说明书一种透明有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域，尤其涉及一种透明有机电致发光 器件及其制备方法。
背景技术
对于现有的有机电致发光器件（OLED），根据光的发射面的不同，可将其 分为三类:底部发光有机电致发光器件（BOLED）,顶部发光有机电致发光器件 （TEOLED）和透明有机电致发光器件（TOLED）。透明有机电致发光器件 （TOLED）与顶部发光有机电致发光器件（TEOLED）和底部有机电致发光器 件（BOLED）的不同之处在于：阴极和阳极都采用透明材质，从而使得发光器 内产生的光从阴极和阳极两面同时射出。透明有机电致发光器件（TOLED）在 加电时其两面都可发射光，而不加电时成透明状的特性，开辟了显示领域的一 个特殊应用方向。
目前，透明有机电致发光器件（TOLED）也存在寿命较短的问题，这主要 是由于侵入的氧气及水汽造成的。一方面，氧气是淬灭剂,会使发光量子效率显 著下降,同时，氧气会与发光层发生氧化作用，生成的羰基化合物也是有效的淬 灭剂;另一方面,水汽的影响更显而易见,它的主要破坏方式是使得透明器件内 的有机化合物发生水解作用,同时也会与阴极发生反应，使其稳定性大大下降, 从而导致透明器件失效,降低使用寿命。因此,为了有效抑制透明有机电致发光 器件（TOLED）在长期工作过程中的退化和失效,以使稳定工作达到足够的寿命, 起密封保护作用的封装技术就成了解决透明有机电致发光器件（TOLED）寿命 问题的一个突破点。
常用的透明有机电致发光器件（TOLED）封装技术是在基底上采用盖板封 装。盖板封装需用密封胶对盖板和基底进行密封，密封胶的多孔性使得氧气和 水汽很容易渗入透明器件内部，因此采用这种封装方式时一般还需要在器件内 加入干燥剂。随着透明器件内的干燥剂吸附大量的氧气和水汽，使得干燥剂在 短时间内失去了吸收能力，导致透明器件内逐渐积聚氧气和水汽，从而使得透 明器件的寿命显著下降，不能达到长寿命透明有机电致发光器件的封装要求。 通常采用的玻璃盖板或金属盖板的透光率较低，会降低透明器件的出光效率， 影响透明器件在实际应用中的视觉效果。同时，通常采用的玻璃盖板或金属盖 板为脆性材质，易产生裂纹，制得透明器件会显得十分厚重，不适用于柔性透 明器件。因此，如何减少氧气和水汽对透明器件的渗透，提高透明器件的寿命， 同时还不能降低透明器件的出光效率，并且还要能适用于柔性透明器件，对柔 性透明器件形成有效的保护，已成为当今技术人员所要急切解决的问题，这对 封装材质提出了极高的要求。
发明内容
为解决上述问题，本发明第一方面提供了一种透明有机电致发光器件，即 在透明阴极表面上设置封装层；首先，本发明提供的封装层具有很高的致密性， 有效地减少了外部的氧气、水汽等活性物质对透明有机电致发光器件内的有机 化合物及电极的侵蚀，防水性能（WVTR）最高可达4.69×10-6g/m2·day，从而 对透明器件形成了有效的保护，使得器件的寿命达到了20800小时以上 （T70@1000cd/m2）；其次，本发明提供的封装层具有良好的透光性能，因此不 会降低透明器件的出光效率，影响透明器件在实际应用中的视觉效果；最后， 本发明提供的封装层也可以适用于柔性透明有机电致发光器件，对柔性透明器 件形成有效的保护。本发明第二方面还提供了一种透明有机电致发光器件的制 备方法，该制备方法采用的封装材质廉价，制备工艺简单，易大面积制备。
第一方面，本发明提供了一种透明有机电致发光器件，包括透明阳极导电 基底和在所述透明阳极导电基底表面上依次层叠设置的有机发光功能层、透明 阴极和封装层；所述封装层包括在所述透明阴极表面上依次层叠设置的混合阻 挡层、第一氧氮化硅膜层、无机阻挡层和第二氧氮化硅膜层；
所述混合阻挡层的材质包括有机化合物和掺杂在所述有机化合物中的金属 氧化物和金属；所述有机化合物为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基） 环己烷（TAPC）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8- 羟基喹啉铝（Alq3）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、 2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2- 基)苯（TPBi）中的至少一种；所述金属氧化物为氧化钼（MoO3）、氧化钒（V2O5）、 氧化钨（WO3）、氧化铯（Cs2O）、一氧化镍（NiO）和二氧化锰（MnO2）中的 至少一种；所述金属为银（Ag）、铝（Al）、镍（Ni）、金（Au）、铜（Cu）和铂 （Pt）中的至少一种；
所述第一氧氮化硅膜层和所述第二氧氮化硅膜层的材质都为氧氮化硅化合 物（SiOxNy，其中0.01＜x≤1.5，0.01＜y≤1.3，0.5＜x+y＜2.5）；
所述无机阻挡层的材质包括金属氟化物和金属硫化物；所述金属氟化物为 氟化锂（LiF）、氟化铈（CeF3）、氟化镁（MgF2）、氟化铝（AlF3）、氟化钙（CaF2） 和氟化钡（BaF2）中的至少一种；所述金属硫化物为硫化镉（CdS）、硫化钯（PbS）、 二硫化亚铁（FeS2）、硫化铜（CuS）、硫化锌（ZnS）和硫化镍（NiS）中的至少 一种。
混合阻挡层中的金属氧化物和金属的阻隔水氧性能好，有机化合物具有良 好的柔韧性，因此，材质包括有机化合物和掺杂在有机化合物中的金属氧化物 和金属的混合阻挡层结构致密，可以有效地阻隔氧气和水汽渗透进入器件内部， 同时也可以缓解膜层之间的应力；无机阻挡层的材质包括金属氟化物和金属硫 化物共混，都是阻隔水氧性能优良的物质，可以提高无机阻挡层的致密性和耐 腐蚀性，因此，无机阻挡层也具有良好的氧气和水汽阻隔能力；氧氮化硅膜层 中的氧氮化硅的分子结构同时具有无机和有机的功能基团，使得氧氮化硅化合 物具有无机物的高阻隔性和有机物的粘连性和柔韧性，可以进一步延长氧气和 水汽渗透路径，提高膜层阻隔性能的同时，也可以改善无机阻挡层的粘附性， 并且还可以有效地减小膜层之间的应力。封装层为混合阻挡层、第一氧氮化硅 膜层、无机阻挡层和第二氧氮化硅膜层多个膜层层叠而成的致密复合膜，克服 了单膜层带来的不足和缺陷，延长了氧气和水汽渗透路径，有效地减少了外部 的氧气、水汽等活性物质对透明有机电致发光器件内的有机化合物及电极的侵 蚀，从而对透明器件形成了有效的保护。
优选地，所述混合阻挡层的材质中所述金属氧化物所占的摩尔分数为 30%～50%，所述金属所占的摩尔分数为10%～30%；所述无机阻挡层的材质中 所述金属氟化物所占的摩尔分数为10%～30%。
优选地，所述混合阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第一氧氮化硅膜层 的厚度为150nm～200nm；所述无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二 氧氮化硅膜层的厚度为150nm～200nm。
优选地，所述透明阳极导电基底为透明导电玻璃基底或透明导电塑料基底。
更优选地，所述透明导电玻璃基底的材质包括铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧 化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）；
所述透明导电塑料基底的材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚砜醚 （PES）、聚对萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或聚酰亚胺（PI）。
封装层可以对刚性透明基底（透明玻璃基底）和柔性透明基底（透明塑料 基底），尤其是对柔性透明基底进行封装，这是因为薄膜层中的氧氮化硅膜层和 混合阻挡层的柔韧性可以实现柔性透明器件的可曲折性，从而可以对柔性透明 器件形成有效的保护。
优选地，所述有机发光功能层包括发光层，和包括空穴注入层、空穴传输 层、电子传输层和电子注入层中的至少一种；
空穴注入层采用行业内常用材料，优选为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'- 联苯-4,4'-二胺（NPB）和掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺 （NPB）中的三氧化钼（MoO3）；
空穴传输层采用行业内常用材料，优选为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺 （TCTA）；
发光层采用行业内常用材料，优选地，主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱[Ir(ppy)3]；
电子传输层采用行业内常用材料，优选为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）；
电子注入层采用行业内常用材料，优选为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen） 和掺杂在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中的叠氮化铯（CsN3）；
阴极为透明阴极（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）， 材质优选为硫化锌（ZnS）/银(Ag)/硫化锌（ZnS）形成的夹层结构。
第二方面，本发明还提供了一种透明有机电致发光器件的制备方法，包括 如下步骤：
首先透明导电基底表面上形成透明阳极导电基底，然后采用真空蒸发的方 法在所述透明阳极导电基底表面上依次层叠制备有机发光功能层和透明阴极；
在所述透明阴极表面上制备封装层，所述封装层包括依次层叠设置在所述 透明阴极表面上的混合阻挡层、第一氧氮化硅膜层、无机阻挡层和第二氧氮化 硅膜层；
采用真空蒸发法在所述透明阴极表面上制备混合阻挡层，所述混合阻挡层 的材质包括有机化合物和掺杂在所述有机化合物中的金属氧化物和金属；所述 有机化合物为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、N,N'- 二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4',4''- 三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、2,9-二甲基-4,7-二苯基 -1,10-菲咯啉（BCP）和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的至少 一种；所述金属氧化物为氧化钼（MoO3）、氧化钒（V2O5）、氧化钨（WO3）、 氧化铯（Cs2O）、一氧化镍（NiO）和二氧化锰（MnO2）中的至少一种；所述金 属为银（Ag）、铝（Al）、镍（Ni）、金（Au）、铜（Cu）和铂（Pt）中的至少一 种；
采用等离子体增强化学气相沉积法在所述混合阻挡层表面上制备第一氧氮 化硅膜层，所述第一氧氮化硅膜层的材质为氧氮化硅化合物（SiOxNy，其中0.01 ＜x≤1.5，0.01＜y≤1.3，0.5＜x+y＜2.5）；
采用真空蒸发法在所述第一氧氮化硅膜层表面上制备无机阻挡层，所述无 机阻挡层的材质包括金属氟化物和金属硫化物；所述金属氟化物为氟化锂 （LiF）、氟化铈（CeF3）、氟化镁（MgF2）、氟化铝（AlF3）、氟化钙（CaF2）和 氟化钡（BaF2）中的至少一种；所述金属硫化物为硫化镉（CdS）、硫化钯（PbS）、 二硫化亚铁（FeS2）、硫化铜（CuS）、硫化锌（ZnS）和硫化镍（NiS）中的至少 一种；
采用等离子体增强化学气相沉积法在所述无机阻挡层表面上制备第二氧氮 化硅膜层，所述第二氧氮化硅膜层的材质为氧氮化硅化合物（SiOxNy，其中0.01 ＜x≤1.5，0.01＜y≤1.3，0.5＜x+y＜2.5）。
等离子体增强化学气相沉积技术的沉积温度低，对器件的结构和物理性质 影响小，制成的膜的厚度、致密性和均匀性好，附着力强。
优选地，制备所述混合阻挡层和所述无机阻挡层所采用的真空蒸镀的工艺 条件均为：真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
优选地，所述等离子体增强化学气相沉积法的工艺条件为：工作压强为 10Pa～50Pa，沉积温度为40℃～60℃，射频功率为0.1W/cm2～1W/cm2；所述沉 积第一氧氮化硅膜层和第二氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅胺 （HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；所述六甲基二 硅胺（HMDS）的流量为6sccm～14sccm，所述氨气（NH3）的流量为2sccm～ 18sccm，所述氧气（O2）的流量为2sccm～18sccm，所述氩气（Ar）的流量为 70sccm～80sccm；所述六甲基二硅胺（HMDS）的结构式如P所示：
优选地，所述混合阻挡层的材质中所述金属氧化物所占的摩尔分数为 30%～50%，所述金属所占的摩尔分数为10%～30%；所述无机阻挡层的材质中 所述金属氟化物所占的摩尔分数为10%～30%。
优选地，所述混合阻挡层的厚度为200nm～300nm；所述第一氧氮化硅膜层 的厚度为150nm～200nm；所述无机阻挡层的厚度为100nm～200nm；所述第二 氧氮化硅膜层的厚度为150nm～200nm。
优选地，所述透明阳极导电基底为透明导电玻璃基底或透明导电塑料基底。
更优选地，所述透明导电玻璃基底的材质包括铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧 化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）；
所述透明导电塑料基底的材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚砜醚 （PES）、聚对萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或聚酰亚胺（PI）。
优选地，所述有机发光功能层包括发光层，和包括空穴注入层、空穴传输 层、电子传输层和电子注入层中的至少一种；
空穴注入层采用行业内常用材料，优选为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'- 联苯-4,4'-二胺（NPB）和掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺 （NPB）中的三氧化钼（MoO3）；
空穴传输层采用行业内常用材料，优选为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺 （TCTA）；
发光层采用行业内常用材料，优选地，主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱[Ir(ppy)3]；
电子传输层采用行业内常用材料，优选为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）；
电子注入层采用行业内常用材料，优选为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen） 和掺杂在4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中的叠氮化铯（CsN3）；
阴极为透明阴极（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）， 材质优选为硫化锌（ZnS）/银(Ag)/硫化锌（ZnS）形成的夹层结构。
通过上述步骤制得所述透明有机电致发光器件，包括依次层叠设置的透明 阳极导电基底、发光功能层、透明阴极和封装层。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明提供的透明有机电致发光器件是指在透明阴极表面上设置的包括 混合阻挡层、第一氧氮化硅膜层、无机阻挡层和第二氧氮化硅膜层多个膜层层 叠而成的封装层，封装层结构致密，克服了单膜层带来的不足和缺陷，具有很 高的阻隔性能，有效地减少外部的氧气、水汽等活性物质对透明有机电致发光 器件内的有机化合物及电极的侵蚀，防水性能（WVTR）最高可达4.69× 10-6g/m2·day，对透明器件形成了有效的保护，使得器件的寿命达到了20800小 时以上（T70@1000cd/m2）；
2、本发明提供的透明有机电致发光器件的封装层具有良好的透光性能，因 此不会降低透明器件的出光效率，影响透明器件在实际应用中的视觉效果；
3、本发明提供的透明有机电致发光器件的封装层可以对刚性透明基底（透 明玻璃基底）和柔性透明基底（透明塑料基底），尤其是对柔性透明基底进行封 装，这是因为薄膜层中的氧氮化硅膜层和混合阻挡层的柔韧性可以实现柔性透 明器件的可曲折性，从而可以对柔性透明器件形成有效的保护，为柔性显示技 术带来突破性的进展；
4、本发明提供的透明有机电致发光器件的制备方法采用的封装材质廉价， 制备工艺简单，易大面积制备。
附图说明
图1是实施例1中的透明有机电致发光器件示意图；
图2是图1中的透明有机电致发光器件的封装层结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，下 面结合附图与较佳实施例，对本发明作进一步详细说明。应当理解，此处所描 述的具体实施例仅用以解释本发明，不用于限定本发明。基于本发明中的实施 例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施 例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
图1是实施例1中的透明有机电致发光器件示意图；如图1所示，实施例1 中的透明有机电致发光器件包括下至上依次层叠设置的ITO玻璃基底（10）、有 机发光功能层（20）、透明阴极（30）和封装层（40）；其中有机电致发光功能 层（20）包括下至上依次层叠设置的空穴注入层（21）、空穴传输层（22）、发 光层（23）、电子传输层（24）和电子注入层（25）。图2是图1的封装层的结 构示意图；如图2所示，封装层（40）包括在透明阴极（30）表面上依次层叠 设置的混合阻挡层（41）、第一氧氮化硅膜层（42）、无机阻挡层（43）和第二 氧氮化硅膜层（44）。
一种透明有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）ITO玻璃基底（10）的前处理：首先将ITO玻璃依次用丙酮清洗、乙醇 清洗、去离子水清洗和乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5 分钟，用氮气吹干，烘箱烤干待用；然后对洗净后的ITO玻璃进行表面活化处理， 以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO玻璃基底的厚度为 100nm;
（2）有机发光功能层（20）的制备：采用真空蒸发的方法在处理后的ITO玻 璃基底表面上制备有机发光功能层，有机发光功能层包括依次层叠设置的空穴 注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
空穴注入层（21），材质包括N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二 胺（NPB）和掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中 的三氧化钼（MoO3），三氧化钼（MoO3）的掺杂质量分数为30%，厚度为10nm， 采用的真空蒸发的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
空穴传输层（22），材质包括4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA），厚度 为30nm，采用的真空蒸发的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
发光层（23），主体材质包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI）， 客体材质包括三（2-苯基吡啶）合铱[Ir(ppy)3]，客体材质的掺杂质量分数为5%， 厚度为20nm，采用的真空蒸发的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子传输层（24），材质包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen），厚度为10nm， 采用的真空蒸发的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
电子注入层（25），材质包括4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）和掺杂在4,7- 二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中的叠氮化铯（CsN3），叠氮化铯（CsN3）的掺杂 质量分数为30%，厚度为20nm，采用的真空蒸发的真空度为3×10-5Pa，蒸发速度 为
（3）透明阴极（30）的制备：采用真空蒸发的方法在有机发光功能层表面 上制备阴极，材质包括硫化锌（ZnS）/银(Ag)/硫化锌（ZnS）形成的夹层结构， 硫化锌（ZnS）的厚度为30nm，银(Ag)的厚度为10nm，采用的真空蒸发的真空 度为3×10-5Pa，蒸发速度为
（4）封装层（40）的制备：
a)混合阻挡层（41）的制备：采用真空蒸发法在透明阴极表面上制备混合 阻挡层，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为混合阻挡层的材质包括1,1-二（（4- N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）和掺杂在1,1-二（（4-N,N′-二 （对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）中的氧化钼（MoO3）和银（Ag）；氧 化钼（MoO3）所占的摩尔分数为40%，银（Ag）所占的摩尔分数为20%；混合 阻挡层的厚度为250nm；
b)第一氧氮化硅膜层（42）的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在混 合阻挡层表面上制备第一氧氮化硅膜层，工作压强为30Pa，沉积温度为50℃， 射频功率为0.6W/cm2；沉积第一氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二 硅胺（HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二 硅胺（HMDS）的流量为10sccm，氨气（NH3）和氧气（O2）的流量均为10sccm， 氩气（Ar）的流量为75sccm；第一氧氮化硅膜层的厚度为200nm；
c)无机阻挡层（43）的制备：采用真空蒸发法在第一氧氮化硅膜层表面上制 备无机阻挡层，真空度为1×10－5Pa，蒸发速度为无机阻挡层的材质包括 氟化锂（LiF）和硫化镉（CdS）；氟化锂（LiF）所占的摩尔分数为20%；无机 阻挡层的厚度为150nm；
d)第二氧氮化硅膜层（44）的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所 述无机阻挡层表面上制备第二氧氮化硅膜层，工作压强为30Pa，沉积温度为 50℃，射频功率为0.6W/cm2；沉积第二氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六 甲基二硅胺（HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六 甲基二硅胺（HMDS）的流量为10sccm，氨气（NH3）和氧气（O2）的流量均 为10sccm，氩气（Ar）的流量为75sccm；第二氧氮化硅膜层的厚度为200nm；
本实施例制得的透明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）为4.60× 10-6g/m2·day，寿命为20937小时。
采用Ca膜电学测试方法测试本实施例有机电致发光器件的水蒸气渗透率， 具体方法为：在玻璃基板上沉积钙膜，然后在钙膜上制备本实施例的封装层， 通过玻璃基板和封装层将钙膜密封，然后通过测试Ca膜的电学参数来计算出水 蒸气渗透率（WVTR，g/m2·day），公式为： WVTR = δ 2 M [ H 2 O ] M [ Ca ] ( 1 - R i R ) h i 24 h t ; ]]>其中，δ为Ca的密度，M代表摩尔质 量，Ri和hi分别为测试前Ca的电阻和厚度初始值，t为测试时间，R和h分别 为测试后Ca的电阻和厚度；R和Ri采用吉时利2400测试，h和hi采用台阶仪 测试。通过数字源表2400和亮度计CS-100A测试本发明有机电致发光器件亮度 衰减到初始亮度（初始亮度为1000cd/m2）70%所用的时间，得到有机电致发光 器件的寿命值。
实施例2：
一种透明有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）封装层的制备：
a)混合阻挡层的制备：采用真空蒸发法在透明阴极表面上制备混合阻挡层， 真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为混合阻挡层的材质包括N,N'-二苯基-N,N'- 二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）和掺杂在N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'- 联苯-4,4'-二胺（NPB）中的氧化钒（V2O5）和铝（Al）；氧化钒（V2O5）所占的 摩尔分数为40%，铝（Al）所占的摩尔分数为30%；混合阻挡层的厚度为300nm；
b)第一氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在混合阻挡 层表面上制备第一氧氮化硅膜层，工作压强为10Pa，沉积温度为40℃，射频功 率为0.1W/cm2；沉积第一氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅胺 （HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅胺 （HMDS）的流量为12sccm，氨气（NH3）的流量为15sccm，氧气（O2）的流 量为10sccm，氩气（Ar）的流量为77sccm；第一氧氮化硅膜层的厚度为180nm；
c)无机阻挡层的制备：采用真空蒸发法在第一氧氮化硅膜层表面上制备无机 阻挡层，真空度为5×10－5Pa，蒸发速度为无机阻挡层的材质包括氟化 铈（CeF3）和硫化钯（PbS）；氟化铈（CeF3）所占的摩尔分数为15%；无机阻 挡层的厚度为100nm；
d)第二氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所述无机 阻挡层表面上制备第二氧氮化硅膜层，工作压强为10Pa，沉积温度为40℃，射 频功率为0.1W/cm2；沉积第二氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅 胺（HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅 胺（HMDS）的流量为12sccm，氨气（NH3）的流量为15sccm，氧气（O2）的 流量为10sccm，氩气（Ar）的流量为77sccm；第二氧氮化硅膜层的厚度为180nm；
本实施例制得的透明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）为4.63× 10-6g/m2·day，寿命为20890小时。
实施例3：
一种透明有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）封装层的制备：
a)混合阻挡层的制备：采用真空蒸发法在透明阴极表面上制备混合阻挡层， 真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为混合阻挡层的材质包括8-羟基喹啉铝 （Alq3）和掺杂在8-羟基喹啉铝（Alq3）中的氧化钨（WO3）和镍（Ni）；氧化 钨（WO3）所占的摩尔分数为30%，镍（Ni）所占的摩尔分数为10%；混合阻 挡层的厚度为200nm；
b)第一氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在混合阻挡 层表面上制备第一氧氮化硅膜层，工作压强为50Pa，沉积温度为60℃，射频功 率为1W/cm2；沉积第一氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅胺 （HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅胺 （HMDS）的流量为8sccm，氨气（NH3）的流量为5sccm，氧气（O2）的流量 为8sccm，氩气（Ar）的流量为75sccm；第一氧氮化硅膜层的厚度为170nm；
c)无机阻挡层的制备：采用真空蒸发法在第一氧氮化硅膜层表面上制备无机 阻挡层，真空度为5×10－5Pa，蒸发速度为无机阻挡层的材质包括氟化镁 （MgF2）和二硫化亚铁（FeS2）；氟化镁（MgF2）所占的摩尔分数为16%；无 机阻挡层的厚度为200nm；
d)第二氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所述无机 阻挡层表面上制备第二氧氮化硅膜层，工作压强为50Pa，沉积温度为60℃，射 频功率为1W/cm2；沉积第二氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅胺 （HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅胺 （HMDS）的流量为8sccm，氨气（NH3）的流量为5sccm，氧气（O2）的流量 为8sccm，氩气（Ar）的流量为75sccm；第二氧氮化硅膜层的厚度为170nm；
本实施例制得的透明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）为4.64× 10-6g/m2·day，寿命为20845小时。
实施例4：
一种透明有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）封装层的制备：
a)混合阻挡层的制备：采用真空蒸发法在透明阴极表面上制备混合阻挡层， 真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为混合阻挡层的材质包括4,4',4''-三(N-3-甲 基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）和掺杂在4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N- 苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）中的氧化铯（Cs2O）和金（Au）；氧化铯（Cs2O） 所占的摩尔分数为50%，金（Au）所占的摩尔分数为15%；混合阻挡层的厚度 为240nm；
b)第一氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在混合阻挡 层表面上制备第一氧氮化硅膜层，工作压强为40Pa，沉积温度为50℃，射频功 率为0.5W/cm2；沉积第一氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅胺 （HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅胺 （HMDS）的流量为14sccm，氨气（NH3）和氧气（O2）的流量均为18sccm， 氩气（Ar）的流量为70sccm；第一氧氮化硅膜层的厚度为160nm；
c)无机阻挡层的制备：采用真空蒸发法在第一氧氮化硅膜层表面上制备无机 阻挡层，真空度为5×10－5Pa，蒸发速度为无机阻挡层的材质包括氟化铝 （AlF3）和硫化铜（CuS）；氟化铝（AlF3）所占的摩尔分数为15%；无机阻挡 层的厚度为180nm；
d)第二氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所述无机 阻挡层表面上制备第二氧氮化硅膜层，工作压强为40Pa，沉积温度为50℃，射 频功率为0.7W/cm2；沉积第二氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅 胺（HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅 胺（HMDS）的流量为14sccm，氨气（NH3）和氧气（O2）的流量均为18sccm， 氩气（Ar）的流量为70sccm；第二氧氮化硅膜层的厚度为160nm；
本实施例制得的透明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）为4.65× 10-6g/m2·day，寿命为20830小时。
实施例5：
一种透明有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）封装层的制备：
a)混合阻挡层的制备：采用真空蒸发法在透明阴极表面上制备混合阻挡层， 真空度为5×10-5Pa，蒸发速度为混合阻挡层的材质包括2,9-二甲基-4,7- 二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）和掺杂在2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP） 中的一氧化镍（NiO）和铜（Cu）；一氧化镍（NiO）所占的摩尔分数为45%， 铜（Cu）所占的摩尔分数为19%；混合阻挡层的厚度为260nm；
b)第一氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在混合阻挡 层表面上制备第一氧氮化硅膜层，工作压强为20Pa，沉积温度为55℃，射频功 率为0.8W/cm2；沉积第一氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅胺 （HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅胺 （HMDS）的流量为6sccm，氨气（NH3）的流量为2sccm，氧气（O2）的流量 为2sccm，氩气（Ar）的流量为80sccm；第一氧氮化硅膜层的厚度为150nm；
c)无机阻挡层的制备：采用真空蒸发法在第一氧氮化硅膜层表面上制备无机 阻挡层，真空度为5×10－5Pa，蒸发速度为无机阻挡层的材质包括氟化钙 （CaF2）和硫化锌（ZnS）；氟化钙（CaF2）所占的摩尔分数为30%；无机阻挡 层的厚度为140nm；
d)第二氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所述无机 阻挡层表面上制备第二氧氮化硅膜层，工作压强为20Pa，沉积温度为55℃，射 频功率为0.8W/cm2；沉积第二氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅 胺（HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅 胺（HMDS）的流量为6sccm，氨气（NH3）的流量为2sccm，氧气（O2）的流 量为2sccm，氩气（Ar）的流量为80sccm；第二氧氮化硅膜层的厚度为150nm；
本实施例制得的透明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）为4.66× 10-6g/m2·day，寿命为20820小时。
实施例6：
一种透明有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）封装层的制备：
a)混合阻挡层的制备：采用真空蒸发法在透明阴极表面上制备混合阻挡层， 真空度为1×10-3Pa，蒸发速度为混合阻挡层的材质包括1,3,5-三(1-苯基-1H- 苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）和掺杂在1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi） 中的二氧化锰（MnO2）和铂（Pt）；二氧化锰（MnO2）所占的摩尔分数为40%， 铂（Pt）所占的摩尔分数为25%；混合阻挡层的厚度为220nm；
b)第一氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在混合阻挡 层表面上制备第一氧氮化硅膜层，工作压强为35Pa，沉积温度为50℃，射频功 率为0.8W/cm2；沉积第一氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅胺 （HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅胺 （HMDS）的流量为6sccm，氨气（NH3）的流量为15sccm，氧气（O2）的流量 为5sccm，氩气（Ar）的流量为75sccm；第一氧氮化硅膜层的厚度为160nm；
c)无机阻挡层的制备：采用真空蒸发法在第一氧氮化硅膜层表面上制备无机 阻挡层，真空度为1×10－3Pa，蒸发速度为无机阻挡层的材质包括氟化钡 （BaF2）和硫化镍（NiS）；氟化钡（BaF2）所占的摩尔分数为10%；无机阻挡 层的厚度为150nm；
d)第二氧氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所述无机 阻挡层表面上制备第二氧氮化硅膜层，工作压强为35Pa，沉积温度为50℃，射 频功率为0.8W/cm2；沉积第二氧氮化硅膜层的过程中采用的气源为六甲基二硅 胺（HMDS）、氨气（NH3）和氧气（O2），载入气体为氩气（Ar）；六甲基二硅 胺（HMDS）的流量为6sccm，氨气（NH3）的流量为15sccm，氧气（O2）的流 量为5sccm，氩气（Ar）的流量为75sccm；第二氧氮化硅膜层的厚度为160nm；
本实施例制得的透明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）为4.69× 10-6g/m2·day，寿命为20808小时。
效果实施例
为有效证明本发明提供的透明有机电致器件及其制备方法的有益效果，提 供相关实验数据如下。
表1.透明有机电致发光器件的防水性能、使用寿命和封装面透光率情况表
表1是实施例1～6中的透明有机电致发光器件的防水性能、使用寿命和封装 面透光率情况表。从表1可以看出，本发明提供的有机电致发光器件的防水性能 （WVTR）最高可达4.69×10-6g/m2·day，寿命均达到了20800小时以上 （T70@1000cd/m2：即起始亮度为1000cd/m2，亮度衰减到70%所用的时间），并 且封装面的透光率达到32%～40%，说明本发明提供的封装层具有很高的致密 性，有效地减少了外部的氧气、水汽等活性物质对透明有机电致发光器件内的 有机化合物及电极的侵蚀，从而对透明器件形成了有效的保护，延长了透明器 件的使用寿命；并且本发明提供的封装层具有良好的透光性能，因此不会降低 透明器件的出光效率，影响透明器件在实际应用中的视觉效果。
封装膜层致密性和透光率对于透明有机电致发光器件而言至关重要，根据 器件测试结果可选择合适的工艺条件。当然，以上所述仅仅为本发明的个别实 例而已，凡依本发明申请专利范围所述的构造、原理及相似的变化，均应包含 于本发明申请专利的范围内。