有机发光材料.pdf

本发明涉及有机发光材料。提供含有2-苯基喹啉配体的新型磷光金属络合物，所述2-苯基喹啉配体的喹啉环上具有至少两个取代基。所公开的化合物具有低的升华温度，所述低的升华温度允许纯化和制作成各种OLED装置的便利性。

权利要求书一种具有下式的化合物：
式I；
其中M是原子量高于40的金属；
其中L是第二配体；
其中d是L的齿合度；
其中m是所述金属M的最大配位数；
其中n是至少1；
其中R1、R2以及R3中的每一个独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、环烷基和其组合；
其中R1、R2以及R3中的至少两个不是氢或氘；
其中R1、R2以及R3的碳原子数目总和是至少4；并且其中R1、R2或R3中直接连接至环A的任何碳原子是伯碳原子、仲碳原子或叔碳原子；
其中Ra表示单取代、二取代、三取代或四取代；并且
其中Ra选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物具有下式：
式II；
其中R4和R5是烷基。
如权利要求2所述的化合物，其中所述化合物具有下式：
式III。
如权利要求1所述的化合物，其中M是Ir。
如权利要求1所述的化合物，其中n是2。
如权利要求1所述的化合物，其中L是单阴离子二齿配体。
如权利要求1所述的化合物，其中L是并且
其中Rx、Ry以及Rz各自独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
如权利要求7所述的化合物，其中Rx、Ry以及Rz独立地选自由以下各项组成的组：烷基、氢、氘和其组合。
如权利要求8所述的化合物，其中Rz是氢或氘，并且Rx和Ry独立地选自由以下各项组成的组：甲基、CH(CH3)2以及CH2CH(CH3)2。
如权利要求7所述的化合物，其中所述化合物具有下式：
式IV。
如权利要求1所述的化合物，其中R1和R3是烷基。
如权利要求1所述的化合物，其中R1和R2是烷基。
如权利要求1所述的化合物，其中R2和R3是烷基。
如权利要求1所述的化合物，其中R1和R3是甲硅烷基或甲锗烷基。
如权利要求1所述的化合物，其中R1、R2以及R3独立地选自由以下各项组成的组：CH(CH3)2、CH2CH(CH3)2、CH2C(CH3)3、环戊基、环己基、乙基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三甲基甲锗烷基、三乙基甲锗烷基以及三异丙基甲锗烷基。
如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物选自由以下各项组成的组：










以及

一种包括第一有机发光装置的第一装置，所述第一有机发光装置进一步包括：
阳极；
阴极；
有机层，其布置在所述阳极与所述阴极之间，所述有机层包含具有下式的化合物：
式I；
其中M是原子量高于40的金属；
其中L是第二配体；
其中d是L的齿合度；
其中m是所述金属M的最大配位数；
其中n是至少1；
其中R1、R2以及R3中的每一个独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、环烷基和其组合；
其中R1、R2以及R3中的至少两个不是氢或氘；
其中R1、R2以及R3的碳原子数目总和是至少4；并且其中R1、R2或R3中直接连接至环A的任何碳原子是伯碳原子、仲碳原子或叔碳原子；
其中Ra表示单取代、二取代、三取代或四取代；并且
其中Ra选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
如权利要求17所述的第一装置，其中所述第一装置是消费品。
如权利要求17所述的第一装置，其中所述第一装置是有机发光装置。
如权利要求17所述的第一装置，其中所述第一装置包括照明板。
如权利要求17所述的第一装置，其中所述有机层是发射层并且化合物是发射掺杂剂。
如权利要求17所述的第一装置，其中所述有机层进一步包括主体。
如权利要求22所述的第一装置，其中所述主体是金属8‑羟基喹啉盐。
如权利要求23所述的第一装置，其中所述主体是：

说明书有机发光材料
所要求的发明是由签署大学‑企业联合研究协议的各方中的一方或多方进行的、以各方中的一方或多方为名义进行的，或者是与以下各方中的一方或多方联合进行的，即：密歇根大学(University of Michigan)、普林斯顿大学(Princeton University)、南加利福尼亚大学(The University of Southern California)的校董，和通用显示器公司(Universal Display Corporation)。该协议在作出所要求的发明当日或之前就生效，并且所要求的发明是由于在该协议范围之内进行的活动而进行的。
发明领域
本发明涉及含有杂环配体的金属络合物，所述杂环配体上具有至少两个取代基。这些金属络合物适合于OLED装置。
背景

利用有机材料的光电装置由于多种原因而变得越发合意。用于制造此类装置的多数材料是相对便宜的，所以有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。此外，有机材料的固有特性，如它们的柔性，可使得它们充分适合于具体的应用，如在柔性基板上的制作。有机光电装置的实例包括有机发光装置(OLED)、有机光晶体管、有机光伏电池，和有机光探测器。对于OLED，有机材料可具有优于常规材料的性能优势。例如，使用适当的掺杂剂通常可而容易地调谐有机发射层发光所在的波长。
OLED利用当在装置上施加电压时发光的薄有机膜。OLED变成日益受关注的用于如平板显示器、照明，和逆光照明的应用中的技术。数种OLED材料和配置描述于美国专利号5,844,363、6,303,238和5,707,745中，这些专利是以引用的方式全部并入本文中。
磷光发射分子的一种应用是全彩色显示器。这种显示器的工业标准要求像素适配成发射特定的颜色，称为“饱和”色。具体来说，这些标准要求饱和的红、绿，和蓝色像素。颜色可以使用在本领域众所周知的CIE坐标来测量。
绿色发射分子的一个实例是三(2‑苯基吡啶)铱，表示为Ir(ppy)3，它具有以下结构：

在此图，以及本文之后的图中，我们将从氮到金属(此处为Ir)的配价键描绘为直线。
如本文所使用，术语“有机”包括聚合材料和小分子有机材料，这些材料可用于制作有机光电装置。“小分子”指代不是聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。例如，使用长链烷基作为取代基不会将分子从“小分子”类别排除。也可以将小分子并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧基或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，该树枝状聚合物包括建立在核心部分之上的一系列的化学外壳。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且相信目前OLED领域中所使用的所有树枝状聚合物都是小分子。
如本文所使用，“顶部”意思是距离基板最远，而“底部”意思是距离基板最近。当第一层被描述为“布置在第二层之上”，则第一层被进一步远离基板布置。在第一层与第二层之间可以存在其它层，除非说明第一层与第二层“接触”。例如，阴极可被描述为“布置在阳极之上”，即使两者之间存在各种有机层。
如本文所使用，“溶液可加工的”意思是能够在液体介质(溶液或悬浮液形式)中被溶解、分散，或输送和/或从液体介质沉积。
当据信配体对发射材料的光敏特性有直接贡献时，该配体可被称为“光敏的”。当据信配体对发射材料的光敏特性无贡献时，该配体可被称为“辅助的”，尽管辅助的配体可能改变光敏配体的特性。
如本文所使用，并且如本领域技术人员通常所理解，如果第一能级更接近真空能级，则第一“最高占据分子轨道”(HOMO)或“最低未占据分子轨道”(LUMO)的能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO的能级。由于电离电位(IP)被测量为相对真空能级的负能量，因此较高的HOMO能级对应具有较小绝对值的'(较低负性的IP)。类似地，较高的LUMO能级对应具有较小绝对值的电子亲和力(EA)(较低负性的EA)。在常规的能级图上，其中真空能级在顶部，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高的”HOMO或LUMO能级比“较低的”HOMO或LUMO能级看起来更接近这种图的顶部。
如本文所使用，并且如本领域技术人员通常所理解，如果第一逸出功具有较高的绝对值，则第一逸出功“大于”或“高于”第二逸出功。因为逸出功通常被测量为相对真空能级的负数，因此这意味着“较高”的逸出功更负性更大。在常规的能级图上，其中真空能级在顶部，“较高”的逸出功被说明为在向下方向上进一步远离真空能级。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与逸出功不同的约定。
关于OLED的更多细节和以上描述的定义可见美国专利号7,279,704，该专利是以引用的方式全部并入本文中。
发明概述
一方面，提供具有下式的化合物：
式I。
M是原子量高于40的金属，L是第二配体，m是金属M的最大配位数，d是L的齿合度，并且n是至少1。
R1、R2以及R3中的每一个独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、环烷基和其组合。R1、R2以及R3中的至少两个不是氢或氘。R1、R2以及R3的碳原子数目总和是至少4，并且R1、R2或R3中直接连接至环A的任何碳原子是伯碳原子、仲碳原子或叔碳原子。Ra表示单取代、二取代、三取代或四取代，并且Ra选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
一方面，化合物具有下式：
式II，其中R4和R5是烷基。
一方面，化合物具有下式：
式III。一方面，M是Ir。
一方面，n是2。一方面，L是单阴离子二齿配体。另一方面，L是并且Rx、Ry以及Rz各自独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
一方面，Rx、Ry以及Rz独立地选自由以下各项组成的组：烷基、氢、氘和其组合。一方面，Rz是氢或氘，并且Rx和Ry独立地选自由以下各项组成的组：甲基、CH(CH3)2以及CH2CH(CH3)2。一方面，化合物具有下式：
式IV。
一方面，R1和R3是烷基。一方面，R1和R2是烷基。一方面，R2和R3是烷基。一方面，R1和R3是甲硅烷基或甲锗烷基。一方面，R1、R2以及R3独立地选自由以下各项组成的组：CH(CH3)2、CH2CH(CH3)2、CH2C(CH3)3、环戊基、环己基、乙基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三甲基甲锗烷基、三乙基甲锗烷基以及三异丙基甲锗烷基。
一方面，化合物选自由以下各项组成的组：化合物1‑化合物60。
一方面，提供第一装置。所述第一装置包括一种第一有机发光装置，所述第一有机发光装置进一步包括：阳极、阴极以及布置在所述阳极与所述阴极之间的有机层，该有机层包含具有下式的化合物：
式I。
M是原子量高于40的金属，L是第二配体，m是金属M的最大配位数，d是L的齿合度，并且n是至少1。
R1、R2以及R3中的每一个独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、环烷基和其组合。R1、R2以及R3中的至少两个不是氢或氘。R1、R2以及R3的碳原子数目总和是至少4，并且R1、R2或R3中直接连接至环A的任何碳原子是伯碳原子、仲碳原子或叔碳原子。Ra表示单取代、二取代、三取代或四取代，并且Ra选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
一方面，所述第一装置是消费品。另一方面，所述第一装置是有机发光装置。
一方面，所述第一装置包括照明板。一方面，所述有机层是发射层并且所述化合物是非发射掺杂剂。一方面，所述有机层进一步包括主体。
一方面，所述主体是金属8‑羟基喹啉盐。
一方面，所述主体是：
附图简述

图1示出一种有机发光装置。
图2示出一种不具有独立电子传输层的倒置的有机发光装置。
图3示出式I的化合物。
详述
通常，OLED包括至少一个布置在阳极与阴极之间，并且电连接至阳极和阴极的有机层。当施加电流时，阳极将空穴注入到有机层，并且阴极将电子注入到有机层。注入的空穴和电子各自向带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在相同分子上时，将形成“激子”，该激子是具有激发能态的定位电子‑空穴对。当激子经由光电发射机理弛豫时将会发光。在某些情况下，激子可定位在激基缔合物或激基复合物上。也可发生非辐射机理，如热弛豫，但是通常认为非辐射机理不是所想要的。
最初的OLED使用可从分子的单线态发光(“荧光”)的发射分子，如公开在例如美国专利号4,769,292中，该专利的内容是以引用的方式全部并入。荧光发射通常发生在小于10纳秒的时间帧内。
最近，已经展示出具有发射材料的OLED，这些发光材料可从三线态发射光(“磷光”)。Baldo等.，“Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices”，Nature，第395卷，151‑154，1998；(“Baldo‑I”)和Baldo等.，″Very high‑efficiency green organic light‑emitting devices based on electrophosphorescence，″Appl.Phys.Lett.，第75卷，第3版，4‑6(1999)(″Baldo‑II″)，这些文献是以引用的方式全部并入。磷光被更详细地描述在美国专利号7,279,704，第5‑6栏中，该专利是以引用的方式并入。
图1示出有机发光装置100。附图不必按比例绘制。装置100可以包括基板110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155和阴极160。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的化合物阴极。装置100可以通过按顺序沉积所描述的层来制作。这些不同层以及实例材料的特性和功能被更详细地描述在US 7,279,704，第6‑10栏中，US 7,279,704是以引用的方式并入。
可得到这些层的每一个的更多实例。举例来说，美国专利号5,844,363中公开了一种柔性并且透明的基板阳极组合，该专利是以引用的方式全部并入。p型掺杂的空穴传输层的实例是在50∶1的摩尔比下用F.sub.4‑TCNQ掺杂的m‑MTDATA，如在美国专利申请公布号2003/0230980中所公开，该专利是以引用的方式全部并入。发射和主体材料的实例公开在Thompson等的美国专利号6,303,238中，该专利是以引用的方式全部并入。n型掺杂的电子传输层的实例是在1∶1的摩尔比下用Li掺杂的Bphen，如在美国专利申请公布号2003/0230980中所公开，该专利是以引用的方式全部并入。美国专利号5,703,436和5,707,745公开了阴极的实例，这些阴极包括具有金属薄层的化合物阴极，如上面覆盖有透明、导电、溅射沉积的ITO层的Mg:Ag金属薄层，这些专利是以引用的方式全部并入。阻挡层的理论和用途被更详细地描述在美国专利号6,097,147和美国专利申请公布号2003/0230980中，这些专利是以引用的方式全部并入。注入层的实例被提供在美国专利申请公布号2004/0174116中，该专利是以引用的方式全部并入。保护层的描述可见美国专利申请公布号2004/0174116，该专利是以引用的方式全部并入。
图2示出倒置的OLED 200。该装置包括基板210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所描述的层来制作。因为最常见的OLED构型具有阴极布置在阳极上，而装置200具有阴极215布置在阳极230下，所以装置200可被称作“倒置的”OLED。类似于关于装置100所描述的那些材料可用于装置200的相对应层中。图2提供一个如何从装置100的结构中省略一些层的实例。
通过非限制性实例提供了说明在图1和图2中的简单层状结构，并且应理解的是，本发明的实施方案可以与广泛多种的其它结构相关联使用。所描述的特定材料和结构事实上是示例性的，并且可使用其它的材料和结构。功能化的OLED可以通过以不同方式组合所描述的各种层来实现，或可以基于设计、性能和成本因素完全地省略多个层。也可以包括其它未明确描述的层。可以使用除了明确描述的那些材料以外的材料。虽然本文提供的许多实施例将各种层描述为包括单一材料，但应理解的是，可使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物，或更通常地混合物。层也可以具有各种子层。本文给予各种层的名称不是用以严格地限制。例如，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入发光层220中，并且它可被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施方案中，OLED可被描述为具有“有机层”，该有机层布置在阴极与阳极之间。这个有机层可包括单层，或可进一步包括多个如例如关于图1和图2所描述的不同有机材料的层。
也可以使用未明确描述的结构和材料，如包含聚合物材料的OLED(PLED)，如在Friend等的美国专利号5,247,190中所公开，该专利是以引用的方式全部并入。进一步举例来说，可以使用具有单一有机层的OLED。OLED可以是堆叠的，例如，如在Forrest等的美国专利号5,707,745中所描述，该专利是以引用的全部方式并入。OLED结构可偏离图解在图1和图2中的简单层状结构。例如，基板可包括成角度的反射表面以提高出光，如在Forrest等的美国专利号6,091,195中所描述的台面结构，和/或如在Bulovic等的美国专利号5,834,893中所描述的坑形结构，这些专利是以引用的方式全部并入。
除非另外指出，否则各种实施方案的任一层可以通过任何适合的方法沉积。对于有机层，优选的方法包括热蒸发、喷墨，如在美国专利号6,013,982和6,087,196中所描述，这些专利是以引用的方式全部并入；有机气相沉积(OVPD)，如在Forrest等的美国专利号6,337,102中所描述，该专利是以引用的方式全部并入；和通过有机蒸汽喷印(OVJP)沉积，如在美国专利申请序号10/233,470中所描述，该专利是以引用的方式全部并入。其它适合的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的方法。基于溶液的方法优选地在氮气或在惰性气氛下进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化的方法包括通过遮罩沉积、冷焊，如在美国专利号6,294,398和6,468,819中所描述，这些专利是以引用的方式全部并入，和与一些沉积方法如喷墨和OVJD相关联的图案化。也可以使用其它的方法。可改性待沉积的材料以使它们与具体的沉积方法相容。例如，在小分子中可使用取代基如烷基和芳基，支链或直链的，并且优选地含有至少3个碳原子，从而提高它们经受溶液加工的能力。可使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3至20个碳是优选的范围。具有不对称结构的材料比具有对称结构的那些材料有更好的溶液加工性，因为不对称的材料可具有较低的再结晶趋势。可使用树枝状聚合物取代基来提高小分子经受溶液加工的能力。
根据本发明的实施方案制作的装置可被并入广泛多种消费品中，包括：平板显示器、电脑显示器、医疗显示器、电视、广告牌、用于室内或室外照明和/或信号传导的灯、平视显示器、完全透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、手机、个人数字助理(PDA)、便携式电脑、数码相机、摄像机、探视器、微显示器、车辆、大面积墙壁、剧场或运动场屏幕或招牌。可使用各种控制机理来控制根据本发明制作的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。许多装置意欲在对人体舒适的温度范围内使用，如18摄氏度至30摄氏度，并且更优选地在室温下(20摄氏度至25摄氏度)使用。
本文描述的材料和结构可在除了OLED之外的装置中应用。例如，其它的光电装置如有机太阳能电池和有机光探测器可采用所述的材料和结构。更通常地，有机装置，如有机晶体管，可采用所述的材料和结构。
术语卤代、卤素、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳烷基(arylkyl)、杂环基、芳基、芳香基以及杂芳基是本领域已知的，并且被定义在US 7,279,704第31‑32栏中，该专利是以引用的方式并入本文中。
在一个实施方案中，提供具有下式的化合物：
式I。
M是原子量高于40的金属，L是第二配体，m是金属M的最大配位数，d是L的齿合度，并且n是至少1。“齿合度”意思是d在数字上表示第二配体L与金属M形成的键的数目。因此，如果L是单齿配体，那么d是1，如果L是二齿配体，那么d是2，等。
R1、R2以及R3中的每一个独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、环烷基和其组合。R1、R2以及R3中的至少两个不是氢或氘。R1、R2以及R3的碳原子数目总和是至少4，并且R1、R2或R3中直接连接至环A的任何碳原子是伯碳原子、仲碳原子或叔碳原子。Ra表示单取代、二取代、三取代或四取代，并且Ra选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
已经出乎意料地发现在位置R1至R3中的两个或更多个位置处的烷基取代产生具有所需特性的式I化合物。这些特性使得并入了式I化合物的OLED装置能够具有改善的特性，如较高的效率和更长的寿命。在位置R1至R3中的两个或更多个位置处的烷基取代也产生具有降低的升华温度的化合物，尽管这些化合物具有比在R1至R3处全部具有氢取代的化合物高的分子量。不被理论束缚情况下，相信升华温度的这种降低可能是固态时分子堆砌效率降低或减小的结果，从而降低了破坏晶格所需的能量并导致升华温度降低。低升华温度有利地允许更容易地纯化式I化合物以及在制造中更好的热稳定性。
此外，已经意外地发现当R1、R2或R3中直接连接至环A的任何碳原子是伯碳原子、仲碳原子或叔碳原子时，所述化合物在OLED装置中比在季碳直接地连接至环A的情况下更稳定。不被理论束缚情况下，相信带有季碳中心的烷基，如直接连接至配体的芳香族部分的叔丁基，易于因叔丁基碳阳离子的相对高的稳定性而脱烷基化，相信所述的叔丁基碳阳离子是在这类基团连接至式I化合物或连接至类似化合物时在常规OLED操作期间形成。这种轻易的脱烷基化被认为对OLED操作具有有害影响，从而导致装置寿命的缩短。
在一个实施方案中，化合物具有下式：
式II，其中R4和R5是烷基。
在一个实施方案中，化合物具有下式：
式III。在一个实施方案中，M是Ir。
在一个实施方案中，L是单阴离子二齿配体。在另一个实施方案中，L是并且Rx、Ry以及Rz各自独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
在一个实施方案中，Rx、Ry以及Rz独立地选自由以下各项组成的组：烷基、氢、氘和其组合。在一个实施方案中，Rz是氢或氘，并且Rx和Ry独立地选自由以下各项组成的组：甲基、CH(CH3)2以及CH2CH(CH3)2。在一个实施方案中，化合物具有下式：
式IV。
在一个实施方案中，R1和R3是烷基。一方面，R1和R2是烷基。在一个实施方案中，R2和R3是烷基。在一个实施方案中，R1和R3是甲硅烷基或甲锗烷基。在一个实施方案中，R1，R2和R3独立地选自由以下各项组成的组：CH(CH3)2、CH2CH(CH3)2、CH2C(CH3)3、环戊基、环己基、乙基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三甲基甲锗烷基、三乙基甲锗烷基以及三异丙基甲锗烷基。
在一个实施方案中，化合物选自由以下各项组成的组：










以及

在一个实施方案中，提供第一装置。所述第一装置包括一种第一有机发光装置，所述第一有机发光装置进一步包括：阳极、阴极以及布置在所述阳极与所述阴极之间的有机层，该有机层包含具有下式的化合物：
式I。
M是原子量高于40的金属，L是第二配体，m是金属M的最大配位数，并且n是至少1。
R1、R2以及R3中的每一个独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、环烷基和其组合。R1、R2以及R3中的至少两个不是氢或氘。R1、R2以及R3的碳原子数目总和是至少4，并且R1、R2或R3中直接连接至环A的任何碳原子是伯碳原子、仲碳原子或叔碳原子。Ra表示单取代、二取代、三取代或四取代，并且Ra选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
在一个实施方案中，所述第一装置是消费品。在另一个实施方案中，所述第一装置是有机发光装置。
在一个实施方案中，所述第一装置包括照明板。在一个实施方案中，所述有机层是发射层并且化合物是非发射掺杂剂。在一个实施方案中，所述有机层进一步包括主体。
在一个实施方案中，所述主体是金属8‑羟基喹啉盐。
在一个实施方案中，所述主体是：
装置实施例
所有的实施例装置通过高真空(＜10‑7托)热蒸发(VTE)来制作。阳极电极是的氧化铟锡(ITO)。阴极由的LiF，接着的Al组成。在制作后，所有的装置立即用由环氧树脂密封的玻璃盖封装在氮气手套箱中(＜1ppm的H2O和O2)，并且将吸湿剂并入在包装内。
装置实施例的有机堆叠连续地由以下组成：ITO表面、化合物A作为空穴注入层(HIL)、的4，4’‑双[N‑(1‑萘基)‑N‑苯基氨基]联苯基(NPD)作为空穴传输层(HTL)、掺杂有BAlq的的式I化合物作为主体，并且4、6或8wt％的含铱磷光化合物作为发射层(EML)，450或的Alq3(三‑8‑羟基喹啉铝)作为电子传输层(ETL)。比较实施例与化合物B、C、D以及E是类似于装置实施例来制作，例外的是化合物B、C、D以及E被用作EML中的发射极。
装置结果和来自那些装置的数据总结在表1和表2中。如本文所使用，化合物A、B、C、D以及E具有下列结构：

表1：本发明化合物和比较化合物的装置结构


表2：VTE装置结果


表2是装置数据的总结。在1000尼特下测量发光效率(LE)、外量子效率(EQE)和功率效率(PE)，而寿命(LT80％)被定义为装置在40mA/cm2的恒定电流密度下，衰减至它的初始亮度的80％所需要的时间。
从表2可见，式I化合物的EQE、LE以及PE都较大，并因此在相同装置配置下优于比较化合物。比较是在相同装置配置情况下基于以下的化合物对做出，在每种情况下，实施例化合物(式I化合物)都优于比较化合物)：实施例1对比比较实施例1，实施例2对比比较实施例2、5、6以及7，实施例3对比比较实施例3，实施例4对比比较实施例4，实施例5对比比较实施例1，实施例6对比比较实施例2、5、6以及7，实施例7对比比较实施例3以及实施例8对比比较实施例4。例如，不具有空穴阻挡层的情况下，掺杂浓度为4％、6％、8％的比较化合物B在所有掺杂浓度下都具有比化合物1和化合物2低的EQE、LE以及PE。比较化合物B的EQE值范围是17.4％至18.2％，这些EQE值都比化合物1和化合物2低，化合物1和化合物2的EQE范围在使用相同装置结构时是20％至22.3％。因此，二烷基取代的化合物1和化合物2比比较化合物B更有效。当与比较化合物B比较时，对含有空穴阻挡层的装置中的式I化合物观察到类似趋势。此外，在比较化合物1或化合物2与在喹啉上仅具有单个烷基的比较化合物C、D以及E的EQE和LE时也发现这些趋势，从而表明二取代的烷基化比单取代的比较化合物C、D以及E更惊人地有效。这些结果表明多取代的烷基可改善装置性能，如EQE和LE。
表3：二烷基取代的化合物B的升华温度的比较


可见，式I化合物的杂原子环上的二烷基化可降低络合物的升华温度，如表3所示。意外地发现，二烷基取代的式I化合物具有比未取代的化合物低的升华温度。例如，化合物1具有比比较化合物B显著低的升华温度(158℃相比193℃)，尽管化合物1具有比比较化合物B高的分子量。
与其它材料组合
本文描述成可用于有机发光装置中的具体层的材料可与存在于装置中的广泛多种的其它材料组合使用。例如，本文公开的发光掺杂剂可联合广泛多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和可能存在的其它层使用。以下描述或提及的材料是可用于与本文公开的化合物组合的材料的非限制性实例，并且本领域技术人员可以很容易查阅文献来鉴别可用于组合的其它材料。
HIL/HTL：
在本发明中使用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可使用任何化合物，只要该化合物典型地被用作空穴注入/传输材料。材料的实例包括，但不限于：酞菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟代烃的聚合物；具有导电型掺杂剂的聚合物；导电聚合物，如PEDOT/PSS；由化合物如膦酸和硅烷(sliane)衍生物衍生的自组装单体；金属氧化物衍生物，如MoOx；p型半导体有机化合物，如1，4，5，8，9，12‑六氮杂三亚苯六腈；金属络合物，和可交联的化合物。
在HIL或HTL中使用的芳香族胺衍生物的实例包括，但不限于下面的一般结构：

Ar1至Ar9中的每一个各自选自由以下各项组成的组：芳香族烃环状化合物，如苯、联苯基、三苯基、三亚苯、萘、蒽、非那烯、菲、芴、芘、苝、薁；各自选自由以下各项组成的组：芳香族杂环化合物，如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、蝶啶、呫吨、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶(furodipyridine)、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶(benzoselenophenopyridine)，和硒吩并二吡啶；并且各自选自由以下各项组成的组：2至10个环状结构单元，它们是选自芳香族烃环基团和芳香族杂环基团的相同类型或不同类型的基团，并且彼此直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环状基团中的至少一个键合。其中各Ar进一步被选自由以下各项组成的组的取代基取代：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基，和其组合。
一方面，Ar1至Ar9独立地选自由以下各项组成的组：

K是从1至20的整数；X1至X8是C(包括CH)或N；Ar1具有与以上所定义的相同的基团。
HIL或HTL中使用的金属络合物的实例包括但不限于以下通式：

M是金属，原子量大于40；(Y1‑Y2)是二齿配体，Y1和Y2独立地选自C、N、O、P和S；L是辅助配体；m是从1至可附接至金属的配体最大数的整数值；并且m+n是可附接至金属的配体的最大数。
一方面，(Y1‑Y2)是2‑苯基吡啶衍生物。
另一方面，(Y1‑Y2)是碳烯配体。
另一方面，M选自Ir、Pt、Os和Zn。
另一方面，金属络合物在溶液中相对于Fc+/Fc电对的最小氧化电势为小于约0.6V。
主体：
本发明的有机EL装置的发光层优选地含有至少一种金属络合物作为发光材料，并且可含有使用该金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别的限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三线态能量大于掺杂剂的三线态能量。尽管下表将主体材料归类为优选用于发射各种颜色的装置，但可以与任何掺杂剂一起使用任何主体材料，只要满足三线态标准即可。
用作主体的金属络合物的实例优选具有以下通式：

M是金属；(Y3‑Y4)是二齿配体，Y3和Y4独立地选自C、N、O、P和S；L是辅助配体；m是从1至可附接至金属的配体最大数的整数值；并且m+n是可附接至金属的配体的最大数。
一方面，金属络合物是：

(O‑N)是二齿配体，使金属配位至原子O和N。
另一方面，M选自Ir和Pt。
另一方面，(Y3‑Y4)是碳烯配体。
用作主体的有机化合物的实例选自由以下各项组成的组：芳香族烃环状化合物，如苯、联苯基、三苯基、三亚苯、萘、蒽、非那烯、菲、芴、芘、苝、薁；选自由以下各项组成的组：芳香族杂环化合物，如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲哚噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、蝶啶、呫吨、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；并且选自由以下各项组成的组：2至10个环状结构单元，它们是选自芳香族烃环基团和芳香族杂环基团的相同类型或不同类型的基团，并且彼此直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环状基团中的至少一个键合。其中各基团进一步被选自由以下各项组成的组的取代基取代：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
一方面，主体化合物分子中含有以下基团中的至少一个：

R1至R7独立地选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，当R1至R7是芳基或杂芳基时，它具有与以上提及的Ar类似的定义。
k是从0至20的整数。
X1至X8选自C(包括CH)或N。
Z1和Z2选自NR1、O，或S。
HBL：
空穴阻挡层(HBL)可用于降低离开发射层的空穴和/或激子的数量。装置中这种阻挡层的存在使得效率比缺少阻挡层的类似装置明显高。而且，阻挡层可用于将发射限制在OLED的所需区域内。
一方面，HBL使用的化合物含有以上描述的用作主体的相同的分子或相同的官能团。
另一方面，HBL使用的化合物分子中含有以下基团中的至少一个：

K是从0至20的整数；L是辅助配体，m是从1至3的整数。
ETL：
电子传输层(ETL)可包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是本征的(无掺杂的)，或掺杂的。掺杂可用于加强导电性。ETL材料的实例不受特别的限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要它们典型地用于传输电子。
一方面，ETL使用的化合物分子中含有以下基团中的至少一个：

R1选自由以下各项组成的组：氢、氘、卤化物、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、甲硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基，和其组合，当R1是芳基或杂芳基时，它具有与以上提及的Ar类似的定义。
Ar1至Ar3具有与以上提及的Ar类似的定义。
k是从0至20的整数。
X1至X8选自C(包括CH)或N。
另一方面，ETL中使用的金属络合物含有，但不限于以下通式：

(O‑N)或(N‑N)是二齿配体，使金属配位至原子O、N或N、N；L是辅助配体；m是从1至可附接至金属的配体的最大数的整数值。
在任何以上提及的用于OLED装置的各层中的化合物中，氢原子可以被部分或完全氘化。
除了本文公开的材料之外，和/或与本文公开的材料组合，还可在OLED中使用许多空穴注入材料、空穴传输材料、主体材料、掺杂材料、激子/空穴阻挡层材料、电子传输和电子注入材料。可在OLED中与本文公开的材料组合使用的材料的非限制性实例被列在下表4中。表4列出了材料的非限制性类别，每个类别的化合物的非限制性实例，和公开所述材料的参考文献。
表4

























实验
本文通篇使用的化学缩写如下：Cy是环己基，dba是二苯亚甲基丙酮，EtOAc是乙酸乙酯，DME是二甲氧基乙烷，dppe是1，2‑双(二苯基膦基)乙烷，THF是四氢呋喃，DCM是二氯甲烷，DMF是二甲基甲酰胺，S‑Phos是二环己基(2′，6′‑二甲氧基‑[1，1′‑联苯]‑2‑基)膦。
合成化合物1

合成(2‑氨基‑4，6‑二氯苯基)甲醇。将2‑氨基‑4，6‑二氯苯甲酸(10.0g，48.5mmol)溶于250mL的2颈圆底烧瓶中的50mL无水THF中。在冰‑水浴中冷却溶液。然后逐滴滴加氢化锂铝(LAH)的THF溶液(40mL，2.0M)。添加所有的LAH后，使反应混合物升温至室温并且在室温下搅拌过夜。向反应混合物添加水(5.1mL)，接着添加5.1mL的15％NaOH并且随后添加额外9.2mL的水。滤出盐并用THF洗涤。浓缩滤液以得到呈黄色固体的(2‑氨基‑4，6‑二氯苯基)甲醇(11.1g，湿重)，其无需进一步纯化即用于下一步骤。

合成5，7‑二氯代‑2‑(3，5‑二甲基苯基)喹啉。将(2‑氨基‑4，6‑二氯苯基)甲醇(11.1g，48.5mmol)、3，5‑二甲基乙酰苯酮(11.1g，74.9mmol)、RuCl2(PPh3)3(0.25g，0.29mmol)、KOH(2.19g，39mmol)在200mL甲苯中回流18小时。在反应期间使用Dean‑Stark分水器收集水。使反应混合物冷却至室温，并且经由硅胶塞过滤并且用DCM洗脱。蒸发溶剂后，通过Kugelrohr蒸馏并从二氯甲烷/异丙醇再结晶进一步纯化产物以得到5，7‑二氯代‑2‑(3，5‑二甲基苯基)喹诺酮(8.85g，产率60.3％)。

合成2‑(3，5‑二甲基苯基)‑5，7‑二异丙基喹啉。5，7‑二氯代‑2‑(3，5‑二甲基苯基)喹啉(4.8g，15.9mmol)、异丁基硼酸(6.48g，63.5mmol)、二环己基(2′，6′‑二甲氧基‑[1，1′‑联苯]‑2‑基)膦(1.04g，2.54mmol)、Pd2(dba)3(0.582g，0.635mmol)、磷酸钾一水合物(36.6g，159mmol)以及2mL水混合于240mL甲苯中。系统用氮脱气20分钟并且回流过夜。冷却至室温后，经由塞过滤反应混合物并用二氯甲烷洗脱。通过柱色谱法(4∶1至1∶1己烷/乙酸乙酯，v/v)纯化产物以得到5.2g(41％产率)的2‑(3，5‑二甲基苯基)‑5，7‑二异丙基喹啉，其通过GCMS确认。

合成2‑(3，5‑二甲基苯基)‑5，7‑二异丙基喹啉氯桥铱二聚体。将2‑(3，5‑二甲基苯基)‑5，7‑二异丙基喹啉(4.38g，12.7mmol)、IrCl3.4H2O(2.14g，5.76mmol)、2‑乙氧基乙醇(48mL)以及水(16mL)的混合物在氮下回流过夜。过滤反应混合物并且用甲醇洗涤。真空干燥后，获得1.66g二聚体。所述二聚体无需进一步纯化即用于下一步骤。

合成化合物1：将2‑(3，5‑二甲基苯基)‑5，7‑二异丙基喹啉铱二聚体(1.66g，0.905mmol)、戊烷‑2，4‑二酮(0.905g，9.05mmol)、K2CO3(1.25g，9.05mmol)以及2‑乙氧基乙醇(80mL)在室温下搅拌24小时。过滤沉淀物并且用甲醇洗涤。通过使固体通过硅胶塞(用己烷中15％三乙胺预处理)并且用80∶20(v/v)(己烷∶二氯甲烷)洗脱来进一步纯化所述固体。向柱色谱法后获得的固体产物加入异丙醇和最低量的DCM。使透明溶液浓缩缩减体积直到DCM蒸发。从2‑丙醇沉淀后，在过滤后获得1.6g产物。在200℃下高真空升华固体以得到化合物1(0.88g，49％)。
合成化合物2

合成化合物2：将2‑(3，5‑二甲基苯基)‑5，7‑二异丙基喹啉铱二聚体(1.1g，0.6mmol)、2，8‑二甲基壬烷(1.1g，6.0mmol)、K2CO3(1.1g，6.0mmol)以及2‑乙氧基乙醇(60mL)在室温下搅拌24小时。过滤沉淀物并且用甲醇洗涤。通过使固体通过硅胶塞(用己烷中15％三乙胺预处理)并且用80∶20(v/v)(己烷∶二氯甲烷)洗脱来进一步纯化所述固体。向柱色谱法后获得的固体产物加入异丙醇和最低量的DCM。使透明溶液浓缩缩减体积直到DCM蒸发。从2‑丙醇沉淀后，在过滤后获得0.6g(47％)产物。在220℃下高真空升华固体以得到化合物2(0.5g)。
合成化合物21

合成2‑氨基‑5‑溴代‑4‑氯苯甲酸甲酯。向2‑氨基‑4‑氯苯甲酸甲酯(20.0g，108mmol)的DMF(200mL)溶液添加一份N‑溴代琥珀酰亚胺(19.2g，108mmol)并且在室温下搅拌过夜。滤出所得固体并且溶于甲苯中，用Na2SO4干燥，并且浓缩以得到2‑氨基‑5‑溴代‑4‑氯苯甲酸甲酯(26.47g，93％)

合成(2‑氨基‑5‑溴代‑4‑二氯苯基)甲醇。将1L 2颈圆底烧瓶中的28.5mL的2.0M氢化锂铝在四氢呋喃和四氢呋喃(180mL)中的混合物冷却至‑78℃。快速添加2‑氨基‑5‑溴代‑4‑氯苯甲酸甲酯(13.7g，51.8mmol)的四氢呋喃溶液(140mL)并且使其升温至室温。在室温下搅拌2小时后，用饱和Na2SO4(16.8mL)水溶液，接着固体Na2SO4(10.5g)淬灭反应。经由塞过滤所得盐并且用甲醇洗涤滤饼。浓缩滤液以得到呈黄色固体的2‑氨基‑5‑溴代‑4‑二氯苯基)甲醇(16.4g，99％)，其无需进一步纯化即用于下一步骤。

合成6‑溴代‑7‑氯代‑2‑(3，5‑二甲基苯基)喹啉。将(2‑氨基‑5‑溴代‑4‑氯苯基)甲醇(8.2g，34.7mmol)、3，5‑二甲基乙酰苯酮(8.22g，55.5mmol)、RuCl2(PPh3)3(0.15g，0.173mmol)以及KOH(1.31g，23.4mmol)在90mL甲苯中回流18小时。使用Dean‑Stark分水器从反应收集水。使反应混合物冷却至室温，经由硅胶塞过滤并用DCM洗脱，并且通过柱色谱法，用2∶1(v/v)己烷∶DCM纯化以得到6‑溴代‑7‑氯代‑2‑(3，5‑二甲基苯基)喹啉(5.2g，43.3％)。

合成2‑(3，5‑二甲基苯基)‑6，7‑二异丙基喹啉。将6‑溴代‑7‑氯代‑2‑(3，5‑二甲基苯基)喹啉(5.2g，15.0mmol)、异丁基硼酸(6.12g，60.0mmol)、二环己基(2′，6′‑二甲氧基‑[1，1′‑联苯]‑2‑基)膦(0.99g，2.4mmol)、Pd2(dba)3(0.549g，0.60mmol)、磷酸钾一水合物(34.5g，150mmol)以及2mL水混合于240mL甲苯中。系统用氮脱气20分钟并且回流过夜。冷却至室温后，经由塞过滤反应混合物并用二氯甲烷洗脱。通过柱色谱法，用2∶1(v/v)己烷∶DCM纯化产物以得到2‑(3，5‑二甲基苯基)‑6，7‑二异丙基喹啉(3.43g，66％)。

合成2‑(3，5‑二甲基苯基)‑6，7‑二异丙基喹啉铱二聚体。将2‑(3，5‑二甲基苯基)‑6，7‑二异丙基喹啉(3.43g，9.9mmol)、IrCl3.4H2O(1.60g，4.32mmol)、乙氧基乙醇(85mL)以及水(28mL)的混合物在氮下回流过夜。过滤反应混合物并且用甲醇洗涤。真空干燥后获得2‑(3，5‑二甲基苯基)‑6，7‑二异丙基喹啉铱二聚体(1.4g，35.4％)。所述二聚体无需进一步纯化即用于下一步骤。

合成化合物21：将2‑(3，5‑二甲基苯基)‑6，7‑二异丙基喹啉铱二聚体(1.4g，0.764mmol)、戊烷‑2，4‑二酮(0.764g，7.64mmol)、K2CO3(1.06g，7.64mmol)以及2‑乙氧基乙醇(100mL)在室温下搅拌24小时。过滤沉淀物并且用甲醇洗涤。通过使固体通过硅胶塞并且用80∶20(v/v)(己烷∶二氯甲烷)洗脱来进一步纯化所述固体。向滤液添加2‑丙醇。浓缩滤液(但不浓缩至干燥)，并且过滤获得(0.93g，62％)化合物21，其通过LC‑MS确认。
合成化合物11
通过与化合物21类似的合成途径来制备化合物11。
应理解，本文描述的各种实施方案只是举例而已，而不意图限制本发明的范围。例如，本文描述的很多材料和结构可在不偏离本发明的精神的情况下被其他材料和结构取代。因此，所要求的发明可包括本文描述的具体实施例和优选实施方案的变化，这对本领域技术人员是显而易见的。应理解，不意图限制关于本发明因何生效的各种理论。