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全自对准高密度沟槽栅场效应半导体器件制造方法,属于半导体器件技术领域,为了解决现有技术中沟槽结构的场效应半导体器件很难实现更高密度原胞,在N型硅片表面进行P阱注入,通过扩散推结形式P阱区,并形成氧化层;沉积多晶硅,再沉积氧化层;进行光刻刻蚀,去掉氧化层和多晶硅;氧化;Spacer刻蚀;刻蚀硅槽;去除多晶硅侧面的氧化层;牺牲氧化;栅氧化;源区离子注入,利用多晶硅侧面移动,实现源区自对准注入;沉积绝缘。