一种无电弧断电保护开关控制电路.pdf

一种无电弧断电保护开关控制电路，包括：第一开关、第二开关、第一延时电路、第一可控开关、第二可控开关、第二延时电路和可控硅电路；所述第一开关的一端连接电源火线，另一端连接负载；所述第一延时电路用于对电源的输出进行整流以及控制第二可控开关的通断；所述第二延时电路用于控制第一可控开关的通断，并且所述第二延时电路的时间常数小于所述第一延时电路的时间常数；所述第二开关连接在第二延时电路的第二输入端与零线之间；所述可控硅电路连接在电源零线与负载之间。本发明的无电弧断电保护开关控制电路具有寿命长、结构简单、成本低的特点。

权利要求书1.  一种无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，包括：第一开关(SW1)、第二开关(S1)、第一延时电路(20)、第一可控开关(40)、第二可控开关(50)、第二延时电路(30)和可控硅电路(60)；所述第一开关(SW1)的一端连接电源火线，所述第一开关(SW1)的另一端连接负载；所述第一延时电路(20)的输入端与所述第一开关(SW1)的另一端连接，输出端分别与第一可控开关(40)的输入端和第二可控开关(50)的控制端连接，用于对电源的输出进行整流以及控制第二可控开关(50)的通断；所述第二延时电路(30)包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其中第一输入端与第二可控开关(50)的输出端连接，第二输入端与第二开关(S1)的一端连接，第一输出端与第一可控开关(40)的控制端连接，第二输出端与可控硅电路(60)的控制端连接，所述第二延时电路用于控制第一可控开关(40)的通断，并且所述第二延时电路(50)的时间常数小于所述第一延时电路(40)的时间常数；所述第二开关(S1)连接在第二延时电路(30)的第二输入端与零线之间；所述可控硅电路(60)连接在电源零线与负载之间。2.  根据权利要求1所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，所述第一开关(SW1)和第二开关(S1)为通过一个按钮进行联动的，所述按钮下压时第一开关(SW1)先闭合，第二开关(S1)再闭合；所述按钮复位时第二开关(S1)先断开，第一开关(SW1)再断开。3.  根据权利要求1所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，所述可控硅电路(60)包括双向可控硅(VS)和双向触发二极管(D1)，所述可控硅电路(60)的第一电极(T1)与电源零线连接，第二电极(T2)与 负载连接，控制端与双向触发二极管(D1)的一端连接；所述双向触发二极管(D1)的另一端与所述第二延时电路(30)的第二输出端连接。4.  根据权利要求1所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，所述第一延时电路(20)包括第一电阻(R1)、第一电容(C1)、第二电阻(R2)和整流电路(10)；所述整流电路(10)连接在电源火线与第一电阻(R1)之间，用于对电源的输出进行整流；所述第一电阻(R1)的一端与所述整流电路(10)连接，另一端分别与所述第一电容(C1)的一端、所述第一可控开关(40)的输入端和第二可控开关(50)的控制端连接；所述第一电容(C1)的另一端与电源零线连接；所述第二电阻(R2)跨接在所述第一电容(C1)的两端。5.  根据权利要求4所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，所述整流电路(10)为半波整流电路或全波整流电路。6.  根据权利要求1所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，所述第二延时电路(30)包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第二电容(C2)、第五电阻(R5)和第六电阻(R6)；所述第三电阻(R3)的一端与电源零线连接，另一端分别与所述第四电阻(R4)的一端和所述第一可控开关(40)的控制端连接；所述第四电阻(R4)的另一端分别与所述第二电容(C2)的一端和所述第二可控开关(50)的输出端连接；所述第二电容(C2)的另一端分别与所述第五电阻(R5)的一端、所述第六电阻(R6)的一端和所述可控硅电路(60)的控制端连接；所述第五电阻(R5)的另一端与电源零线连接；所述第六电阻(R6)的另一端与所述第二开关(S1)的一端连接。7.  根据权利要求6所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，所述第二延时电路(30)还包括变阻器(RV1)，所述变阻器(RV1)串联于所述第六电阻(R6)与所述第二开关(S1)之间，变阻器(RV1)的第一固定端与第六电阻(R6)的另一端连接，自由端与第二开关(S1)的一端连接。8.  根据权利要求7所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于， 还包括：第七电阻(R7)和二极管(D2)；所述第七电阻(R7)的一端与所述第四电阻(R4)的另一端连接，另一端与所述二极管(D2)的正极连接；所述二极管(D2)的负极与所述双向触发二极管(D1)的另一端连接。9.  根据权利要求1所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，所述第一可控开关(40)为三极管(Q1)；所述第二可控开关(50)为MOSFET管(Q2)；所述三极管(Q1)的射极和所述MOSFET管(Q2)的源极分别与电源零线连接；所述三极管(Q1)的集电极分别与所述MOSFET管(Q2)的栅极和所述第一延时电路(20)的输出端连接，基极与所述第二延时电路(30)的第一输出端连接；所述MOSFET管(Q2)的漏极与所述第二延时电路(30)的第一输入端连接。10.  根据权利要求1-9任一所述的无电弧断电保护开关控制电路，其特征在于，还包括：压敏电阻(VR1)；所述压敏电阻(VR1)并联在所述可控硅电路(60)的两端。

说明书一种无电弧断电保护开关控制电路
技术领域
本发明属于电开关领域，具体地说涉及一种无电弧断电保护开关控制电路。
背景技术
目前，交流接触器普遍利用电容并联在线路中作为功率因数补偿，该类交流接触器有电弧和较高的浪涌电流，且补偿电容易击穿，使用电寿命短，长期运行成本高。
可控硅电容投切开关有接通电容无浪涌，分断电容无电弧的优点，但由于其导通压降大、温升高、有较大谐波污染的问题存在，为此市场上出现了采用可控硅与机械触点并联结构的一种叫复合开关的电容投切开关，其具备接通压降低、接通电容无涌流、分断电容无电弧的优点，如图1所示，工作原理是利用可控硅与机械触点并联，可控硅触发导通信号由单一控制回路产生触发信号控制可控硅导通触发，在开关的机械触点接通前由控制回路在机械触点两端电压过零时对并联的可控硅提供触发信号控制可控硅导通，避免了接通的浪涌冲击电流；开关断开时，由控制电路再次触发可控硅，机械触点分离后，控制回路在延时一段时间后关断可控硅触发信号，完成无电弧断开过程。由于机械接触器断开存在一定的且不确定值的断开延时，为确保达到可靠断开无电弧的目的，需在机械触点分离后，可控硅要保持一段较长的导通时间，存在断开时可控硅需导通的工作时间长，导致使用寿命降低的缺点。且控制电路需要长时间通电工作，并需要有微处理器通过检测到开关的状态才能正确的做出判断处理，用这种电路实现无电弧断电保护功能成本高，结构复杂。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中的不足从而提出一种使用寿命长、结构简单、成本低的无电弧断电保护开关控制电路。
本发明的一种无电弧断电保护开关控制电路，包括：第一开关、第二开关、第一延时电路、第一可控开关、第二可控开关、第二延时电路和可控硅电路；
所述第一开关的一端连接电源火线，所述第一开关的另一端连接负载；
所述第一延时电路的输入端与所述第一开关的另一端连接，输出端分别与第一可控开关的输入端和第二可控开关的控制端连接，用于对电源的输出进行整流以及控制第二可控开关的通断；
所述第二延时电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其中第一输入端与第二可控开关的输出端连接，第二输入端与第二开关的一端连接，第一输出端与第一可控开关的控制端连接，第二输出端与可控硅电路的控制端连接，所述第二延时电路用于控制第一可控开关的通断，并且所述第二延时电路的时间常数小于所述第一延时电路的时间常数；
所述第二开关连接在第二延时电路的第二输入端与零线之间；
所述可控硅电路连接在电源零线与负载之间。
优选地，所述第一开关和第二开关为通过一个按钮进行联动的，所述按钮下压时第一开关先闭合，第二开关再闭合；所述按钮复位时第二开关先断开，第一开关再断开。
优选地，所述可控硅电路包括双向可控硅和双向触发二极管，所述可控硅电路的第一电极与电源零线连接，第二电极与负载连接，控制端与双向触发二极管的一端连接；所述双向触发二极管的另一端与所述第二延时电路的第二输出端连接。
优选地，所述第一延时电路包括第一电阻、第一电容、第二电阻和整流电路；所述整流电路连接在电源火线与第一电阻之间，用于对电源的输出进 行整流；所述第一电阻的一端与所述整流电路连接，另一端分别与所述第一电容的一端、所述第一可控开关的输入端和第二可控开关的控制端连接；所述第一电容的另一端与电源零线连接；所述第二电阻跨接在所述第一电容的两端。
优选地，所述整流电路为半波整流电路或全波整流电路。
优选地，所述第二延时电路包括第三电阻、第四电阻、第二电容、第五电阻和第六电阻；所述第三电阻的一端与电源零线连接，另一端分别与所述第四电阻的一端和所述第一可控开关的控制端连接；所述第四电阻的另一端分别与所述第二电容的一端和所述第二可控开关的输出端连接；所述第二电容的另一端分别与所述第五电阻的一端、所述第六电阻的一端和所述可控硅电路的控制端连接；所述第五电阻的另一端与电源零线连接；所述第六电阻的另一端与所述第二开关的一端连接。
优选地，所述第二延时电路还包括变阻器，所述变阻器串联于所述第六电阻与所述第二开关之间，变阻器的第一固定端与第六电阻的另一端连接，自由端与第二开关的一端连接。
优选地，还包括：第七电阻和二极管；
所述第七电阻的一端与所述第四电阻的另一端连接，另一端与所述二极管的正极连接；所述二极管的负极与所述双向触发二极管的另一端连接。
优选地，所述第一可控开关为三极管；所述第二可控开关为MOSFET管；所述三极管的射极和所述MOSFET管的源极分别与电源零线连接；所述三极管的集电极分别与所述MOSFET管的栅极和所述第一延时电路的输出端连接，基极与所述第二延时电路的第一输出端连接；所述MOSFET管的漏极与所述第二延时电路的第一输入端连接。
优选地，还包括：压敏电阻；所述压敏电阻并联在所述可控硅电路的两端。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
本发明通过设置具有较大时间常数的第一延时电路和具有较小时间常数的第二延时电路，使得在第一开关和第二开关同时闭合时接入输入电源的时候，电路中的第一可控开关先导通，从而限制第二可控开关导通，导致第二延时电路就不会工作，可控硅电路就不会导通，从而起到断电保护的功能。通过设置第二开关，实现了只有当第二开关闭合时，第一开关的闭合才能使得可控硅电路导通，进而实现了在第一开关接通时电路无电流通过的功能，即不会产生电弧，从而起到了保护触点的作用，延长了电路的使用寿命。
本发明中通过在双向可控硅的控制端上串接了一个双向二极管，该双向二极管起到了限压的作用，从而使提供给双向可控硅的触发电压限定在一个阈值范围内，避免当触发电压过大时损坏双向可控硅，起到了保护双向可控硅的作用，从而延长了电路的使用寿命。
本发明中通过在第二延时电路中设置变阻器，可改变第二延时电路的时间常数，从而起到了能够控制通过可控硅的电流大小，防止产生瞬间电流冲击，起到了保护可控硅的作用，从而延长了电路的使用寿命。
本发明中通过设置第七电阻和二极管，当调节变阻器时，使双向可控硅的工作状态可以从半波相位控制状态转变为全波相位控制状态，从而实现了在调节变阻器的过程中交直流自动转换调压变化的功能，从而延伸出具有无电弧+断电保护功能+调速功能的电开关。
本发明中由于可控硅元件对过电压非常敏感，且对过电流的承受能力不强，存在击穿隐患，安全稳定性较弱，尤其是在谐波稍大的情况下极易损坏，所以进一步地通过在可控硅的电极两端并联压敏电阻，可有效地避免可控硅损伤，进一步地起到了在雷击或浪涌条件下保护可控硅的作用，大大提高了电路的抗冲击能力，从而延长了电路的使用寿命。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是现有技术中的开关控制电路的电路图
图2是本发明实施例的无电弧断电保护开关控制电路的结构框图；
图3是本发明实施例的一种无电弧断电保护开关控制电路图；
图4是本发明实施例的另一种无电弧断电保护开关控制电路图；
图5是本发明实施例的又一种无电弧断电保护开关控制电路图。
图中附图标记表示为：1-无电弧断电保护开关控制电路，10-整流电路，20-第一延时电路，30-第二延时电路，40-第一可控开关，50-第二可控开关，60-可控硅电路，2-负载。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要注意的是，本文中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)用于在类似要素之间进行区别，并且不一定是描述特定的次序或者按时间的顺序。要理解，这样使用的这些术语在适当的环境下是可互换的，使得在此描述的主题的实施例如是能够以与那些说明的次序不同的次序或者以在此描述的另外的次序来进行操作。术语“连接”应被宽泛地理解并且指的是电连接、机械连接、或者以另外地连接两个或更多个元件或者信号，直接地或者通过中间电路和/或元件间接地连接。
图2示出了本发明实施例的无电弧断电保护开关控制电路的结构框图，如图2所示，本实施例的无电弧断电保护开关控制电路1包括第一开关SW1、第二开关S1、第一延时电路20、第一可控开关40、第二可控开关50、第二延时电路30和可控硅电路60。
所述第一开关SW1的一端连接电源火线，所述第一开关SW1的另一端连接负载；
所述第一延时电路20的输入端与所述第一开关SW1的另一端连接，输出端分别与第一可控开关40的输入端和第二可控开关50的控制端连接，用于对电源的输出进行整流以及控制第二可控开关50的通断；
所述第二延时电路30包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其中第一输入端与第二可控开关50的输出端连接，第二输入端 与第二开关S1的一端连接，第一输出端与第一可控开关40的控制端连接，第二输出端与可控硅电路60的控制端连接，用于控制第一可控开关40的通断，并且所述第二延时电路50的时间常数小于所述第一延时电路40的时间常数；
所述第二开关S1连接在第二延时电路30的第二输入端与零线之间；
所述可控硅电路60连接在电源零线与负载之间。
本实施例中第一开关SW1和第二开关S1对应于实体结构设计时，可以设计成为通常的按钮结构，优选地，该第一开关SW1和第二开关S1可以设计成为通过一个按钮进行联动的，更加优选地，可以设计成为在按钮下压过程中，先控制闭合第一开关SW1，再控制闭合第二开关S1；在按钮复位过程中，先控制断开第二开关S1，再控制断开第一开关SW1。
本实施例中，电路中可能存在以下几种工作状态：
状态1：在第一开关SW1和第二开关S1都闭合的情况下，接通输入电源，或者先接通电源，且在第二开关S1闭合的情况下，闭合第一开关SW1。
在状态1时，因为第一延时电路20的时间常数τ1大于第二延时电路30的时间常数τ2，所以第二延时电路30控制第一可控开关40先导通，并且因为第一可控开关40和第二可控开关50构成互锁电路，即当第一可控开关40导通后会锁定第二可控开关50一直处于关闭状态，当第二可控开关50导通后会锁定第一可控开关40一直处于关闭状态，第一可控开关40和第二可控开关50中只能有一个处于导通状态，所以第一可控开关40的导通限制了第二可控开关50的导通，即第二可控开关50会进入关闭状态，从而第二延时电路30状态因被锁定为无效，即不能产生触发信号，可控硅电路60得不到触发信号就不会导通，无电弧断电保护开关控制电路无输出，从而起到了断电保护的功能。
状态2：先接通输入电源，在第二开关S1未闭合的情况下，闭合第一开关SW1。
在状态2时，第一延时电路20控制第二可控开关50导通，因为第二开关S1未闭合，所以第二延时电路30就不会工作，从而可控硅电路60就不会导通，无电弧开关控制电路无输出，即电路中无电流通过，第一开关SW1的闭合就不会产生电弧，起到了保护触点的功能。
状态3：在状态2之后，再闭合第二开关S1。
在状态3时，因为第二开关S1闭合，所以第二延时电路30进入导通状态就会有触发信号输出，从而可控硅电路60就会导通，无电弧断电保护开关控制电路有输出。
本实施例中通过设置具有较大时间常数的第一延时电路和具有较小时间常数的第二延时电路，使得在第一开关和第二开关同时闭合时接入输入电源的时候，电路中的第一可控开关导通，从而限制第二可控开关导通，导致第二延时电路就不会工作，可控硅电路就不会导通，从而起到断电保护的功能。通过设置第二开关，实现了只有当第二开关闭合时，第一开关的闭合才能使得可控硅导通，进而实现了在第一开关接通时电路无电流通过的功能，即不会产生电弧，从而起到了保护触点的作用，延长了电路的使用寿命，即电气寿命和机械寿命相当，可按EN61058标准可以达到15万次以上，可以用于频繁操作、启动电流或断开电流较大的需要断电保护功能的产品上，尤其可以对应欧盟于2016年1月1日开始执行的新的电动工具安全标准：带LOCK-ON的具有危险性的电动工具。
作为一种优选地实现方式，如图2所示，可控硅电路60包括双向可控硅VS和双向触发二极管D1，所述可控硅电路60的第一电极T1与电源零线连接，第二电极T2与负载连接，控制端与双向触发二极管D1的一端连接；所述双向触发二极管D1的另一端与所述第二延时电路30的第二输出端连接。本领域的技术人员应当理解，可控硅电路不限于由上述具体电路来实现，也可以由其他电路来实现对可控硅的具体连接。
本可控硅电路中通过在双向可控硅的控制端上串接了一个双向触发二极管，该双向触发二极管和延时电路30一同起到了限压的作用，从而使提 供给双向可控硅的触发电压限定在一个阈值范围内，避免当触发电压和电流过大时损坏双向可控硅，起到了保护双向可控硅的作用，从而延长了电路的使用寿命。
本实施例中的第一可控开关40和第二可控开关50均可以选用常用的可控开关元件来实现，优选地，均可以选用三极管或者MOSFET管等。作为一种具体的实现方式，如图3所示，所述第一可控开关40为三极管Q1；所述第二可控开关50为MOSFET管Q2；所述三极管Q1的射极和所述MOSFET管Q2的源极分别与电源零线连接；所述三极管Q1的集电极分别与所述MOSFET管Q2的栅极和所述第一延时电路20的输出端连接，基极与所述第二延时电路30的第一输出端连接；所述MOSFET管Q2的漏极与所述第二延时电路30的第一输入端连接。本领域的技术人员应当理解，第一可控开关和第二可控开关不限于由上述具体电路来实现，也可以由其他电路来实现对第一可控开关和第二可控开关的具体连接。
作为一种具体的实现方式，如图3所示，第一延时电路20包括第一电阻R1、第一电容C1、第二电阻R2和整流电路(10)；所述整流电路(10)连接在电源火线与第一电阻(R1)之间，用于对电源的输出进行整流；所述第一电阻R1的一端与所述整流电路10连接，另一端分别与所述第一电容C1的一端、所述第一可控开关40的输入端和第二可控开关50的控制端连接；所述第一电容C1的另一端与电源零线连接；所述第二电阻R2跨接在所述第一电容C1的两端。
当第一可控开关40为三极管Q1；第二可控开关50为MOSFET管Q2时，如图3所示，第一延时电路20与其他电路的具体连接关系为：第一电阻R1的一端与整流电路10连接，另一端分别与第一电容C1的一端、三极管Q1的集电极和MOSFET管Q2的栅极连接；第一电容C1的另一端与电源零线连接；第二电阻R2跨接在第一电容C1的两端。本领域的技术人员应当理解，第一延时电路不限于由上述具体电路来实现，也可以由其他电路来实现延时控制的功能。
本实施例中的整流电路10可以选用常用的整流电路来实现，优选地，可以为半波整流电路或全波整流电路，更加优选地，全波整流电路可以为桥式整流电路。
作为一种具体的实现方式，第二延时电路30包括第三电阻R3、第四电阻R4、第二电容C2、第五电阻R5和第六电阻R6；所述第三电阻R3的一端与电源零线连接，另一端分别与所述第四电阻R4的一端和所述第一可控开关40的控制端连接；所述第四电阻R4的另一端分别与所述第二电容C2的一端和所述第二可控开关50的输出端连接；所述第二电容C2的另一端分别与所述第五电阻R5的一端、所述第六电阻R6的一端和所述可控硅电路60的控制端连接；所述第五电阻R5的另一端与电源零线连接；所述第六电阻R6的另一端与所述第二开关S1的一端连接。
当第一可控开关40为三极管Q1；第二可控开关50为MOSFET管Q2时，如图3所示，第一延时电路20与其他电路的具体连接关系为：第三电阻R3的一端与电源零线连接，另一端分别与第四电阻R4的一端和三极管Q1的基极连接；第四电阻R4的另一端分别与第二电容C2的一端和MOSFET管Q2的漏极连接；第二电容C2的另一端分别与第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端和双向触发二极管D1的另一端连接；第五电阻R5的另一端与电源零线连接；第六电阻R6的另一端与第二开关S1的一端连接。本领域的技术人员应当理解，第二延时电路不限于由上述具体电路来实现，也可以由其他电路来实现延时控制的功能。
作为另一种具体的实现方式，如图4所示，在上述一种具体的实现方式(如图3所示)的基础上，第二延时电路30还包括变阻器RV1，所述变阻器RV1串联于所述第六电阻R6与所述第二开关S1之间，变阻器RV1的第一固定端与第六电阻R6的另一端连接，自由端与第二开关S1的一端连接。
本实现方式中在状态3时，因为第二开关S1闭合，所以第二延时电路30就开始工作，从而可控硅电路60就会导通，无电弧断电保护开关控制电路有输出。之后滑动控制变阻器RV1的自由端使其接入电路中的阻值从大到小改变，从而第二延时电路30的时间常数也从大到小改变，可控硅电路的 控制端接收到的电压从小到大改变，使得可控硅电路中可控硅的导通角从小到大改变，从而起到控制通过可控硅的电流是从小到大逐渐增大的，所以不会产生瞬间电流冲击，起到保护双向可控硅的作用。
上述实现方式中通过在第二延时电路中设置变阻器，可改变第二延时电路的时间常数，从而起到了能够控制通过可控硅的电流大小，防止产生瞬间电流冲击，起到了保护可控硅的作用，从而延长了电路的使用寿命。
作为又一种具体的实现方式，如图5所示，在上述另一种具体的实现方式(如图4所示)的基础上，还包括：第七电阻R7和二极管D2；所述第七电阻R7的一端与所述第四电阻R4的另一端连接，另一端与所述二极管D2的正极连接；所述二极管D2的负极与所述双向触发二极管D1的另一端连接。
本实现方式中在状态3时，在滑动控制变阻器RV1的自由端使其接入电路中的阻值从大到小改变的过程中，由于电路中变阻器RV1和第七电阻R7的分压关系的存在，还能实现以下功能：当变阻器RV1和第七电阻R7的分压关系不能达到使得双向触发二极管D1导通的电压时，双向可控硅一直工作于半波相位控制状态(半波相位控制的优点是：控制电机的转速稳定，对于低转速启动优势明显，输出扭矩大)，当变阻器RV1和第七电阻R7的分压关系达到使得双向触发二极管D1导通的电压时，双向可控硅会自动转入工作于全波相位控制状态(全波相位控制状态的优点是：输出功率大)，从而实现了自动交直流转换调压变化的功能，即实现了带调速功能的无电弧断电保护开关功能。
作为一种更加优选地实现方式，在上述各实施例和实现方式中，还可以包括压敏电阻VR1；所述压敏电阻VR1并联在所述可控硅电路60的两端。优选地，压敏电阻VR1的一端与双向可控硅VS的第一电极T1连接，另一端与双向可控硅VS的第二电极T2连接。
由于可控硅元件对电压变化率非常敏感，对过电流的承受能力不强，存在击穿隐患，安全稳定性较弱，尤其是在谐波稍大或遭遇雷击的情况下极易损坏，本实施例进一步地通过在双向可控硅的电极两端并联压敏电阻，可有 效地避免双向可控硅损伤，进一步地延长了电路的寿命，可以通过浪涌2KV90°和2KV 270°分别连续10次的测试，并且其电路简单，成本低。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。