光源及背光模组.pdf

本发明提供一种光源及背光模组。光源包括第一电极支撑体、第一透明导电层、第二透明导电层、第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层及第二电极，第一电极支撑体加载第一极性电压，且用于支撑第一透明导电层、第二透明导电层、第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层及第二电极，第一透明导电层及第二透明导电层依次设置于第一电极支撑体的同一表面上，第一导电型半导体层、有源层第二导电型半导体层依次设置于第二透明导电层的中部，第二电极设置于第二导电型半导体层的中部，第二电极加载第二极性电压，第一透明导电层及第二透明导电层的导电率分别为第一电导率及第二电导率，第一电导率小于第二电导率。

权利要求书1.  一种光源，其特征在于，所述光源包括第一电极支撑体、第一透明导电层、 第二透明导电层、第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层及第二 电极，所述第一电极支撑体加载第一极性电压，且用于支撑所述第一透明导电 层、所述第二透明导电层、所述第一导电型半导体层、所述有源层、所述第二 导电型半导体层及所述第二电极，所述第一透明导电层及所述第二透明导电层 依次设置于所述第一电极支撑体的同一表面上，所述第一导电型半导体层、所 述有源层所述第二导电型半导体层依次设置于所述第二透明导电层的中部，所 述第二电极设置于所述第二导电型半导体层的中部，所述第二电极加载第二极 性电压，所述第一透明导电层及所述第二透明导电层的导电率分别为第一电导 率及第二电导率，所述第一电导率小于所述第二电导率。 2.  如权利要求1所述的光源，其特征在于，所述第一透明导电层及所述第二 透明导电层长度相同，横截面积相同，所述第一透明导电层的电阻率大于所述 第二透明导电层的电阻率。 3.  如权利要求1所述的光源，其特征在于，所述第一透明导电层的材料与所 述第二透明导电层的材料相同，所述第一透明导电层的等效横截面积与所述第 二透明导电层的等效横截面积相同，且所述第一透明导电层的长度大于所述第 二透明导电层的长度。 4.  如权利要求3所述的光源，其特征在于，所述第一透明导电层包括第一部 分及两个第二部分，所述第一部分包括第一子表面、第二子表面、第三子表面 及第四子表面，所述第一子表面与所述第二子表面相对设置，两个第二部分分 别设置于所述第一子表面的中部及所述第二子表面的中部，所述第一部分的横 截面积大于所述第二部分的横截面积，所述第三子表面相较于所述第四子表面 邻近所述第一电极支撑体设置，所述第四子表面与所述第一透明导电层相连接， 所述第二透明导电层设置在所述第二部分上。 5.  如权利要求4所述的光源，其特征在于，所述光源还包括反射层，所述反 射层设置在所述第一透明导电层与所述第一电极支撑体之间。 6.  如权利要求5所述的光源，其特征在于，所述反射层包括第一反射部分及 两个第二反射部分，所述第一反射部分为凹槽，用于收容所述第一透明导电层 的第一部分，所述第二反射部分与所述连接所述第一反射部分的侧壁，并且设 置在所述第二部分与所述第一电极支撑体之间。 7.  如权利要求3所述的光源，其特征在于，所述第一透明导电层包括第一部 分及两个第二部分，所述第一部分包括第一子表面、第二子表面、第三子表面 及第四子表面，所述第一子表面与所述第二子表面相对设置，两个第二部分分 别设置在所述第一子表面邻近所述第一电极支撑体的端部，且所述第二部分邻 近所述第一电极支撑体的表面与所述第一部分邻近所述第一电极支撑体的表面 在同一平面内，所述第一部分的横截面积大于所述第二部分的横街面积，所述 第三子表面相较于所述第四子表面邻近所述第一电极支撑体设置，所述第四子 表面与所述第一透明导电层相连接，所述第二透明导电层设置在所述第二部分 上。 8.  如权利要求7所述的光源，其特征在于，所述光源还包括反射层，所述反 射层设置于所述第一透明导电层与所述第一电极支撑体之间。 9.  如权利要求1所述的光源，其特征在于，所述第一极性电压与所述第二极 性电压分别为正电压以及负电压，或者所述第一极性电压与所述第二极性电压 分别为负电压以及正电压。 10.  一种背光模组，其特征在于，所述背光模组包括如权利要求1至9任意 一项所述的光源。

说明书光源及背光模组
技术领域
本发明涉及平面显示领域，尤其涉及一种光源及背光模组。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)作为一种常用的光源，其通过化合 物半导体的PN结构成光源，并可以发出各种颜色的光。LED具有较长的使用 寿命，易于制造小尺寸且质量轻，具有较强的光方向性，抗冲击和抗震性能好 等优点，因而得到了广泛地应用。现有技术中，所述光源包括两个电极，两个 电极之间设置导电层及发光结构，两个电极之间的电流不能很好地流入发光结 构，从而导致LED的发光效率不高。
发明内容
本发明提供一种光源，所述光源包括第一电极支撑体、第一透明导电层、 第二透明导电层、第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层及第二 电极，所述第一电极支撑体加载第一极性电压，且用于支撑所述第一透明导电 层、所述第二透明导电层、所述第一导电型半导体层、所述有源层、所述第二 导电型半导体层及所述第二电极，所述第一透明导电层及所述第二透明导电层 依次设置于所述第一电极支撑体的同一表面上，所述第一导电型半导体层、所 述有源层所述第二导电型半导体层依次设置于所述第二透明导电层的中部，所 述第二电极设置于所述第二导电型半导体层的中部，所述第二电极加载第二极 性电压，所述第一透明导电层及所述第二透明导电层的导电率分别为第一电导 率及第二电导率，所述第一电导率小于所述第二电导率。
其中，所述第一透明导电层及所述第二透明导电层长度相同，横截面积相 同，所述第一透明导电层的电阻率大于所述第二透明导电层的电阻率。
其中，所述第一透明导电层的材料与所述第二透明导电层的材料相同，所 述第一透明导电层的等效横截面积与所述第二透明导电层的等效横截面积相 同，且所述第一透明导电层的长度大于所述第二透明导电层的长度。
其中，所述第一透明导电层包括第一部分及两个第二部分，所述第一部分 包括第一子表面、第二子表面、第三子表面及第四子表面，所述第一子表面与 所述第二子表面相对设置，两个第二部分分别设置于所述第一子表面的中部及 所述第二子表面的中部，所述第一部分的横截面积大于所述第二部分的横截面 积，所述第三子表面相较于所述第四子表面邻近所述第一电极支撑体设置，所 述第四子表面与所述第一透明导电层相连接，所述第二透明导电层设置在所述 第二部分上。
其中，所述光源还包括反射层，所述反射层设置在所述第一透明导电层与 所述第一电极支撑体之间。
其中，所述反射层包括第一反射部分及两个第二反射部分，所述第一反射 部分为凹槽，用于收容所述第一透明导电层的第一部分，所述第二反射部分与 所述连接所述第一反射部分的侧壁，并且设置在所述第二部分与所述第一电极 支撑体之间。
其中，所述第一透明导电层包括第一部分及两个第二部分，所述第一部分 包括第一子表面、第二子表面、第三子表面及第四子表面，所述第一子表面与 所述第二子表面相对设置，两个第二部分分别设置在所述第一子表面邻近所述 第一电极支撑体的端部，且所述第二部分邻近所述第一电极支撑体的表面与所 述第一部分邻近所述第一电极支撑体的表面在同一平面内，所述第一部分的横 截面积大于所述第二部分的横街面积，所述第三子表面相较于所述第四子表面 邻近所述第一电极支撑体设置，所述第四子表面与所述第一透明导电层相连接， 所述第二透明导电层设置在所述第二部分上。
其中，所述光源还包括反射层，所述反射层设置于所述第一透明导电层与 所述第一电极支撑体之间。
其中，所述第一极性电压与所述第二极性电压分别为正电压以及负电压， 或者所述第一极性电压与所述第二极性电压分别为负电压以及正电压。
本发明的光源包括第一电极支撑体、第一透明导电层、第二透明导电层、 第一导电型半导体层、有源层、第二导电层半导体层及第二电极，所述第一电 极支撑体加载第一极性电压，且用于支撑所述第一透明导电层、第二透明导电 层、第一导电型半导体层、有源层、第二导电层半导体层及第二电极。所述第 一导电型半导体层、所述有源层及所述第二导电型半导体层依次设置于所述第 二透明导电层的中部，所述第二电极设置于所述第二导电型半导体层的中部， 所述第二电极加载第二极性电压，所述第一透明导电层及所述第二透明导电层 的导电率分别为第一电导率及第二电导率，所述第一电导率小于所述第二电导 率。当所述第一电极支撑体与所述第二电极之间加载电压时，所述第一电极支 撑体与所述第二电极的电流的大部分能够通过所述第二透明导电层流入所述由 所述第一导电型半导体层、所述有源层及所述第二导电型半导体层组成的发光 结构，能够有效提高所述光源的发光效率。
本发明还提供了一种背光模组，所述背光模组包括前述各个实施方式任意 一个实施方式所述的光源。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施 例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述 中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付 出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式提供的光源的结构示意图。
图2为本发明另一较佳实施方式提供的光源的结构示意图。
图3为本发明又一较佳实施方式提供的光源的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1为本发明一较佳实施方式提供的光源的结构示意图。所述 光源10为发光二极管，所述光源10包括第一电极支撑体110、第一透明导电层 120、第二透明导电层130、第一导电型半导体层140、有源层150、第二导电型 半导体层160及第二电极170。所述第一电极支撑体110加载第一极性电压，且 用于支撑所述第一透明导电层120、所述第二透明导电层130、所述第一导电型 半导体层140、所述有源层150、所述第二导电型半导体层160及所述第二电极 170。所述第一透明导电层120及所述第二透明导电层130依次设置于所述第一 电极支撑体110的同一表面上。所述第一导电型半导体层140、所述有源层150、 所述第二导电型半导体层160及所述第二电极170依次层叠设置于所述第二透 明导电层130的中部。所述第二电极170设置于所述第二导电型半导体层160 的中部，所述第二电极170加载第二极性电压。所述第一透明导电层120及所 述第二透明导电层130的导电率分别为第一导电率及第二导电率，所述第一导 电率小于所述第二导电率。
所述第一透明导电层120的材质可以为但不仅限于为铟锡氧化物、铟锌氧 化物等。
优选地，所述光源10还包括反射层180，所述反射层180设置在所述第一 透明导电层120与所述第一电极支撑体110之间。所述反射层180用于使得透 光所述第一透明导电层120及所述第二透明导电层130的光子反射到所述第一 导电型半导体层140、所述有源层150及所述第二导电型半导体层160。
在本实施方式中，所述第一极性电压与所述第二极性电压分别为正电压以 及负电压。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一极性电压与所述第二极 性电压分别为负电压以及正电压。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120与所述第二透明导电层130的 长度相同，所述第一透明导电层120与所述第二透明导电层130的横截面积相 同，所述第一透明导电层120的电阻率大于所述第二透明导电层130的电阻率。 由于，电阻的公式如公式(1)所示。
R＝ρL/S  (1)
其中，R表示电阻，电阻的倒数即为电导率，ρ表示电阻率，L表示电阻的 长度，S表示横截面积。由公式(1)可见，电阻R与电阻率及长度L成正比， 与横截面积S成反比。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120与所述第二透明导电层130的 长度相同，所述第一透明导电层120与所述第二透明导电层130的横截面积相 同，所述第一透明导电层120的电阻率大于所述第二透明导电层130的电阻率， 因此，根据公式(1)，所述第一透明导电层120的电阻大于所述第二透明导电 层130的电阻。由于电导率为电阻的倒数，因此，所述第一透明导电层120的 电导率小于所述第二透明导电层130的电导率，即，所述第一电导率小于所述 第二电导率。
请参阅图2，图2为本发明另一较佳实施方式提供的光源的结构示意图。所 述光源10为发光二极管，所述光源10包括第一电极支撑体110、第一透明导电 层120、第二透明导电层130、第一导电型半导体层140、有源层150、第二导 电型半导体层160及第二电极170。所述第一电极支撑体110加载第一极性电压， 且用于支撑所述第一透明导电层120、所述第二透明导电层130、所述第一导电 型半导体层140、所述有源层150、所述第二导电型半导体层160及所述第二电 极170。所述第一透明导电层120及所述第二透明导电层130依次设置于所述第 一电极支撑体110的同一表面上。所述第一导电型半导体层140、所述有源层 150、所述第二导电型半导体层160及所述第二电极170依次层叠设置于所述第 二透明导电层130的中部。所述第二电极170设置于所述第二导电型半导体层 160的中部，所述第二电极170加载第二极性电压。所述第一透明导电层120及 所述第二透明导电层130的导电率分别为第一导电率及第二导电率，所述第一 导电率小于所述第二导电率。
所述第一透明导电层120的材质可以为但不仅限于为铟锡氧化物、铟锌氧 化物等。
优选地，所述光源10还包括反射层180，所述反射层180设置在所述第一 透明导电层120与所述第一电极支撑体110之间。所述反射层180用于使得所 述第一透明导电层120及所述第二透明导电层130的光反射到所述第一导电型 半导体层140、所述有源层150及所述第二导电型半导体层160。
在本实施方式中，所述第一极性电压与所述第二极性电压分别为正电压以 及负电压。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一极性电压与所述第二极 性电压分别为负电压以及正电压。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120的材料与所述第二透明导电层 130的材料相同，所述第一透明导电层120的等效横截面积与所述第二透明导电 层130的等效横截面积相同，且所述第一透明导电层的120的长度大于所述第 二透明导电层130的长度。由于，电阻的公式如公式(1)所示。
R＝ρL/S  (1)
其中，R表示电阻，电阻的倒数即为电导率，ρ表示电阻率，L表示电阻的 长度，S表示横截面积。由公式(1)可见，电阻R与电阻率及长度L成正比， 与横截面积S成反比。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120的材料与所述第二透明导电层 130的材料相同，即，所述第一透明导电层120的电阻率等于所述第二透明导电 层130的电阻率，所述第一透明导电层120的等效横截面积与所述第二透明导 电层130的等效横截面积相同，所述第一透明导电层120的长度大于所述第二 透明导电层130的长度，因此，根据公式(1)，所述第一透明导电层120的电 阻大于所述第二透明导电层130的电阻。由于电导率为电阻的倒数，因此，所 述第一透明导电层120的电导率小于所述第二透明导电层130的电导率，即， 所述第一电导率小于所述第二电导率。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120包括第一部分121及两个第二 部分122。所述第一部分121包括第一子表面121a、第二子表面121b、第三子 表面121c及第四子表面121d。所述第一子表面121a与所述第二子表面121b相 对设置，两个第二部分122分别设置于所述第一子表面121a的中部及所述第二 子表面121b的中部。所述第一部分121的横截面积大于所述第二部分122的横 截面积，所述第三子表面121c相较于所述第四子表面邻近所述第一电极支撑体 110设置。所述第四子表面121d与所述第一透明导电层120相连接，所述第二 透明导电层130设置在所述第二部分122上。由于所述第一透明导电层120的 结构，使得所述第二透明导电层130被分割成两部分，所述第二透明导电层130 的两部分分别设置于所述第二部分122上。
所述光源10还包括反射层180，所述反射层180设置在所述第一透明导电 层120与所述第一电极支撑体110之间。所述反射层180用于使得所述第一透 明导电层120及所述第二透明导电层130的光反射到所述第一导电型半导体层 140、所述有源层150及所述第二导电型半导体层160。所述反射层180包括第 一反射部分181及两个第二反射部分182，所述第一反射部分181为凹槽，用于 收容所述第一透明导电层120的所述第一部分121，所述第二反射部分182连接 所述第一反射部分181的侧壁，并且设置在所述第二部分122与所述第一支撑 体110之间。
请一并参阅图3，图3为本发明又一较佳实施方式提供的光源的结构示意图。 所述光源10为发光二极管，所述光源10包括第一电极支撑体110、第一透明导 电层120、第二透明导电层130、第一导电型半导体层140、有源层150、第二 导电型半导体层160及第二电极170。所述第一电极支撑体110加载第一极性电 压，且用于支撑所述第一透明导电层120、所述第二透明导电层130、所述第一 导电型半导体层140、所述有源层150、所述第二导电型半导体层160及所述第 二电极170。所述第一透明导电层120及所述第二透明导电层130依次设置于所 述第一电极支撑体110的同一表面上。所述第一导电型半导体层140、所述有源 层150、所述第二导电型半导体层160及所述第二电极170依次层叠设置于所述 第二透明导电层130的中部。所述第二电极170设置于所述第二导电型半导体 层160的中部，所述第二电极170加载第二极性电压。所述第一透明导电层120 及所述第二透明导电层130的导电率分别为第一导电率及第二导电率，所述第 一导电率小于所述第二导电率。
所述第一透明导电层120的材质可以为但不仅限于为铟锡氧化物、铟锌氧 化物等。
优选地，所述光源10还包括反射层180，所述反射层180设置在所述第一 透明导电层120与所述第一电极支撑体110之间。所述反射层180用于使得所 述第一透明导电层120及所述第二透明导电层130的光反射到所述第一导电型 半导体层140、所述有源层150及所述第二导电型半导体层160。
在本实施方式中，所述第一极性电压与所述第二极性电压分别为正电压以 及负电压。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一极性电压与所述第二极 性电压分别为负电压以及正电压。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120的材料与所述第二透明导电层 130的材料相同，所述第一透明导电层120的等效横截面积与所述第二透明导电 层130的等效横截面积相同，且所述第一透明导电层的120的长度大于所述第 二透明导电层130的长度。由于，电阻的公式如公式(1)所示。
R＝ρL/S  (1)
其中，R表示电阻，电阻的倒数即为电导率，ρ表示电阻率，L表示电阻的 长度，S表示横截面积。由公式(1)可见，电阻R与电阻率及长度L成正比， 与横截面积S成反比。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120的材料与所述第二透明导电层 130的材料相同，即，所述第一透明导电层120的电阻率等于所述第二透明导电 层130的电阻率，所述第一透明导电层120的等效横截面积与所述第二透明导 电层130的等效横截面积相同，所述第一透明导电层120的长度大于所述第二 透明导电层130的长度，因此，根据公式(1)，所述第一透明导电层120的电 阻大于所述第二透明导电层130的电阻。由于电导率为电阻的倒数，因此，所 述第一透明导电层120的电导率小于所述第二透明导电层130的电导率，即， 所述第一电导率小于所述第二电导率。
在本实施方式中，所述第一透明导电层120包括第一部分121及两个第二 部分122。所述第一部分121包括第一子表面121a、第二子表面121b、第三子 表面121c及第四子表面121d。所述第一子表面121a与所述第二子表面121b相 对设置，两个第二部分122分别设置于所述第一子表面121a邻近所述第一电极 支撑体110的端部，且所述第二部分122邻近所述第一电极支撑体110的表面 与所述第一部分121邻近所述第一电极支撑体110的表面在同一平面内。所述 第一部分121的横截面积大于所述第二部分122的横截面积，所述第三子表面 121c相较于所述第四子表面121d邻近所述第一电极支撑体110设置，所述第四 子表面121d与所述第一透明导电层120相连接，所述第二透明导电层130设置 在所述第二部分122上。
所述光源10还包括反射层180，所述反射槽180设置在所述第一透明导电 层120与所述第一电极支撑体110之间。所述反射层180用于使得所述第一透 明导电层120及所述第二透明导电层130的光反射到所述第一导电型半导体层 140、所述有源层150及所述第二导电型半导体层160。
本发明的光源10包括第一电极支撑体110、第一透明导电层120、第二透 明导电层130、第一导电型半导体层140、有源层150、第二导电层半导体层160 及第二电极170，所述第一电极支撑体110加载第一极性电压，且用于支撑所述 第一透明导电层120、第二透明导电层130、第一导电型半导体层140、有源层 150、第二导电层半导体层160及第二电极170。所述第一导电型半导体层140、 所述有源层150及所述第二导电型半导体层160依次设置于所述第二透明导电 层130的中部，所述第二电极170设置于所述第二导电型半导体层160的中部， 所述第二电极170加载第二极性电压，所述第一透明导电层120及所述第二透 明导电层130的导电率分别为第一电导率及第二电导率，所述第一电导率小于 所述第二电导率。当所述第一电极支撑体110与所述第二电极170之间加载电 压时，所述第一电极支撑体110与所述第二电极170的电流的大部分能够通过 所述第二透明导电层130流入所述由所述第一导电型半导体层140、所述有源层 150及所述第二导电型半导体层160组成的发光结构，能够有效提高所述光源 10的发光效率。
本发明还提供了一种背光模组，所述背光模组包括光源10，所述光源10请 参阅前述对光源10的描述，在此不再赘述。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发 明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流 程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。