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1、(10)申请公布号 CN 103138689 A(43)申请公布日 2013.06.05CN103138689A*CN103138689A*(21)申请号 201210360829.3(22)申请日 2012.09.212011-263748 2011.12.01 JPH03F 3/20(2006.01)(71)申请人三星电机株式会社地址韩国京畿道(72)发明人小谷典久 乙部英一郎(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司 11240代理人余刚 潘树志(54) 发明名称功率放大器(57) 摘要本发明提供了一种能够补偿失真而不恶化输入电压增益的功率放大器。该功率放大器包括：输入端，输入。
2、电压施加至所述输入端；AB类功率放大电路，连接至输入端；以及元件，连接在输入端和AB类功率放大电路之间，当输入电压等于或大于预定值时开启，并且根据所述输入电压改变它的阻抗。(30)优先权数据(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书4页 附图3页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书4页 附图3页(10)申请公布号 CN 103138689 ACN 103138689 A1/1页21.一种功率放大器，包括：输入端，输入电压施加至所述输入端；AB类功率放大电路，连接至所述输入端；以及元件，连接在所述输入端和所述AB类功率放大电路之间，当所述输入电压等于或。
3、大于预定值时该元件开启，并且根据所述输入电压改变它的阻抗。2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，当所述元件断开时，所述输入电压直接输入至所述功率放大电路。3.根据权利要求1或2所述的功率放大器，其中，所述元件包括两个彼此并联连接的二极管。4.根据权利要求1或2所述的功率放大器，其中，所述元件包括两个彼此并联连接的晶体管。权 利 要 求 书CN 103138689 A1/4页3功率放大器0001 相关申请的交叉引用0002 本申请要求于2011年12月1日向日本专利局提交的日本专利申请第2011-263748号的优先权，其公开通过引用结合于此。技术领域0003 本发明涉及功率放大器。背景技术。
4、0004 根据相关技术，在AB类或B类功率放大器中提供用于低输入电平的幅度失真的线性补偿电路并且实现具有高频效率的无线装置的技术在以下专利文献1中公开。0005 然而在专利文献1中公开的技术中，电阻器（R1）3连接在输入端1和线性补偿电路7之间，这样根据电阻器（R1）3和电阻器（R2）4的电压分配（专利文献1的图1）补偿失真。因此，在低输入电平的情况下，失真补偿电路的输入/输出电压比增加，在高输入电平的情况下，输入/输出电压比减少。因此，为了以低输入电平和以高输入电平运行功率放大器，必须安装电阻器（R1）3，并且输入电压需要通过电阻器（R1）3输入至线性补偿电路7。由于安装了电阻器（R1）3，。
5、输入电压的电压增益减少，导致功率附加效率（PAE）恶化。0006 相关技术文献0007 专利文献1日本实用新型公开专利号1993-23612发明内容0008 本发明的一个方面提供了一种新改进的能够补偿失真而不恶化输入电压增益的功率放大器。0009 根据本发明的一个方面，提供了一种功率放大器，包括：输入端，所述输入端被施加输入电压；AB类功率放大电路，连接至输入端；元件，连接在输入端和AB类功率放大电路之间，当输入电压等于或大于预定值时开启，并且根据输入电压改变其阻抗。0010 根据上述构造，AB类功率放大电路可以直接连接至输入端，并且当输入电压等于或大于预定值时元件可以开启，并且它的阻抗可根据。
6、输入电压而变化。因此，可以在不恶化输入电压增益的情况下，补偿失真。0011 当元件断开时，输入电压可直接输入至功率放大电路。根据上述构造，当元件断开时，由于输入电压直接输入至功率放大电路，可以在不恶化输入电压增益的情况下，改善功率附加效率（PAE）。0012 元件可包括两个彼此并联的二极管。根据上述构造，当输入电压等于或大于预定值时，元件可以开启，并且它的阻抗可以根据输入电压而变化。0013 元件可包括两个相互并联的晶体管。根据上述构造，当输入电压等于或大于预定值时，元件可以开启，并且它的阻抗可根据输入电压而变化。说 明 书CN 103138689 A2/4页4附图说明0014 以上以及本发明。
7、其他方面、特征和其他优点将从随后结合附图的详细说明中得到更清楚地理解，其中：0015 图1是示出了A类高频功率放大电路的电路图；0016 图2是示出了图1中所示的高频功率放大电路的增益特性曲线的特性曲线图；0017 图3是示出了AB类高频功率放大电路的电路图；0018 图4是示出了图3中所示的高频功率放大电路的增益特性曲线的特性曲线图；0019 图5是示出了根据本发明的实施方式的功率放大器的构造的电路图；0020 图6A至6C是描述通过图5中所示的功率放大器的构造而平坦化的AB类高频功率放大电路的增益特性曲线的特性曲线图；0021 图7是示出了其中预失真器包括两个二极管（反向并联二极管）的实例。
8、的电路图；0022 图8是示出了其中预失真器包括两个晶体管的实例的电路图；以及0023 图9是示出了实例的特性曲线图，其中通过使用图7中所示的预失真器改善了AB类高频功率放大电路的输出特性曲线。具体实施方式0024 在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施方式。此外，在本发明说明书以及附图中，相似的参考标号表示具有基本相同的构造和功能的相似部件。因此，将省略其重复的描述。0025 0026 基本技术0027 首先，将参考图1描述本发明的基本技术。图1是示出了A类高频功率放大电路500的电路图。此外，图2是示出了图1中所示的A类高频功率放大电路500的增益特性曲线的特性曲线图。这里，A类高频功率。
9、放大电路指的是执行A类操作的高频功率放大电路。0028 如图2所示，由于A类高频功率放大电路500的增益特性曲线是平坦的，高频功率放大电路500的效率可能恶化，然而它的失真特性曲线可能很好。0029 同时，图3是示出了AB类高频功率放大电路100的电路图。此外，图4是示出了图3中所示的AB类高频功率放大电路100的增益特性曲线的特性曲线图。这里，AB类高频功率放大电路指的是执行AB类操作的高频功率放大电路。0030 如图4所示，由于AB类高频功率放大电路100的增益特性曲线扩展，AB类高频功率放大电路100的效率可能很好，然而它的失真特性曲线可能恶化。0031 在本实施方式中，AB类高频功率放。
10、大电路100的增益特性曲线被抑制使免于扩展，由此它的增益特性曲线平坦化。在下文中，将会详细描述。0032 实施方式的构造实例0033 图5是示出了根据本发明的一个实施方式的高频功率放大器400的构造的电路图。如图5所示，预失真器200位于AB类高频功率放大电路100的前面，并位于被施加输入电压的输入端110与AB类高频功率放大电路100之间。预失真器200可用于抑制AB类高频功率放大电路100的增益特性曲线的增益扩展。0034 图6A至6C是描述通过图5中所示的功率放大器的构造而平坦化的AB类高频功说 明 书CN 103138689 A3/4页5率放大电路100的增益特性曲线的特性曲线图。这里。
11、，图6A是示出了预失真器200（独立单元）的增益曲线的增益曲线图。如图6A所示，在预失真器200作为独立单元的增益特性曲线中，增益压缩可以产生于图6A中由A1表示的区域中。0035 此外，图6B是示出了AB类高频功率放大电路100作为独立单元的增益特性曲线图。如图6B所示，在AB类高频功率放大电路100作为独立单元的增益特性曲线中，与图4中所示增益特性曲线相似，增益扩展可以产生于图6B中由A2表示的区域中。0036 图6C是示出了通过将图6A中所示的增益特性曲线与图6B中所示的增益特性曲线重叠而形成的增益特性曲线。如图6C所示，当图6A和图6B的增益特性曲线互相重叠时，由于预失真器200的A1。
12、区域中的增益压缩，产生于AB类高频功率放大电路100的A2区域中的增益扩展被调节，使得如图6C中A3表示的区域中所示实现平坦的增益曲线。0037 因此，在AB类高频功率放大电路100中，也可以实现平坦的增益特性曲线，并且失真特性曲线和效率也都可以改进。0038 预失真器的构造实例0039 下面，将描述预失真器200的构造。图7是示出了其中预失真器200包括两个二极管202和204（反向并联二极管）的实例的电路图。0040 如图7所示，两个二极管202和204以相反的方向互相并联连接。此外，各电阻器210被安置在各二极管202和204与地电位GND之间。0041 根据本结构，当对预失真器200的。
13、输入电压等于或大于预定值时，二极管202和204开启，使得电流可流过二极管202和204。因此，可在图6A的A1区域中产生增益压缩。因此，可以抑制图6B的A2区域中的增益扩展。因此，如图6C中所示的，增益特性曲线可被平坦化。0042 当对预失真器200的输入电压Pin降低时，二极管202和204的阻抗可以升高。当输入电压Pin低并且二极管202和204断开时，输入电压Pin可以按原样输入至AB类高频功率放大电路100。0043 同时，当输入电压Pin升高时，二极管202和204的阻抗可以降低。因此，增益压缩可以根据电阻器210的值产生在图6A的A1区域中。因此，在本实施方式中，可以产生增益压缩。
14、，特别是在输入电压高的情况下。因此，如图6B所示，在输入电压高的区域中产生的增益扩展可以确实地被抑制。0044 这里，增益压缩特性曲线可以根据电阻器210的值变化。当电阻器210的值为高时，增益压缩可以降低。同时，当电阻器210的值为低时，增益压缩可以增加。因此，根据AB类高频功率放大电路100的特性曲线最优地设置电阻器210的值，由此，如图6C所示，增益特性曲线可变平坦。0045 根据上述本发明的实施方式，在输入电压的电压电平低的情况下，输入/输出电压比可以接近于1，反之，在输入电压的电压电平高的情况下，输入/输出电压比降至低于1。因此，当输入电压的电压电平高时，可以运行失真补偿电路，从而改。
15、善高频功率放大器的线性度。0046 此外，根据本发明实施方式的构造，诸如电阻器等的元件不插入在被施加输入电压的输入端与预失真器200之间，从而可以不恶化输入电压的增益。因此，相比于其中如电阻等的元件插入在输入端与预失真器200之间的构造，根据本发明的实施方式可以在很大说 明 书CN 103138689 A4/4页6程度上改进功率附加效率（PAE）。0047 此外，图8是示出了其中预失真器200包括两个晶体管210和212的实例的电路图。如图8所示，两个晶体管210和212互相并联。0048 即使在图8中所示的构造中，当输入至预失真器200的输入电压等于或大于预定值时，晶体管212和214运行使。
16、得电流可流经晶体管212和214。因此，增益压缩可以产生于图6A的A1区域中。因此，可以抑制在图6B的A2区域中的增益扩展。从而，如图6C中所示，增益特性可以是平坦的。0049 图9是示出了实例的特性曲线图，其中通过使用图7中所示的预失真器200改善了AB类高频功率放大电路100的输出特性曲线。在图9中，特性曲线302可表示将AB类高频功率放大电路作为独立单元时的输出特性曲线。此外，特性曲线300可以表示在图7中所示的预失真器200被安装在AB类高频功率放大电路100之前的情况下，AB类高频功率放大电路100的输出特性曲线。如此，预失真器200被安装在AB类高频功率放大电路100之前，AB类高。
17、频功率放大电路100的增益特性曲线可被平坦化，特别是在其中电压电平高的区域中。0050 如上所述，根据本发明的实施方式，可以实现失真补偿，并且输入电压中的增益恶化可以通过简单的电路构造抑制，从而提高功率附加效率（PAE）。因此，具有高效率的高频功率放大器可以通过简单的构造实现。0051 如上所述，根据本发明的实施方式，可以提供能够对失真进行补偿而不恶化输入电压的增益的功率放大器。0052 虽然本发明结合实施方式进行了示出和描述，对本领域的技术人员来说显而易见的是，如同所附权利要求书中所定义的，在不偏离本发明的精神和范围的条件下，可以进行修改和变化。说 明 书CN 103138689 A1/3页7图1图2图3图4图5说 明 书 附 图CN 103138689 A2/3页8图7图8说 明 书 附 图CN 103138689 A3/3页9图9说 明 书 附 图CN 103138689 A。