《一种太阳能级多晶硅的制造方法.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《一种太阳能级多晶硅的制造方法.pdf（5页珍藏版）》请在专利查询网上搜索。
1、(10)申请公布号 CN 102432020 A(43)申请公布日 2012.05.02CN102432020A*CN102432020A*(21)申请号 201110268630.3(22)申请日 2011.09.13C01B 33/037(2006.01)(71)申请人山西纳克太阳能科技有限公司地址 030032 山西省太原市经济技术开发区正阳街50号(72)发明人孔繁敏 孙湘航 司继良 安利明王新元(74)专利代理机构太原市科瑞达专利代理有限公司 14101代理人卢茂春(54) 发明名称一种太阳能级多晶硅的制造方法(57) 摘要一种太阳能级多晶硅的制造方法，包括以下工艺步骤：将金属硅在高。
2、周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅；将熔融硅的温度升至15001600，在升温过程中间隔性地往熔融硅里面添加造渣剂；将硅料置于一次直拉炉装置中进行直拉，初次除去硅料中的金属杂质；将硅料置于连续进料真空熔炼炉中，在低于103Pa的真空状态下进行熔炼，除去其中的磷杂质；将硅料倾入二次直拉装置中进行二次直拉，再次除去硅料中的其它金属杂质，得到硅棒；切除硅棒尾部，即可得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅。本发明通过高周波电磁诱导精炼除硼，一次直拉去除部分金属杂质，通过连续真空除磷和二次直拉去除金属杂质来获得低成本的太阳能级多晶硅的生产。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明。
3、专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页CN 102432023 A 1/1页21.一种太阳能级多晶硅的制造方法，其特征是包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅；所述金属硅的粒径是5100mm，金属硅的纯度为99（2N）以上，其中B含量为5ppm，P含量为15ppm；（二）将步骤（一）所得到的熔融硅的温度升至15001600，在升温过程中间隔性地往熔融硅里面添加造渣剂，造渣剂的添加量为熔融硅重量的40100；进行造渣脱去硅中的硼杂质，间隔时间是2030分钟；（三）将步骤（二）所得到的硅料置于一次直拉炉装置中进行直拉，初次除去硅料中的金属杂质；（四）将步骤（三）得。
4、到的硅料置于连续进料真空熔炼炉中，在低于103Pa的真空状态下进行熔炼，除去其中的磷杂质；（五）将步骤（四）得到的硅料倾入二次直拉装置中进行二次直拉，再次除去硅料中的其它金属杂质，得到硅棒；（六）切除硅棒尾部，即可得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅。2.根据权利要求1所述的一种太阳能级多晶硅的制造方法，其特征是所述造渣剂的制备过程是按重量百分比Na2CO3为20%50%；SiO2为50%80%的配料混合均匀即为造渣剂，Na2CO3颗粒、SiO2颗粒的粒径小于20mm。权 利 要 求 书CN 102432020 ACN 102432023 A 1/3页3一种太阳能级多晶硅的制造方法技术领域000。
5、1 本发明涉及一种太阳能级多晶硅的制造方法，特别是涉及一种生产过程完全没有酸碱参与处理的物理冶金法多晶硅制造方法。0002 背景技术 当前由于能源危机及传统能源带来环境的污染，为了实现可持续发展，世界各国都在积极调整自己的能源结构，大力发展利用可再生能源。太阳能是公认的取之不尽用之不竭的能源，是无污染、廉价、人类可自由利用的能源。太阳能电池产业作为未来的主要战略能源，受到大家的共同积极关注。0003 制造太阳能电池用的多晶硅材料，其纯度要求在6N(99.9999%)以上，其中硼（B）的含量须小于0.3ppm，磷（P）的含量须小于0.1ppm，而Al、Fe、Ca等金属杂质要求小于0.1ppm，总。
6、杂质含量不超过1ppm。0004 过去，由于光伏市场一直不具备规模市场化，因此，并没有形成自己的供应链产业。太阳能所用的电池一直是采用半导体级的高纯硅的副产品（现在俗称锅底料、边角料、头尾料）或者改进西门子化学方法提纯出来的第三等级材料，但是采用这种材料制备多晶硅电池成本非常高。而且西门子法的中间产品SiHCl3(或副产品SiCl4)有剧毒，生产过程大量使用液氯、氢气，存在环保与安全隐患。随着太阳能产业链的形成，硅材料依赖集成电路硅的废次原料的模式已经无法满足太阳能产业的需要，因此急需开发出一种多晶硅的物理冶金法提纯工艺，由于其投资少、对环境污染小，建设周期短，生产能耗低被认为是多晶硅提纯工艺。
7、中最有前途的一种工艺。0005 全球很多科研院所正在大力开发物理法提纯多晶硅的新工艺，主要包括湿法冶金、吹气、造渣、定向凝固、真空感应熔炼、电子束、等离子体反应、熔盐电解、合金化冶炼等工艺。0006 目前主要的生产工艺方法都存在一定的局限性，如中国专利CN 101844768提到了一种将造渣后的硅料进行破碎磨粉，用盐酸、王水分别浸泡得以去除金属硅中的磷硼的冶金法提纯工艺。中国专利CN 101122047提到了将硅粉磨细后，用浓硝酸浸泡并搅拌清洗后，加热烘干硅粉后置于高真空电子束炉中除杂质提纯。他们均用到了酸碱参与提纯过程，这样势必会对环境产生污染及提高生产成本。0007 发明内容 本发明要解决。
8、的技术问题在于克服上述已有技术制造多晶硅用到酸碱处理的难题，提供一种生产过程完全没有酸碱参与处理的多晶硅制造方法。0008 本发明包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅；所述的金属硅的粒径是5100mm，金属硅的纯度为99（2N）以上，其中B含量为5ppm，P含量为15ppm。0009 （二）将步骤（一）所得到的熔融硅的温度升至15001600，在升温过程中间隔性地往熔融硅里面添加造渣剂，进行造渣脱去硅中的硼杂质，间隔时间是2030分钟；所述造渣剂的制备过程是按重量百分比Na2CO3为20%50%；SiO2为50%80%的配说 明 书CN 102432020 AC。
9、N 102432023 A 2/3页4料混合均匀即为造渣剂，Na2CO3颗粒、SiO2颗粒的粒径小于20mm；所述造渣剂的添加量为熔融硅重量的40100；（三）将步骤（二）所得到的硅料置于一次直拉炉装置中进行直拉，初次除去硅料中的金属杂质；（四）将步骤（三）得到的硅料置于连续进料真空熔炼炉中，在低于103Pa的真空状态下进行熔炼，除去其中的磷杂质；（五）将步骤（四）得到的硅料倾入二次直拉装置中进行二次直拉，再次除去硅料中的其它金属杂质，得到硅棒；（六）切除硅棒尾部，即可得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅。0010 在步骤（三）中，所述的一次直拉指进入步骤（一）中2N级金属硅中的金属杂质含量在7。
10、00ppm以上时需进行该工艺步骤。相反，如果进入步骤（一）中2N级金属硅中的金属杂质含量在700ppm以下时，该步骤可略去。0011 在步骤（四）中，所述的真空熔炼炉指真空感应熔炼炉，感应体为置于熔炼炉中盛放硅料的石墨坩埚。0012 在步骤（五）中，所述的二次直拉装置，是指位于步骤（四）中所述真空感应熔炼炉内的另一装置。0013 在步骤（六）中，所述的6N以上的太阳能级多晶硅，是指纯度为99.9999599.99999的太阳能级多晶硅。0014 本发明的技术要点是完全不同于现有的西门子法（包括相关的改良西门子法）的现行技术路线，也不同于现有的物理冶金法提纯太阳能级多晶硅的工艺方法。本发明以金属。
11、硅为原料，通过高周波电磁诱导精炼除硼，一次直拉去除部分金属杂质，通过连续真空除磷和二次直拉去除金属杂质来获得低成本的太阳能级多晶硅的生产。由于本发明的生产过程是完全没有酸碱参与处理的，而且还有机地把连续真空除磷和二次除金属相结合在一个整体系统里面完成。在整个工艺流程中，完全不需要使用对环境有污染的酸与碱，不需要等离子体、电子枪等高成本的装备。这就使得环保及安全问题都能得到很好的解决，而且整个工艺提纯方法投入少，工艺流程短，经规模化所生产的6N级多晶硅的成本低于12美元/公斤（按照2011年价格），有非常可观的市场前景。具体实施方式0015 以下给出本发明太阳能级多晶硅的制造方法的具体实施例。0。
12、016 实施例1称取B浓度为5ppm，P浓度为15ppm，Fe浓度为2100ppm的原料金属硅700kg；按重量百分比是Na2CO3：SiO2=50%：50%，将其混合均匀成为造渣剂。造渣剂的粒径小于20mm，也就是说Na2CO3、SiO2的粒径小于20mm。0017 造渣剂为原料金属硅重量的40%。0018 将原料金属硅放入铝钒土坩埚中，启动高周波电磁诱导精炼炉电源升温，直到铝钒土坩埚中的原料金属硅完全熔化。当金属硅熔体温度达到1550后，间隔性地往熔融硅里面添加造渣剂280kg，造渣40分钟后，清除掉熔体表皮造出的渣体。熔炼过程为20小时。0019 造渣完成后，将硅液倒入坩埚中，冷却后装入。
13、一次直拉炉中进行直拉。说 明 书CN 102432020 ACN 102432023 A 3/3页50020 将一次直拉得到的硅料敲成块状后送入连续真空炉中，温度升至1550，炉内真空度为2103Pa，进行除磷 5小时 ；除磷完成后将熔体硅倾入二次拉制装置中的坩埚中，进入二次直拉除金属过程，除金属过程 7小时成硅棒；将硅棒冷却2小时后去除尾部金属杂质集中部分，从硅棒中取样检测，B含量为0.27ppm，P含量为0.1ppm，多晶硅纯度为99.9999%。0021 实施例2称取B浓度为5ppm，P浓度为15ppm，Fe浓度为2100ppm的原料金属硅600kg；造渣剂制备与实施例1相同。0022 。
14、将原料金属硅放入铝钒土坩埚中，启动高周波电磁诱导精炼炉电源升温，直到铝钒土坩埚中的原料金属硅完全熔化为金属硅熔体。0023 当金属硅熔体温度达到1550后，间隔性地往熔融硅里面加入造渣剂600kg，造渣40分钟，清除掉熔体表皮造出的渣体。熔炼、造渣过程为17小时。0024 待造渣完成，将硅液倒入坩埚中，冷却5小时后的硅料敲成块状后送入连续真空炉中进行除磷，温度升至1550，炉内真空度为2103Pa。0025 除磷完成后将熔体硅倾入二次拉制装置中的坩埚中，进入二次直拉除金属过程。除磷及二次拉棒整个过程为25个小时。0026 将拉制出来的硅棒冷却2小时，去除尾部金属杂质集中部分，从硅棒中取样检测，B含量为0.25ppm，P含量为0.08ppm，多晶硅纯度为99.99995%。0027 实施例3工艺过程同实施例1。硅料中B浓度为5ppm，P浓度为15ppm，Fe浓度为2100ppm的原料金属硅500kg。造渣剂为500kg，硅渣比为1:1，渣的成分同实施例1。造渣温度控制在1600，反应时间为60小时。整个工艺完成后取样化验检测，B含量为0.06ppm，P含量为0.02ppm,多晶硅的纯度为99.99999。说 明 书CN 102432020 A。