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1、(10)申请公布号 CN 104362115 A(43)申请公布日 2015.02.18CN104362115A(21)申请号 201410541338.8(22)申请日 2014.10.14H01L 21/67(2006.01)H01L 21/268(2006.01)B23K 26/354(2014.01)(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道92号(72)发明人姚江波(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300代理人黄威(54) 发明名称一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法(57) 摘要本发明提供一种准分子激光。
2、退火装置及该装置的使用方法，所述装置包括基板载台和用于提供照射到所述基板的准分子激光束的准分子激光器，所述基板载台包括：用于承载具有非晶硅薄膜的基板的承载面以及温度调节模块，所述温度调节模块用于调节所述承载面上的温度，以控制所述非晶硅薄膜中的非晶硅的结晶方向。本发明的准分子激光退火装置及该装置的使用方法，通过在基板载台上增加温度调节模块，形成了具有温度梯度的区域，从而控制非晶硅沿温度调节的方向重结晶，以形成较大晶粒的多晶硅，提高了液晶显示器的效果。(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书5页 附图2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书5页 附图2。
3、页(10)申请公布号 CN 104362115 ACN 104362115 A1/2页21.一种准分子激光退火装置，其特征在于，所述装置包括：基板载台，包括：承载面，用于承载具有非晶硅薄膜的基板；以及温度调节模块，用于调节所述承载面上的温度，以控制所述非晶硅薄膜中的非晶硅的结晶方向；准分子激光器，用于提供照射到所述基板的准分子激光束。2.根据权利要求书1所述的准分子激光退火装置，其特征在于，所述温度调节模块为设置在所述承载面上的吸光部分和反光部分。3.根据权利要求书2所述的准分子激光退火装置，其特征在于，所述吸光部分和所述反光部分嵌入所述基板载台内。4.一种使用所述准分子激光退火装置进行退火的。
4、方法，其特征在于，所述准分子激光退火装置包括：基板载台，包括：承载面，用于承载具有非晶硅薄膜的基板；以及温度调节模块，用于调节所述承载面上的温度，以控制所述非晶硅薄膜中的非晶硅的结晶方向；准分子激光器，用于提供照射到所述基板的准分子激光束；其中，使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法包括：将所述具有非晶硅薄膜的基板放置于所述基板载台上；使用所述准分子激光器对所述非晶硅薄膜进行退火处理，以使所述非晶硅薄膜中的非晶硅在预设区域内按照所述温度调节模块的温度调节方向结晶形成多晶硅薄膜，其中所述预设区域为与所述温度调节模块的位置相对应的所述非晶硅薄膜上的区域。5.根据权利要求书4所述的使用所述准分子激。
5、光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述温度调节模块为设置在所述承载面上的吸光部分和反光部分。6.根据权利要求书5所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，在所述对所述非晶硅薄膜进行退火处理过程中，在所述非晶硅薄膜的第一部分和第二部分形成温度梯度，其中所述第一部分为所述非晶硅薄膜上与所述基板载台的反光部分所对应的区域，所述第二部分为所述非晶硅薄膜上与所述基板载台的吸光部分所对应的区域。7.根据权利要求书6所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述在所述非晶硅薄膜的第一部分和第二部分形成温度梯度的步骤具体为：所述非晶硅薄膜的第一部分吸收照射的准分子激光束。
6、的能量以及所述反光部分反射的准分子激光束的能量，所述非晶硅薄膜的第二部分吸收照射的准分子激光束的能量。8.根据权利要求书6所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述温度调节模块的温度调节方向为：沿所述第二部分朝向所述第一部分的方向。9.根据权利要求书5所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述吸光部分和所述反光部分嵌入所述基板载台内。10.根据权利要求书5所述的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，其特征在于，所述基板载台上设置有至少两个吸光部分和至少两个反光部分，所述吸光部分和所权 利 要 求 书CN 104362115 A2/2页3述反光部分。
7、交错分布在所述基板载台上。权 利 要 求 书CN 104362115 A1/5页4一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法【 技术领域 】0001 本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法。【 背景技术 】0002 随着多晶硅元器件的广泛应用，多晶硅的形成方法也成为主要的研究方向。其中准分子激光退火制程是形成多晶硅的重要步骤，在传统的准分子激光退火制程中，非晶硅受到高温后变成完全熔融的状态，之后重结晶形成多晶硅。重结晶时会按照低能量向高能量方向结晶，即低温向高温方向结晶。由于目前准分子激光束均匀地照射到非晶硅薄膜层上，使得非晶硅薄膜层各部分温度大致相等，。
8、所以重结晶时的起点和方向无法控制，导致结晶后多晶硅的晶粒偏小，晶粒间晶界偏多，严重影响多晶硅的电子迁移率，从而影响显示器的显示效果。0003 因此，有必要提供一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法，以解决现有技术所存在的问题。【 发明内容 】0004 本发明的目的在于提供一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法，以解决现有技术的结晶后多晶硅的晶粒偏小，晶粒间晶界偏多的技术问题。0005 为解决上述技术问题，本发明构造了一种准分子激光退火装置，所述装置包括：0006 基板载台，包括：0007 承载面，用于承载具有非晶硅薄膜的基板；以及0008 温度调节模块，用于调节所述承载面上的温度，以控制所。
9、述非晶硅薄膜中的非晶硅的结晶方向；0009 准分子激光器，用于提供照射到所述基板的准分子激光束。0010 在本发明的准分子激光退火装置中，所述温度调节模块为设置在所述承载面上的吸光部分和反光部分。0011 在本发明的准分子激光退火装置中，所述吸光部分和所述反光部分嵌入所述基板载台内。0012 本发明的另一个目的在于提供一种使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，所述准分子激光退火装置包括：0013 基板载台，包括：0014 承载面，用于承载具有非晶硅薄膜的基板；以及0015 温度调节模块，用于调节所述承载面上的温度，以控制所述非晶硅薄膜中的非晶硅的结晶方向；0016 准分子激光器，用于提供照。
10、射到所述基板的准分子激光束；0017 其中，使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法包括：说 明 书CN 104362115 A2/5页50018 将所述具有非晶硅薄膜的基板放置于所述基板载台上；0019 使用所述准分子激光器对所述非晶硅薄膜进行退火处理，以使所述非晶硅薄膜中的非晶硅在预设区域内按照所述温度调节模块的温度调节方向结晶形成多晶硅薄膜，其中所述预设区域为与所述温度调节模块的位置相对应的所述非晶硅薄膜上的区域。0020 在本发明的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法中，所述温度调节模块为设置在所述承载面上的吸光部分和反光部分。0021 在本发明的使用所述准分子激光退火装置进行退火。
11、的方法中，在所述对所述非晶硅薄膜进行退火处理过程中，在所述非晶硅薄膜的第一部分和第二部分形成温度梯度，其中所述第一部分为所述非晶硅薄膜上与所述基板载台的反光部分所对应的区域，所述第二部分为所述非晶硅薄膜上与所述基板载台的吸光部分所对应的区域。0022 在本发明的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法中，所述在所述非晶硅薄膜的第一部分和第二部分形成温度梯度的步骤具体为：所述非晶硅薄膜的第一部分吸收照射的准分子激光束的能量以及所述反光部分反射的准分子激光束的能量，所述非晶硅薄膜的第二部分吸收照射的准分子激光束的能量。0023 在本发明的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法中，所述温度调节模块。
12、的温度调节方向为：沿所述第二部分朝向所述第一部分的方向。0024 在本发明的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法中，所述吸光部分和所述反光部分嵌入所述基板载台内。0025 在本发明的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法中，所述基板载台上设置有至少两个吸光部分和至少两个反光部分；所述吸光部分和所述反光部分交错分布在所述基板载台上。0026 本发明的准分子激光退火装置及该装置的使用方法，通过在基板载台上增加温度调节模块，形成了具有温度梯度的区域，从而控制非晶硅沿一定的方向重结晶，以形成较大晶粒的多晶硅，提高了液晶显示器的效果。【 附图说明 】0027 图1为本发明第一实施例的准分子激光退火。
13、装置的结构示意图；0028 图2为本发明第二实施例的准分子激光退火装置的结构示意图；0029 图3为本发明第二实施例的基板载台的横截面的结构示意图。0030 图4为本发明使用图2中的准分子激光退火装置进行退火的方法流程图。【 具体实施方式 】0031 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧面等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。0032 请参照图1，图1为本发明第一实施例的准分子激光退火装置的结构示意图。。
14、0033 本发明的准分子激光退火装置，如图1所示，其包括基板载台10、及准分子激光器20，所述基板载台10包括承载面15、以及温度调节模块14，所述承载面15上承载有所述基说 明 书CN 104362115 A3/5页6板11，所述基板11上形成有非晶硅薄膜13，在所述基板11和所述非晶硅薄膜13之间还可设置有缓冲层12。所述准分子激光器20提供照射到所述基板11的准分子激光束。所述温度调节模块14，用于调节所述承载面15上的温度，使得在非晶硅薄膜上具有温度不同的区域，进而控制所述非晶硅薄膜13中的非晶硅的结晶方向。0034 上述准分子激光退火装置的工作原理为：0035 将所述具有非晶硅薄膜的。
15、基板11放置于所述基板载台10上；0036 使用所述准分子激光器20对所述非晶硅薄膜13进行退火处理，以使所述非晶硅薄膜13中的非晶硅在预设区域16内按照所述温度调节模块14的温度调节方向结晶形成多晶硅薄膜，其中所述预设区域16位于所述非晶硅薄膜上，且与所述温度调节模块14的位置相对应的区域。0037 通过所述准分子激光器20产生的准分子激光束对所述基板11进行照射，所述非晶硅薄膜13吸收照射的准分子激光束的能量并熔融，且所述准分子激光束能够穿透所述基板11照射到所述基板载台10上。0038 所述温度调节模块14可为设置在所述承载面15上的吸光部分和反光部分。所述预设区域16包括第一部分和第二。
16、部分，所述第一部分与所述反光部分位置相对应、所述第二部分与所述吸光部分位置相对应。0039 在对所述非晶硅薄膜13进行退火处理过程中，由于所述非晶硅薄膜13的吸收所述准分子激光器20直接照射的准分子激光束的能量，同时所述准分子激光器20的准分子激光束穿透所述基板11照射到所述承载面15上，使得所述反光部分将照射在其上的大部分准分子激光束反射回所述第一部分上。而所述吸光部分由于将照射在其上的准分子激光束吸收掉，不能反射到所述非晶硅薄膜上。0040 因此所述非晶硅薄膜13的第一部分吸收照射的准分子激光束的能量以及所述反光部分反射的准分子激光束的能量。而所述非晶硅薄膜13的第二部分仅吸收照射的准分子。
17、激光束的能量，因此所述第二部分的能量或温度高于第一部分的能量或温度。0041 即在所述非晶硅薄膜13的预设区域16内形成一高一低的温度梯度，进而使得所述非晶硅薄膜13中的非晶硅沿所述第二部分朝向所述第一部分的方向重结晶。0042 本发明的准分子激光退火装置，通过在基板载台上增加温度调节模块，形成了具有温度梯度的区域，从而控制非晶硅沿一定的方向重结晶，以形成较大晶粒的多晶硅，提高了液晶显示器的效果。0043 请参照图2，图2为本发明第二实施例的准分子激光退火装置的结构示意图。0044 本发明的准分子激光退火装置，如图2所示，所述准分子激光退火装置包括基板载台10、及准分子激光器20，所述基板载台。
18、10包括承载面15、以及温度调节模块14，所述承载面15上承载有基板11，所述基板11上形成有非晶硅薄膜13，所述基板11可以为玻璃基板；在所述基板11和所述非晶硅薄膜13之间还可设置有缓冲层12，所述缓冲层12用于隔离所述基板11上的杂质，以免杂质进入所述非晶硅薄膜13，所述缓冲层12的厚度50-600nm，优选地所述缓冲层12的厚度200-400nm，所述缓冲层12的材料是氧化硅。所述准分子激光器20提供照射到所述基板11的准分子激光束，所述准分子激光束20可以是扫描照射在所述基板11上的。0045 优选地，所述温度调节模块14为设置在所述承载面15上的吸光部分101和反光说 明 书CN 。
19、104362115 A4/5页7部分102。结合图3，图3为本实施例的基板载台的横截面的结构示意图。在所述基板载台10上设置有至少两个吸光部分101和至少两个反光部分102；所述吸光部分101和所述反光部分102交错分布在所述基板载台10上。所述吸光部分101和所述反光部分102嵌入所述基板载台10内，譬如通过在所述基板载台10位于承载面15一侧开设多个孔，在一些孔中涂布反光材料以形成多个所述反光部分102，在另一些孔中涂布吸光材料以形成多个所述吸光部分101，所述反光材料为镜面材料。0046 所述吸光部分101和反光部分102的形状可为正方形、三角形、圆形等形状，所述吸光部分和反光部分的间距。
20、可根据实际需求调节。0047 本发明的准分子激光退火装置，通过在基板载台上增加温度调节模块，形成了具有温度梯度的区域，从而控制非晶硅沿一定的方向重结晶，以形成较大晶粒的多晶硅，提高了液晶显示器的效果。0048 图4为本发明使用图2中的准分子激光退火装置进行退火的方法流程图。0049 如图4所示，使用图2中的准分子激光退火装置进行退火的方法包括：0050 S201、将所述具有非晶硅薄膜的基板放置于所述基板载台上；0051 S202、使用所述准分子激光器对所述非晶硅薄膜进行退火处理，以使所述非晶硅薄膜中的非晶硅在预设区域内按照所述温度调节模块的温度调节方向结晶形成多晶硅薄膜；0052 所述预设区域。
21、16位于所述非晶硅薄膜13上，且与所述温度调节模块14的位置相对应的区域。0053 对所述非晶硅薄膜13进行退火处理的步骤包括；0054 结合图2，通过准分子激光器20产生的准分子激光束对所述基板11进行照射，所述非晶硅薄膜13吸收照射的准分子激光束的能量并熔融，且所述准分子激光束能够穿透所述基板11照射到所述基板载台10上。0055 所述温度调节模块14为设置在所述承载面15上的吸光部分101和反光部分102。所述预设区域16包括第一部分132和第二部分131，所述第一部分132与所述反光部分102位置相对应、所述第二部分131与所述吸光部分101位置相对应。0056 在所述对所述非晶硅薄膜。
22、进行退火处理过程中，由于所述非晶硅薄膜13的吸收所述准分子激光器20直接照射的准分子激光束的能量，同时所述准分子激光器20的准分子激光束穿透所述基板11照射到所述承载面15上，使得所述反光部分102将照射在其上的大部分准分子激光束反射回所述第一部分132上。而所述吸光部分101由于将照射在其上的准分子激光束吸收掉，不能反射到所述非晶硅薄膜13上。0057 因此所述非晶硅薄膜13的第一部分132吸收照射的准分子激光束的能量以及所述反光部分102反射的准分子激光束的能量。而所述非晶硅薄膜13的第二部分131仅吸收照射的准分子激光束的能量，因此使所述第二部分131的能量或温度高于所述第一部分132的。
23、能量或温度。0058 即在所述非晶硅薄膜13的预设区域16内形成一高一低的温度梯度，进而使得所述非晶硅薄膜13中的非晶硅沿所述第二部分朝向所述第一部分的方向重结晶。0059 本发明的使用所述准分子激光退火装置进行退火的方法，通过在基板载台上增加温度调节模块，形成了具有温度梯度的区域，从而控制非晶硅沿一定的方向重结晶，以形成说 明 书CN 104362115 A5/5页8较大晶粒的多晶硅，提高了液晶显示器的效果。0060 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。说 明 书CN 104362115 A1/2页9图1图2说 明 书 附 图CN 104362115 A2/2页10图3图4说 明 书 附 图CN 104362115 A10。