有机电致发光器件及其制造方法.pdf

本发明公开了一种有机电致发光器件，其包括具有薄膜晶体管的阵列器件，形成在第一基板上的每一子像素区域内；有机电致发光二极管的第一电极，形成在第二基板上，所述第一电极包括具有一定光透射比的金属材料；有机电致发光二极管的第二电极和有机电致发光层，形成在所述第一电极上；以及薄膜型吸收剂，形成在所述第一基板和所述第二基板之一上，所述第一基板和第二基板彼此粘接在一起，两者间具有预定的间距，在该间距之间具有相对的所述阵列器件和有机电致发光二极管，而且包括用于电连接所述薄膜晶体管和所述第二电极的导电衬垫料。

1、  一种有机电致发光器件，包括：
具有薄膜晶体管的阵列器件，形成在第一基板上的每一子像素区域内；
有机电致发光二极管的第一电极，形成在第二基板上，所述第一电极包括具有一定光透射比的金属材料；
有机电致发光二极管的第二电极和有机电致发光层，形成在所述第一电极上；以及
薄膜型吸收剂，形成在所述第一基板和所述第二基板其中之一上，所述第一基板和第二基板彼此粘接在一起，两者间具有预定的间距，在该间距内设有相对的阵列器件和有机电致发光二极管，而且包括用于电连接所述薄膜晶体管和所述第二电极的导电衬垫料。

2、  按照权利要求1所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂完全覆盖所述第二电极。

3、  按照权利要求1所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂形成在第二电极上除接触所述导电衬垫料的接触部分外的部分上。

4、  按照权利要求3所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂不导电。

5、  按照权利要求4所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂包括氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)或者CaO和BaO的组合。

6、  按照权利要求1所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂形成在对应于所述每一子像素区域除形成所述导电衬垫料外的部分的第一基板上。

7、  按照权利要求6所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂不导电。

8、  按照权利要求7所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂包括氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)或者CaO和BaO的组合。

9、  按照权利要求1所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂导电。

10、  按照权利要求9所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂是包括锆(Zr)、钛(Ti)和铪(Hf)的4A族元素，包括铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)和钼(Mo)的5A族元素，包括铁(Fe)和钌(Ru)的7A族元素，包括镍(Ni)和钴(Co)的8A族元素中的其中一种。

11、  按照权利要求1所述的器件，其特征在于，所述薄膜型吸收剂包括呈不同尺寸的矩形形状、环形形状或多个环形/矩形形状的多个图案。

12、  按照权利要求1所述的器件，其特征在于，对所述第二电极和所述有机电致发光层构图以对应于每一子像素区域。

13、  按照权利要求1所述的器件，还进一步包括形成在所述子像素区域边界处且位于所述第一电极上的阻挡栅，该阻挡栅包括绝缘材料，其中，所述有机电致发光二极管的第二电极和有机电致发光层形成在所述第一电极上且位于所述阻挡栅之间。

14、  一种制造有机电致发光器件的方法，包括：
在第一基板上形成阵列器件，该阵列器件在每一子像素区域具有开关单元；
在第二基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成有机电致发光层；
在所述有机电致发光层上形成第二电极；
对所述有机电致发光层和第二电极构图以对应于每一所述子像素区域；
在所述第一基板和第二基板之一上形成薄膜型吸收剂；
在所述第一基板和第二基板之一上形成导电衬垫料；
对准所述第一基板与所述第二基板，使得所述阵列器件经由所述导电衬垫料电电接到所述第二电极；以及
粘接所述第一基板与所述第二基板。

15、  按照权利要求14所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜型吸收剂的步骤包括在所述第二电极的整个表面上形成导电的吸收剂材料。

16、  按照权利要求15所述的方法，其特征在于，所述薄膜型吸收剂是包括锆(Zr)、钛(Ti)和铪(Hf)的4A族元素，包括铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)和钼(Mo)的5A族元素，包括铁(Fe)和钌(Ru)的7A族元素，包括镍(Ni)和钴(Co)的8A族元素中的其中一种。

17、  按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述薄膜型吸收剂形成在所述第二基板除接触所述导电衬垫料的接触部分外的部分上。

18、  按照权利要求17所述的方法，其特征在于，所述薄膜型吸收剂不导电。

19、  按照权利要求18所述的方法，其特征在于，所述薄膜型吸收剂包括氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)或者CaO和BaO的组合。

20、  按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述薄膜型吸收剂形成在对应于所述每一子像素区域除形成所述导电衬垫料外部分处的所述第一基板上。

21、  按照权利要求20所述的方法，其特征在于，所述薄膜型吸收剂不导电。

22、  按照权利要求21所述的方法，其特征在于，所述薄膜型吸收剂包括氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)或者CaO和BaO的组合。

23、  按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜型吸收剂的步骤包括形成多个呈矩形形状或环形形状的图案。

24、  按照权利要求23所述的方法，其特征在于，所述图案具有不止一种尺寸。

25、  按照权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜型吸收剂的步骤包括溅射工序。

有机电致发光器件及其制造方法
本申请要求享有于2003年11月28日在韩国递交的韩国专利申请第85398/2003号和于2003年11月28日在韩国递交的韩国专利申请第85399/2003号的权益，在此结合其作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示器件，具体涉及一种双面板型有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术
一般地，有机电致发光器件(也称为有机发光二极管(OLED)器件)是一种自发射型显示器件并包括多个像素和位于每一像素内的有机发光二极管。每一有机发光二极管通过将来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入发射层，用空穴复合电子，产生激子，并将激发态的激子转化成基态来发射光。因此，有机电致发光器件并不需要附加的光源，从而具有轻重量、薄外形以及紧凑的尺寸。
另外，有机电致发光器件通常用相对简单的工艺进行制造，包括淀积工艺和封装工艺。从而，有机电致发光器件具有很低的制造成本。而且，有机电致发光器件可以用低DC电压工作，从而具有很低的能耗和极快的响应时间。有机电致发光器件还具有宽视角和高图像对比度。此外，有机电致发光器件是一种集成器件，从而，它具有忍受外部冲击的高忍耐性以及很宽的应用范围。
不具有开关元件的无源矩阵型有机电致发光器件已经被广泛地使用。在这种无源矩阵型有机电致发光器件中，扫描线与信号线交叉限定一矩阵形器件，而且扫描线被顺序地驱动以激发每一像素。然而，为了获得所需的平均亮度，瞬时亮度需要与用平均亮度乘以线的数目获得的亮度一样高。
同时，也存在着有源矩阵型有机电致发光器件，其包括在每一像素内作为开关元件的薄膜晶体管。施加到每一像素的电压被充入存储电容Cst，直到下一帧信号施加为止，由此连续驱动有机电致发光器件，而无论栅线数目的多少，直至一幅图像显示完。因此，这种有源矩阵型有机电致发光器件即使在施加低电流时也可以提供均匀的量度。
图1是按照现有技术的有源矩阵型有机电致发光器件的像素的示意图。在图1中，扫描线2沿第一方向形成，信号线3沿与扫描线2垂直的第二方向形成，由此限定一像素区域。同时，电源线沿第二方向形成并与信号线3分隔开。开关薄膜晶体管5形成在像素区域内，以及存储电容(Cst)6在开关薄膜晶体管5与电源线4之间连接。电流源元件的驱动薄膜晶体管7连接到存储电容6和电源线4。
另外，有机电致发光二极管8连接到驱动TFT 7。当电流正向施加到该有机电致发光二极管8的有机发光材料上时，电子和空穴重新复合，移动穿过位于作为空穴提供者的阳极与作为电子提供者的阴极之间的P-N结。因此，有机电致发光二极管8的能量变得更低，由此产生能量差并促使光发射。
有机电致发光器件根据其光发射方向可以分为顶部发射型和底部发射型。图2是按照现有技术的底部发射型有机电致发光器件的示意性截面图。在图2中，有机电致发光器件10包括第一透明基板1。薄膜晶体管T、第一电极12、有机电致发光层14和第二电极16形成在该第一基板1上。第一电极12和第二电极16形成电场。如果第一电极12是阳极，第二电极16是阴极，则该第一电极12包括透明导电材料，第二电极16包括具有低逸出功的金属材料。有机电致发光层14包括空穴注入层14a，空穴传输层14b，发射层14c以及电子传输层14d，其中发射层14c包括对应于子像素的红、绿和蓝有机电致发光材料R、G、B中的一种。
另外，第一基板1用密封剂40粘结到第二基板30上。该第一基板1和第二基板30由透明绝缘材料如玻璃或塑料形成。第二电极16与第二基板30分隔开一定距离。用于吸收外部湿气的干燥剂(未示出)以及用于将该干燥剂附着在第二基板30上的半透明带(未示出)也包括在该第二基板30内。
图3是图2中所示子像素区域的详细截面图。如图3所示，半导体层62、栅极68、源极80和漏极82顺序形成在第一基板1的薄膜晶体管部分上。电源电极72和有机电致发光二极管(E)分别连接到源极80和漏极82。电源电极72连接到电源线(未示出)，并在存储电容部分与电容器电极64相重叠，在电源电极72与电容电极64之间设有绝缘体。设在薄膜晶体管区域和存储电容区域处的元件，除有机电致发光二极管E外，形成阵列器件A。有机电致发光二极管E包括彼此相对并将有机电致发光层14夹在中间的第一电极12和第二电极16。有机电致发光二极管E设在自发射光向外发射的发射区处。
图4示出了按照现有技术的有机电致发光器件的制造方法流程图。如图4所示，在步骤ST1，在第一基板上形成阵列器件。形成该阵列器件包括形成扫描线、信号线、电源线、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。
接着，在步骤ST2，形成第一电极。形成该第一电极包括将第一电极连接到驱动薄膜晶体管。另外，在步骤ST3，形成有机电致发光层。当第一电极是阳极时，形成该有机电致发光层包括顺序形成空穴注入层、空穴传输层、发射层和电子传输层。
在步骤ST4，形成第二电极。该第二电极作为公共电极形成在基板的整个表面上。接着，在步骤ST5，用第二基板封装该第一基板，以保护第一基板免受外部的冲击和避免有机电致发光层受外部引入空气的损害。干燥剂包含在该第二基板内。
然而，现有技术的这种有机电致发光器件存在缺陷。由于阵列器件的产出率乘以有机电致发光二极管的产出率决定了有机电致发光器件的总产出率，因此总产出率极大地受限于有机电致发光二极管的制造工艺。例如，即使阵列器件以高质量形成，而当具有约1000Δ厚度的有机电致发光层由于杂质而恶化时，该有机电致发光器件也被认为是次品。从而，制造该良好阵列器件所花费的加工成本和材料成本就会浪费，而且总产品产出率也会降低。
另外，这种底部发射型器件具有有限的孔径比，由此限制了其在高分辨率显示器件中的应用。从而，顶部发射型器件更加有利，因为其具有容易设计的薄膜晶体管和提高的孔径比。然而，由于顶部发射型器件具有的阴极一般设在有机电致发光层之上，因此限制了用来形成阴极的材料选择。从而，这种顶部发射型器件的透射比受限于这种较窄的材料选择范围，由此降低了光效率。另外，当使用薄膜型钝化膜将光透射比的减少降至最小时，却并不能充分地将外部空气与顶部发射型器件的内部断开。而且，在将干燥剂放置在顶部发射型器件内时也存在问题，因为阵列器件和有机电致发光层形成在不同的基板上。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机电致发光器件及其制造方法，其可以基本上消除由于现有技术的局限和缺点引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种有机电致发光器件及其制造方法，其具有设在有机电致发光器件的上基板或下基板阵列内的吸收剂，以消除来自有机电致发光器件内部的湿气，由此提高器件的寿命并增强耐久性和抗冲击稳定性。
本发明地另一目的在于提供一种图案结构及其制造方法，从而提供一种有机电致发光器件及其制造方法，其中具有预定图案和吸收功能的薄层形成在有机电致发光器件的上基板或下基板的阵列内部和外部处，以消除来自有机电致发光器件内部的湿气，由此提高器件的寿命并增强耐久性和抗冲击稳定性。
本发明另外的特征和优点将在下面的描述中得到阐述，而且由这些描述将部分地变得很显然，或者可以由本发明的实施得知。借助于特别是在说明书和其权利要求书以及附图中指明的结构，可以实现和获得本发明的这些目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点，并按照本发明的目的，如此处具体和概括描述地，一种有机电致发光器件包括具有薄膜晶体管的阵列器件，形成在第一基板上的每一子像素区域内；有机电致发光二极管的第一电极，形成在第二基板上，所述第一电极包括具有一定光透射比的金属材料；第二电极和有机电致发光二极管的有机电致发光层，形成在所述第一电极上；以及薄膜型吸收剂，形成在所述第一基板和所述第二基板之一上，所述第一基板和第二基板彼此粘接在一起，两者间具有预定的间距，所述薄膜型吸收剂具有面对所述有机电致发光二极管的所述阵列器件，而且包括用于电连接所述薄膜晶体管和所述第二电极的导电衬垫料。
另一方面，一种有机电致发光器件的制造方法包括在第一基板上形成阵列器件，该阵列器件在每一子像素区域处具有开关单元；在第二基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成有机电致发光层；在所述有机电致发光层上形成第二电极；对应于每一所述子像素区域对所述有机电致发光层和所述第二电极构图；在所述第一基板和第二基板之一上形成薄膜型吸收剂；在所述第一基板和第二基板之一上形成导电衬垫料；对准所述第一基板与所述第二基板，使得所述阵列器件经由所述导电衬垫料电接到所述第二电极上；以及粘接所述第一基板与所述第二基板。
应当理解，前述的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，旨在提供对所要求包含的本发明的进一步解释。
附图说明
所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并结合构成说明书的一部分，示出本发明的各种实施方式，而且与下面的描述一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是按照现有技术的有源矩阵型有机电致发光器件的像素的示意图；
图2是按照现有技术的顶部发射型有机电致发光器件的示意性截面图；
图3是图2所示的子像素区域的详细截面图；
图4是示出按照现有技术的有机电致发光器件的制造方法的流程图；
图5是按照本发明一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图；
图6是按照本发明另一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图；
图7是按照本发明又一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图；
图8是依照本发明再一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图；
图9A至9C是图8所示的双面板型有机电致发光器件的上基板的平面图；
图10是按照本发明另一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图；
图11A至11C是图10所示的双面板型有机电致发光器件的下基板的平面图；
图12是示出按照本发明一实施例的有机电致发光器件的制造方法的流程图；
图13是示出按照本发明另一实施例的有机电致发光器件的制造方法的流程图。
具体实施方式
现在详细说明各优选实施例，这些优选实施例示出在所附的附图中。
图5是按照本发明一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图。在图5中，有机电致发光器件包括用密封图案140相互粘接在一起的第一基板110和第二基板130，两者间隔开预定距离。阵列器件120形成在第一基板110的第一透明基板100上，有机电致发光器件E形成在第二基板130的第二透明基板101上。
有机电致发光二极管E包括用作公共电极的第一电极132，对应于子像素区域边界的阻挡栅(barrier)134，以及在该阻挡栅134之间对应于每一子像素区域顺序形成的有机电致发光层136和第二电极138。有机电致发光层136具有第一载流子传输层136a，发光层136b和第二载流子传输层136c。该第一和第二载流子传输层136a和136c起着向发光层136b注入和传输电子或空穴的作用。
发光层136b包括发射材料，该发射材料上构图有对应于子像素区域的红、绿和蓝其中之一的颜色。第一和第二载流子传输层136a和136b包括基于阳极和阴极排列的材料。例如，当第一电极132是阳极、第二电极138是阴极时，第一载流子传输层136a包括空穴注入层和空穴传输层、第二载流子传输层136c包括电子注入层和电子传输层。
另外，阵列器件120包括对应于有机电致发光二极管E的薄膜晶体管(TFT)。尽管未示出，阵列器件120另外还包括扫描线、与扫描线相交的信号线和电源线、设在扫描线与信号线交点处的开关薄膜晶体管以及存储电容。
为了向有机电致发光二极管E提供电流，柱形的导电衬垫料114在没有子像素区域将TFT T连接到有机电致发光二极管E。导电衬垫料114也保持盒间隙，其平行于密封图案140，包括一种具有低阻抗值的展性金属材料，而且形成在第一基板110上。特别地，钝化层124形成在覆盖有TFT T的第一透明基板100上。该钝化层124具有用于部分暴露出TFT T的漏极112的漏极接触孔122，导电衬垫料114设在钝化层124上，通过漏极接触孔122接触漏极112。或者，形成暴露出TFT T源极的接触孔，而且导电衬垫料114经由该接触孔接触源极。导电衬垫料114优选是在第一基板110的阵列器件120的制造过程中形成。
按照本发明的一实施例，该电致发光器件是一种顶部发射型ELD，它将来自有机电致发光层136的光朝向第二基板130发射。从而，第一电极132由透明导电材料形成，而第二电极138由不透明导电材料例如不透明金属形成，以避免由向下发出的光的反射引起的干涉。另外，第一基板110与第二基板130之间的隔开空间I可以处于真空状态，或者充满惰性气体例如氮或者绝缘液体。
此外，薄膜型吸收剂160插入在有机电致发光二极管E与导电衬垫料114之间。特别地，该薄膜型吸收剂160完全覆盖第二电极138，而且包括导电材料。该薄膜型吸收剂160可以用溅射的方法形成。例如，该薄膜型吸收剂160包括含有锆(Zr)、钛(Ti)和铪(Hf)的4A族元素，含有铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)和钼(Mo)的5A族元素，含有铁(Fe)和钌(Ru)的7A族元素，含有镍(Ni)和钴(Co)的8A族元素中的其中一种。另外，该薄膜型吸收剂160还可以包括氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、碳酸钙(CaCO₃)、五氧化二磷(P₂O₅)、沸石、硅胶和氧化铝中的其中一种，以将湿气排除在器件外部，并保持有机电致发光二极管E与导电衬垫料114之间的电连接。
而且，由于第二电极138用蒸发器形成，因此第二电极138很容易剥落或损害。从而，形成该覆盖第二电极138的薄膜型吸收剂160还可以提供对第二电极138的保护。
图6是按照本发明另一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性横截面图。在图6中，有机电致发光器件包括用密封图案140相互粘接在一起的第一基板110和第二基板130，两者间具有预定距离。阵列器件120形成在第一基板110的第一透明基板100上，有机电致发光器件E形成在第二基板130的第二透明基板101上。
有机电致发光二极管E包括用作公共电极的第一电极132，对应于子像素区域边界的阻挡栅134，以及在该阻挡栅134之间对应于每一子像素区域顺序形成的有机电致发光层136和第二电极138。有机电致发光层136具有第一载流子传输层136a，发光层136b和第二载流子传输层136c。该第一和第二载流子传输层136a和136c起着向发光层136b注入和传输电子或空穴的作用。发光层136b包括发射材料，该发射材料上构图有对应于子像素区域的红、绿和蓝其中之一的颜色。
另外，阵列器件120包括对应于有机电致发光二极管E的薄膜晶体管(TFT)。尽管未示出，阵列器件120还另外包括扫描线、与扫描线相交的信号线和电源线、设在扫描线与信号线交点处的开关薄膜晶体管以及存储电容。
为了向有机电致发光二极管E提供电流，柱形的导电衬垫料114将TFT T电连接到每一子像素区域内的有机电致发光二极管E上。导电衬垫料114包括一种具有低阻抗值的展性金属材料，而且形成第一基板110上。特别地，钝化层124形成在覆盖有TFT T的第一透明基板100上。该钝化层124具有用于部分曝光TFT T的漏极112的漏极接触孔122，导电衬垫料114设在钝化层124上，通过漏极接触孔122接触漏极112。
另外，形成薄膜型吸收剂162以覆盖第二电极138除接触导电衬垫料114之外的部分。从而，薄膜型吸收剂162不必是导电的，而且可以用更宽范围的材料形成，例如可以吸收湿气和气体的真空吸收剂的任何材料，例如收气剂，由此保持有机电致发光器件内部的理想气体环境。例如，该薄膜型吸收剂162可以包括含有诸如锆(Zr)、钛(Ti)和铪(Hf)的4A族元素，含有诸如铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)和钼(Mo)的5A族元素，含有诸如铁(Fe)和钉(Ru)的7A族元素，含有诸如镍(Ni)和钴(Co)的8A族元素中的其中一种。或者，该薄膜型吸收剂162还可以包括1B族元素、3B族元素以及1A族元素中的其中一种。例如，该薄膜型吸收剂162包括氧化钙(CaO)，氧化钡(BaO)，或者CaO和BaO的组合。该薄膜型吸收剂162可以用溅射的方法形成。
图7是按照本发明另一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图。在图7中，有机电致发光器件包括用密封图案140相互粘接在一起的第一基板110和第二基板130，两者间具有预定距离。阵列器件120形成在第一基板110的第一透明基板100上，有机电致发光器件E形成在第二基板130的第二透明基板101上。
有机电致发光二极管E包括用作公共电极的第一电极132，对应于子像素区域边界的阻挡栅134，以及在该阻挡栅134之间对应于每一子像素区域顺序形成的有机电致发光层136和第二电极138。有机电致发光层136具有第一载流子传输层136a，发光层136b和第二载流子传输层136c。该第一和第二载流子传输层136a和136c起着向发光层136b注入和传输电子或空穴的作用。发光层136b包括发射材料，该发射材料上构图有对应于子像素区域的红、绿和蓝其中之一的颜色。
另外，阵列器件120包括对应于有机电致发光二极管E的薄膜晶体管(TFT)。尽管未示出，阵列器件120还另外包括扫描线、与扫描线相交的信号线合电源线、设在扫描线与信号线交点处的开关薄膜晶体管、以及存储电容。
为了向有机电致发光二极管E提供电流，柱形的导电衬垫料114将TFT T电连接到每一子像素区域内的有机电致发光二极管E。导电衬垫料114包括一种具有低阻抗值的展性金属材料，而且形成第一基板110上。特别地，钝化层124形成在覆盖有TFT T的第一透明基板100上。该钝化层124具有用来部分暴露出TFT T的漏极112的漏极接触孔122，导电衬垫料114设在钝化层124上，通过漏极接触孔122接触漏极112。
另外，薄膜型吸收剂164形成在钝化层124上，用于吸收从面板外部渗透入或由面板内层叠的膜产生的湿气或不期望气体，由此延长器件的寿命。
图8是按照本发明又一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性截面图。在图8中，有机电致发光器件包括用密封图案140相互粘接在一起的第一基板110和第二基板130，两者间具有预定距离。阵列器件120形成在第一基板110的第一透明基板100上，有机电致发光器件E形成在第二基板130的第二透明基板101上。
有机电致发光二极管E包括用作公共电极的第一电极132，有机电致发光层136和第二电极138。对有机电致发光层136和第二电极138选择构图以对应于多个子像素区域。有机电致发光层136具有第一载流子传输层136a，发光层136b和第二载流子传输层136c。该第一和第二载流子传输层136a和136c起着向发光层136b注入和传输电子或空穴的作用。发光层136b包括发射材料，该发射材料上构图有对应于子像素区域的红、绿和蓝其中之一的颜色。
另外，阵列器件120包括对应于有机电致发光二极管E的薄膜晶体管(TFT)T。尽管未示出，阵列器件120还另外包括扫描线、与扫描线相交的信号线和电源线、设在扫描线与信号线交点处的开关薄膜晶体管以及存储电容。
为了向有机电致发光二极管E提供电流，柱形的导电衬垫料114将TFT T电连接到每一子像素区域内的有机电致发光二极管E。导电衬垫料114可以包括一种具有低阻抗值的展性金属材料，而且形成在第一基板110上。特别地，导电衬垫料114设在第一基板110上，接触漏极112。或者，导电衬垫料114设在第一基板110上，接触连接到TFT T漏极112的电连接图案。
另外，薄膜型吸收剂166形成在第二电极138上。特别地，该薄膜型吸收剂166包括多个具有预定形状的单元，这些单元166形成在第二电极138上除接触导电衬垫料114外的部分上。该薄膜型吸收就166可以用溅射的方法形成。
图9A至9C是图8所示的阵列器件的吸收剂的平面图。如图9A所示，薄膜型吸收剂166(图8所示的)包括相对于像素阵列200以矩阵方式设置的具有矩形形状170的多个单元。其中一些吸收剂单元166与数据线或栅线重叠。或者，如图9B所示，薄膜型吸收剂166(图8所示的)包括相对于像素矩阵200以矩阵形式设置的具有环形形状172的多个单元。另外，如图9C所示，薄膜型吸收剂166(图8所示的)包括相对于像素阵列200设置的具有相同形状但不同尺寸174的多个单元。尽管未示出，该薄膜型吸收剂还可以具有除图9A至9C所示矩形或环形之外的其它形状。
图10是按照本发明另一实施例的双面板型有机电致发光器件的示意性横截面。如图10所示，薄膜型吸收剂168形成在第一基板110上。特别地，薄膜型吸收剂168在除漏极112接触导电衬垫料114外的部分上，包括形成在TFT T上的和TFT T的漏极112上的多个单元。
图11A至11C是示出在图10中的双面板型有机电致发光器件的下基板的平面图。如图11A所示，该薄膜型吸收剂168(图10所示的)可以包括相对于像素阵列以矩阵方式设置的具有矩形形状190的多个单元，该像素阵列由信号线210、电源线212和扫描线214限定。或者，如图11B所示，该薄膜型吸收剂168(图10所示的)可以包括相对于像素阵列以矩阵方式设置的具有环形形状192的多个单元，该像素阵列由信号线210、电源线212和扫描线214限定。另外，如图11C所示，该薄膜型吸收剂168(图10所示的)可以包括相对于像素阵列设置的具有相同形状但不同尺寸194的多个元件，该像素阵列由信号线210、电源线212和扫描线214限定。
图12是示出按照本发明一实施例的有机电致发光器件的制造方法流程图。如图12所示，在步骤ST1，在第一基板上形成阵列器件。该阵列器件的形成包括在第一基板上形成缓冲层，在该缓冲层上形成半导体层和电容电极，在半导体层上形成栅极、源极和漏极，以及形成电源电极，该电源电极设在要与源极相连的电容电极上。另外，电连接图案例如图5、6和8中所示的导电衬垫料114也形成在第一基板上。
另外，在步骤ST2，在第二基板上形成第一电极。特别地，由于用作有机电致发光二极管的第一电极可以直接形成在第二基板上，因此材料选择的范围就放宽了，而且该操作可以很容易地进行。例如，第一电极可以选自具有一定透射比的导电材料。
然后，在步骤ST3，在第一电极上形成有机电致发光层。另外，在步骤ST4，在该有机电致发光层上形成第二电极，而且在第二电极上形成薄膜型吸收剂。薄膜型吸收剂的形成包括在第二电极上溅射导电吸收材料，以与形成在第一基板上的导电衬垫料电连接。而且，形成该薄膜型吸收剂包括用该薄膜型吸收剂完全覆盖第二电极。或者，形成该薄膜型吸收剂包括在第二电极上形成具有各种尺寸的环形形状、矩形形状或环形/矩形形状的多个单元。
接下来，在步骤ST5，第一基板和第二基板经由导电衬垫料彼此电连接。接着，在步骤ST6，对第一基板和第二基板进行封装。密封图案形成在第一基板和第二基板任一个的边缘处以粘接第一基板和第二基板。然后，可以将氮气注入进第一基板与第二基板之间的分离间隔内。
这样，按照本发明一实施例的这种制造方法在不同的基板上形成阵列器件和有机电致发光器件，由此能够单个地控制阵列器件和有机电致发光器件的生产质量。从而，产品事故得到降低，而且生产效率也得到提高。另外，这种制造方法包括有在第二电极上形成薄膜型吸收剂，以吸收器件内部的湿气，由此提高了产品的寿命。
图13是示出按照本发明另一实施例的有机电致发光器件制造方法的流程图。如图13所示，在步骤ST10，在第一基板上形成阵列器件。阵列器件的形成包括在第一基板上形成缓冲层，在缓冲层上形成半导体层和电容电极，在半导体层上形成栅极、源极和漏极，以及形成电源电极，该电源电极设在要与源极连接的电容电极上。而且，电连接图案例如图7和10中所示的导电衬垫料114还形成在第一基板上。
在步骤ST11，在第一基板上形成薄膜型吸收剂。薄膜型吸收剂的形成包括在第一基板上溅射导电吸收材料。另外，该薄膜型吸收剂可以形成在覆盖阵列器件的驱动元件的钝化层上，或形成在驱动元件的源极上。此外，形成该薄膜型吸收剂可以包括在第一基板上形成具有各种尺寸的环形形状、矩形形状或环形/矩形形状的多个元件。
另外，在步骤ST20，在第二基板上形成第一电极。特别地，由于用作有机电致发光二极管的第一电极可以直接形成在第二基板上，因此，材料的选择范围就变宽，而且该过程可以很容易地进行。例如，第一电极可以选自具有一定透射比的导电材料。
然后，在步骤ST30，在第一电极上形成有机电致发光层。另外，在步骤ST40，在该有机电致发光层上形成第二电极。
接下来，在步骤ST50，第一基板和第二基板经由导电衬垫料彼此电连接。然后，在步骤ST60，对第一基板和第二基板进行封装。密封图案形成在第一基底和第二基底任一个的边缘处以粘接第一基板和第二基板。然后，将氮气注入进第一基板与第二基板之间的分离间隔内。
这样，按照本发明另一实施例的这种制造方法在不同的基板上形成阵列器件和有机电致发光器件，由此能够单个地控制阵列器件和有机电致发光器件的生产质量。从而，产品事故得到降低，而且生产效率也得到提高。另外，这种制造方法包括有在阵列元件上形成薄膜型吸收剂，以吸收器件内部的湿气，由此提高了产品的寿命。
如上所述，按照本发明一实施例的这种有机电致发光器件及其制造方法具有的优点在于产品的产出率和生产管理的效率都得到提高，而且薄膜晶体管可以很容易设计，同时还能够获得很高的孔径比/很高的分辨率。另外，这种有机电致发光器件及其制造方法具有的其它优点在于由于用作有机电致发光二极管的第一电极直接形成在第一基板上，因此材料的选择范围变宽，而且由于采用的是顶部发射型和封装结构，因此可以得到稳定的产品。
此外，这种有机电致发光器件及其制造方法具有的其它优点在于提供有具有吸收功能的薄膜层，用于吸收从面板外部渗透入的湿气和由面板内部层叠的膜所产生的湿气，由此延长了器件的寿命。
很显然，对于本领域的技术人员，可以在不脱离本发明精神或范围下对本发明的有机电致发光器件及其制造方法做出各种改进和改变。因此，本发明旨在涵盖所有对本发明的这些改进和改变，只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内。