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1、(10)申请公布号 CN 103176324 A(43)申请公布日 2013.06.26CN103176324A*CN103176324A*(21)申请号 201210557316.1(22)申请日 2012.12.202011-278794 2011.12.20 JPG02F 1/1368(2006.01)G02F 1/1362(2006.01)G02F 1/1339(2006.01)G02F 1/133(2006.01)(71)申请人株式会社日本显示器中部地址日本崎玉(72)发明人森田伸(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司 72002代理人舒雄文 王英(54) 发明名称液晶显示装置。
2、(57) 摘要本发明公开了一种液晶显示装置。在一个实施例中，第一配线从有源区引出，并且短路环电路设置在所述有源区的外周部。第一电极形成在与所述第一配线相同的层中。半导体层形成在所述第一电极上。第二电极的一部分通过绝缘层与所述第一电极面对且设置在所述半导体层上。第三电极设置在所述半导体层上且与所述第二电极相同的层中。所述第一电极包括设置在所述第二电极的边缘下的切口部。(30)优先权数据(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书6页 附图3页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书6页 附图3页(10)申请公布号 CN 103176324 ACN 10317。
3、6324 A1/2页21.一种液晶显示装置，包括：阵列衬底，其包括由以矩阵设置的多个像素电极形成的有源区、从所述有源区引出的第一配线、和设置在所述有源区的外周部中的短路环电路；对向衬底，其面对所述阵列衬底设置并且包括面对所述像素电极的共用电极；液晶层，其保持在所述阵列衬底与所述对向衬底之间；其中所述短路环电路包括：第一电极，其形成在与所述第一配线相同的层中，半导体层，其在所述第一电极上，第二电极，所述第二电极的一部分通过第一绝缘层与所述第一电极面对且设置在所述半导体层上，第三电极，设置在所述半导体层上且在与所述第二电极相同的层中，并且所述第一电极包括设置在所述第二电极下的切口部。2.根据权利要。
4、求1所述的液晶显示装置，所述切口部设置在所述第一电极的边缘与所述第二电极的边缘交叉的位置处。3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括第二配线以便围绕所述有源区，其中所述第二电极或所述第三电极与所述第二配线电连接。4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括设置为围绕所述有源区的密封材料，其中所述短路环电路设置在所述密封材料与所述有源区之间，并且第二绝缘层设置在所述第一电极和所述第二电极上。5.一种液晶显示装置，包括：阵列衬底，其包括由以矩阵设置的多个像素电极形成的有源区、从所述有源区引出的第一配线、和设置在所述有源区的外周部中的短路环电路；对向衬底，其面对所述阵列衬底设置并且包括面对所述像。
5、素电极的共用电极；以及液晶层，其保持在所述阵列衬底与所述对向衬底之间；其中所述短路环电路包括：第一电极，其形成在与所述第一配线相同的层中，半导体层，其在所述第一电极上，第二电极，所述第二电极的一部分通过第一绝缘层与所述第一电极面对且设置在所述半导体层上，第三电极，设置在所述半导体层上且在与所述第二电极相同的层中，并且所述第一电极包括设置在所述第二电极下且从所述第二电极的边缘突出的凸部。6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，所述凸部设置在所述第二电极的边缘与所述第一电极的边缘交叉的位置处。7.根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括第二配线以便围绕所述有源区，其中所述第二电极或所述第三电极与所述。
6、第二配线电连接。8.根据权利要求5所述的液晶显示装置，还包括设置为围绕所述有源区的密封材料，其中所述短路环电路设置在所述密封材料与所述有源区之间，并且第二绝缘层设置在所述第一电极和所述第二电极上。9.一种液晶显示装置，包括：阵列衬底，其包括由以矩阵设置的多个像素电极形成的有源区、从所述有源区引出的第一配线、和设置在所述有源区的外周部中的短路环电路；权 利 要 求 书CN 103176324 A2/2页3对向衬底，其面对所述阵列衬底设置并且包括面对所述像素电极的共用电极；液晶层，其保持在所述阵列衬底与所述对向衬底之间；其中所述短路环电路包括：第一电极，其形成在与所述第一配线相同的层中，半导体层，。
7、其在所述第一电极上，第二电极，所述第二电极的一部分通过第一绝缘层与所述第一电极面对且设置在所述半导体层上，并且所述第一绝缘层包括形成在所述第一电极与所述第二电极之间的阶梯部且所述阶梯部的厚度比所述第一绝缘层的其它部分的厚度要薄；以及第三电极，设置在所述半导体层上且在与所述第二电极相同的层中；并且其中：所述第一电极包括设置在所述第二电极下的切口部，并且当静电被施加在所述第一电极与所述第二电极之间时，通过击穿所述第一绝缘层的所述阶梯部，所述第一电极在所述切口部周围与所述第二电极电连接。10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，所述切口部设置在所述第一电极的边缘与所述第二电极的末端交叉的位置处。11.。
8、根据权利要求9所述的液晶显示装置，还包括第二配线以便围绕所述有源区，其中所述第二电极或所述第三电极与所述第二配线电连接。12.根据权利要求9所述的液晶显示装置，还包括设置为围绕所述有源区的密封材料，其中所述短路环电路设置在所述密封材料与所述有源区之间，并且第二绝缘层设置在所述第一电极和所述第二电极上。13.一种液晶显示装置，包括：阵列衬底，其包括由以矩阵设置的多个像素电极形成的有源区、从所述有源区引出的第一配线、和设置在所述有源区的外周部中的短路环电路；对向衬底，其面对所述阵列衬底设置并且包括面对所述像素电极的共用电极；液晶层，其保持在所述阵列衬底与所述对向衬底之间；其中所述短路环电路包括：第。
9、一电极，其形成在与所述第一配线相同的层中，半导体层，其在所述第一电极上，第二电极，所述第二电极的一部分通过第一绝缘层与所述第一电极面对且设置在所述半导体层上，并且所述第一绝缘层包括形成在所述第一电极与所述第二电极之间的阶梯部且所述阶梯部的厚度比所述第一绝缘层的其它部分的厚度要薄；以及第三电极，设置在所述半导体层上且在与所述第二电极相同的层中；并且其中：所述第一电极包括设置在所述第二电极下且从所述第二电极的边缘突出的凸部，并且当静电被施加在所述第一电极与所述第二电极之间时，通过击穿所述第一绝缘层的所述阶梯部，所述第一电极在所述凸部周围与所述第二电极电连接。14.根据权利要求13所述的液晶显示装置。
10、，所述凸部设置在所述第二电极的边缘与所述第一电极的边缘交叉的位置处。15.根据权利要求13所述的液晶显示装置，还包括第二配线以便围绕所述有源区，其中所述第二电极或所述第三电极与所述第二配线电连接。16.根据权利要求13所述的液晶显示装置，还包括设置为围绕所述有源区的密封材料，其中所述短路环电路设置在所述密封材料与所述有源区之间，并且第二绝缘层设置在所述第一电极和所述第二电极上。权 利 要 求 书CN 103176324 A1/6页4液晶显示装置0001 相关申请的交叉引用0002 本申请基于2011年12月20日提交的在先日本专利申请No.2011-278794的优先权，并要求其优先权权益，其。
11、全部内容通过引用并入本文。技术领域0003 本文所描述的实施例大体上涉及液晶显示装置。背景技术0004 液晶显示装置配备有一对相互面对的衬底和保持在其间的液晶层。该对衬底由密封材料附接，该密封材料设置为使得该密封材料围绕含有以矩阵形状设置的显示像素的有源区。液晶层保持在由该对衬底之间的密封材料所围绕的区域中。0005 通过多个工艺来制造液晶显示装置，诸如形成第一衬底的工艺、形成第二衬底的工艺、以及附接第一衬底和第二衬底的工艺等。当在制造工艺期间或制造之后将静电施加到形成在衬底中的电导体时，导体或树脂层可能会被静电击穿。因此，存在降低显示装置的制造成品率和可靠性的可能性。0006 另一方面，在液。
12、晶显示装置中，近年来希望通过设定较小的衬底之间的间隙来使液晶层更薄，从而改善高速响应和视角特性。此外，还希望通过使围绕有源区的边框变窄来使外形尺寸变小。因此，研究在使密封材料的宽度变窄的同时使从密封材料到有源区的距离变短。0007 存在如果所形成的密封材料的宽度较小则会减小密封材料阻挡杂质从外部进入到液晶层中的功能的可能性。当所制造的液晶层较薄且受杂质污染时，存在由于衬底之间产生的电势差使得电流在液晶层中流动、以及液晶层周围的导电层和树脂层被腐蚀的可能性。附图说明0008 并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并连同以上所给出的大体描述和以下所给出的实施例的详细描述一。
13、起用于说明本发明的原理。0009 图1是示意性地示出根据实施例的液晶显示装置及其等效电路的结构的示图。0010 图2是示出根据第一实施例的图1中所示的液晶显示装置的短路环（short r ing）电路的结构的示图。0011 图3是示意性地示出沿图2中的线III-III所截取的阵列衬底的截面图的示图。0012 图4是示出根据第二实施例的液晶显示装置的短路环电路的结构的示图。具体实施方式0013 现在将参照附图描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示装置，其中相同或相似的附图标记表示贯穿若干视图的相同或相应的部分。说 明 书CN 103176324 A2/6页50014 根据一个实施例，液晶显示装置。
14、包括：阵列衬底，其包括由以矩阵设置的多个像素电极形成的有源区、从所述有源区引出的第一配线、和设置在所述有源区的外周部中的短路环电路；对向衬底，其面对所述阵列衬底设置并且包括面对所述像素电极的共用电极；以及液晶层，其保持在所述阵列衬底与所述对向衬底之间；其中所述短路环电路包括：第一电极，其形成在与所述第一配线相同的层中；半导体层，其在所述第一电极上；第二电极，所述第二电极的一部分通过第一绝缘层与所述第一电极面对，并且所述第二电极设置在所述半导体层上；第三电极，设置在所述半导体层上且在与所述第二电极相同的层中，并且所述第一电极包括设置在所述第二电极下的切口部。0015 图1是示意性地示出根据实施例。
15、的液晶显示装置及其等效电路的结构的示图。液晶显示装置配备有有源矩阵型液晶显示面板LPN。0016 液晶显示面板LPN配备有作为第一衬底的阵列衬底AR、作为面对阵列衬底AR的第二衬底的对向衬底CT、和保持在其间的液晶层LQ。液晶显示面板LPN配备有显示图像的有源区AA。有源区AA由以(mn)矩阵形状设置的多个像素PX构成（在这里，“m”和“n”是正整数）。0017 液晶显示面板LPN在有源区AA中配备有“n”条栅极线GL（GL(1)GL(n)），“m”条源极线SL（SL(1)SL(m)）等。例如，栅极线GL在第一方向X上成直线地延伸。栅极线GL依次沿与第一方向X正交相交的第二方向Y设置。源极线S。
16、L与栅极线GL交叉。源极线SL在第二方向Y上成直线地延伸。栅极线GL和源极线SL不一定成直线地延伸，其一部分也可以部分地弯曲。0018 将每一栅极线GL引出到有源区AA的外部并且连接到栅极驱动器GD。将每一源极线S引出到有源区AA的外部并且连接到源极驱动器SD。栅极驱动器GD和源极驱动器SD的至少一部分形成在阵列衬底AR中，例如，与配备有控制器的驱动器IC芯片12连接。驱动IC芯片12向栅极驱动器GD输出诸如时钟信号和水平同步信号等控制信号，并且向源极驱动器SD输出诸如时钟信号和垂直同步信号等控制信号以及图像信号。将控制信号和图像信号通过连接焊盘PD从外部输入到驱动器IC芯片12。0019 每。
17、一像素PX配备有开关元件SW、像素电极PE、共用电极CE等。另外，在根据本实施例的液晶显示面板LPN中，当像素电极PE形成在阵列衬底AR中时，共用电极CE形成在对向衬底CT中，并且利用形成在像素电极PE与共用电极CE之间的电场来切换液晶层LQ的液晶分子。0020 开关元件SW由n沟道型薄膜晶体管（TFT）形成，并与栅极线GL和源极线SL电连接。开关元件SW配备有由多晶硅或非晶硅形成的半导体层。此外，开关元件SW可以是顶栅型和底栅型中的任一种。0021 像素电极PE设置在每一像素PX中，并且与开关元件SW电连接。共用电极CE设置成通过液晶层LQ为多个像素PX的像素电极PE所共用。虽然像素电极PE。
18、和共用电极CE由诸如氧化铟锡（ITO）和氧化铟锌（IZO）等具有光透射特性的导电材料形成，但是它们也可以根据液晶显示装置的显示模式由诸如铝、银、钼、铝、钨和钛及其合金等其它金属材料形成。0022 在阵列衬底AR中，后面将要提到的短路环电路SR设置在有源区AA的周边区域中的有源区AA与栅极驱动器GD之间以及有源区AA与源极驱动器SD之间。短路环电路SR说 明 书CN 103176324 A3/6页6设置在围绕密封材料10的区域内。0023 此外，阵列衬底AR配备有共用配线COM，共用配线COM设置为使得共用配线COM在有源区AA的周边区域中围绕有源区AA。共用配线COM与连接焊盘PD电连接。将共。
19、用电压从外部通过连接焊盘PD提供到共用配线COM。0024 共用电极CE设置为面对有源区AA中的多个像素电极PE，并通过导电部件（未示出）与阵列衬底AR中的共用配线COM电连接。0025 图2是示出根据第一实施例的图1中所示的液晶显示装置的短路环电路SR的结构的示图。图2示出了设置在栅极线GL从有源区AA延伸到栅极驱动器GD的路径中的短路环电路SR。0026 短路环电路SR包括分别控制静电能量的第一电路SR1、第二电路SR2、第三电路SR3和第四电路SR4。0027 第一电路SR1至第四电路SR4分别具有栅极电极（第一电极）GE、设置在栅极电极GE上的半导体层SC、以及设置在半导体层SC上的源。
20、极电极（第二电极）SE和漏极电极（第三电极）DE。0028 第一电路SR1的栅极电极GE与栅极线GL电连接或一体地形成。第一电路SR1的源极电极SE与第四电路SR4的漏极电极DE电连接或一体地形成。第一电路SR1的漏极电极DE与第二电路SR2的源极电极SE电连接或一体地形成，并且其一部分设置在第二电路SR2的栅极电极GE上。0029 第二电路SR2的漏极电极DE与共用配线COM电连接或一体地形成。第二电路SR2的栅极电极GE和源极电极SE分别从构成第二电路SR2的开关晶体管延伸，以便远离开关晶体管相互交叉。第二电路SR2的源极电极SE（第一电路SR1的漏极电极DE）与第二电路SR2的栅极电极G。
21、E重叠。在该交叉部中，第二电路SR2的栅极电极GE具有设置在第二电路SR2的源极电极SE（第一电路SR1的漏极电极DE）的边缘下的切口部RE。即，第二电路SR2的栅极电极GE的边缘与第二电路SR2的源极电极SE（第一电路SR1的漏极电极DE）的边缘交叉。如图3中所示，切口部RE设置在第二电路SR2的源极电极SE的边缘通过绝缘层L1面对第二电路SR2的栅极电极GE的边缘处。0030 从开关晶体管延伸的第三电路SR3的栅极电极GE一部分设置在共用配线COM下以便交叉。第三电路SR3的源极电极SE与共用配线COM电连接或一体地形成。当第三电路SR3的漏极电极DE与第四电路SR4的源极电极SE电连接或。
22、一体地形成时，第三电路SR3的漏极电极DE（第四电路SR4的源极电极SE）的一部分设置在第四电路SR4的栅极电极GE上以便交叉。第三电路SR3的栅极电极GE设置有切口部RE，该切口部RE在通过绝缘层L1与该栅极电极GE的边缘交叉的共用配线COM的边缘下。0031 从开关晶体管延伸的第四电路SR4的栅极电极GE的一部分设置在第四晶体管SR4的源极电极SE下以便交叉。第四电路SR4的栅极电极GE设置有切口部RE，该切口部RE在通过绝缘层L1与该栅极电极GE的边缘交叉的第四电路SR4的源极电极SE的边缘下。0032 第四电路SR4和第一电路SR1设置在栅极线GL的两侧，并且第四电路SR4的漏极电极D。
23、E和第一电路SR1的源极电极SE在与栅极线GL相交的方向上延伸。栅极线GL具有设置在第一电路SR1的源极电极SE（第四电路SR4的漏极电极DE）的边缘下的切口部RE。切口部RE形成在第一电路SR1的源极电极SE的边缘通过绝缘层L1与第一电路SR1的栅说 明 书CN 103176324 A4/6页7极电极GE的边缘交叉的位置中。0033 另外，在图2中所示的短路环电路SR中，虽然以三角形形状去除了栅极电极GE的一部分以形成切口部RE，并且在图2中所示的短路环电路SR中以山形压低了该栅极电极GE的一部分，但是切口部RE的形式并不限于此。0034 图3是示出沿图2中的线III-III所截取的阵列衬底。
24、AR的截面的示例的示图。阵列衬底AR具有透明绝缘衬底14。栅极线GL设置在透明绝缘衬底14上。切口部RE形成在栅极线GL的边缘处。绝缘层L1设置在栅极线GL上，并且第一电路SR1的源极电极SE（第四电路SR4的漏极电极DE）设置在绝缘层L1上。即，形成了绝缘层L1的阶梯部。绝缘层L2设置在第一电路SR1的源极电极SE（第四电路SR4的漏极电极DE）上。例如，绝缘层L1和L2由氮化硅层或抗蚀剂层形成。0035 沿其中设置有切口部RE的栅极线GL的边缘，绝缘层L1的厚度变薄。因此，栅极线GL的边缘与第一电路SR1的源极电极SE之间的绝缘层L1变薄。0036 在这里，当静电从栅极驱动器GD侧施加到栅。
25、极线GL时，由于静电的能量大，所以通过击穿绝缘层L1变薄的切口部RE周围的绝缘层L1，使得栅极线GL与第一电路SR1的源极电极SE电连接。在切口部RE中，由于栅极线GL的压低的形状所致，加强了栅极线GL与第一电路SR1的源极电极SE之间的电场。由于由静电的电压被施加到第一电路SR1的栅极电极GE，使得第一电路SR1的源极电极SE和漏极电极DE通过半导体层SC电连接。因此，静电从第一电路SR1的源极电极SE流到漏极电极DE。0037 当被施加到第一电路SR1的漏极电极DE的静电仍然具有大的能量时，通过击穿形成在第二电路SR2的栅极电极GE的边缘中的切口部RE周围的绝缘层L1，使得第二电路SR2的。
26、源极电极SE（第一电路SR1的漏极电极DE）与第二电路SR2的栅极电极GE电连接。相应地，因为第一电路SR1的漏极电极DE与第二电路SR2的源极电极SE电连接，所以利用施加到栅极电极GE的电压，使静电通过半导体层SC从第二电路SR2的源极电极SE施加到漏极电极DE。静电从第二电路SR2的源极电极SE流到漏极电极DE。由于第二电路SR2的漏极电极DE与共用配线COM电连接，所以通过第二电路SR2的静电被施加到共用配线COM。由于与其它配线相比，共用配线COM的配线宽度较宽且其电容较大，所以即使在施加了静电的情况下，也很难损坏共用配线COM。因此，共用配线COM连接到短路环电路SR。0038 当静。
27、电从共用配线COM侧施加到短路电路SR时，通过击穿在共用配线COM的边缘下的第三电路SR3的栅极电极GE的边缘处形成的切口部RE周围的绝缘层L1，使共用配线COM与第三电路SR3的栅极电极GE电连接。然后，利用施加到栅极电极GE的电压，使第三电路SR3的源极电极SE和漏极电极DE通过半导体层SC电连接。由于共用配线COM与第三电路SR3的源极电极SE电连接，所以静电从第三电路SR3的源极电极SE流到漏极电极DE。0039 当施加到第三电路SR3的漏极电极DE的静电仍然具有大的能量时，通过击穿在第四电路SR4的源极电极SE的边缘下的栅极电极GE的边缘处形成的切口部RE周围的绝缘层L1，使第四电路。
28、SR4的源极电极SE与栅极电极GE电连接。由此，利用施加到栅极电极GE的电压，使第四电路SR4的源极电极SE和漏极电极DE通过半导体层SC电连接。由于第三电路SR3的漏极电极DE与第四电路SR4的源极电极SE电连接，所以静电从第四电路SR4的源极电极SE流到漏极电极DE。说 明 书CN 103176324 A5/6页80040 当施加到第四电路SR4的漏极电极DE的静电仍然具有大的能量时，在形成在栅极线GL的边缘处的切口部RE周围，通过击穿绝缘层L1，使第一电路SR1的源极电极SE与栅极线GL电连接。如上所述，静电被按顺序施加到第一电路SR1和第二电路SR2，并且控制了静电的能量。因此，可以避。
29、免形成在有源区AA中的导电层、树脂层等被静电损坏。0041 此外，已知施加到电极的静电沿电极的表面流动。因此，期望沿切口部RE的电极的边缘与设置在其上的电极的边缘交叉。0042 根据如上所述的短路环电路SR，可以在不使用设置在与像素电极PE相同的层中的导电层的情况下形成短路环电路SR，并且可以防止由混入液晶层LQ中的杂质造成的电路的腐蚀。即，由于根据本实施例的液晶显示装置中的短路环电路SR覆盖有绝缘层L2并且不接触液晶层LQ，所以即使在液晶层LQ中混入杂质的情况下，也会防止腐蚀。因此，根据本实施例，可以提供一种可靠的液晶显示装置而不降低制造成品率。0043 另外，上述短路环电路SR可以由形成在。
30、与栅极线GL和源极线SL相同的层中的导电层形成，并且绝缘层L1和L2设置在导电层之间。因此，不需要准备额外的制造工艺来形成短路环电路SR。0044 接着，参照附图详细说明根据第二实施例的液晶显示装置。另外，在以下说明中，对于与上述第一实施例的液晶显示装置相同的组成，采用相同的附图标记，并省略其说明。0045 图4是示出根据第二实施例的液晶显示装置的短路环电路的结构的示图。根据本实施例的短路环电路SR包括第一电路SR1至第四电路SR4。0046 第二电路SR2的栅极电极GE包括从在第二电路SR2的源极电极SE（第一电路SR1的漏极电极DE）的边缘下的栅极电极GE的边缘向基本上平行于衬底表面的方向。
31、以山形突出的凸部PR。0047 凸部PR形成在第二电路SR2的源极电极SE和栅极电极GE的边缘通过绝缘层L1相互交叉的位置处。凸部PR延伸到栅极电极GE的外侧。0048 即，第二电路SR2的源极电极SE和栅极电极GE包括通过绝缘层L1互相面对的部分，并且凸部PR从面对的部分超越源极电极SE的边缘向外侧突出。0049 第三电路SR3的栅极电极GE包括从共用配线COM的边缘下的部分在基本上平行于衬底表面的方向上以山形突出的凸部PR。0050 凸部PR形成在共用配线COM的边缘和第三电路SR3的栅极电极GE的边缘通过绝缘层L1相互交叉的位置处。凸部PR向栅极电极GE的外侧突出。0051 即，共用配线。
32、COM和第三电路SR3的栅极电极GE包括通过绝缘层L1相互面对的部分，并且凸部PR从面对的部分超越共用配线COM的边缘向外侧突出。0052 第四电路SR4的栅极电极GE包括从其在第四电路SR4的源极电极SE（第三电路SR3的漏极电极DE）下的部分在基本上平行于衬底表面的方向上以山形突出的凸部PR。0053 凸部PR形成在第四电路SR4的源极电极SE和栅极电极GE的边缘通过绝缘层L1相互交叉的位置处。凸部PR向栅极电极GE的外侧突出。0054 即，第四电路SR4的源极电极SE和栅极电极GE包括通过绝缘层L1相互面对的部分，并且凸部PR从面对的部分超越源极电极SE的边缘向外侧突出。0055 栅极线。
33、GL包括从第一电路SR1的源极电极SE（第四电路SR4的漏极电极DE）下的边缘向基本上平行于衬底表面的方向以山形突出的凸部PR。说 明 书CN 103176324 A6/6页90056 凸部PR形成在第一电路SR1的源极电极SE和栅极电极GE的边缘相互交叉的栅极线GL的边缘处，并且从栅极电极GE的边缘向外侧突出。0057 即，第一电路SR1的源极电极SE和栅极线GL包括通过绝缘层L1相互面对的部分，并且凸部PR从栅极线GL面对源极电极SE的面对的部分超越源极电极SE的边缘向外侧突出。0058 如上所述，在根据本实施例的液晶显示装置中，设置凸部PR来代替第一实施例中的液晶显示装置的短路环电路SR。
34、的切口部RE。除了这一点以外，在根据本实施例的液晶显示装置中，其结构与上述第一实施例的结构相同。0059 此外，在提供凸部PR代替切口部RE的情况下，沿其中设置了凸部RE的电极的边缘，绝缘层L1的厚度变薄。即，形成了绝缘层L1的阶梯部。相应地，在栅极电极GE的边缘与形成在栅极电极GE上的源极电极SE或漏极电极DE之间的绝缘层L1变薄。因此，类似于上述第一实施例，当具有大能量的静电被施加到栅极线GL或共用配线COM时，由短路环电路SR的第一电路SR1至第四电路SR4一个接一个地控制静电。由此，可以避免设置在有源区AA中的导电层、树脂层等被静电损坏。0060 此外，已知被施加到电极的静电沿电极的表。
35、面流动。因此，期望沿凸部PR的电极的边缘与设置在其上的电极的边缘交叉。0061 根据本实施例，可以在不降低制造成品率的情况下提供可靠的液晶显示装置。此外，与第一实施例一样，不必要准备额外的制造工艺来形成上述短路环电路SR。0062 此外，虽然上述的第一和第二实施例说明了关于设置在从有源区AA向外侧引出的栅极线GL中的短路环电路SR，但是其中设置有短路环电路SR的位置并不限于此。短路环电路SR可以设置在任何从有源区AA向外侧引出的配线中。相应地，短路环电路SR例如可以形成在从有源区AA向外侧引出的源极线SL中，还可以设置在形成在衬底上的其它电导体中。0063 此外，在上述的第一和第二实施例中，虽。
36、然短路环电路SR配备有第一电路SR1至第四电路SR4，但是其结构并不限于这一种。由于第一电路SR1至第四电路SR4中的每一个均可以使所施加的静电能量衰减，所以即使仅设置了第一电路SR1，也可以通过将第一电路SR1的漏极电极DE与共用配线COM电连接来控制施加到栅极线GL的静电。此外，仅设置了第一电路SR1和第二电路SR2的情况也可适用于实现该效果。此外，仅设置了第一电路SR1和第三电路SR3的情况也是可适用的。在此情况下，第三电路SR3的漏极电极DE与第一电路SR1的源极电极SE连接，使得第三电路SR3的漏极电极DE与栅极线GL交叉。在这些情况下，可以获得与上述的第一和第二实施例相同的效果。0064 虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅是通过示例的方式而提出的，并不旨在限制本发明的范围。实际上，本文所述的新颖实施例可以以各种其它形式来体现；而且，可以在不脱离本发明的精神的情况下，可以作出以本文所述的实施例的形式的各种省略、替代和变化。所附权利要求及其等同形式旨在覆盖将会落入本发明的范围和精神内的这些形式或变型。说 明 书CN 103176324 A1/3页10图1说 明 书 附 图CN 103176324 A10。