无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201510053247.4

申请日:

2015.01.31

公开号:

CN104617793A

公开日:

2015.05.13

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H02M 7/217申请日:20150131|||公开

IPC分类号:

H02M7/217

主分类号:

H02M7/217

申请人:

深圳市美吉星集成科技有限公司

发明人:

李俐劼; 王桂光; 王希天; 王建超

地址:

518128广东省深圳市宝安区西乡街道后瑞路后瑞华庭2楼242室

优先权:

专利代理机构:

广西南宁公平专利事务所有限责任公司45104

代理人:

翁建华

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内容摘要

本发明公开了无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑,采用两片单片机为弱电控制核心,包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路;本发明的BUCK倍电流拓扑取消桥式整流和高压电解电容以实现全固态电路、智能控制、高功率因数、恒流精度高、可靠性高、电路简洁、成本低,无直流偏磁。

权利要求书

权利要求书1.  无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑,其特征在于,包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路;单片机MCU1启动供电回路:单片机MCU1未启动前的交流电源正半波,电流从交流电源的电源端~L流出,依次流经熔断保险丝F、启动电阻Rj 1、稳压二极管DZ1的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2,回到交流电源的电源端~N;单片机MCU1的电源端VCC1经降压电阻RV1连接在该回路的启动电阻Rj 1和稳压二极管DZ1的负极之间以获取单片机MCU1的工作电压;稳压二极管DZ1的负极连接高电压小电流电力电子开关S11的栅极,正极连接单片机MCU1的接地端GND1,稳定电压为15伏,使高电压小电流电力电子开关S11的栅极对单片机MCU1的接地端GND1箝位15伏稳压;单片机MCU2启动供电回路:单片机MCU2未启动前的交流电源正半波,电流从交流电源的电源端~N流出,依次流经启动电阻Rj2、稳压二极管DZ2的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端和同名端、电力电子变压器TR的初级绕组N11的异名端和同名端、二极管D1、熔断保险丝F,回到交流电源的电源端~L;单片机MCU2的电源端VCC2经降压电阻RV2连接在该回路的启动电阻Rj2和稳压二极管DZ2的负极之间以获取工作电压;稳压二极管DZ2的负极连接高电压小电流电力电子开关S22的栅极,正极连接单片机MCU2的接地端GND2,稳定电压为15伏,使高电压小电流电力电子开关S22的栅极对单片机MCU2的接地端GND2箝位15伏稳压;交流电源供电回路:包括正半波闭合回路和负半波闭合回路;正半波闭合回路受控于单片机MCU1在交流电源正半波时导通,电流从交流电源的电源端~L流出,依次流经熔断保险丝F、高电压小电流电力电子开关S11、低电压大电流电力电子开关S1、取样电阻rs1、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2,回到交流电源的电源端~N;单片机MCU1的电流取样端CS1对取样电阻rs1进行电流取样,输出端OUT1连接低电压大电流电力电子开关S1的栅极,单片机MCU1根据电流取样值以正弦波脉宽调制程序控制输出端OUT1的输出以驱动低电压大电流电力电子开关S1的通断,高电压小电流电力电子开关S11的源极驱动受控于低电压大电流电力电子开关S1;负半波闭合回路受控于单片机MCU2在交流电源负半波时导通,电流从交流电源的电源端~N流出,依次流经高电压小电流电力电子开关S22、低电压大电流电力电子开关S2、取 样电阻rs2、电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端和同名端、电力电子变压器TR的初级绕组N11的异名端和同名端、二极管D1、熔断保险丝F,回到交流电源的电源端~L;单片机MCU2的电流取样端CS2对取样电阻rs2进行电流取样,输出端OUT2连接低电压大电流电力电子开关S2的栅极,单片机MCU2根据电流取样值以正弦波脉宽调制程序控制输出端OUT2的输出以驱动低电压大电流电力电子开关S2的通断,高电压小电流电力电子开关S22的源极驱动受控于低电压大电流电力电子开关S2;单片机MCU1的自供电电路:电力电子变压器TR的次级绕组NV1的同名端同时连接二极管DV1的正极和单片机MCU1的接地端GND1,异名端经电容CVi 1同时连接二极管DV1的负极和二极管DVi 1的正极;二极管DVi 1的负极和单片机MCU1的接地端GND1之间并联电容CV1和稳压二极管DZ1;单片机MCU1的电源端VCC1和接地端GND1之间并联电容CV01和稳压二极管DZ01;单片机MCU1的电源端VCC1还经降压电阻RV1连接二极管DVi 1的负极;单片机MCU2的自供电电路:电力电子变压器TR的次级绕组NV2的异名端同时连接二极管DV2的正极和单片机MCU2的接地端GND2,同名端经电容CVi2同时连接二极管DV2的负极和二极管DVi2的正极;二极管DVi2的负极和单片机MCU2的接地端GND2之间并联电容CV2和稳压二极管DZ2;单片机MCU2的电源端VCC2和接地端GND2之间并联电容CV02和稳压二极管DZ02;单片机MCU2的电源端VCC2还经降压电阻RV2连接二极管DVi2的负极;反向串联BUCK电路:二极管DK1的负极连接电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端,正极连接二极管DK2的正极,二极管DK2的负极连接电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端;输出电路:该BUCK倍电流拓扑的输出端的正极由电力电子变压器TR的初级绕组N11和初级绕组N12的公共端引出,负极由二极管DK2的正极引出,输出端经滤波电路为LED灯供电。2.  根据权利要求1所述的无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑,其特征在于,所述低电压大电流电力电子开关S1和低电压大电流电力电子开关S2均采用20A、20V、20毫欧姆的MOSFET管,高电压小电流电力电子开关S11和高电压小电流电力电子开关S22均采用10A、400V的MOSFET管。3.  根据权利要求1所述的无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑,其特征在于,所述交流电源的电源端~L,经熔断保险丝F、安规电容Cx连接交流电源的电源端~N,安规电容Cx并联压敏电阻RV。

说明书

说明书无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑
技术领域
本发明属于LED灯恒流电源技术领域,具体涉及无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑。
技术背景
传统BUCK拓扑,是DC/DC变换常用方法之一,适用于输入直流高压小电流电源,转换为低压大电流电源输出。由于传统采用桥式整流和高压电解电容,功率因数PF较低,可靠性较低;存在贮能电感直流偏磁的问题;不容易实现大功率产品往轻、薄、短、小发展以符合市场经济提升性价比要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提供一种取消桥式整流和高压电解电容,以实现全固态电路、智能控制、高功率因数、恒流精度高、可靠性高、电路简洁、成本低的无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑。
本发明采用如下技术解决上述技术问题:
无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑,包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路;
单片机MCU1启动供电回路:单片机MCU1未启动前的交流电源正半波,电流从交流电源的电源端~L流出,依次流经熔断保险丝F、启动电阻Rj1、稳压二极管DZ1的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2,回到交流电源的电源端~N;单片机MCU1的电源端VCC1经降压电阻RV1连接在该回路的启动电阻Rj1和稳压二极管DZ1的负极之间以获取单片机MCU1的工作电压;稳压二极管DZ1的负极连接高电压小电流电力电子开关S11的栅极,正极连接单片机MCU1的接地端GND1,稳定电压为15伏,使高电压小电流电力电子开关S11的栅极对单片机MCU1的接地端GND1箝位15伏稳压;
单片机MCU2启动供电回路:单片机MCU2未启动前的交流电源正半波,电流从交流电源的电源端~N流出,依次流经启动电阻Rj2、稳压二极管DZ2的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端和同名端、电力电子变压器TR的初级绕组N11的异名端和同名端、二极管D1、熔断保险丝F,回到交流电源的电源端~L;单片机MCU2的电源端VCC2经降 压电阻RV2连接在该回路的启动电阻Rj2和稳压二极管DZ2的负极之间以获取工作电压;稳压二极管DZ2的负极连接高电压小电流电力电子开关S22的栅极,正极连接单片机MCU2的接地端GND2,稳定电压为15伏,使高电压小电流电力电子开关S22的栅极对单片机MCU2的接地端GND2箝位15伏稳压;
交流电源供电回路:包括正半波闭合回路和负半波闭合回路;
正半波闭合回路受控于单片机MCU1在交流电源正半波时导通,电流从交流电源的电源端~L流出,依次流经熔断保险丝F、高电压小电流电力电子开关S11、低电压大电流电力电子开关S1、取样电阻rs1、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2,回到交流电源的电源端~N;单片机MCU1的电流取样端CS1对取样电阻rs1进行电流取样,输出端OUT1连接低电压大电流电力电子开关S1的栅极,单片机MCU1根据电流取样值以正弦波脉宽调制程序控制输出端OUT1的输出以驱动低电压大电流电力电子开关S1的通断,高电压小电流电力电子开关S11的源极驱动受控于低电压大电流电力电子开关S1;
负半波闭合回路受控于单片机MCU2在交流电源负半波时导通,电流从交流电源的电源端~N流出,依次流经高电压小电流电力电子开关S22、低电压大电流电力电子开关S2、取样电阻rs2、电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端和同名端、电力电子变压器TR的初级绕组N11的异名端和同名端、二极管D1、熔断保险丝F,回到交流电源的电源端~L;单片机MCU2的电流取样端CS2对取样电阻rs2进行电流取样,输出端OUT2连接低电压大电流电力电子开关S2的栅极,单片机MCU2根据电流取样值以正弦波脉宽调制程序控制输出端OUT2的输出以驱动低电压大电流电力电子开关S2的通断,高电压小电流电力电子开关S22的源极驱动受控于低电压大电流电力电子开关S2;
单片机MCU1的自供电电路:电力电子变压器TR的次级绕组NV1的同名端同时连接二极管DV1的正极和单片机MCU1的接地端GND1,异名端经电容CVi1同时连接二极管DV1的负极和二极管DVi1的正极;二极管DVi1的负极和单片机MCU1的接地端GND1之间并联电容CV1和稳压二极管DZ1;单片机MCU1的电源端VCC1和接地端GND1之间并联电容CV01和稳压二极管DZ01;单片机MCU1的电源端VCC1还经降压电阻RV1连接二极管DVi1的负极;
单片机MCU2的自供电电路:电力电子变压器TR的次级绕组NV2的异名端同时连接二极管DV2的正极和单片机MCU2的接地端GND2,同名端经电容CVi2同时连接二极管DV2的负极和二极管DVi2的正极;二极管DVi2的负极和单片机MCU2的接地端GND2之间并联电容CV2和稳压二极管DZ2;单片机MCU2的电源端VCC2和接地端GND2之间并联电容CV02和稳压二 极管DZ02;单片机MCU2的电源端VCC2还经降压电阻RV2连接二极管DVi2的负极;
反向串联BUCK电路:二极管DK1的负极连接电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端,正极连接二极管DK2的正极,二极管DK2的负极连接电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端;
输出电路:该BUCK倍电流拓扑的输出端的正极由电力电子变压器TR的初级绕组N11和初级绕组N12的公共端引出,负极由二极管DK2的正极引出,输出端经滤波电路为LED灯供电。
所述低电压大电流电力电子开关S1和低电压大电流电力电子开关S2均采用20A、20V、20毫欧姆的MOSFET管,高电压小电流电力电子开关S11和高电压小电流电力电子开关S22均采用10A、400V的MOSFET管。
所述交流电源的电源端~L,经熔断保险丝F、安规电容Cx连接交流电源的电源端~N,安规电容Cx并联压敏电阻RV。
本发明的优点在于:
1、采用单片机作为弱电控制核心,实现了智能控制,实现高频BUCK的PMW逐个脉冲精准恒电流的PWM控制,恒流精度高,功率因数PF高。
2、本发明的BUCK倍电流拓扑取消桥式整流和高压电解电容,实现了全固态电路,功率因数高,接近1;可靠性高,可靠性5万小时寿命的电源适配长寿命LED灯;电路简洁,成本低,更容易实现大功率产品轻、薄、短、小,符合市场经济提升性价比要求。
3、采用两路BUCK反向串联的办法,使BUCK贮能电感直流偏磁互相抵销,解决了传统BUCK拓扑贮能电感直流偏磁的老问题。
4、实现倍电流向负载LED供电。
附图说明
图1是本发明无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑的电路原理示意图。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式进行详细说明,但不构成对本发明保护范围的限制。
如图1所示,交流电源电源端~L,经熔断保险丝F,到安规电容CX,回到交流电源~N,安规电容CX并联压敏电阻RV,这是常规电路。
单片机MCU1和单片机MCU2为弱电控制核心,采用单面PCB电路版,两片PCB电路版组 合为完整电路板,比双面PCB电路版成本低,并有利于插拔式快速检修。
单片机MCU1启动供电回路:单片机MCU1未启动前的交流电源正半波10毫秒,电流从交流电源的电源端~L流出,依次流经熔断保险丝F、启动电阻Rj1、15伏稳压二极管DZ1的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2,回到交流电源的电源端~N;高电压小电流电力电子开关S11的栅极取得正偏电压+15V;单片机MCU1的电源端VCC1经降压电阻RV1连接在该回路的启动电阻Rj1和稳压二极管DZ1的负极之间以获取单片机MCU1的工作电压;启动电阻Rj1电阻为1MΩ,稳压二极管DZ1的负极连接高电压小电流电力电子开关S11的栅极,正极连接单片机MCU1的接地端GND1,使高电压小电流电力电子开关S11的栅极对单片机MCU1的接地端GND1箝位15伏稳压;
单片机MCU2启动供电回路:单片机MCU2未启动前的交流电源正半波,电流从交流电源的电源端~N流出,依次流经1MΩ的启动电阻Rj2、15伏稳压二极管DZ2的负极和正极、电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端和同名端、电力电子变压器TR的初级绕组N11的异名端和同名端、二极管D1、熔断保险丝F,回到交流电源的电源端~L;高电压小电流电力电子开关S22的栅极取得正偏电压+15V;单片机MCU2的电源端VCC2经降压电阻RV2连接在该回路的启动电阻Rj2和稳压二极管DZ2的负极之间以获取单片机MCU2的工作电压;稳压二极管DZ2的负极连接高电压小电流电力电子开关S22的栅极,正极连接单片机MCU2的接地端GND2,使高电压小电流电力电子开关S22的栅极对单片机MCU2的接地端GND2箝位15伏稳压;
交流电源供电回路:包括正半波闭合回路和负半波闭合回路;
正半波闭合回路受控于单片机MCU1在交流电源正半波时导通,电流从交流电源的电源端~L流出,依次流经熔断保险丝F、高电压小电流电力电子开关S11、低电压大电流电力电子开关S1、取样电阻rs1、电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端和异名端、电力电子变压器TR的初级绕组N12的同名端和异名端、二极管D2,回到交流电源的电源端~N;在交流电源正半波10毫秒时间段,单片机MCU1的电流取样端CS1对取样电阻rs1进行电流取样,输出端OUT1连接低电压大电流电力电子开关S1的栅极,单片机MCU1根据电流取样值以正弦波脉宽调制程序控制输出端OUT1的输出以驱动低电压大电流电力电子开关S1的通断,实施单周期恒流控制,精确调控BUCK每一个脉冲占空比实现恒流,并在受指令每个脉冲电流截止,到初级绕组N11电感经二极管DK1续流电流过零,才发出下一个脉冲导通占空比指令,实现电力电子开关运行在“真正的谷底开关”工作状况,降低开关损耗,亦降低温升。由于稳压二极管DZ1箝位稳定电压,高电压小电流电力电子开关S11的栅极对单片机MCU1的接地 端GND1箝位稳压在15伏,使高电压小电流电力电子开关S11的源极驱动受控于低电压大电流电力电子开关S1,当单片机MCU1指令由输出端OUT1驱动低电压大电流电力电子开关S1导通或截止,就同步控制高电压小电流电力电子开关S11的通断。由于二极管D2导通,使低电压大电流电力电子开关S2及高电压小电流电力电子开关S22均失去开关功能处于10毫秒休息状态。
负半波闭合回路受控于单片机MCU2在交流电源负半波时导通,电流从交流电源的电源端~N流出,依次流经高电压小电流电力电子开关S22、低电压大电流电力电子开关S2、取样电阻rs2、电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端和同名端、电力电子变压器TR的初级绕组N11的异名端和同名端、二极管D1、熔断保险丝F,回到交流电源的电源端~L;单片机MCU2的电流取样端CS2对取样电阻rs2进行电流取样,输出端OUT2连接低电压大电流电力电子开关S2的栅极,单片机MCU2根据电流取样值以正弦波脉宽调制程序控制输出端OUT2的输出以驱动低电压大电流电力电子开关S2的通断,高电压小电流电力电子开关S22的源极驱动受控于低电压大电流电力电子开关S2;单片机MCU2控制负半波闭合回路的导通同理上述正半波闭合回路。
单片机MCU1的自供电电路:电力电子变压器TR的次级绕组NV1的同名端同时连接二极管DV1的正极和单片机MCU1的接地端GND1,异名端经电容CVi1同时连接二极管DV1的负极和二极管DVi1的正极;二极管DVi1的负极和单片机MCU1的接地端GND1之间并联电容CV1和稳压二极管DZ1;单片机MCU1的电源端VCC1和接地端GND1之间并联电容CV01和稳压二极管DZ01;单片机MCU1的电源端VCC1还经降压电阻RV1连接二极管DVi1的负极;单片机MCU1工作之后,有脉冲电流流过初级绕组N11和初级绕组N12,于是次级绕组NV1感应电动势,经二极管DV1、电容CVi1、二极管DVi1,向电容CV1充电,由稳压二极管DZ1箝位稳压15伏。由于次级绕组NV1实现自供电取代了启动电阻Rj1的功能,使启动电阻Rj1能采用1MΩ的阻值,提升电功率Eff。
单片机MCU2的自供电电路:电力电子变压器TR的次级绕组NV2的异名端同时连接二极管DV2的正极和单片机MCU2的接地端GND2,同名端经电容CVi2同时连接二极管DV2的负极和二极管DVi2的正极;二极管DVi2的负极和单片机MCU2的接地端GND2之间并联电容CV2和稳压二极管DZ2;单片机MCU2的电源端VCC2和接地端GND2之间并联电容CV02和稳压二极管DZ02;单片机MCU2的电源端VCC2还经降压电阻RV2连接二极管DVi2的负极;单片机MCU2的自供电原理同理单片机MCU1的自供电。
二极管DK1的负极连接电力电子变压器TR的初级绕组N11的同名端,正极连接二极管 DK2的正极,二极管DK2的负极连接电力电子变压器TR的初级绕组N12的异名端;该BUCK倍电流拓扑的输出端的正极由电力电子变压器TR的初级绕组N11和初级绕组N12的公共端引出,输出端的负极由二极管DK2的正极引出,输出端经滤波电路为LED灯供电。
所述低电压大电流电力电子开关S1和低电压大电流电力电子开关S2均采用20A、20V、20毫欧姆的MOSFET管,高电压小电流电力电子开关S11和高电压小电流电力电子开关S22均采用10A、400V的MOSFET管。
每当高电压小电流电力电子开关S11和低电压大电流电力电子开关S1导通,电流流过初级绕组N11向滤波电路的电容C0充电同时向负载LED灯供电,二极管DK2导通,这时电力电子变压器TR的初级绕组N11和初级绕组N12相当于2比1降压变压器,以倍电流向LED灯供电。
而当高电压小电流电力电子开关S11和低电压大电流电力电子开关S1由导通转化为截止,由于电感电流方向不能突然转变,所以初级绕组N11续流同时感应到初级绕组N12,仍然是以倍电流向LED灯供电。
初级绕组N11和初级绕组N12,把两个BUCK拓扑反向串联在一起,抵销了单一BUCK贮能电感的直流偏磁问题,充分发挥磁性材料磁化特性本质功能,利于在同等输出电流时可以用体积较小的磁芯,节约成本,缩小体积。

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本发明公开了无桥式整流无直流偏磁BUCK倍电流拓扑,采用两片单片机为弱电控制核心,包括单片机MCU1启动供电回路、单片机MCU2启动供电回路、交流电源供电回路、单片机MCU1的自供电电路、单片机MCU2的自供电电路、反向串联BUCK电路和输出电路;本发明的BUCK倍电流拓扑取消桥式整流和高压电解电容以实现全固态电路、智能控制、高功率因数、恒流精度高、可靠性高、电路简洁、成本低,无直流偏磁。。

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