导电薄膜结构.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201310573924.6

申请日:

2013.11.15

公开号:

CN104637573A

公开日:

2015.05.20

当前法律状态:

授权

有效性:

有权

法律详情:

授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01B 5/14申请日:20131115|||公开

IPC分类号:

H01B5/14; H01B1/02; G06F3/041

主分类号:

H01B5/14

申请人:

群创光电股份有限公司

发明人:

许育纯

地址:

中国台湾新竹科学工业园区

优先权:

专利代理机构:

北京市柳沈律师事务所11105

代理人:

陈小雯

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内容摘要

本发明公开一种导电薄膜结构。导电薄膜结构包括一基板以及一导电网眼图案(conductive mesh pattern)。导电网眼图案设置于基板上。导电网眼图案具有多条导线及多个导电连接部,其中多个导电连接部将多条导线互相连接而构成该导电网眼图案。导线具有一第一厚度,导电连接部具有一第二厚度,第一厚度不同于第二厚度。

权利要求书

权利要求书1.  一种导电薄膜结构,包括: 基板;以及 导电网眼图案(conductive mesh pattern),设置于该基板上,其包括多条 导线和多个导电连接部,其中该多个导电连接部将该多条导线互相连接而构 成该导电网眼图案, 其中该些导线具有第一厚度,该些导电连接部具有第二厚度,该第一厚 度不同于该第二厚度。 2.  如权利要求1所述的导电薄膜结构,其中该第一厚度大于该第二厚 度。 3.  如权利要求2所述的导电薄膜结构,其中该第一厚度相对于该第二厚 度的比例为2:1~50:1且不等于1。 4.  如权利要求1所述的导电薄膜结构,其中该第一厚度和该第二厚度的 差值为50~2000纳米(nm)。 5.  如权利要求1所述的导电薄膜结构,其中该第二厚度为20~2000纳 米(nm)。 6.  如权利要求1所述的导电薄膜结构,其中该导线的宽度为1~20微米 (μm)。 7.  如权利要求1所述的导电薄膜结构,其中该导电连接部的宽度大于该 导线的宽度的√2倍。 8.  如权利要求1所述的导电薄膜结构,其中该导电连接部的平面形状大 致上为一边缘内凹的矩形。 9.  一种触控面板,包括: 基板;以及 触控电极,设置于该基板上,其中该触控电极由一导电网眼图案形成, 该导电网眼图案包括多条导线和多个导电连接部,其中该多个导电连接部将 该多条导线互相连接而构成该导电网眼图案,其中该导线具有一第一厚度, 该导电连接部具有一第二厚度,该第一厚度不同于该第二厚度。

说明书

说明书导电薄膜结构
技术领域
本发明涉及一种导电薄膜结构,且特别是涉及一种具有导电网眼图案的 导电薄膜结构。
背景技术
目前主要的触控感测装置中,大多使用铟锡氧化物(ITO)薄膜制作透明 导电感测层。然而,铟锡氧化物薄膜的制作工艺温度无法达到太高,因此其 阻抗无法降至很低,所以当大面积的铟锡氧化物薄膜应用于大尺寸的感测装 置时,大面积的铟锡氧化物薄膜所产生的阻抗会无法与其对应的集成电路做 搭配,高面电阻会使得感测装置的感测灵敏性降低。再者,铟锡氧化物薄膜 具有脆性,在弯曲时容易发生碎裂,不仅对其导电性会有不好的影响,也不 适合应用于具有弯曲性的软性装置。此外,铟为稀有材料,价格高昂,也不 利于成本的管控。
因此,如何提供一种具有良好特性的触控感测装置的导电薄膜,为相关 业者努力的课题之一。
发明内容
本发明内容有关于一种导电薄膜结构。实施例的导电薄膜结构中,经由 导电网眼图案的导线的厚度不同于导电连接部的厚度的设计,使得导线和导 电连接部具有不同的光穿透率和反射率,进而改善整体的可视性。
根据本发明内容的一实施例,提出一种导电薄膜结构。导电薄膜结构包 括一基板以及一导电网眼图案(metal mesh)。导电网眼图案设置于基板上。导 电网眼图案包含有多条导线及多个导电连接部,其中该多个导电连接部将该 多条导线互相连接而构成该导电网眼图案。导线具有一第一厚度,导电连接 部具有一第二厚度,第一厚度不同于第二厚度。
根据本发明内容的另一实施例,提出一种触控面板。触控面板包括一基 板以及一触控电极。触控电极设置于基板上。触控电极由一导电网眼图案形 成,导电网眼图案包括多条导线和多个导电连接部,其中多个导电连接部将 多条导线互相连接而构成导电网眼图案。导线具有一第一厚度,导电连接部 具有一第二厚度,第一厚度不同于第二厚度。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例, 并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1为本发明内容一实施例的导电薄膜结构的上视图;
图2A为本发明内容一实施例的导电薄膜结构的局部上视图;
图2B为沿图2A的剖面线2B-2B’的剖面示意图。
符号说明
10:导电薄膜结构
100:基板
200:导电网眼图案
210:导线
230:导电连接部
T1:第一厚度
T2:第二厚度
W1:第一宽度
W2:第二宽度
2B-2B’:剖面线
具体实施方式
根据本发明内容的实施例,导电薄膜结构中,经由导电网眼图案的导线 的厚度不同于导电连接部的厚度的设计,使得导线和导电连接部具有不同的 光穿透率和反射率,进而改善整体的可视性。以下参照所附附图详细叙述本 发明内容的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意 的是,附图已简化以利清楚说明实施例的内容,实施例所提出的细部结构仅 为举例说明之用,并非对本发明内容欲保护的范围做限缩。具有通常知识者 当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。
图1绘示本发明内容一实施例的导电薄膜结构10的上视图,图2A绘示 本发明内容一实施例的导电薄膜结构10的局部上视图,图2B绘示沿图2A 的剖面线2B-2B’的剖面示意图。请参照图1~图2B,导电薄膜结构10包括 基板100以及导电网眼图案(metal mesh)200。导电网眼图案200设置于基板 100上,导电网眼图案200包括多条导线210和多个导电连接部230,其中 多个导电连接部230将多条导线210互相连接而构成该导电网眼图案200。 导线210具有第一厚度T1,导电连接部230具有第二厚度T2,第一厚度T1 不同于第二厚度T2。由于此两者厚度T1和T2的不同,使得导线210和导 电连接部230具有不同的光穿透率和反射率,进而改善整体的可视性。需注 意的是,附图中的第一厚度T1和第二厚度T2的尺寸比例并非按照实际产品 等比例绘制,仅用以清楚说明实施例的内容,因此并非作为限缩本发明内容 的保护范围之用。
实施例中,导电网眼图案200可以经由例如是凹版印刷、灰阶光罩或纳 米压印的方式制作而成,且可以采用平面式制作工艺或卷对卷制作工艺。
在一实施例中,如图2A的上视图中所示,很可能因为制作过程中的显 影蚀刻不完全,使得导电连接部230的单位面积会大于导线210的单位面积, 且导电连接部230的第二宽度W2会大于金属导线210的第一宽度W1,因 此导电连接部230会因为具有较大光反射面积而有可视性的问题。在一实施 例中,导线210的宽度可为1~20微米(μm),较佳为3~10微米(μm)。导电 连接部230的宽度至少大于导线210的宽度的√2倍,且导电连接部230的平 面形状大致上为一边缘内凹的矩形。本发明内容的实施例将导电连接部230 的第二厚度T2小于金属导线210的第一厚度T1,除了可以提高导电网眼图 案200的整体的光穿透率,还同时能降低导电网眼图案200的反射率,使得 导电网眼图案200的显色较不明显,进而改善具有较大宽度的导电连接部 200处的可视性的问题。换言之,相较于整体厚度(导电连接部230的厚度及 导线210的厚度)全面一致且具有大面积导电连接部的导电网眼图案,大面 积导电连接部造成的开口率下降、光穿透率下降及高反射率的问题均可以获 得大幅的改善。
值得注意的是,在导电连接部230的第二厚度T2小于导线210的第一 厚度T1的实施例中,导电连接部230的第二厚度T2也应具有一最小值,并 非可以无限制地减小。当导电连接部230的第二厚度T2小于导线210的第 一厚度T1时,导电连接部230仍须保有一定的厚度使得金属网200可具有 预定的导电性。
一实施例中,导线210的第一厚度T1相对于导电连接部230的第二厚 度T2的比例例如是2:1~50:1的范围之间。举例来说,当导线210的第一厚 度T1为200纳米(nm),则导电连接部230的第二厚度T2可为4~100纳米 (nm)。然实际应用时,第一厚度T1和第二厚度T2的数值范围也视应用状况 作适当选择,并不以前述数值范围为限。
一实施例中,导电连接部230的第二厚度T2例如是5~150纳米(nm)。
一实施例中,导线210的第一厚度T1和导电连接部230的第二厚度T2 的差值例如是50~2000纳米(nm)。另一实施例中,以导电网眼图案200的材 质为银金属为例,当导线210的第一厚度T1为200纳米,导电连接部230 的第二厚度T2例如可以是20~100纳米,此两者的差值则是100~180纳米。 然实际应用时,导电网眼图案200的材质、第一厚度T1和第二厚度T2的数 值范围也视应用状况作适当选择,并不以前述材质及数值范围为限。
实施例中,导电网眼图案200的材质为导电性金属。举例来说,金属网 200的材质可以包括银、铜、铝和钼等的至少其中之一。
实施例中,基板100例如是可挠式基板或玻璃基板。
一实施例中,本发明内容所述的导电薄膜结构例如可应用于触控面板, 触控面板包括一基板以及一触控电极,触控电极设置于基板上。实施例中, 触控电极例如是由前述的导电网眼图案200形成,导电网眼图案200的导线 具有一第一厚度,导电网眼图案200的导电连接部具有一第二厚度,第一厚 度不同于第二厚度。
以下就实施例作进一步说明。以下列出一实施例的导电网眼图案200的 材质、尺寸及模拟结果。然而以下的实施例仅为例示说明之用,而不应被解 释为本发明内容实施的限制。
表1列示以银金属作为导电网眼图案200的材质,令阻抗维持定值所得 到的第二厚度T2相对于反射率的模拟结果。如表1所示的实施例中,导线 210的第一宽度W1为8微米(μm),交叉部分230的第二宽度W2为36微米, 导线210的第一厚度T1为200纳米。
表1
第二厚度T2(纳米) 反射率(%)
200 98.17 150 98.17 120 98.15 100 98.07 80 97.74 60 96.29 50 94.23 40 89.91 30 80.89 20 62.64
如表1所示,当导电连接部230的第二厚度T2下降时,反射率也会下 降。举例来说,当导电连接部230的厚度由200纳米下降至20纳米,反射 率可以由98.17%大幅下降至62.64%。换句话说,根据表1所述的模拟结果, 实施例中,导电网眼图案200的材质为银,第二厚度T2例如是20-100纳米, 则导电连接部230均具有比导线210低的反射率。另一实施例中,导电网眼 图案200的材质为铜,第一厚度T1例如是200纳米,第二厚度T2例如是 30-80纳米,则导电连接部230可具有比导线210低的反射率。然实际应用 时,第二厚度T2的数值范围也视应用状况作适当选择,例如根据导电网眼 图案200的材质及导线210采用的第一厚度T1,并不以前述数值为限。
再者,同样令阻抗维持定值,导电金属的面积和厚度大约成反比。举例 来说,当导电网眼图案200的材质为银,导线210的第一宽度W1为8微米, 导电连接部230的第二宽度W2为36微米,导线210的第一厚度T1为200 纳米,根据计算,面积为36x36平方微米的导电连接部230的第二厚度T2 下降至大约20纳米时,可以具有与面积为8×8平方微米的金属导线210匹 配的阻抗。
综上所述,在导电网眼图案200的制作过程中,虽然可能因为制作工艺 中的显影蚀刻不全而使得导电连接部230相较于导线210具有较大的面积, 然而经由改变导电连接部230的第二厚度T2,仍可以令导电连接部230与 导线210具有匹配的阻抗,并且达到具有良好的光穿透率及低反射率,进而 具有良好的可视性。
综上所述,虽然已结合以上较佳实施例公开了本发明,然而其并非用以 限定本发明。本发明所属技术领域中熟悉此技术者,在不脱离本发明的精神 和范围内,可作各种的更动与润饰。因此,本发明的保护范围应以附上的权 利要求所界定的为准。

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本发明公开一种导电薄膜结构。导电薄膜结构包括一基板以及一导电网眼图案(conductive mesh pattern)。导电网眼图案设置于基板上。导电网眼图案具有多条导线及多个导电连接部,其中多个导电连接部将多条导线互相连接而构成该导电网眼图案。导线具有一第一厚度,导电连接部具有一第二厚度,第一厚度不同于第二厚度。。

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