一种阵列基板及其制作方法和显示面板.pdf

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，涉及显示技术领域，解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。该阵列基板包括：形成在衬底基板上的数据线、钝化层和形成在所述钝化层上的公共电极层，还包括：屏蔽电极层和阻挡层，其中：所述屏蔽电极层设置在所述数据线与所述钝化层之间；所述阻挡层设置在所述数据线与所述屏蔽电极层之间；所述屏蔽电极层接地；所述阻挡层的材料为具有绝缘作用的材料。本发明应用于显示面板的制作技术领域中。

权利要求书1.  一种阵列基板，所述阵列基板包括形成在衬底基板上的数据线、钝化层和形成在所述钝化层上的公共电极层，其特征在于，所述阵列基板还包括：屏蔽电极层和阻挡层，其中：所述屏蔽电极层设置在所述数据线与所述钝化层之间；所述阻挡层设置在所述数据线与所述屏蔽电极层之间；所述屏蔽电极层接地；所述阻挡层的材料为具有绝缘作用的材料。2.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成在所述钝化层下方的像素电极层，其中：所述屏蔽电极层与所述像素电极层同层形成。3.  根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极层与所述像素电极层的材料相同。4.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中：所述阻挡层还设置在所述薄膜晶体管上，覆盖所述薄膜晶体管中的有源层。5.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或者有机膜。6.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为7.  根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层的厚度为8.  根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽电极层的厚度为9.  一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：在衬底基板上形成数据线和钝化层，在所述钝化层上形成公共电极层，其特征在于，所述方法还包括：在所述数据线与所述钝化层之间形成屏蔽电极层；在所述数据线与所述屏蔽电极层之间形成第一阻挡层；其中，所述屏蔽电极接地；所述第一阻挡层的材料为具有绝缘作用的材料。10.  根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述钝化层下方形成像素电极层；所述在所述数据线上形成屏蔽电极层包括：采用与所述像素电极层相同的材料，与所述像素电极层同层在所述数据线上形成所述屏蔽电极层。11.  根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成覆盖所述薄膜晶体管的有源层的第二阻挡层；其中，所述第一阻挡层与所述第二阻挡层同层同材料形成。12.  根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或者有机膜。13.  一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1～8任一所述的阵列基板。

说明书一种阵列基板及其制作方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板。
背景技术
多维电场显示模式是液晶显示面板中的一种常用的显示模式。基于其固有结构限定，一种传统的多维电场显示模式显示面板的工艺流程主要是：栅线Gate→有源层Active→数据线SD→第一层氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)→钝化层→第二层ITO，其中第一层ITO是像素电极层，第二层ITO是公共电极层；而且，公共电极层是覆盖数据线的。
这样，由于公共电极层与数据线之间还会有其它非导电的膜层存在，因此公共电极层与数据线之间会产生较大的寄生电容，产生信号延迟；甚至，会使得显示在屏幕上的画面会出现图像泛绿的问题，严重影响画面的显示质量。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括形成在衬底基板上的数据线、钝化层和形成在所述钝化层上的公共电极层，其特征在于，所述阵列基板还包括：屏蔽电极层和阻挡层，其中：
所述屏蔽电极层设置在所述数据线与所述钝化层之间；
所述阻挡层设置在所述数据线与所述屏蔽电极层之间；
所述屏蔽电极层接地；所述阻挡层的材料为具有绝缘作用的材料。
可选的，所述阵列基板还包括形成在所述钝化层下方的像素电极层，其中：
所述屏蔽电极层与所述像素电极层同层形成。
可选的，所述屏蔽电极层与所述像素电极层的材料相同。
可选的，所述阵列基板还包括形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管，其中：
所述阻挡层还设置在所述薄膜晶体管上，覆盖所述薄膜晶体管中的有源层。
可选的，所述阻挡层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或者有机膜。
可选的，所述阻挡层的厚度为
可选的，所述阻挡层的厚度为
可选的，所述屏蔽电极层的厚度为
第二方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：在衬底基板上形成数据线和钝化层，在所述钝化层上形成公共电极层，所述方法还包括：
在所述数据线与所述钝化层之间形成屏蔽电极层；
在所述数据线与所述第一阻挡层之间形成第一阻挡层；
其中，所述屏蔽电极接地；所述第一阻挡层的材料为具有绝缘作用的材料。
可选的，所述方法还包括：
在所述钝化层下方形成像素电极层；
所述在所述数据线上形成屏蔽电极层包括：
采用与所述像素电极层相同的材料，与所述像素电极层同层在所述数据线上形成所述屏蔽电极层。
可选的，方法还包括：
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成覆盖所述薄膜晶体管的有源层的第二阻挡层；
其中，所述第一阻挡层与所述第二阻挡层同层同材料形成。
可选的，所述阻挡层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或者有机膜。
第三方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括第一方面所述的任一阵列基板。
本发明的实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示面板，通过在阵列基板的数据线上形成一层阻挡层，并在阻挡层与公共电极层之间形成一层屏蔽电极层，这样在屏蔽电极层与数据线之间会有一层绝缘膜层阻挡层，在屏蔽电极层与公共电极层之间会有一层绝缘膜层钝化层，而且屏蔽电极层接地，公共电极层与数据线之间产生的过多的寄生电容可以通过屏蔽电极层的接地线导出，可以极大的减小寄生电容的影响，解决解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明的实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图4为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图。
附图标记：1-衬底基板；2-数据线；3-钝化层；4-公共电极层；5-屏蔽电极层；6-阻挡层；7-栅绝缘层；8-像素电极层；9-栅极；10-源极；11-漏极；12-有源层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供一种阵列基板，如图1中所示，该阵列基板包括衬底基板1、形成在衬底基板1上的数据线2、钝化层3和形成在钝化层3上的公共电极层4，该阵列基板还包括屏蔽电极层5和阻挡层6，其中：
屏蔽电极层5设置在数据线2与钝化层3之间。
阻挡层6设置在数据线2与屏蔽电极层5之间。
屏蔽电极层5接地；阻挡层6的材料为具有绝缘作用的材料。
阻挡层6的厚度可以为
如图1中所示，该阵列基板上还包括栅绝缘层7。栅绝缘层7可以采用化学气相沉积的方法形成，栅绝缘层的材料可以为氮化硅等，栅绝缘层的厚度可以为钝化层3的材料可以为氮化硅或透明的有机树脂材料，钝化层的厚度可以为公共电极层4的材料可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)或者掺铟氧化锌(indium-doped zinc oxide，简称IZO)，公共电极层可以采用磁控溅射的方法形成，公共电极层的厚度可以为
具体的，本实施例中在数据线上形成一层阻挡层，同时在阻挡层与钝化层之间形成一层屏蔽电极层，这样最终形成的阵列基板的数据 线与屏蔽电极层之间具有绝缘膜层阻挡层，屏蔽电极层与公共电极层之间具有绝缘膜层钝化层；由于屏蔽电极层接地，此时屏蔽电极层相当于一个屏蔽电极，可以将产生的过多的寄生电容通过屏蔽电极层的接地线导出，相比于现有技术方案中数据线与公共电极层之间只有钝化层，可以极大的降低数据线与公共电极层之间产生的寄生电容，避免出现显示画面图像泛绿的问题。
本发明的实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板的数据线上设置阻挡层，并在阻挡层与公共电极层之间设置屏蔽电极层，这样在屏蔽电极层与数据线之间会有绝缘膜层阻挡层，在屏蔽电极层与公共电极层之间会有绝缘膜层钝化层，而且屏蔽电极层接地，公共电极层与数据线之间产生的过多的寄生电容可以通过屏蔽电极层的接地线导出，可以极大的减小寄生电容的影响，解决解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。
具体的，参照图2所示，阵列基板还包括形成在钝化层3下方的像素电极层8，其中：屏蔽电极层5与像素电极层8同层形成。
屏蔽电极层5的材料与像素电极层8的材料形同。
进一步，如图2中所示，阵列基板上还包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极9、栅绝缘层7、源极10，漏极11和有源层12，其中：
阻挡层6还设置在薄膜晶体管上，覆盖薄膜晶体管中的有源层12。
源极和漏极可以采用磁控溅射的方法形成，源极和漏极的材料均可以为：钼(Mo)、铝(Al)或者铜(Cu)等金属材料，也可以是用上述几种材料薄膜的组合结构；源极和漏极的厚度可以为源极和漏极可以采用磁控溅射的方法形成；有源层的材料可以为非晶硅，有源层的厚度可以为像素电极层的材料可以为ITO或者IZO，像素电极层可以采用磁控溅射的方法形成，像素电极层的厚度可以为
阻挡层6的材料可以包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或者有机膜等。
具体的，本实施例中在数据金属层和像素电极层之间设置一层阻挡层，这样阻挡层是在像素电极层之前形成的，在进行像素电极层的图案化时，无论是采用干法刻蚀还是湿法刻蚀阻挡层均可以阻挡刻蚀液或者刻蚀气体对已经形成的薄膜晶体管的沟道的影响，保证了薄膜晶体管的性能。
屏蔽电极层5的厚度可以为优选的屏蔽电极层的材料可以采用与像素电极层的材料相同的材料，例如：ITO或者IZO。需要说明的是，本实施例中的屏蔽电极层可以是与像素电极层采用相同的材料，使用同一构图工艺形成的，从而可以减少制作工艺，降低生产成本。
具体的，优选设置阻挡层的厚度为这样在实现阻挡层的阻挡像素电极层图案化对薄膜晶体管沟道的影响的同时，可以避免形成的显示面板的厚度过厚，降低生产成本，实现显示装置的轻薄化趋势。
需要说明的是本发明实施例中提供的阵列基板优选的可以适用于高开口率的高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch，简称ADS)，HADS模式的显示器件中。
本发明的实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板的数据线上设置阻挡层，并在阻挡层与公共电极层之间设置屏蔽电极层，这样在屏蔽电极层与数据线之间会有绝缘膜层阻挡层，在屏蔽电极层与公共电极层之间会有绝缘膜层钝化层，而且屏蔽电极层接地，公共电极层与数据线之间产生的过多的寄生电容可以通过屏蔽电极层的接地线导出，可以极大的减小寄生电容的影响，解决解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图3所示，该方法包括以下步骤：
101、在衬底基板上形成数据线。
具体的，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层厚度在到金属薄膜。通过构图工艺处理在一定区域形成数据线。
102、在数据线上形成第一阻挡层。
具体的，可以利用化学汽相沉积法或者磁控溅射的方法在数据线上沉积厚度为至的第一阻挡层薄膜，该第一阻挡层薄膜的材料可以是具有绝缘作用的材料，通常是氮化硅，也可以使用氧化硅或氮氧化硅等。
103、在第一阻挡层上形成屏蔽电极层。
具体的，采用磁控溅射的方法在第一阻挡层上沉积ITO或者IZO等材料，然后经过曝光、显影、刻蚀形成屏蔽电极层。
104、在屏蔽电极层上形成钝化层。
具体的，采用和栅绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个基板上涂覆一层厚度在到的钝化层，其材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。
105、在钝化层上形成公共电极层。
具体的，采用磁控溅射的方法沉积一层厚度在之间的ITO或者IZO，之后经过曝光、显影、刻蚀形成公共电极层。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过在阵列基板的数据线上形成阻挡层，并在阻挡层与公共电极层之间形成屏蔽电极层，这样在屏蔽电极层与数据线之间会有层绝缘膜层阻挡层，在屏蔽电极层与公共电极层之间会有绝缘膜层钝化层，而且屏蔽电极层接地，公共电极层与数据线之间产生的过多的寄生电容可以通过屏蔽电极层的接地线导出，可以极大的减小寄生电容的影响，解决解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，参照图4所示，该方法包括以下步骤：
201、在衬底基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的栅金属层。
具体的，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层厚度在至的金属薄膜，该金属薄膜通常 可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成栅金属层。
202、在栅金属层上形成栅绝缘层。
具体的，可以利用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在玻璃基板上沉积厚度为至的栅电极绝缘层薄膜，该栅绝缘层薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
203、在栅绝缘层上形成有源层、源极、漏极和数据线。
具体的，可以利用化学汽相沉积法在栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体薄膜，然后对金属氧化物半导体薄膜进行一次构图工艺形成有源层，即在光刻胶涂覆后，用普通的掩模板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层即可。
204、采用具有绝缘作用的材料在数据线形成第一阻挡层，同时采用和第一阻挡层相同的材料在源极和漏极上形成第二阻挡层。
其中，第一阻挡层和第二阻挡层的材料均可以包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或者有机膜等；优选的，第一阻挡层和第二阻挡层的厚度可以为
205、在第二阻挡层上形成像素电极层，同时在第一阻挡层上形成屏蔽电极层。
具体的，可以采用磁控溅射的方法在第一阻挡层和第二阻挡层上沉积一层厚度在之间的ITO或者IZO，之后经过曝光、显影、刻蚀在第一阻挡层上形成屏蔽电极层，在第二阻挡层上形成像素电极层。
206、在像素电极层上形成覆盖像素电极层和屏蔽电极层的钝化层。
207、在钝化层上形成公共电极层。
需要说明的是，本实施例中的流程与上述实施例中的步骤相同的描述与上述实施例中的说明类似，此处不再赘述。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过在阵列基板的 数据线上形成阻挡层，并在阻挡层与公共电极层之间形成屏蔽电极层，这样在屏蔽电极层与数据线之间会有层绝缘膜层阻挡层，在屏蔽电极层与公共电极层之间会有绝缘膜层钝化层，而且屏蔽电极层接地，公共电极层与数据线之间产生的过多的寄生电容可以通过屏蔽电极层的接地线导出，可以极大的减小寄生电容的影响，解决解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。进而，可以提高薄膜晶体管的性能。
本发明的实施例提供一种显示面板，该显示面板包括本发明的实施例中提供的阵列基板。
本发明的实施例提供的显示面板，通过在显示面板的阵列基板的数据线上形成阻挡层，并在阻挡层与公共电极层之间形成屏蔽电极层，这样在屏蔽电极层与数据线之间会有层绝缘膜层阻挡层，在屏蔽电极层与公共电极层之间会有绝缘膜层钝化层，而且屏蔽电极层接地，公共电极层与数据线之间产生的过多的寄生电容可以通过屏蔽电极层的接地线导出，可以极大的减小寄生电容的影响，解决解决了现有的阵列基板的结构中数据线与公共电极层之间的寄生电容过大和图像泛绿的问题，避免出现信号延迟，提高了显示器件的画面的显示质量。进而，可以提高薄膜晶体管的性能，可以提高显示面板的显示性能。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。