基板一侧的上偏光片和位于所述阵列 基板一侧的下偏光片；其特征在于，
形成所述彩膜基板包括：形成包括第一刻度标尺和第二刻度标尺 的所述彩膜基板；
形成所述阵列基板包括：形成包括第三刻度标尺和第四刻度标尺 的所述阵列基板；
其中，所述第一刻度标尺、第二刻度标尺、第三刻度标尺和第四 刻度标尺均位于非显示区域；
所述第一刻度标尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第一边中 至少一个第一边到靠近的所述彩膜基板边缘的距离，所述第二刻度标 尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第二边中至少一个第二边到靠 近的所述彩膜基板边缘的距离；
所述第三刻度标尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第三边中 至少一个第三边到靠近的所述阵列基板边缘的距离，所述第四刻度标 尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第四边中至少一个第四边到靠 近的所述彩膜基板边缘的距离。

11.  根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一刻度标 为一个；所述第二刻度标尺为一个。

12.  根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第三刻度标 尺为一个；所述第四刻度标尺为一个。

13.  根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一刻度标 尺和所述第二刻度标尺与所述彩膜基板中的黑矩阵层通过一次构图工 艺形成。

14.  根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第三刻度标 尺和所述第四刻度标尺与所述阵列基板中的金属电极通过一次构图工 艺形成，且所述第三刻度标尺和所述第四刻度标尺与所述金属电极绝 缘。

15.  根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述第三刻度 标尺和所述第四刻度标尺所在的区域，除所述第三刻度标尺和所述第 四刻度标尺外，均为透明材料。

说明书一种液晶显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示装置及其制备 方法。
背景技术
液晶显示器包括显示面板和上、下偏光片；所述显示面板包括阵 列基板、彩膜基板、以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液 晶层；所述下偏光片位于所述阵列基板远离所述液晶层的一侧，所述 上偏光片位于所述彩膜基板远离所述液晶层的一侧。其中，液晶显示 器的制作过程为：先形成阵列基板和彩膜基板，然后将阵列基板和彩 膜基板对盒形成显示面板，之后再制作上偏光片和下偏光片。
为了防止边缘漏光，上偏光片和下偏光片的面积需大于显示区域 的面积且贴附位置是一定的，其中由于受到工艺上的限制，在显示面 板上贴附上偏光片和下偏光片时，如图1和图2所示，上偏光片01 距离彩膜基板02的边缘、下偏光片03距离阵列基板04的边缘均会 具有一定的距离。
当上偏光片01和下偏光片03贴附好后，需要检测贴附精度，方 法为：操作员用具有一定精度的直尺手动测量图1中的a、b和图2 中的c、d的值，以判断上偏光片01和下偏光片03是否按照设计值 贴附。然而上偏光片01和下偏光片03的边距离彩膜基板02和阵列 基板04边缘的距离通常都很小，因此，用直尺测试对准很困难，从 而导致测试精度较差，效率也很低。
发明内容
本发明的实施例提供一种液晶显示装置及其制备方法，可有效提 升检测偏光片贴附的效率以及精度。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种液晶显示装置，包括：彩膜基板、阵列基板、 位于所述彩膜基板一侧的上偏光片和位于所述阵列基板一侧的下偏 光片；所述彩膜基板包括第一刻度标尺和第二刻度标尺；所述阵列基 板包括第三刻度标尺和第四刻度标尺；
其中，所述第一刻度标尺、第二刻度标尺、第三刻度标尺和第四 刻度标尺均位于非显示区域；
所述第一刻度标尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第一边 中至少一个第一边到靠近的所述彩膜基板边缘的距离，所述第二刻度 标尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第二边中至少一个第二边 到靠近的所述彩膜基板边缘的距离；
所述第三刻度标尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第三边 中至少一个第三边到靠近的所述阵列基板边缘的距离，所述第四刻度 标尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第四边中至少一个第四边 到靠近的所述阵列基板边缘的距离。
另一方面，提供了一种液晶显示装置的制备方法，包括：形成对 盒成型的彩膜基板和阵列基板、位于所述彩膜基板一侧的上偏光片和 位于所述阵列基板一侧的下偏光片；形成所述彩膜基板包括：形成包 括第一刻度标尺和第二刻度标尺的所述彩膜基板；形成所述阵列基板 包括：形成包括第三刻度标尺和第四刻度标尺的所述阵列基板；
其中，所述第一刻度标尺、第二刻度标尺、第三刻度标尺和第四 刻度标尺均位于非显示区域；
所述第一刻度标尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第一边 中至少一个第一边到靠近的所述彩膜基板边缘的距离，所述第二刻度 标尺用于测量所述上偏光片中相互平行的第二边中至少一个第二边 到靠近的所述彩膜基板边缘的距离；
所述第三刻度标尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第三边 中至少一个第三边到靠近的所述阵列基板边缘的距离，所述第四刻度 标尺用于测量所述下偏光片中相互平行的第四边中至少一个第四边 到靠近的所述彩膜基板边缘的距离。
本发明实施例提供了一种液晶显示装置及其制备方法，通过设置 在所述彩膜基板上的第一刻度标尺和第二刻度标尺可以直接读取或 在直接读取的基础上再计算得到上偏光片各边到相应的彩膜基板边 缘的距离，通过设置在阵列基板上的第三刻度标尺和第四刻度标尺可 以直接读取或在直接读取的基础上再计算得到下偏光片各边到相应 的阵列基板边缘的距离，从而得到上偏光片贴附在彩膜基板上的精度 以及下偏光片贴附在阵列基板上的精度；相比现有技术中通过手动拿 直尺测量偏光片贴附精度，本发明实施例可以避免手拿直尺导致偏差 的产生，从而可以提升检测偏光片的精度，此外，由于不再需要借助 直尺而可以直接读取，有效提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员 来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附 图。
图1为现有技术提供的在彩膜基板上贴附上偏光片的示意图；
图2为现有技术提供的在阵列基板上贴附下偏光片的示意图；
图3为本发明实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的彩膜基板的结构示意图一；
图4b为本发明实施例提供的彩膜基板的结构示意图二；
图5a为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图一；
图5b为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图二；
图6为本发明实施例提供的第一刻度标尺的示意图。
附图标记：
01-上偏光片；02-彩膜基板；03-下偏光片；04-阵列基板；11-上 偏光片的第一边；12-上偏光片的第二边；21-第一刻度标尺；22-第二 刻度标尺；31-下偏光片的第三边；32-下偏光片的第四边；41-第三刻 度标尺；42-第四刻度标尺。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进 行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没 有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的 范围。
本发明实施例提供了一种液晶显示装置，如图3所示，该液晶显 示装置包括：彩膜基板02、阵列基板04、位于所述彩膜基板02一侧 的上偏光片01和位于所述阵列基板04一侧的下偏光片03。
所述彩膜基板02包括第一刻度标尺21和第二刻度标尺22；所 述阵列基板04包括第三刻度标尺41和第四刻度标尺42。
其中，所述第一刻度标尺21、第二刻度标尺22、第三刻度标尺 41和第四刻度标尺42均位于非显示区域。
所述第一刻度标尺21用于测量所述上偏光片01中相互平行的第 一边11中至少一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离， 所述第二刻度标尺22用于测量所述上偏光片01中相互平行的第二边 12中至少一个第二边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离。
所述第三刻度标尺41用于测量所述下偏光片03中相互平行的第 三边31中至少一个第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离， 所述第四刻度标尺42用于测量所述下偏光片03中相互平行的第四边 32中至少一个第四边32到靠近的所述阵列基板04边缘的距离。
具体的，对于所述彩膜基板02，所述第一刻度标尺21可以用于 测量所述上偏光片01中一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边 缘的距离，即，如图4a所示，所述第一刻度标尺21可以为一个，其 可以位于与该一个第一边11对应的非显示区域中，在此情况下，另 一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离便可通过计算得 到，即：在已知两个第一边11之间的距离、彩膜基板02的与该第一 边平行的两个边之间的距离、一个第一边11到靠近的所述彩膜基板 02边缘的距离的基础上，便可以计算出另一个第一边11到靠近的所 述彩膜基板02边缘的距离。
当然，所述第一刻度标尺21也可以用于测量所述上偏光片01 中两个第一边11到分别靠近的所述彩膜基板02边缘的距离，即，如 图4b所示，所述第一刻度标尺21可以为两个，其分别位于与每个第 一边11对应的非显示区域中。
相应的，所述第二刻度标尺22可以用于测量所述上偏光片01 中一个第二边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离，即，如图 4a所示，所述第二刻度标尺22可以为一个，其可以位于与该一个第 二边12对应的非显示区域中，在此情况下，另一个第二边12到靠近 的所述彩膜基板02边缘的距离便可通过计算得到，即：在已知两个 第二边12之间的距离、彩膜基板02的与该第二边平行的两个边之间 的距离、一个第二边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离的基础 上，便可以计算出另一个第二边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的 距离。
当然，所述第二刻度标尺22也可以用于测量所述上偏光片01 中两个第二边12到分别靠近的所述彩膜基板02边缘的距离，即，如 图4b所示，所述第二刻度标尺22可以为两个，其分别位于与每个第 二边12对应的非显示区域中。
对于所述阵列基板04，所述第三刻度标尺41可以用于测量所述 下偏光片03中一个第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离， 即，如图5a所示，所述第三刻度标尺41可以为一个，其可以位于与 该一个第三边31对应的非显示区域中，在此情况下，另一个第三边 31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离便可通过计算得到，即：在 已知两个第三边31之间的距离、阵列基板04的与该第三边平行的两 个边之间的距离、一个第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距 离的基础上，便可以计算出另一个第三边31到靠近的所述阵列基板 04边缘的距离。
当然，所述第三刻度标尺41也可以用于测量所述下偏光片03 中两个第三边31到分别靠近的所述阵列基板04边缘的距离，即，如 图5b所示，所述第三刻度标尺41可以为两个，其分别位于与每个第 三边31对应的非显示区域中。
相应的，所述第四刻度标尺42可以用于测量所述下偏光片03 中一个第四边32到靠近的所述阵列基板04边缘的距离，即，如图 5a和5b所示，所述第四刻度标尺42可以为一个，其可以位于与该 一个第四边32对应的非显示区域中，在此情况下，另一个第四边32 到靠近的所述阵列基板04边缘的距离便可通过计算得到，即：在已 知两个第四边32之间的距离、阵列基板04的与该第四边平行的两个 边之间的距离、一个第四边32到靠近的所述阵列基板04边缘的距离 的基础上，便可以计算出另一个第四边32到靠近的所述阵列基板04 边缘的距离。
当然，所述第四刻度标尺42可以用于测量所述下偏光片03中两 个第四边32到分别靠近的所述阵列基板04边缘的距离，即，所述第 四刻度标尺42可以为两个，其分别位于与每个第四边32对应的非显 示区域中。
需要说明的是，第一，根据上述对彩膜基板02和阵列基板04 中相应刻度标尺的说明，在将所述彩膜基板02和阵列基板04对盒形 成液晶显示面板时，可以将所述彩膜基板的几种结构和阵列基板04 的几种结构自由进行组合，只要能通过设置在所述彩膜基板02和阵 列基板04中相应的刻度标尺得到上偏光片01中每一边到靠近的所述 彩膜基板02边缘的距离，下偏光片03中每一边到靠近的所述阵列基 板04边缘的距离即可。
第二，在彩膜基板02上，不对所述第一刻度标尺21和第二刻度 标尺22具体位于哪一层进行限定，只要能通过其测得上偏光片01中 至少一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离以及至少一 个第二边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离即可。
同理，在阵列基板04上，不对所述第三刻度标尺41和第四刻度 标尺42具体位于哪一层进行限定，只要能通过其测得下偏光片03中 至少一个第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离以及至少一 个第四边32到靠近的所述阵列基板04边缘的距离即可。
第三，不对所述刻度标尺的长度以及每个刻度进行限定，只要通 过其能测得希望的偏光片的精度偏差即可。
第四，不对所述彩膜基板02和所述阵列基板04的具体结构进行 限定。
本发明实施例提供了一种液晶显示装置，通过设置在所述彩膜基 板02上的第一刻度标尺21和第二刻度标尺22可以直接读取或在直 接读取的基础上再计算得到上偏光片01各边到相应的彩膜基板02边 缘的距离，通过设置在阵列基板04上的第三刻度标尺41和第四刻度 标尺42可以直接读取或在直接读取的基础上再计算得到下偏光片03 各边到相应的阵列基板04边缘的距离，从而得到上偏光片01贴附在 彩膜基板02上的精度以及下偏光片03贴附在阵列基板04上的精度； 相比现有技术中通过手动拿直尺测量偏光片贴附精度，本发明实施例 可以避免手拿直尺导致偏差的产生，从而可以提升检测偏光片的精 度，此外，由于不再需要借助直尺而可以直接读取，有效提高了生产 效率。
通过上述描述可知，在通过一个所述第一刻度标尺21测得上偏 光片01的一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离，通 过一个所述第二刻度标尺22测得上偏光片01的一个第二边12到靠 近的所述彩膜基板02边缘的距离的情况下，通过计算便可得到另一 个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离以及另一个第二边 12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离，因而，如图4a所示，优 选在彩膜基板02上设置一个所述第一刻度标尺21，一个所述第二刻 度标尺22。这样可以减少制作工艺的复杂度。
同理，在通过一个所述第三刻度标尺41测得下偏光片03的一个 第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离，通过一个所述第四 刻度标尺42测得下偏光片03的一个第四边32到靠近的所述阵列基 板04边缘的距离的情况下，通过计算便可得到另一个第三边31到靠 近的所述阵列基板04边缘的距离以及另一个第四边32到靠近的所述 阵列基板04边缘的距离，因而，如图5a所示，优选在阵列基板04 上设置一个所述第三刻度标尺41，一个所述第四刻度标尺42。这样 可以减少制作工艺的复杂度。
这里需要说明的是，由于阵列基板04上设置有pad(焊盘)， 因此，优选将所述第三刻度标尺41和第四刻度标尺42设置在非显示 区域的不设置pad的区域。
优选的，所述第一刻度标尺21和所述第二刻度标尺22与设置在 彩膜基板02上的黑矩阵层同层设置，即可以通过一次构图工艺既形 成黑矩阵层又形成所述第一刻度标尺21和所述第二刻度标尺22，从 而可以避免构图工艺次数的增加，节省成本。
优选的，所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42与设置在 阵列基板04上的金属层同层设置且绝缘，即可以通过一次构图工艺 既形成金属层又形成所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42， 从而可以避免构图工艺次数的增加，节省成本。
其中，所述金属层可以是包括栅极的栅金属层，包括源极和漏极 的源漏金属层，或是其他金属层，具体不做限定。
进一步优选的，在所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42 所在的区域，除所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42外，均 为透明材料。
这样，由于在所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42所在 的区域，只有所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42是不透明 的，因而可以很容易读取相应的数值，不会由于该区域还设置有其他 金属图案而影响读数，进一步提升了检测下偏光片03的精度。
基于上述，优选的，如图4a所示，沿刻度方向，所述第一刻度 标尺21和所述第二刻度标尺22的一边与所述彩膜基板02的边缘齐 平；如图5a所示，沿刻度方向，所述第三刻度标尺41和所述第四刻 度标尺42的一边与所述阵列基板04的边缘齐平。
这样可以降低制作刻度标尺的复杂度，且可以保证刻度标尺本身 与相应彩膜基板02和阵列基板04边缘之间的精度。
进一步优选的，所述第一刻度标尺21、所述第二刻度标尺22、 所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42的中心刻度均处于刻度 标尺的中间位置。
其中，所述第一刻度标尺21的中心刻度与所述第一边11的预定 位置重合，所述第二刻度标尺22的中心刻度与所述第二边12的预定 位置重合，所述第三刻度标尺41的中心刻度与所述第三边31的预定 位置重合，所述第四刻度标尺42的中心刻度与所述第四边32的预定 位置重合。
需要说明的是，以所述第一刻度标尺21为例，所述第一刻度标 尺21的中心刻度处于第一刻度标尺21的中间位置，即为：如图6所 示，所述第一刻度标尺21的起始刻度0处于所述第一刻度标尺21的 中间位置，并且以该起始刻度0为起点，向左向右对称的进行刻度设 置。
这里，还是以所述第一刻度标尺21为例，通过将所述第一刻度 标尺21的中心刻度与所述第一边11的预定位置重合，可以很方便且 直观的读取贴附后上偏光片01的第一边11偏离了预定位置多少。
上述图6仅示意的绘示了一些刻度，具体可根据实际情况进行设 定。
进一步优选的，所述第一刻度标尺21、所述第二刻度标尺22、 所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42的长度为100-400μm之 间。
其中，所述第一刻度标尺21、所述第二刻度标尺22、所述第三 刻度标尺41和所述第四刻度标尺42的长度可以相同，也可不同，在 此不做限定。
对于每个刻度标尺的精度可以根据实际的精度需求进行设置，例 如可以设置为20μm-50μm。
由于目前上偏光片01距离彩膜基板02边缘，下偏光片03距离 阵列基板04边缘一般都小于200μm，因此优选采用刻度标尺的长度 为200μm，刻度精度为20μm对偏光片精度的测量。
本发明实施例还提供了一种液晶显示装置的制备方法，包括：形 成对盒成型的彩膜基板02和阵列基板04、位于所述彩膜基板02一 侧的上偏光片01和位于所述阵列基板04一侧的下偏光片03；形成 所述彩膜基板02包括：形成包括第一刻度标尺21和第二刻度标尺 22的所述彩膜基板02；形成所述阵列基板04包括：形成包括第三刻 度标尺41和第四刻度标尺42的所述阵列基板04。
其中，所述第一刻度标尺21、第二刻度标尺22、第三刻度标尺 43和第四刻度标尺44均位于非显示区域。
所述第一刻度标尺21用于测量所述上偏光片01中相互平行的第 一边11中至少一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离， 所述第二刻度标尺22用于测量所述上偏光片01中相互平行的第二边 12中至少一个第二边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离。
所述第三刻度标尺41用于测量所述下偏光片03中相互平行的第 三边31中至少一个第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离， 所述第四刻度标尺42用于测量所述下偏光片03中相互平行的第四边 32中至少一个第四边32到靠近的所述阵列基板04边缘的距离。
具体的，对于所述彩膜基板02，如图4a所示，所述第一刻度标 尺21可以为一个，其可以形成在与该一个第一边11对应的非显示区 域中，在此情况下，另一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘 的距离可被计算。
如图4b所示，所述第一刻度标尺21也可以为两个，其分别形成 在与每个第一边11对应的非显示区域中。
如图4a所示，所述第二刻度标尺22可以为一个，其可以形成在 与该一个第二边12对应的非显示区域中，在此情况下，另一个第二 边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离可被计算。
如图4b所示，所述第二刻度标尺22也可以为两个，其分别形成 在与每个第二边12对应的非显示区域中。
对于所述阵列基板04，如图5a所示，所述第三刻度标尺41可 以为一个，其可以位于与该一个第三边31对应的非显示区域中，在 此情况下，另一个第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离可 被计算。
如图5b所示，所述第三刻度标尺41也可以为两个，其分别位于 与每个第三边31对应的非显示区域中。
如图5a和5b所示，所述第四刻度标尺42可以为一个，其可以 位于与该一个第四边32对应的非显示区域中，在此情况下，另一个 第四边32到靠近的所述阵列基板04边缘的距离可被计算。
当然，所述第四刻度标尺42也可以为两个，其分别位于与每个 第四边32对应的非显示区域中。
需要说明的是，第一，根据上述对彩膜基板02和阵列基板04 中相应刻度标尺的说明，在将所述彩膜基板02和阵列基板04对盒形 成液晶显示面板时，可以将所述彩膜基板的几种结构和阵列基板04 的几种结构自由进行组合，只要能通过形成在所述彩膜基板02和阵 列基板04中相应的刻度标尺得到上偏光片01中每一边到靠近的所述 彩膜基板02边缘的距离，下偏光片03中每一边到靠近的所述阵列基 板04边缘的距离即可。
第二，在彩膜基板02上，不对所述第一刻度标尺21和第二刻度 标尺22具体形成在哪一层进行限定，只要能通过其测得上偏光片01 中至少一个第一边11到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离以及至少 一个第二边12到靠近的所述彩膜基板02边缘的距离即可。
同理，在阵列基板04上，不对所述第三刻度标尺41和第四刻度 标尺42具体形成在哪一层进行限定，只要能通过其测得下偏光片03 中至少一个第三边31到靠近的所述阵列基板04边缘的距离以及至少 一个第四边32到靠近的所述阵列基板04边缘的距离即可。
第三，不对所述刻度标尺的长度以及每个刻度进行限定，只要通 过其能测得希望的偏光片的精度偏差即可。
第四，不对所述彩膜基板02和所述阵列基板04的除刻度标尺之 外的图案层的形成顺序进行限定。
本发明实施例提供了一种液晶显示装置，通过形成在所述彩膜基 板02上的第一刻度标尺21和第二刻度标尺22可以直接读取或在直 接读取的基础上再计算得到上偏光片01各边到相应的彩膜基板02边 缘的距离，通过形成在阵列基板04上的第三刻度标尺41和第四刻度 标尺42可以直接读取或在直接读取的基础上再计算得到下偏光片03 各边到相应的阵列基板04边缘的距离，从而得到上偏光片01贴附在 彩膜基板02上的精度以及下偏光片03贴附在阵列基板04上的精度； 相比现有技术中通过手动拿直尺测量偏光片贴附精度，本发明实施例 可以避免手拿直尺导致偏差的产生，从而可以提升检测偏光片的精 度，此外，由于不再需要借助直尺而可以直接读取，有效提高了生产 效率。
如图4a所示，对于所述彩膜基板02，优选形成在其上的所述第 一刻度标尺21为一个，所述第二刻度标尺22为一个。
如图5a所示，对于阵列基板04，优选形成在其上的所述第三刻 度标尺41为一个，所述第四刻度标尺42为一个。
这样，可以减少制作工艺的复杂度。
这里需要说明的是，由于阵列基板04上设置有pad，因此，优 选将所述第三刻度标尺41和第四刻度标尺42设置在非显示区域的不 设置pad的区域。
为了避免构图工艺次数的增加，优选所述第一刻度标尺21和所 述第二刻度标尺22与所述彩膜基板02中的黑矩阵层通过一次构图工 艺形成；优选所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42与所述阵 列基板04中的金属电极通过一次构图工艺形成，且所述第三刻度标 尺41和所述第四刻度标尺42与所述金属电极绝缘。
所述金属电极可以是栅极，或者源极和漏极等，具体不做限定。
进一步优选的，在所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42 所在的区域，除所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42外，均 为透明材料。
这样，由于在所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42所在 的区域，只有所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42是不透明 的，因而可以很容易读取相应的数值，不会由于该区域还设置有其他 金属图案而影响读数，进一步提升了检测下偏光片03的精度。
基于上述，优选的，如图4a所示，沿刻度方向，所述第一刻度 标尺21和所述第二刻度标尺22的一边与所述彩膜基板02的衬底基 板边缘齐平；如图5a所示，沿刻度方向，所述第三刻度标尺41和所 述第四刻度标尺42的一边与所述阵列基板04的衬底基板边缘齐平。
这样可以降低制作刻度标尺的复杂度，且可以保证刻度标尺本身 与相应彩膜基板02和阵列基板04边缘之间的精度。
进一步优选的，所述第一刻度标尺21、所述第二刻度标尺22、 所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42的中心刻度均处于刻度 标尺的中间位置。其中，所述第一刻度标尺21的中心刻度与所述第 一边11的预定位置重合，所述第二刻度标尺22的中心刻度与所述第 二边12的预定位置重合，所述第三刻度标尺41的中心刻度与所述第 三边31的预定位置重合，所述第四刻度标尺42的中心刻度与所述第 四边32的预定位置重合。
需要说明的是，以所述第一刻度标尺21为例，所述第一刻度标 尺21的中心刻度处于第一刻度标尺21的中间位置，即为：如图6所 示，所述第一刻度标尺21的起始刻度0处于所述第一刻度标尺21的 中间位置，并且以该起始刻度0为起点，向左向右对称的进行刻度设 置。
上述图6仅示意的绘示了一些刻度，具体可根据实际情况进行设 定。
进一步优选的，所述第一刻度标尺21、所述第二刻度标尺22、 所述第三刻度标尺41和所述第四刻度标尺42的长度为100-400μm之 间。
其中，所述第一刻度标尺21、所述第二刻度标尺22、所述第三 刻度标尺41和所述第四刻度标尺42的长度可以相同，也可不同，在 此不做限定。
对于每个刻度标尺的精度可以根据实际的精度需求进行设置，例 如可以设置为20μm-50μm。
由于目前上偏光片01距离彩膜基板02边缘，下偏光片03距离 阵列基板04边缘一般都小于200μm，因此优选采用刻度标尺的长度 为200μm，刻度精度为20μm对偏光片精度的测量。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并 不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范 围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。