电子镇流器中灯管漏气时的保护电路.pdf

本发明公开了一种电子镇流器中灯管漏气时的保护电路。它包括可控硅和用于灯管自动重启的MOS管，所述的可控硅阴级接地，阳极通过电阻连接到振荡驱动电路的电源端和MOS管的源极，所述的可控硅的触发极连接第一控制信号；所述的MOS管的漏极接地，栅极连接第二控制信号。灯管正常工作时，可控硅截止。当灯管漏气时，第一控制信号控制可控硅触发导通，可控硅阳极将振荡驱动电路的电源端电压拉为零，振荡电路停振，由于可控硅具有续流特性，在当第一控制信号过后可持续导通，使电路维持保护状态。只有换灯时，第二控制信号使MOS管的栅极电压由高电平变为低电平，驱使振荡驱动电路重新起振工作。

1、  电子镇流器中灯管漏气时的保护电路，包括可控硅(Q4)和用于灯管自动重启的MOS管(Q3)，其特征在于所述的可控硅(Q4)阴级接地，阳极通过电阻(R24)连接到振荡驱动电路的电源端(Y)和MOS管(Q3)的源极，所述的可控硅(Q4)的触发极连接第一控制信号，所述的第一控制信号满足：灯管常态时为低电平，漏气时为高电平；所述的MOS管(Q3)的发射极接地，控制栅极连接第二控制信号，所述的第二控制信号满足：有灯管时为低电平，无灯管时为高电平。

2、  如权利要求1所述的电子镇流器中灯管漏气时的保护电路，其特征在于所述的第一控制信号通过以下电路获得：二极管(D9)的阳极连接到第二灯丝的引出端(H)，阴极连接到第一电阻(R22)的一端；电容(C8)和第二电阻(R23)并联后一端连接到所述第一电阻(R22)的另一端和所述可控硅(Q4)的触发端，另一端接地。

3、  如权利要求1或2所述的电子镇流器中灯管漏气时的保护电路，其特征在于所述的第一控制信号通过一个无灯管保护电路来获得。

电子镇流器中灯管漏气时的保护电路
技术领域
本发明涉及一种电子镇流器的保护电路，具体地说是一种电子镇流器中灯管漏气时的保护电路。
背景技术
当今电子镇流器的应用越来越广，对电子镇流器的要求也越来越高，尤其是一些保护方面的功能，特别是T5等细管径产品的出现，其对寿终和无灯管时的保护要求尤为突出，目前灯管寿终或无灯管接入时的保护及换灯管后能自动重起技术，通常采用芯片电路，例如PHILPS的镇流器保护电路采用2010T芯片技术，但该电路较复杂。另有一种灯管漏气时的保护电路，在灯管漏气后设置固定时间在不断地重启，而后又不断保护，直到换灯管后才停止，这样在没换灯管的那段时间给镇流器造成一定的伤害，同时重启时间若设置不够给换灯管时带来有一定的危险。
发明内容
本发明要解决的是现有技术中存在的上述问题，旨在提供一种结构相对简单的电子镇流器中灯管漏气时的保护电路，且该保护电路在换灯管前一直处在保护状态，直到换灯管后重启。
解决上述问题采用的技术方案是：电子镇流器中灯管漏气时的保护电路，包括可控硅和用于灯管自动重启的MOS管，所述的可控硅阴级接地，阳极通过电阻连接到振荡驱动电路的电源端和MOS管的源极，所述的可控硅的触发极连接第一控制信号，所述的第一控制信号满足：灯管常态时为低电平，漏气时为高电平；所述的MOS管的漏极接地，栅极连接第二控制信号，所述的第二控制信号满足：有灯管时为低电平，无灯管时为高电平。
本发明的灯管漏气时的保护电路，采用可控硅控制，在灯管正常工作时，可控硅截止。当灯管漏气时，第一控制信号控制可控硅触发导通，可控硅阳极将振荡驱动电路的电源端电压拉为零，振荡电路停振，由于可控硅具有续流特性，因而当第一控制信号过后，可控硅持续导通，使电路维持保护状态。只有换灯时，第二控制信号使MOS管的栅极电压由高电平变为低电平，MOS管源极输出高电平，使振荡驱动电路重新起振工作。
所述的第一控制信号通过以下电路获得：二极管的阳极连接到第二灯丝的引出端，阴极连接到第一电阻的一端；电容和第二电阻并联后一端连接到所述第一电阻的另一端和所述可控硅的触发端，另一端接地。正常工作时，第二灯丝的引出端电位为低电平，当漏气时该点电位上升到可控硅的触发电位，使可控硅导通，从而实现保护。
所述的第一控制信号通过一个无灯管保护电路来获得。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1是本发明的电子镇流器中灯管漏气时的保护电路的电路图。
图2是本发明MOS管Q3控制信号获得的一种实施方式的电路图。
图3是本发明MOS管Q3控制信号获得的另一种实施方式的电路图。
具体实施方式
参照图1，虚框I、II、III分别为电子镇流器的振荡驱动电路、镇流电路和本发明的保护电路，其中振荡芯片采用L6569。在本实施例中，电路中接入单根灯管LAMP1，具有第一灯丝DS1和第二灯丝DS2。虚框II中为本发明的电子镇流器中灯管漏气时的保护电路，包括可控硅Q4和用于灯管自动重启的MOS管Q3，所述的可控硅Q4阴级接地，阳极通过电阻R24连接到振荡驱动电路的电源端Y和MOS管Q3的源极，所述的可控硅Q4的触发极连接第一控制信号；所述的MOS管Q3的漏极接地，栅极连接第二控制信号。
所述的第一控制信号通过以下电路获得：二极管D9的阳极连接到第二灯丝的引出端H，阴极连接到第一电阻R22的一端；电容C8和第二电阻R23并联后一端连接到所述第一电阻R22的另一端和所述可控硅Q4的触发端，另一端接地。
灯管正常工作时，第二灯丝的引出端H点电位不足以使可控硅Q4导通。当灯管漏气时，流过电阻R9的电流增大，使H点电压上升，触发导通可控硅Q4，将振荡驱动电路的电源端电压拉为零，振荡芯片停振，使电路获得保护。同时，只要灯管在，所述MOS管Q3关断，此时电源通过电阻R24、R25向可控硅Q4提供维持电流，保持可控硅Q4的导通，使电路一直处在保护状态。换灯管时，第二控制信号使MOS管Q3开通，此时MOS管Q3的源极电压为0V，从而切断电源向可控硅Q4提供维持电流的回路，可控硅关断，振荡驱动电路重新起振，灯管又回到正常工作状态。
参照图2，所述的MOS管Q3的控制信号可以通过一个无灯管接入时的保护电路来获得。所述的无灯管接入时的保护电路，包括A1，所述地A1的输入正端A通过一个二极管D4连接到第二灯丝的电源引入端，同时所述的输入正端A还连接到一对串联于电源两端的电阻R16、R18的中点。所述的A1的输入负端B的连接到一对串联于电源两端的电阻R17、R19的中点，其电压通过两个电阻R17、R19分压获得。所述的A1的输出端通过二极管D6和电阻R20连接到所述MOS管Q3的栅极，所述MOS管Q3的漏极接地，源极连接到所述振荡驱动电路的电源端Y。所述第二灯丝的引出端串联电阻(R9)后接地。
为保证比较器A1的输入端电压满足：常态时负端B电压高于正端A电压；无灯管时负端B电压低于正端A电压，因而常态时将负端B电压设定为10V，正端A电压设定为5V，电阻R16和R18分压取15V。正常工作时，由于灯丝电阻只有2-3欧姆，电阻R9取值为小于1欧姆，输入正端A点电压等于被二极管D4、灯丝DS2、电阻R9对地旁路掉，电位很低只有1V左右，故比较器A1正常工作的时候输出低电平，电路正常工作。而灯管LAMP1不存在时等于是灯丝DS2电阻不存在，使输入正端A点电压只是R16和R18的分压，即15V，高于负端B点10V的电压，比较器A1输出高电位，通过二极管D6、电阻R20驱动MOS管Q3，使MOS管Q3开通将振荡芯片L6569电源Y点拉为0电压，振荡芯片L6569停振，电路处于保护状态，换灯管后电路参数恢复回原来设置值，电路自动重启。
参照图3，所述的MOS管Q3的控制信号还可以通过以下的无灯管接入时的保护电路来获得。该电路包括比较器A2，所述的比较器A2的正端B的电压通过两个电阻R17、R19分压获得；所述的比较器A2的负端C的电压通过以下电路获得：所述第一灯丝的电源引入端U通过电阻R4连接到电源，引出端串联电阻R6和二极管D3后连接到所述比较器A2的输出负端C；电容C4并联电阻R8后一端接地，另一端后连接到所述比较器A2的输出负端C。
为使所述的比较器A2的输入端电压满足：常态时负端C电压高于正端B电压；无灯管时负端C电压低于正端B电压，设定常态时负端C的电压为15V，这样正常工作时，比较器2输出低电平，MOS管Q3关断，振荡电路正常工作。当而灯管LAMP1不在时，即灯丝DS1不存在，使电源向负端C点提供电压的电路中断，负端C点电压降为0V，低于正端B点10V电压，故比较器A2输出高电平，通过二极管D5、电阻R20和MOS管Q3将振荡芯片L6569电源拉为0V，电路获得保护。换灯管后电路参数恢复回原来设置值，电路自动重启。
本发明同样适用于双灯管电路。
应该理解到的是：上述实施例只是对本发明的说明，而不是对本发明的限制，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，均落入本发明的保护范围之内。