光照射设备.pdf

本发明提供一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备。所述光照射设备包含：透射窗，光透射穿过所述透射窗；收集器，设置在透射窗上方并且向上倾斜到透射窗的外部，收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过透射窗的反射光偏移；以及冷却块，在冷却块中制冷剂在其中循环，冷却块设置在收集器中以冷却所述收集器。因此，根据实施例，因为收集器设置在透射窗上方并向上倾斜到透射窗的外部，并且在收集器的底表面上形成了突出部，所以可抑制或最小化反射光的漫反射。并且，收集器可将反射光朝所述透射窗的外部引导以防止从衬底S反射的反射光再入射到透射窗中。因此，可抑制由所述透射窗的温度失衡和温度升高造成的不均和光移位的产生。

权利要求书1.  一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备，其特征在于所述光照射设备包括：透射窗，所述光透射穿过所述透射窗；收集器，设置在所述透射窗上方并且向上倾斜到所述透射窗的外部，所述收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过所述透射窗的反射光偏移；以及冷却块，在所述冷却块中制冷剂在其中循环，所述冷却块设置在所述收集器中以冷却所述收集器。2.  根据权利要求1所述的光照射设备，其特征在于所述收集器具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面。3.  根据权利要求1所述的光照射设备，其特征在于所述收集器包括：主体，具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面，所述主体设置在所述透射窗上方以耗散通过从所述衬底反射而透射穿过所述透射窗的所述反射光；以及多个突出部，设置在所述主体的所述底表面上。4.  根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述收集器的倾斜角是锐角。5.  根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述多个突出部中的每一个具有3微米到4微米的直径。6.  根据权利要求4所述的光照射设备，其特征在于所述收集器具有10°到20°的倾斜角。7.  根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述主体包括散热器。8.  根据权利要求3所述的光照射设备，其特征在于所述收集器包括：盖，覆盖所述主体的所述底表面以界定内部空间，所述盖允许所述光透射穿过；以及气体管，经设置以与所述主体与所述盖之间的所述空间连通，所述气体管将气体供应到所述主体与所述盖之间的所述空间中或者将气体排空。9.  根据权利要求4所述的光照射设备，其特征在于所述收集器延伸以使得所述收集器的所述底表面的一部分经设置以与所述透射窗的顶表面的上侧对应，并且所述收集器的所述底表面的其余部分经设置以与所述透射窗的外 部的上侧对应。10.  根据权利要求1所述的光照射设备，其特征在于所述冷却块包括：冷却构件，设置在所述收集器的上方部分上；以及制冷剂循环管，设置在所述冷却构件中以允许制冷剂在其中循环。

说明书光照射设备
技术领域
本发明涉及光照射设备，并且更明确地说涉及能够抑制透射窗温度升高的光照射设备，所述温度升高是由于从衬底反射的光造成的透射窗温度失衡所致。
背景技术
在液晶显示器和光伏装置的制造中，涉及到用于使非晶多晶薄膜(例如，非晶多晶硅薄膜)结晶的热处理工艺。此处，如果使用玻璃作为衬底，那么可通过使用激光来使非晶多晶薄膜结晶。然而，当非晶多晶薄膜与氧气(O2)反应时，非晶多晶薄膜可能会被氧化而产生氧化物薄膜并且还被杂质污染或者造成性质改变。
根据现有技术的激光衬底处理设备包含：处理室10，具有对衬底1进行处理的内部空间；台2，设置在处理室10中以沿工艺进行方向来移动置于其上的衬底；透射窗40，设置在处理室10的上方部分上以允许激光8透射穿过；光源30，在处理室10的外部设置在透射窗40的上方部分处以输出激光8；以及收集器50，在处理室10的外部设置在透射窗40上方以吸收从衬底1反射并透射穿过透射窗40的反射光(见图7)。
从光源30输出并接着照射到衬底1中的激光61可沿与激光61入射的方向对称的相反方向(即，沿向上方向(激光62))反射并再透射穿过透射窗40，并且接着入射到设置在透射窗40上方的收集器50中。此处，激光可能会通过收集器50而部分偏移，但是不会完全耗散。激光可能会被收集器50再反射并接着入射到透射窗40中。因为反射光重复地入射到透射窗40中而使透射窗40的温度不断升高，所以透射窗40可能会具有不均匀的温度。因此，当激光透射穿过透射窗40并接着照射到衬底1上以进行结晶工艺时，可能会产生不均(Mura)。
并且，因为激光被重复地吸收到收集器50中，所以收集器50可能会温 度升高。因此，收集器50的周边部分可能会温度升高并且可能会热变形。这可能是使照射到衬底1上的激光束移位的因素。
(专利文件1)第2011-0071591号韩国专利公开
发明内容
本发明提供一种能够抑制透射窗温度升高的光照射设备，所述温度升高是由于经衬底反射的光造成的透射窗温度失衡所致。
本发明还提供一种用于防止从衬底反射的光再反射到透射窗中并且防止收集器的温度失衡和温度升高发生的光照射设备。
根据示范性实施例，一种用于将光照射到衬底上以处理所述衬底的光照射设备包含：透射窗，所述光透射穿过所述透射窗；收集器，设置在所述透射窗上方并且向上倾斜到所述透射窗的外部，所述收集器使在从所述衬底反射之后透射穿过所述透射窗的反射光偏移；以及冷却块，在所述冷却块中制冷剂在其中循环，所述冷却块设置在所述收集器中以冷却所述收集器。
所述收集器可具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面。
所述收集器可包含：主体，具有向上倾斜到所述透射窗的外部的至少一底表面，所述主体设置在所述透射窗上方以耗散通过从所述衬底反射而透射穿过所述透射窗的所述反射光；以及多个突出部，设置在所述主体的所述底表面上。
所述收集器的倾斜角可为锐角。
所述多个突出部中的每一个可具有约3微米到约4微米的直径。
所述收集器可具有约10°到约20°的倾斜角。
所述主体可包含散热器。
所述收集器可包含：盖，覆盖所述主体的所述底表面以界定内部空间，所述盖允许所述光透射穿过；以及气体管，经设置以与所述主体与所述盖之间的所述空间连通，所述气体管将气体供应到所述主体与所述盖之间的所述空间中或者将气体排空。
所述收集器可延伸以使得所述收集器的所述底表面的一部分经设置以与所述透射窗的顶表面的上侧对应，并且所述收集器的所述底表面的其余部分经设置以与所述透射窗的外部的上侧对应。
所述冷却块可包含：冷却构件，所述冷却构件设置在所述收集器的上方部分上；以及制冷剂循环管，所述制冷剂循环管设置在所述冷却构件中以允许制冷剂在其中循环。
附图说明
可结合附图从以下描述更详细地理解示范性实施例。
图1是根据实施例的衬底处理设备的截面图。
图2是从正面观看时的根据实施例的衬底处理设备的光照射模块的三维切开图。
图3是根据实施例的衬底处理设备的正视截面图。
图4是从上方观看时的根据实施例的第一和第二收集器的三维视图。
图5是沿图4中的A′-A″线截取的第一和第二收集器的截面图。
图6是从下侧观看时的根据实施例的收集器的一部分的三维视图。
图7是一般衬底处理设备的框图。
具体实施方式
下文中，将参看附图详细描述特定实施例。然而，本发明可按不同形式体现且不应视为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本发明将为详尽且完整的，且将向所属领域的技术人员全面地传达本发明的范围。
图1是根据实施例的衬底处理设备的截面图，图2是从正面观看时的根据实施例的衬底处理设备的光照射模块的三维切开图，图3是根据实施例的衬底处理设备的正视截面图，图4是从上方观看时的根据实施例的第一和第二收集器的三维视图，图5是沿图4中的A′-A″线截取的第一和第二收集器的截面图，以及图6是从下侧观看时的根据实施例的收集器的一部分的三维视图。
根据本发明的实施例的衬底处理设备可为用于将光照射到衬底S上以对衬底S进行热处理且由此使形成在衬底S上的薄膜11结晶的热处理设备或光照射设备。
参看图1到图3，根据实施例的衬底处理设备包含：处理室100，具有在其中对衬底S进行处理的内部空间；台200，设置在处理室100中以将衬底S放置在其上，台200沿工艺进行方向来水平地转移衬底S；光源，设置在处理室100的外部以输出用于处理衬底S的光，例如，激光；以及光照射模块5000，包含设置在处理室100的上方壁的一部分中的透射窗5120以允许从光源300发出的光透射穿过，其中光照射模块5000将透射穿过透射窗5120的光引导到衬底S上并且将惰性气体注射到光照射到其上的衬底S上。
虽然根据实施例的处理室100可具有截面是矩形的箱形状，但是本发明不限于此。举例来说，处理室100可改变为与衬底S的形状对应的各种形状。举例来说，由石英形成的透射窗5120可设置在处理室100的上方壁中。透射窗5120可设置在处理室的上方壁的一部分中以覆盖光照射模块5000的上方部分。当然，虽然透射窗5120设置在处理室100的上方壁中以覆盖光照射模块5000的上方部分，但是本发明不限于此。举例来说，透射窗5120可设置在从光源300发出的光被引导到光照射模块5000中的任何位置处。
虽然处理室100具有密封结构，但是氧气(O2)或杂质可能存在于处理室100中。此处，氧气(O2)使形成在衬底S上的薄膜11氧化。并且，杂质可能是在处理期间产生的颗粒粉末或气态副产物或者其它污染物。杂质可能会降低薄膜11的质量或改变薄膜11的性质，而成为缺陷的主要因素。
为了解决由于氧气(O2)和杂质渗透到衬底S的上方部分中所致的限制，光照射模块5000可将惰性气体注射到衬底S的上侧中以在激光照射到其上的衬底S的区域的上侧中产生惰性气体氛围。光照射模块5000可被称作“部分脱氧模块(OPDM)”。
光照射模块5000可包含：光照射单元5100，设置在处理室100内并且具有从光源300输出的激光从中穿过的内部空间；以及气体注射单元5200，安装在光照射单元5100之下并且在光照射单元5100与衬底S之间以将惰性气体注射到衬底S上。
光照射单元5100包含：主体5100a，具有光从中透射穿过的内部空间；第二主体5100b，连接到或安装在主体5100a的下方部分上并且具有与主体5100a的内部空间垂直地连通的内部空间；透射窗5120，设置在主体5100a的上方部分中以允许从光源300发出的光透射穿过；切割器5130，在处理室 100的外部设置在光源300与透射窗5120之间并且相对于光的照射方向倾斜设置以切断或遮挡光的一部分，即，从光源300朝透射窗5120发出的激光束；收集器5140，在处理室100的外部设置在透射窗5120上方并且从透射窗5120的中心轴向上并向外倾斜设置以使通过从衬底S反射而透射穿过透射窗5120的反射光(或反射射束)发生一次偏移；以及冷却块，设置在收集器5140上以冷却收集器5140。
此处，在第一主体5100a和第二主体5100b中的每一个中界定的内部空间可沿衬底S的一个方向延伸。举例来说，所述内部空间可沿与衬底S的转移方向交叉的方向延伸。透射窗5120可设置在主体5100a的上方部分中以与主体5100a的内部空间的上侧对应，以密封或封闭主体5100a的敞开上侧。
并且，切割器5130可沿与转移衬底S的方向交叉的方向延伸。切割器5130可设置在处理室100的外部在收集器5140与透射窗5120之间并且朝透射窗5120向下倾斜设置。
在光照射单元5100中，从光源300输出的光可穿过透射窗5120并且接着穿过第一主体5100a和第二主体5100b中的每一个的内部空间以移动到气体注射单元5200中。因此，在下文中，为便于描述，在光照射单元5100中界定的内部空间可被称作“光照射空间5110”，其对应于透射窗5120与衬底S之间的区，即，在第一主体5100a和第二主体5100b中的每一个中界定的内部空间。如上所述，光照射空间5110可经界定以垂直地穿过第一主体5100a和第二主体5100b中的每一个的一部分，所述部分对应于透射窗5120与衬底S之间的区。并且，光照射空间5110可沿衬底S的一个方向延伸。根据实施例的光照射空间5110可具有比水平宽度大的垂直长度(或高度)。
气体注射单元5200可将惰性气体注射到衬底S上。因此，气体注射单元5200可为用于产生惰性气体氛围以防止至少被激光照射的衬底S的区域暴露于氧气和杂质下的单元。气体注射单元5200可安装在光照射单元5100的下方部分上。气体注射单元5200包含：内部空间(在下文中，被称作“气体注射空间5410)，与光照射空间5110连通；气体注射块5400，在其中界定了具有沿衬底S的一个方向延伸的线形状的狭缝(在下文中，被称作“第一狭缝5400a”)；气体供应单元5300，设置在气体注射块5400中并且在气体注射空间5410的一侧处以将惰性气体供应到气体注射空间5410中；气体供应管(未 图示)，连接到气体供应单元5300的两端以供应惰性气体；以及板5500，安装在气体注射块5400的下方部分上并且设置在衬底S上方，板5500具有板形状。
气体供应单元5300可为用于将惰性气体供应到气体注射空间5410中的单元。根据实施例的气体供应单元5300可设置在气体注射块5400中以与气体注射空间5410的侧向方向连通。也就是说，气体供应单元5300可在气体喷射块5400内延伸并且一端连接到气体注射空间5410的侧向部分且另一端连接到储存惰性气体的气体储存单元(未图示)。气体供应单元5300可具有某一结构，在所述结构中，管子插入到气体注射块5400中以将其一端连接到气体注射空间5410的侧向部分，或者气体注射块5400的内部部分经处理以与气体注射空间5410的侧向部分连通。并且，气体供应单元5300可具有由最外管构成的双管结构，即，外管以及设置在外管内部的内管。此处，当气体供应单元5300的一端被界定为排放狭缝时，所述排放狭缝可具有如图3所说明的向下倾斜的线形状，其中所述一端连接到气体注射空间5410以将惰性气体排放到气体注射空间5410中。并且，气体供应部分5300的区的至少一部分可具有弯了几次(即，弯曲几次)的通道形状，其中所述至少一部分对应于排放狭缝的前端。
当然，气体供应部分5300可不限于上述形状。举例来说，气体供应管部分5300可变为足以将惰性气体供应到气体注射空间5410中的各种形状。
板5500连接到气体注射块5400的下方部分并且设置在衬底S上方。根据实施例的板5500可具有沿两个方向从在气体注射块5400中界定的第一狭缝5400a延伸的板形状。板5500可具有激光束和惰性气体从中穿过的狭缝5500a(在下文中，被称作第二狭缝5500a)。第二狭缝5500a可经设置以与第一狭缝5400a的下侧对应。因此，经由气体注射块5400的第一狭缝5400a排放到板5500的第二狭缝5500a中的惰性气体可通过板5500与衬底S之间的间隙进行扩散。
收集器5140可防止照射到衬底S上并且由衬底S再反射的反射光(或反射射束)在反射光(或反射射束)透射穿过透射窗5120之后再反射向透射窗5120和光照射模块5000。收集器5140可设置在透射窗5120和处理室100的上方外侧上方。更详细地说，收集器5140可设置在收集器5140设置在切割 器5130上方以在透射窗5120的左上侧和右上侧处面向或背对切割器5130的位置处。
收集器5140可使从衬底S反射并且透射穿过透射窗5120的反射光偏移并耗散。收集器5140可设置在透射窗5120上方在处理室100的外上侧处并且可从透射窗5120的上侧向外倾斜。也就是说，收集器5140可沿透射窗5120的外部方向向上倾斜，以使得收集器5140使入射的反射光偏移以再反射偏移光，由此使再反射光朝透射窗5120的外部透射，而不是朝透射窗5120透射。
换句话说，当透射窗5120的水平中心部分被界定为中心轴时，收集器5140可设置在透射窗5120上方并且朝向透射窗5120的外部从透射窗5120的中心轴向上倾斜。此处，透射窗5120的外部方向表示在左/右方向上的透射窗5120的外部。也就是说，收集器5140可从透射窗5120的中心轴向上且向外倾斜或者沿远离透射窗5120的中心轴的方向向上倾斜。收集器5140设置在透射窗5120上方。
并且，换句话说，当处在与透射窗5120的顶表面的水平面相同的水平面处的线被界定为水平线时，收集器5140可倾斜，以使得收集器5140的底表面与所述水平线之间具有朝向透射窗5120的外部逐渐增大的间隔或距离。
收集器5140可设置在透射窗5120上方。收集器5140可从透射窗5120的顶表面的上方部分延伸到透射窗5120的外部。也就是说，因为收集器5140沿左/右方向(或宽度方向)设置在透射窗5120上方，所以收集器5140的一部分可与透射窗5120重叠，并且收集器5140的其余部分可与透射窗5120的外部的上侧重叠。换句话说，收集器5140的底表面的一部分可经设置以与透射窗5120的顶表面的上侧对应，并且收集器5140的底表面的其余部分可经设置以与透射窗5120的顶表面的外部对应。也就是说，收集器5140可延伸，以使得在左/右方向上，收集器5140的两端中的一端设置在透射窗5120上方，并且另一端设置在第透射窗的上方外侧处。
收集器5140可包含：主体5141，朝向透射窗5120的外部从透射窗5120的上侧向上倾斜；盖5142，经安装以覆盖主体5141的底表面，所述盖5142允许光从中透射穿过；以及冷却块5150，设置在主体5141上以使制冷剂在其中循环。
主体5141可为用于使反射光偏移的单元。主体5141可朝向透射窗5120 的外部从透射窗5120的上侧向上倾斜。也就是说，主体5141可沿设置透射窗5120的方向向上倾斜，以使得入射的反射光朝向透射窗5120的外部透射。此处，主体5141自身可沿透射窗5120的外部方向向上倾斜。或者，主体5141的底表面可沿透射窗5120的外部方向向上倾斜设置。并且，各自具有几微米到几十微米的直径的多个突出部5141a可形成在主体5141的反射光入射到其中的一个表面上，即，形成在主体5141的底表面上。此处，形成在主体5141上的多个突出部5141a可通过喷砂工艺形成并且其各自可具有直径，例如，约3微米到约4微米的直径。
像这样，因为多个突出部5141a形成在主体5141的底表面上，所以透射穿过透射窗5120的反射光可由多个突出部5141a反射几次。因此，反射光并未直接被吸收到主体5141中而是通过多个突出部5141a发生偏移。因为反射光由多个突出部5141a反射了几次，所以反射光的能量可减小并且因此光的温度可降低。
当反射光入射到主体5141中时，反射光的热量可被吸收到主体5141中而使收集器5140的温度升高，由此导致热变形。并且，如本发明中所描述，当在主体5141的底表面上形成多个突出部5141a时，底表面的表面积在与主体5141的底表面是光滑地形成的情况相比时可增大。因此，光的反射路径可增大以降低光的温度。因此，当在主体5141的底表面上形成多个突出部5141a时，光可由于多个突出部5141a而移动或反射几次，从而消耗能量。因此，被吸收到收集器5140中的光的热量的温度可降低，并且从收集器5140再反射并且再入射到透射窗5120的外部中的光的温度在与收集器5141的底表面是光滑地形成的情况相比时可降低。
主体5141自身或主体5141的底表面的倾斜角可为锐角，例如，约10°到约20°的角，详细地说，约12°的角。因为收集器5140沿透射窗5120的外部方向向上倾斜了上述角度，所以入射到收集器5140中的反射光可通过收集器5140发生偏移并耗散，并且光的其余部分可不朝透射窗5120或朝光源300透射，而是朝透射窗5120的外部透射。因此，可防止由反射光所致的透射窗5120的温度失衡以及由于透射窗5120的温度升高所致的不均的产生。
根据实施例的主体5141本身可为散热器或者可在其中具有散热器。
盖5142可由透光材料，即，石英形成。盖5142可覆盖主体5141的底表 面以在其间界定内部空间。虽然未图示，但是气体管可连接到主体5141与盖5142之间的空间以与之连通。可通过气体管5144将惰性气体，例如，氮气(N2)，填充到主体5141与盖5142之间的空间中，并且可通过气体管5144将所述惰性气体排空。在惰性气体的填充和排出过程中，可移除由于收集器5140中的温度升高而产生的烟雾。
冷却块5150可设置在主体5141上以冷却收集器5140，由此防止收集器5140的温度升高。冷却块5150包含设置在主体5141上的冷却构件5151以及设置在冷却构件5151中以允许制冷剂(例如，冷却剂)在其中循环的制冷剂循环管5152。此处，制冷剂循环管5152的一端连接到制冷剂供应部分。
因此，在反射光入射到收集器5140中之后在收集器5140中进行反射光的偏移和耗散过程时，尽管收集器5140因为反射光的热量而受热，但是可通过在制冷剂循环管5152中循环的制冷剂对冷却构件5151进行冷却。因此，连接到冷却构件5151的收集器5140被冷却，并且可防止收集器5140根据由于反射光所致的温度升高和温度失衡而发生的热变形。
在下文中，将参看图1到图6来描述使用根据实施例的衬底处理设备使薄膜结晶的方法。
首先，可在玻璃衬底S上形成非晶多晶薄膜11，例如，非晶多晶硅薄膜。接着，可将形成了非晶多晶硅薄膜的衬底S装载到衬底处理设备的处理室100中并接着搁置在台200上。
当衬底S搁置在台200上时，可在通过台200沿工艺进行方向水平地转移衬底S的同时将激光照射到形成在衬底S上的薄膜11上。也就是说，光源300可操作以从光源300输出光，即，激光。接着，所输出的激光在透过透射窗5120穿过光照射单元5100的光照射空间5110和气体注射单元5200的气体注射空间5410之后可经由第一狭缝5400a和第二狭缝5500a照射到形成在衬底S上的薄膜11上。因此，形成在衬底S上的非晶多晶硅薄膜可与激光反应以形成晶体硅薄膜。
如上所述，在激光束照射到衬底S上时，可将氮气N2注射到衬底S的上侧或薄膜11上。为此，当将氮气(N2)供应到设置在气体注射块5400中的气体供应单元5300中时，通过气体供应单元5300的排放狭缝将氮气(N2)供应到气体注射空间5410中。接着，供应到气体注射空间5410中的氮气(N2) 可通过第一狭缝5410a和第二狭缝5500a注射到衬底S的上侧上。向衬底S的上侧排放的氮气(N2)可相对于第二狭缝5400a沿两个方向扩散。此处，存在于板5500与衬底S之间的氧气和杂质可被推向两个侧向方向。换句话说，通过第二狭缝5400a排放的惰性气体可扩散以填充板5400与衬底S之间的空间。此处，存在于板5500与衬底S之间的氧气和杂质可被氮气(N2)推到光照射模块5000和衬底S外部。
因此，因为衬底S以及形成于衬底S的顶表面上的硅薄膜11并未暴露于氧气和杂质下，所以与现有技术不同，衬底S和薄膜11可不氧化。更详细地说，因为衬底S或至少被激光照射的薄膜11并未暴露于氧气和杂质下，所以被激光照射的硅薄膜可不氧化，从而形成晶体硅薄膜。
如上所述，从光源300输出并照射到衬底S上的激光束可使薄膜11结晶并接着从衬底S再反射。此处，激光束可沿与激光入射到衬底S中的方向对称的方向向上反射，并且因此再透射穿过透射窗5120。从透射窗5120透射的激光可通过设置在透射窗5120上方的收集器5140发生偏移并且接着再反射向透射窗5120的外部，而不是反射向透射窗5120。这是因为构成收集器5140的主体5141的至少底表面可向上倾斜到透射窗的外部。
并且，在反射光入射到收集器5140中并且接着在收集器5140中偏移并耗散时，尽管收集器5140因为反射光的热量而受热，但是通过冷却块5150对收集器5140进行冷却。
像这样，在本发明中，因为收集器5140设置在透射窗5120上方并且向上倾斜到透射窗5120的外部，所以可抑制或最小化反射光的漫反射。因此，收集器5140可防止从衬底S反射并透射过透射窗5120的反射光再入射到透射窗5120中并且可将反射光朝透射窗5120的外部引导。并且，因为第二收集器5150设置在收集器5140之下，所以从收集器5140一次偏移的反射光可通过第二收集器5150发生二次偏移以耗散反射光。因此，可防止反射光再反射向透射窗5120以抑制透射窗5120的温度升高以及由于温度升高所致的温度失衡，其中所述温度升高是由反射光造成的。因此，可抑制不均和光移位的产生。
并且，因为冷却块设置在收集器5140中以冷却收集器5140，所以可防止收集器5140由于反射光的热量所致的温度升高和温度失衡，从而防止收集 器5140的热变形发生。并且，因为通过冷却块5150对收集器5140进行冷却，所以可防止像现有技术那样收集器5140周围的温度由于所述收集器的热量而升高的现象。
根据所述实施例，因为收集器设置在透射窗上方并向上倾斜到透射窗的外部，并且在收集器的底表面上形成了突出部，所以可抑制或最小化反射光的漫反射。并且，所述收集器可将所述反射光朝所述透射窗的外部引导以防止从衬底S反射的所述反射光再入射到所述透射窗中。因此，可抑制由透射窗的温度失衡和温度升高造成的不均和光移位的产生。
并且，因为冷却块设置在收集器中以冷却收集器，所以可防止收集器由于反射光的热量所致的温度升高和温度失衡，从而防止收集器的热变形发生。并且，因为通过冷却块对收集器进行冷却，所以可防止像现有技术那样收集器周围的温度由于所述收集器的热量而升高的现象。
虽然已参考特定实施例描述了所述光照射设备，但所述光照射设备不限于此。因此，所属领域的技术人员应易于理解，在不脱离由随附权利要求定义的本发明的精神和范围的情况下可对其进行各种修改和改变。