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1、(10)申请公布号 CN 103135355 A(43)申请公布日 2013.06.05CN103135355A*CN103135355A*(21)申请号 201210460893.9(22)申请日 2012.11.15100144161 2011.12.01 TWG03F 7/039(2006.01)G03F 7/00(2006.01)(71)申请人奇美实业股份有限公司地址中国台湾台南市仁德区三甲里三甲子59-1号(72)发明人吴明儒 施俊安(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277代理人刘新宇 李茂家(54) 发明名称光硬化性聚硅氧烷组成物、保护膜及具有保护膜。
2、的元件(57) 摘要一种光硬化性聚硅氧烷组成物,其包含聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、含亚甲基烷氧基芳香族化合物(C)及溶剂(D);该含亚甲基烷氧基芳香族化合物(C)选自于具有式(I)的化合物、具有式(II)的化合物,或它们的组合;在式(I)及(II)中,该R1R7、m及n如说明书与权利要求书中所定义。该光硬化性聚硅氧烷组成物具有高感光度及较佳的硬化速率。本发明也提供一种由该光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜及具有该保护膜的元件。(30)优先权数据(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书22页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书22页。
3、(10)申请公布号 CN 103135355 ACN 103135355 A1/2页21.一种光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于包含:聚硅氧烷高分子(A);醌二叠氮磺酸酯(B);含亚甲基烷氧基芳香族化合物(C);及溶剂(D);该含亚甲基烷氧基芳香族化合物(C)选自于具有式(I)的化合物、具有式(II)的化合物,或它们的组合;式(I)式(II)在式(I)中,m表示1至4的整数;R1及R2可以相同或不同,且分别表示C1C6的烷基或-CH2-O-X,条件是R1及R2中至少一者为-CH2-O-X,及X表示C1C6的烷基;R3表示氢、甲基或乙基;R4表示单键或m价基团,当m=1时,R4表示C1C6的烷基。
4、、C6C12的环烷基或氢;当m=2,R4表示二价基团且选自于亚苯基、-SO2-、;当m=3,该R4表示三价基团且选自于当m=4,R4表示四价基团且选自于X10X27表示氢、卤素或C1C20的有机基团,且当X12、X13、X14、X15、X20、X21、X22、X23、X24,或X25为多个时,各自为相同或不同;在式(II)中,n表示10至35的整数;R5及R7为相同或不同,且分别表示氢、甲基或乙基;R6表示C1C6的烷基。2.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,基于该聚硅氧烷高权 利 要 求 书CN 103135355 A2/2页3分子(A)的含量为100重量份,该含亚甲基。
5、烷氧基芳香族化合物(C)的含量范围为3重量份35重量份。3.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,在式(I)中,R3表示氢。4.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,在式(I)中,X表示C1C3的烷基。5.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,在式(I)中,R4表示单键、氢、-CH3、叔丁基、-CH2-、-C(CF3)2-、-C(CH3)2-、6.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,在式(II)中,R5表示氢。7.根据权利要求1所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,在式(II)中,R6表示甲基。8.根据权利要求1所述。
6、的光硬化性聚硅氧烷组成物,其特征在于,该聚硅氧烷高分子(A)是由具有式(III)的硅烷单体经加水分解及部分缩合而得的共聚物;Si(Ra)t(ORb)4-t(III)在式(III)中,t表示0至3的整数;Ra表示氢、C1C10的烷基、C2C10的烯基、C6C15的芳香基、经酸酐基取代的烷基、经环氧丙烷基取代的烷基、经环氧丙烷基取代的氧烷基,且当t表示2或3时,多个Ra各自为相同或不同;Rb表示氢、C1C6的烷基、C1C6的酰基、C6C15的芳香基,且当4-t表示2或3时,多个Rb各自为相同或不同。9.一种保护膜,其特征在于:将根据权利要求1至8中任一项所述的光硬化性聚硅氧烷组成物涂布于基材上,再。
7、经预先加热处理、曝光、显影及后加热处理后所形成。10.一种具有保护膜的元件,其特征在于,包含基材以及根据权利要求9所述的保护膜。权 利 要 求 书CN 103135355 A1/22页4光硬化性聚硅氧烷组成物、 保护膜及具有保护膜的元件技术领域0001 本发明涉及一种光硬化性组成物及由其所形成的膜,特别涉及一种适用于形成液晶显示器(LCD)、有机电激发光显示器(Organic Electro-luminescene Display)等的基板用平坦化膜、层间绝缘膜或光波导路的芯材或包覆材等的保护膜的光硬化性聚硅氧烷组成物、由此光硬化性聚硅氧烷组成物所形成的保护膜,及具有此保护膜的元件。背景技术0。
8、002 近年来,在半导体工业、液晶显示器或有机电激发光显示器用集成电路的领域中,随着尺寸的日益缩小化,对于光刻过程中所需图案的微细化更甚要求。为了达到微细化的图案,一般是通过具有高解析及高感光度的正型感光性材料经曝光及显影后而形成,其中,以聚硅氧烷高分子为成分的正型感光性材料渐成为业界使用的主流。0003 日本特开2008-107529号揭示一种可形成高透明度硬化膜的感光性树脂组成物。该组成物中使用含环氧丙烷基或丁二酸酐基的聚硅氧烷高分子,其于共聚时经开环反应形成亲水性的结构,虽然可以稀薄碱性显影液下得到高溶解性,然而,该感光性树脂组成物的感光度仍无法令业界所接受,且存在硬化速率过慢的问题。0。
9、004 由上述可知,目前仍有需要发展出一种高感光度且硬化速率快的感光性树脂组成物,以满足业界的需求。发明内容0005 本发明的第一目的是提供一种高感光度且硬化速率快的光硬化性聚硅氧烷组成物。0006 于是,本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,包含:聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、含亚甲基烷氧基芳香族(methylene alkoxyaryl)化合物(C)及溶剂(D);该含亚甲基烷氧基芳香族化合物(C)选自于具有式(I)的化合物、具有式(II)的化合物,或它们的组合;0007 0008 在式(I)中,m表示1至4的整数;0009 R1及R2为相同或不同,且分别表示C1C6的烷基或-CH2。
10、-O-X,条件是R1及R2中至少一者为-CH2-O-X,及X表示C1C6的烷基;0010 R3表示氢、甲基或乙基;0011 R4表示单键或m价基团,当m=1时,R4表示C1C6的烷说 明 书CN 103135355 A2/22页5基、C6C12的环烷基或氢;当m=2,R4表示二价基团且选自于亚苯基、- S O2-、当m=3,该R4表示三价基团且选自于当m=4,R4表示四价基团且选自于X10X27表示氢、卤素或C1C20的有机基团,且当X12、X13、X14、X15、X20、X21、X22、X23、X24,或X25为多个时,各自为相同或不同;于式(II)中,n表示10至35的整数;R5及R7为相。
11、同或不同,且分别表示氢、甲基或乙基;R6表示C1C6的烷基。0012 根据本发明所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,基于该聚硅氧烷高分子(A)的含量为100重量份,该含亚甲基烷氧基芳香族化合物(C)的含量范围为3重量份35重量份。0013 根据本发明所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,在式(I)中,R3表示氢。0014 根据本发明所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,在式(I)中,X表示C1C3的烷基。0015 根据本发明所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,在式(I)中,R4表示单键、氢、-CH3、叔丁基、-CH2-、-C(CF3)2-、-C(CH3)2-、0016 根据本发明所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,在式(II)。
12、中,R5表示氢。0017 根据本发明所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,在式(II)中,R6表示甲基。0018 根据本发明所述的光硬化性聚硅氧烷组成物,该聚硅氧烷高分子(A)是由具有式(III)的硅烷单体经加水分解及部分缩合而得的共聚物;0019 Si(Ra)t(ORb)4-t(III)0020 在式(III)中,t表示0至3的整数;Ra表示氢、C1C10的烷基、C2C10的烯基、C6C15的芳香基、经酸酐基取代的烷基、经环氧丙烷基取代的烷基、经环氧丙烷基取代的氧烷基,且当t表示2或3时,多个Ra各自为相同或不同;Rb表示氢、C1C6的烷基、C1说 明 书CN 103135355 A3/22页6C6。
13、的酰基、C6C15的芳香基,且当4-t表示2或3时,多个Rb各自为相同或不同。0021 本发明的第二目的是提供一种适用于作为液晶显示器、有机电激发光显示器等的薄膜晶体管基板用平坦化膜、层间绝缘膜或光波导路的芯材或包覆材等的保护膜。0022 于是,本发明的保护膜是将如上所述的光硬化性聚硅氧烷组成物涂布于基材上,再经预先加热处理、曝光、显影及后加热处理后所形成。0023 本发明的第三目的是提供一种具有保护膜的元件。0024 于是,本发明具有保护膜的元件包含一基材以及一如上所述的保护膜。0025 本发明的有益效果在于:通过该含亚甲基烷氧基芳香族化合物(C)的基团设计具有芳香基以及亚甲基烷氧基(可进一。
14、步具有羟基),可使得该光硬化性聚硅氧烷组成物中的各成分彼此间的相容性提高,形成一均匀性佳的光硬化性聚硅氧烷组成物,于后续光刻过程中,该光硬化性聚硅氧烷组成物可具有高感光度及硬化速率快的特性。具体实施方式0026 本发明的光硬化性聚硅氧烷组成物,包含聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、含亚甲基烷氧基芳香基化合物(C)及溶剂(D)。0027 以下将逐一对聚硅氧烷高分子(A)、醌二叠氮磺酸酯(B)、含亚甲基烷氧基芳香基化合物(C)及溶剂(D)进行详细说明:0028 聚硅氧烷高分子(A)0029 该聚硅氧烷高分子(A)的构造并无特别地限制,较佳地,该聚硅氧烷高分子(A)可选择地使用硅烷单体、聚。
15、硅氧烷或硅烷单体与聚硅氧烷的组合进行加水分解及部分缩合而制得。0030 该聚硅氧烷高分子(A)是由具有式(III)的硅烷单体经加水分解及部分缩合而得的共聚物:0031 Si(Ra)t(ORb)4-t(III)0032 在式(III)中,t表示0至3的整数;Ra表示氢、C1C10的烷基、C2C10的烯基、C6C15的芳香基、经酸酐基取代的烷基、经环氧丙烷基取代的烷基、经环氧丙烷基取代的氧烷基,且当t表示2或3时,多个Ra各自为相同或不同;Rb表示氢、C1C6的烷基、C1C6的酰基、C6C15的芳香基,且当4-t表示2或3时,多个Rb各自为相同或不同。该烷基、酰基及芳香基中任一者可选择地含有取代基。
16、。0033 在该Ra的定义中,烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正己基、正癸基、三氟甲基、3,3,3-三氟丙基、3-氨丙基、3-巯丙基、3-异氰酸丙基。烯基例如但不限于乙烯基、3-丙烯酰氧基丙基、3-甲基丙烯酰氧基丙基等。芳香基例如但不限于苯基、甲苯基(tolyl)、对-羟基苯基、1-(对-羟基苯基)乙基、2-(对-羟基苯基)乙基、4-羟基-5-(对-羟基苯基羰氧基)戊基4-hydroxy-5-(p-hydroxyphenylcarbonyloxy)pentyl、萘基naphthyl等。经酸酐基取代的烷基例如但不限于3-戊二酸酐丙基、3-丁二酸酐丙基、2-丁二酸酐乙基。
17、等。经环氧丙烷基取代的烷基例如但不限于2-环氧丙烷基戊基。经环氧丙烷基取代的氧烷基例如但不限于3-环氧丙氧基、2-(3,4-环氧环己基)乙基、2-环氧丙烷基丁氧基丙基、2-环氧丙烷基丁氧基戊基等。0034 在该Rb的定义中,烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基等。酰基说 明 书CN 103135355 A4/22页7例如但不限于乙酰基。芳香基例如但不限于苯基。0035 在式(III)中,当t表示0至3的整数时,t=0时表示硅烷单体为四官能性硅烷,t=1时表示硅烷单体为三官能性硅烷,t=2时表示硅烷单体为二官能性硅烷,t=3时则表示硅烷单体为单官能性硅烷。0036 该硅烷单体包含但。
18、不限于(1)四官能性硅烷:四甲氧基硅烷(tetramethoxysilane)、四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane)、四乙酰氧基硅烷(tetraacetoxysilane)、四苯氧基硅烷等(tetraphenoxysilane);(2)三官能性硅烷:甲基三甲氧基硅烷(methyltrimethoxysilane简称MTMS)、甲基三乙氧基硅烷(methyltriethoxysilane)、甲基三异丙氧基硅烷(methyltriisopropoxysilane)、甲基三正丁氧基硅烷(methyltri-n-butoxysilane)、乙基三甲氧基硅烷(ethyltrimethoxy。
19、silane)、乙基三乙氧基硅烷(ethyltriethoxysilane)、乙基三异丙氧基硅烷(ethyltriisopropoxysilane)、乙基三正丁氧基硅烷(ethyltri-n-butoxysilane)、正丙基三甲氧基硅烷(n-propyltrimethoxysilane)、正丙基三乙氧基硅烷(n-propyltriethoxysilane)、正丁基三甲氧基硅烷(n-butyltrimethoxysilane)、正丁基三乙氧基硅烷(n-butyltriethoxysilane)、正己基三甲氧基硅烷(n-hexyltrimethoxysilane)、正己基三乙氧基硅烷(n-hex。
20、yltriethoxysilane)、癸基三甲氧基硅烷(decyltrimethoxysilane)、乙烯基三甲氧基硅烷(vinyltrimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基硅烷(vinyltriethoxysilane)、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(3-acryloyloxypropyltrimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(3-methylacryloyloxypropyltrimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷(3-methylacryloyloxypropyltriethoxysilane)、苯基三甲氧基硅烷(p。
21、henyltrimethoxysilane,简称PTMS)、苯基三乙氧基硅烷(phenyltriethoxysilane简称PTES)、对-羟基苯基三甲氧基硅烷(p-hydroxyphenyltrimethoxysilane)、1-(对-羟基苯基)乙基三甲氧基硅烷1-(p-hydroxyphenyl)ethyltrimethoxysilane、2-(对-羟基苯基)乙基三甲氧基硅烷2-(p-hydroxyphenyl)ethyltrimethoxysilane、4-羟基-5-(对-羟基苯基羰氧基)戊基三甲氧基硅烷4-hydroxy-5-(p-hydroxyphenylcarbonyloxy)pe。
22、ntyltrimethoxysilane、三氟甲基三甲氧基硅烷(trifluoromethyltrimethoxysilane)、三氟甲基三乙氧基硅烷(trifluoromethyltriethoxysilane)、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷(3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane)、3-氨丙基三甲氧基硅烷(3-aminopropyltrimethoxysilane)、3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyltriethoxysilane)、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)、。
23、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷(3-glycidoxypropyltriethoxysilane)、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane、3-巯丙基三甲氧基硅烷(3-mercaptopropyltrimethoxysilane)、3-乙基-3-3-(三苯氧基甲硅烷基)丙氧基甲基环氧丙烷3-ethyl-3-3-(triphenoxysilyl)propoxymethyloxetane、由东亚合成所制造的市售品:3-乙基-3-3-(三甲氧基甲硅烷基)丙氧基甲基环氧丙烷3-ethyl-3-3-(trimet。
24、hoxysilyl)propoxymethyloxetane(商品名TMSOX-D)、3-乙基-3-3-(三乙氧基甲硅烷基)丙氧基甲基环氧丙烷3-ethyl-3-3-(triethoxysilyl)propoxymethyloxetane(商品名TESOX-D)、2-(三说 明 书CN 103135355 A5/22页8甲氧基甲硅烷基)乙基丁二酸酐2-(trimethoxysilyl)ethyl succinicanhydride、3-(三苯氧基甲硅烷基)丙基丁二酸酐3-(triphenoxysilyl)propyl succinic anhydride、由信越化学所制造的市售品:3-(三甲氧。
25、基甲硅烷基)丙基丁二酸酐3-(trimethoxysilyl)propyl succinic anhydride(商品名X-12-967)、由WACKER公司所制造的市售品:3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基丁二酸酐3-(triethoxysilyl)propyl succinicanhydride(商品名GF-20)、3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基戊二酸酐3-(trimethoxysilyl)propyl glutaric anhydride,简称TMSG、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基戊二酸酐3-(triethoxysilyl)propyl glutaricanhydride、3-(三苯氧基甲硅烷基。
26、)丙基戊二酸酐3-(triphenoxysilyl)propyl glutaric anhydride等;(3)二官能性硅烷:二甲基二甲氧基硅烷(dimethyldimethoxysilane简称DMDMS)、二甲基二乙氧基硅烷(dimethyldiethoxysilane)、二甲基二乙酰氧基硅烷(dimethyldiacetyloxysilane)、二正丁基二甲氧基硅烷di-n-butyldimethoxysilane、二苯基二甲氧基硅烷(diphenyldimethoxysilane)、二异丙氧基-二(2-环氧丙烷基丁氧基丙基)硅烷diisopropoxy-di(2-oxetanylbut。
27、oxypropyl)silane,简称DIDOS、二(3-环氧丙烷基戊基)二甲氧基硅烷di(3-oxetanylpentyl)dimethoxy silane、(二正丁氧基甲硅烷基)二(丙基丁二酸酐)(di-n-butoxysilyl)di(propyl succinicanhydride)、(二甲氧基甲硅烷基)二(乙基丁二酸酐)(dimethoxysilyl)di(ethyl succinic anhydride);(4)单官能性硅烷:三甲基甲氧基硅烷(trimethylmethoxysilane)、三正丁基乙氧基硅烷(tri-n-butylethoxysilane)、3-环氧丙氧基二甲基甲。
28、氧基硅烷(3-glycidoxydimethylmethoxysilane)、3-环氧丙氧基二甲基乙氧基硅烷(3-glycidoxydimethylethoxysilane)、二(2-环氧丙烷基丁氧基戊基)-2-环氧丙烷基戊基乙氧基硅烷di(2-oxetanylbutoxypentyl)-2-oxetanylpentylethoxy silane、三(2-环氧丙烷基戊基)甲氧基硅烷tri(2-oxetanylpentyl)methoxysilane、(苯氧基甲硅烷基)三(丙基丁二酸酐)(phenoxysilyl)tri(propyl succinic anhydride)、(甲基甲氧基甲硅烷基。
29、)二(乙基丁二酸酐)(methylmethoxysilyl)di(ethyl succinic anhydride)等。上述的各种硅烷单体可单独一种使用或混合多种使用。0037 本发明中,前述聚硅氧烷包含但不限于由下式(IV)所示的聚硅氧烷:0038 0039 式(IV)中,Rc、Rd、Re及Rf分别表示氢原子、C1C10烷基、C2C6烯基或C6C15芳香基,该烷基、烯基及芳香基中任一者可选择地含有取代基,当s为21000的整数时,每个Rc为相同或不同,且每个Rd为相同或不同。烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基等。烯基例如但不限于乙烯基、丙烯酰氧基丙基、甲基丙烯酰氧基丙基等。芳香基例如但不限于。
30、苯基、甲苯基、萘基等。0040 Rg及Rh分别表示氢原子、C1C6烷基、C1C6酰基或C6C15芳香基,该烷基、酰基及芳香基中任一者可选择地含有取代基。烷基例如但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、说 明 书CN 103135355 A6/22页9正丁基等。酰基例如但不限于乙酰基。芳香基例如但不限于苯基。0041 进一步地于式(IV)中,s为1至1000的整数。较佳地,s为3至300的整数。更佳地,s为5至200的整数。0042 该聚硅氧烷包含但不限于1,1,3,3-四甲基-1,3-二甲氧基二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二硅氧烷、1,1,3,3-四乙基-1,3-二乙氧基二硅氧。
31、烷、Gelest公司制硅烷醇末端聚硅氧烷的市售品商品名如DM-S12(分子量400700)、DMS-S15(分子量15002000)、DMS-S21(分子量4200)、DMS-S27(分子量18000)、DMS-S31(分子量26000)、DMS-S32(分子量36000)、DMS-S33(分子量43500)、DMS-S35(分子量49000)、DMS-S38(分子量58000)、DMS-S42(分子量77000)、PDS-9931(分子量10001400)等等。上述各种聚硅氧烷可单独一种使用或混合多种使用。0043 该硅烷单体与聚硅氧烷混合使用时,其混合比率并无特别限制。较佳地,该硅烷单体与。
32、聚硅氧烷的Si原子摩尔数比介于100:0.0150:50之间。0044 该聚硅氧烷高分子(A)除了可由上述的硅烷单体和/或聚硅氧烷进行加水分解及部分缩合而制得外,也可混合二氧化硅silicon dioxide粒子进行共聚反应。该二氧化硅的平均粒径并无特别的限制,其平均粒径介于2nm250nm之间。较佳地,其平均粒径介于5nm200nm之间。更佳地,其平均粒径介于10nm100nm之间。0045 该二氧化硅粒子可例如由日挥触媒化成公司所制造的市售品商品名如OSCAR 1132(粒径12nm;分散剂为甲醇)、OSCAR1332(粒径12nm;分散剂为正丙醇)、OSCAR 105(粒径60nm;分散。
33、剂为-丁内酯)、OSCAR 106(粒径120nm;分散剂为二丙酮醇)等、由扶桑化学公司所制造的市售品商品名如QuartronPL-1-IPA(粒径13nm;分散剂为异丙酮)、Quartron PL-1-TOL(粒径13nm;分散剂为甲苯)、Quartron PL-2L-PGME(粒径18nm;分散剂为丙二醇单甲醚)、Quartron PL-2L-MEK(粒径18nm;分散剂为甲乙酮)等、由日产化学公司所制造的市售品商品名如IPA-ST(粒径12nm;分散剂为异丙醇)、EG-ST(粒径12nm;分散剂为乙二醇)、IPA-ST-L(粒径45nm;分散剂为异丙醇)、IPA-ST-ZL(粒径100n。
34、m;分散剂为异丙醇)等。上述各种二氧化硅粒子可单独一种使用或混合多种使用。0046 该二氧化硅粒子与该硅烷单体和/或聚硅氧烷混合时,并无使用量的限制。较佳地,该二氧化硅粒子的Si原子摩尔数与该聚硅氧烷高分子(A)的Si原子摩尔数比为1%50%之间。0047 该加水分解及部分缩合可使用一般的方法。例如,在硅烷单体和/或聚硅氧烷、二氧化硅粒子等混合物中添加溶剂、水,或选择性地可进一步添加催化剂,接着于50150下加热搅拌0.5小时120小时。搅拌中,必要时可通过蒸馏除去副产物(醇类、水等)。0048 上述溶剂并没有特别限制,可与本发明光硬化性聚硅氧烷组成物中所含的溶剂(D)为相同或不同。较佳地,基。
35、于硅烷单体和/或聚硅氧烷的总重为100克,该溶剂的添加量为15克1200克。更佳地,该溶剂的添加量为20克1100克。又更佳地,该溶剂的添加量为30克1000克。0049 基于混合物中所含的可水解基团为1摩尔,该用于水解的水的添加量为0.5摩尔2摩尔。0050 该催化剂没有特别的限制,较佳地,该催化剂选自于酸催化剂或碱催化剂。该酸催说 明 书CN 103135355 A7/22页10化剂包含但不限于盐酸、硝酸、硫酸、氟酸、草酸、磷酸、乙酸、三氟乙酸、甲酸、多元羧酸或其酐、离子交换树脂等。该碱催化剂包含但不限于二乙胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氢。
36、氧化钠、氢氧化钾、含有氨基的烷氧基硅烷、离子交换树脂等。0051 较佳地,基于硅烷单体和/或聚硅氧烷的总重为100克,该催化剂的添加量为0.005克15克。更佳地,该催化剂的添加量为0.01克12克。又更佳地,该催化剂的添加量为0.05克10克。0052 基于稳定性的观点,经加水分解及部分缩合后所制得的聚硅氧烷高分子(A)以不含副产物(如醇类或水)、催化剂为佳,因此所制得的聚硅氧烷高分子(A)可选择性地进行纯化。纯化方法并无特别限制,较佳地,可以用疏水性溶剂稀释聚硅氧烷高分子(A),接着用蒸发器浓缩经水洗涤数回的有机层以除去醇类或水。另外,可使用离子交换树脂除去催化剂。0053 醌二叠氮磺酸酯。
37、(B)0054 该光硬化性聚硅氧烷组成物中的醌二叠氮磺酸酯(B)没有特别的限制,可选用一般以往所使用的。该醌二叠氮磺酸酯(B)可为完全酯化或部分酯化的酯化物。较佳地,该醌二叠氮磺酸酯(B)是由邻萘醌二叠氮磺酸或其盐类与羟基化合物反应所制得。更佳地,该醌二叠氮磺酸酯(B)是由邻萘醌二叠氮磺酸或其盐类与多元羟基化合物反应所制得。0055 该邻萘醌二叠氮磺酸包含但不限于邻萘醌二叠氮-4-磺酸、邻萘醌二叠氮-5-磺酸、邻萘醌二叠氮-6-磺酸等。该邻萘醌二叠氮磺酸的盐类例如但不限于邻萘醌二叠氮磺酸卤盐。0056 该羟基化合物包含但不限于(以下各种羟基化合物可以单独一种使用或混合多种使用):0057 (1。
38、)羟基二苯甲酮类化合物,例如但不限于2,3,4-三羟基二苯甲酮、2,4,4-三羟基二苯甲酮、2,4,6-三羟基二苯甲酮、2,3,4,4-四羟基二苯甲酮、2,4,2,4-四羟基二苯甲酮、2,4,6,3,4-五羟基二苯甲酮、2,3,4,2,4-五羟基二苯甲酮、2,3,4,2,5-五羟基二苯甲酮、2,4,5,3,5-五羟基二苯甲酮、2,3,4,3,4,5-六羟基二苯甲酮等。0058 (2)羟基芳基类化合物,例如但不限于由式(V)所示的羟基芳基类化合物:0059 0060 在式(V)中,RiRk表示氢原子或C1C6的烷基;RlRq表示氢原子、卤素原子、C1C6的烷基、C1C6的烷氧基(alkoxy)、C1C6的链烯基(alkenyl)以及环烷基(cycloalkyl);Rr及Rw表示氢原子、卤素原子及C1C6的烷基;x、y及z表示1至3的整说 明 书CN 103135355 A10。