半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带.pdf

本发明提供一种高精度且简单地制造半导体芯片的方法；及用于上述方法的薄膜研磨用表面保护带，半导体芯片的制造中，进行用于倒装芯片安装工序的具有凸块电极的半导体晶片的背面研磨，同时或者在其后的工序进行芯片化，其中不使用底部填充剂。本发明为一种半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带，该半导体芯片的制造方法中，对于形成有半导体电路的半导体晶片，且具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后，研磨该半导体晶片的背面，并成批分割成各个芯片，所述制造方法具有如下工序：在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前，将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带，以上述粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧；和在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时，设置成仅该粘接膜粘接于芯片的状态。

权利要求书1.  一种半导体芯片的制造方法，对于形成有半导体电路的半导体晶片，在具有 凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后，研磨该半导体晶片的背面，并成批 分割成各个芯片，其特征在于，所述制造方法具有如下工序： 在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之前，将基材膜上具有黏着剂层的 黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带，以该粘接膜侧贴附于半 导体晶片的形成有半导体电路的那侧；和 在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用的带时，设置成仅该 粘接膜粘接于芯片的状态。 2.  如权利要求1中所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述设置成仅该粘接 膜粘接于芯片的状态的工序是不使用转印膜而直接自该表面保护带进行拾取的工序。 3.  如权利要求1或2中所述的半导体芯片的制造方法，其包含如下工序：通过 对所述薄膜研磨用表面保护带进行扩展，将所述粘接膜与芯片同时分割。 4.  如权利要求1或2中所述的半导体芯片的制造方法，其中，利用所述半导体 晶片的背面研磨进行芯片的成批截断之后，利用激光仅对所述薄膜研磨用表面保护带 的所述粘接膜进行分割。 5.  一种薄膜研磨用表面保护带，其是在基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着 剂层上层积粘接膜而成的，其特征在于： 所述粘接膜由含有选自由(甲基)丙烯酸系共聚物及苯氧基树脂组成的组中至少1 种作为粘接剂的单一层或2层以上的层构成，其于250℃的弹性模量为10MPa以下， 饱和吸湿率为1.5体积％以下。 6.  如权利要求5中所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述黏着剂层为紫外 线固化型。 7.  如权利要求5或6中所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述黏着剂层以(甲 基)丙烯酸系共聚物为主成分，凝胶分率为80％以上。 8.  如权利要求5至7中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接 膜的表面自由能为25～45mN/m，饱和吸湿率为1.5体积％以下。 9.  如权利要求5至8中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接 膜含有环氧树脂，该环氧树脂为选自由缩水甘油醚环氧树脂、缩水甘油胺环氧树脂、 缩水甘油酯环氧树脂及脂环式环氧树脂组成的组中的至少1种树脂。 10.  如权利要求5至9中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘接 膜含有双酚系树脂。 11.  如权利要求10中所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述双酚系树脂为 选自由双酚F二缩水甘油醚树脂及双酚A二缩水甘油醚树脂组成的组中的至少1种。 12.  如权利要求5至11中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘 接膜含有无机填料，相对于该粘接膜中的树脂成分100质量份，其含量小于60质量 份。 13.  如权利要求5至12中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，所述粘 接膜含有显示出助焊剂活性且具有与异氰酸酯固化剂或环氧系固化剂交联的官能团 的化合物。

说明书半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护带
【技术领域】
本发明涉及一种半导体芯片的制造方法及使用于该方法的薄膜研磨用表面保护 带。
【背景技术】
近年来，IC卡的普及或USB内存容量的急剧增大不断发展，随着重叠芯片的片 数的增加，期待进一步的薄型化。因此，必须使原本厚度为200μm～350μm左右的 半导体芯片变薄至厚度50～100μm或其以下。作为达成这种芯片的薄型化的方法， 已知有使用特殊的带并于通常的工序中进行薄膜化研磨的方法、或者被称为先切割的 制造方法(即从晶片表面侧形成规定深度的槽后，自其背面侧进行研磨的半导体芯片 的制造方法)。该方法通过同时进行晶片的背面研磨和对各芯片的分割，可高效率地 制造薄型芯片。另外，通过降低对芯片的研磨应力而有提高芯片的抗折强度的效果， 因而，特别地对于向研磨成100μm以下的薄膜的器件(device)的应用进行了研究。
半导体晶片的薄膜化以及大径化的趋势明显，尤其是在存在NAND型或NOR型 的闪存(flash memory)的领域或作为挥发性内存的DRAM等领域中表现出明显的趋 势。现在，将12英寸的晶片研磨成100μm厚以下正成为标准。
内存类器件通过重叠芯片来提高性能，因而薄膜研磨是必须的。因此，通过使用 作为薄膜芯片的制造中特定化的方法即利用被称为先切割法的工序的制造方法(参照 专利文献1、专利文献2)或其制造工序专用的粘接片材(参照专利文献3)；通常的工 序但使用薄膜研磨用的特殊的粘接片材(参照专利文献4)、切割-粘芯片材(参照专利文 献5)或具有由特定树脂构成的粘粘接层的带(参照专利文献6)，可制造低价且高性能 的闪存等。
另一方面，近年来，随着智能型手机(smart phone)的普及、便携电话的性能提高 及音乐播放器的小型化且性能提高等，对于考虑到抗冲击性等使用有附有电极的晶片 的倒装芯片安装中使用的晶片，对其薄膜化的要求也逐步增大。另外，对于附有凸块 的晶片也必须进行100μm以下的薄膜研磨。用以进行倒装芯片连接的凸块，为了提 高转移速度而进行高密度化，凸块的高度变低，伴随这种情况，凸块间距离变短。另 外，近年来对于DRAM也开始实施倒装芯片连接，因而加速了晶片的薄膜化。
针对近年来的电子机器的小型化、高密度化，作为能以最小的面积安装半导体元 件的方法，倒装芯片安装受到注目。用于该倒装芯片安装的半导体元件的电极上形成 有凸块，将凸块与电路基板上的配线电性接合。作为这些凸块的组成，主要使用焊料 或金。利用蒸镀或镀敷，该焊料凸块或金凸块形成在与芯片的内部配线连接的露出的 铝端子上等。
附有凸块的晶片在其表面具有大的凹凸，故而难以进行薄膜加工，若使用通常的 带进行背面研磨，则产生晶片破裂或引起晶片的厚度精度变差。因此，在附有凸块的 晶片的研磨中，使用特别设计而成的表面保护用带进行加工(参照专利文献7)。
然而，这些带充分吸收凸块而确保了研磨性，因此难以再兼具剥离性。迄今的经 倒装芯片安装的芯片的最终厚度具有厚度为200μm以上这种程度的厚度，保证了刚 性，故而勉强能够剥离。然而，最近晶片最终厚度变成薄膜，凸块密度也增高，所以 产生无法容易地将带剥离的问题。另外，若确保剥离性，则不能充分密合，背面研磨 时引起研磨水的渗入或糊剂残留。另外，黏着剂与晶片表面粘接，所以容易产生有机 物的污染且还导致底部填充剂(underfill)的密合性变差，从而在进行封装时也具有不能 提高成品率的问题。
另一方面，在进行封装时直接使用经倒装芯片连接的半导体装置的话，则连接部 的电极在空气中露出，芯片与基板的热膨胀系数之差大，因此，回焊等后续工序的热 历程使得凸块的连接部分受到大的应力，安装可靠性方面存在问题。
为解决这些问题，采用如下方法：在将凸块与基板连接之后，为提高接合部分的 可靠性，将底部填充剂或NCP(Non Conductive Paste，非导电胶)等树脂填埋在半导体 元件与基板的间隙并使之固化，从而将半导体元件与基板固定。
然而，通常进行倒装芯片安装的半导体元件的电极数多，且就电路设计方面的问 题而言，电极被配置于半导体元件的周边。因此，填充作为底部填充剂的树脂浆料时， 若利用毛细管现象自这些半导体元件的电极间流入液态的树脂，则树脂未能充分遍布 而易于形成未填充部，半导体元件的动作变得不稳定等，因此存在动作不良或耐湿可 靠性低的问题。进而，若芯片尺寸变小，则因液状树脂的渗出而污染基板，或者若电 极间之间距变窄，则难以流入树脂。另外，一个个地对经倒装芯片连接的半导体元件 填充树脂过于花费时间，因此生产性方面也存在问题。另一方面，对于将膜状的粘接 剂(NCF：Non Conductive Film，非导电膜)一次全都进行热压接后将晶片芯片单片化 的方法来说，与填充树脂浆料相比，其简化了工序，因而是有利的。但是，随着晶片 厚度变薄，热压接时容易产生晶片损伤，故而必须于对厚晶片热压接膜状的粘接剂 (NCF)后研磨晶片背面。因此，工序数增加，其也并不有效率。
相对于此，以往的背面研磨用黏着带(基材膜上具有黏着剂层的带)与粘接膜(粘接 剂层)的组合中，黏着剂层与粘接剂层(黏着带与粘接膜)的亲和性高，容易导致晶片背 面研磨后自晶片剥离上述黏着带(黏着剂层)的剥离力增大，从而存在剥离工序中容易 产生晶片损伤的问题。另外，为了提高粘接膜对凹凸基板的埋入性并提高粘接可靠性， 必须降低加热贴合时的熔融黏度。但是，通过加热贴合，从黏着带剥离的剥离力存在 增大的倾向，从而存在难以从加热贴合后的黏着带剥离的问题。
针对这些问题也进行了研究(参照专利文献8、9)，但随着近年来的薄膜化及大口 径化，以往的半导体芯片的制造方法中容易产生龟裂等不便，最差的情况下，产生晶 片破裂而产生成品率差的问题。尤其是在晶片厚度为100μm厚以下的研磨中，成品 率的变差特别厉害，并且还存在难以稳定地制造的情况。另外，通常的背面研磨及利 用切割的芯片化中难以提高抗折强度，封装时产生不良的情况常有发生。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]日本特开2008-251934号公报
[专利文献2]日本特开2009-27054号公报
[专利文献3]日本特开2004-331743号公报
[专利文献4]日本特开2000-150432号公报
[专利文献5]日本特开2007-227575号公报
[专利文献6]日本特开平10-8001号公报
[专利文献7]日本特开2004-235395号公报
[专利文献8]日本特开2006-49482号公报
[专利文献9]日本特开2002-118147号公报
【发明内容】
发明要解决的问题
因此，本发明的课题在于提供一种高精度且简单地制造半导体芯片的方法，制造 半导体芯片时，对用于倒装芯片安装工序的具有凸块电极的半导体晶片进行背面研 磨，同时或者在其后的工序中，进行芯片化(单片化)，其中，不使用底部填充剂或 NCP或NCF。
另外，本发明的另一课题在于提供一种用于上述方法的薄膜研磨用表面保护带。
解决技术问题的手段
本发明人为克服这种倒装芯片安装工序中的问题而进行了各种研究，结果发现， 将附有100μm高度以下的凸块的晶片电路基板研磨成200μm厚以下的薄膜，尤其是 将附有50μm高度以下的凸块的晶片电路基板研磨成100μm厚以下的薄膜，且进行 芯片化的过程中，事先在附有凸块的晶片内形成改质层(对应于将晶片进行芯片化时 受分割的位置设置的层，其包含距离晶片表面规定的深度的改质部，该改质部的强度 低于其周围的未经改质的晶片)，其后贴合层积有粘接膜与黏着带的表面保护带，进 行该晶片的背面研磨，由此将薄膜化与芯片化一起进行，向转印用的拾取带(pickup tape)进行贴合或进行拾取时，仅将粘接膜粘接于芯片来进行转印或拾取，由此可容易 地进行倒装芯片安装，与以往的工序相比，可实现安装可靠性的提高及工序的缩短化， 基于该见解完成了本发明。
即，根据本发明，提供以下技术方案。
(1)一种半导体芯片的制造方法，对于形成有半导体电路的半导体晶片，在具有 凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后，研磨该半导体晶片的背面，成批分 割成各个芯片，其特征在于，所述制造方法具有如下工序：
在形成该改质层后且于研磨该半导体晶片的背面之前，将在基材膜上具有黏着剂 层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面保护带以上述粘接膜侧贴 附于半导体晶片的形成有半导体电路的那侧；和
在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者转印至拾取用带时，设置成仅该粘 接膜粘接于芯片的状态。
(2)如(1)所述的半导体芯片的制造方法，其中，设置成仅上述粘接膜粘接于芯片 的状态的工序是不使用转印膜(拾取带)而自上述表面保护带直接进行拾取的工序。
(3)如(1)或(2)所述的半导体芯片的制造方法，其包含如下工序：通过对上述薄膜 研磨用表面保护带进行扩展，将上述粘接膜与芯片同时分割。
(4)如(1)或(2)所述的半导体芯片的制造方法，其中，利用上述半导体晶片的背面 研磨将芯片成批截断之后，利用激光仅对上述薄膜研磨用表面保护带的上述粘接膜进 行分割。
(5)一种薄膜研磨用表面保护带，其是在基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着 剂层上层积粘接膜而成的，其特征在于：
上述粘接膜由含有选自由(甲基)丙烯酸系共聚物及苯氧基树脂组成的组中的至 少1种作为粘接剂的单一层或2层以上的层构成，其于250℃的弹性模量为10MPa 以下，饱和吸湿率为1.5体积％以下。
(6)如(5)所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述黏着剂层为紫外线固化型。
(7)如(5)或(6)所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述黏着剂层以(甲基)丙烯 酸系共聚物为主成分，凝胶分率为80％以上。
(8)如(5)至(7)中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述粘接膜的表面 自由能为25～45mN/m，饱和吸湿率为1.5体积％以下。
(9)如(5)至(8)中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述粘接膜含有环 氧树脂，该环氧树脂为选自由缩水甘油醚环氧树脂、缩水甘油胺环氧树脂、缩水甘油 酯环氧树脂及脂环式环氧树脂组成的组中的至少1种树脂。
(10)如(5)至(9)中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述粘接膜含有双 酚系树脂。
(11)如(10)所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述双酚系树脂为选自由双酚F 二缩水甘油醚树脂及双酚A二缩水甘油醚树脂组成的组中的至少1种。
(12)如(5)至(11)中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述粘接膜含有 无机填料，相对于该粘接膜中的树脂成分100质量份，其含量小于60质量份。
(13)如(5)至(12)中任一项所述的薄膜研磨用表面保护带，其中，上述粘接膜含有 显示助焊剂活性并具有与异氰酸酯固化剂或环氧系固化剂交联的官能团的化合物，。
本发明中，所谓改质层是指对应于芯片化时受分割的位置设置的层，其包含距晶 片表面的规定深度的改质部，该改质部的强度低于其周围的未经改质的晶片。
另外，相对于“粘接剂”为实现粘接的主要试剂，所谓“黏着剂”是指在黏着后 通过赋予固化等处理而可剥离的试剂。例如所谓“放射线固化型黏着剂”是指在应用 于晶片等后通过照射紫外线等放射线而固化并能剥离的黏着剂。
发明的效果
根据本发明，通过在半导体晶片内形成改质层后，利用背面研磨(backgrind)工序 进行极薄化，同时或在其后的工序中，对芯片进行分割，制造半导体芯片，通过该工 序，提供一种高精度且简单的制造方法。
另外，根据本发明，提供一种适合用于上述半导体芯片制造方法的薄膜研磨用表 面保护带。
参照附图，通过下述记载可更加清楚本发明的上述及其它特征及优点。
【附图说明】
图1是本发明的半导体芯片的制造方法的优选的一实施方式的工艺的前半段的 示意图。
图2是表示本发明的半导体芯片的制造方法的上述优选的一实施方式的工艺的 后半段的工序中转印至拾取带的情况下的一例的示意图。
图3是表示本发明的半导体芯片的制造方法的上述优选的一实施方式的工艺的 后半段的工序中未转印的情况下的一例的示意图。
【具体实施方式】
＜＜薄膜研磨用表面保护带＞＞
本发明的薄膜研磨用表面保护带(以下也简称为“表面保护带”)是在基材膜上具 有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜(粘接剂层)的薄膜研磨用表面保护 带，其由以保护晶片表面(其电路)为目的的黏着带及以粘接芯片为目的的粘接膜构 成。
＜基材膜＞
对基材膜的厚度没有特别限定，从制造性的方面出发，优选为10～200μm。另外， 若考虑研磨时的翘曲，则更优选为25～150μm。若基材膜过薄，则作为带的刚性消失， 因而容易产生挠曲，收纳于盒(cassette)中时会引起因挠曲所致的臂(arm)接触。另一方 面，若基材膜过厚，则存在容易产生因制膜时的残留应力的释放所致的翘曲的情况。
作为本发明的基材膜的材料，优选为聚乙烯、聚丙烯及聚丁烯这样的聚烯烃；乙 烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物这样 的乙烯系共聚物；软质聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、半硬质 聚氯乙烯、聚酯、聚氨酯(urethane)、聚酰胺、聚酰亚胺、天然橡胶以及合成橡胶等高 分子材料。另外，基材膜可以使用单层膜或使用层积有二层以上的膜的复层膜。
另外，基材膜优选为可见光透过性，更优选为放射线透过性。
包含在背面研磨后转印至扩展分割用的拾取带的工序的情况下，基材膜可制成刚 性基材膜。作为刚性基材膜，从耐水性、耐热性、刚性等方面出发，优选使用合成树 脂膜。作为这种刚性基材，具体而言，可以使用聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙 二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、改质聚苯醚、聚苯硫醚、 聚砜、全芳香族聚酯、聚醚酮、聚酰亚胺或双螺杆拉伸聚丙烯等。刚性基材膜可为上 述各种膜的单层品，也可为层积品。上述中，作为刚性基材，优选为不会对晶片造成 离子污染等不良影响的刚性基材，具体而言，特别优选为聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘 二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、双螺杆拉伸聚丙烯、聚酰亚胺及聚酰胺。通过 使用刚性基材膜，可具有对晶片的翘曲的矫正能力，从而可抑制翘曲。
从翘曲的矫正能力与剥离性的方面出发，刚性基材膜的厚度优选为25～100μm。 若过薄则矫正能力弱，从而存在翘曲的抑制不充分的情况。若过厚则于带剥离时带不 会弯曲而对晶片施加负荷，因而存在引起晶片破裂的情况。
不含在背面研磨后转印至扩展分割用的拾取带的工序，而包含直接进行扩展分割 的工序的情况下，基材膜优选选自聚烯烃及聚氯乙烯。更优选为聚烯烃。其原因在于： 聚氯乙烯存在增塑剂等渗出(bleed)所致的污染等影响。
利用扩展进行的晶片的单片化工序中，向经扩展的薄膜研磨用表面保护带的扩展 应力传递至晶片，由此进行分割。因此，作为进行利用扩展的晶片分割所必需的表面 保护带的特性，可考虑以下特性。
1)即便因扩展所致变形也能保持刚性
2)扩展中所赋予的应力无损失地传递至晶片
3)利用扩展进行变形时表面保护带不断裂
作为上述聚烯烃，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4- 甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基) 丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、离子聚合物等α-烯烃的均聚物或共聚 物或者这些的混合物等。
尤其是使用有离子聚合物的基材膜的情况下，不存在降伏点，表面保护带的卷出 方向与宽度方向可获得均匀的物性。因此，利用扩展进行分割的情况下，可使经单片 化的芯片间隔均匀。
＜黏着剂层＞
作为用于黏着剂层的黏着剂，优选为(甲基)丙烯酸系共聚物。本发明中，黏着剂 并不限于此，可利用各种黏着剂来形成黏着剂层。作为这种黏着剂，例如还可使用以 橡胶系、有机硅系、聚乙烯醚系等作为基质聚合物(base polymer)的黏着剂。
为了对这些基质聚合物赋予凝聚力，可掺合交联剂。作为交联剂，对应于基质聚 合物，例如可列举异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、金属螯合物系交联剂、氮丙啶 系交联剂、胺树脂等。进而，在不损害本发明的目的的范围内，黏着剂中可根据所需 含有各种添加成分。
作为黏着剂，可使用放射线固化型或加热发泡型的黏着剂。作为放射线固化型的 黏着剂，可使用以紫外线、电子线等固化并于剥离时容易剥离的黏着剂。作为加热发 泡型的黏着剂，可使用利用加热而容易利用发泡剂或膨胀剂剥离的黏着剂。作为放射 线固化型黏着剂，优选使用例如日本特公平1-56112号公报、日本特开平7-135189 号公报等中记载的物质，但并不限于这些。本发明中，优选使用紫外线固化型黏着剂。 该情况下，只要具有利用放射线而固化并三维网状化的性质即可，例如使用有对通常 的橡胶系或(甲基)丙烯酸系的感压性基底树脂(聚合物)掺合分子中具有至少2个光聚 合性碳-碳双键(乙烯性双键)的低分子量化合物(以下，称为光聚合性化合物)及光聚合 引发剂而成的物质。
上述橡胶系或(甲基)丙烯酸系的基底树脂使用有天然橡胶、各种合成橡胶等橡胶 系聚合物、或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯与可与其共聚的其它不饱 和单体的共聚物等(甲基)丙烯酸系聚合物。
另外，可通过在上述黏着剂中混合异氰酸酯系固化剂而将初期的粘接力设定为任 意的值。作为这种固化剂，具体可使用有多元异氰酸酯化合物，例如2,4-甲苯二异氰 酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基 甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、 六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二环己 基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等。
紫外线固化型黏着剂的情况下，通过在黏着剂中混入光聚合引发剂，可减少利用 紫外线照射的聚合固化时间以及紫外线照射量。作为这种光聚合引发剂，具体而言， 可举出安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、苄基二苯硫醚、一硫化四 甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、β-氯蒽醌等。
作为特别优选的(甲基)丙烯酸系黏着剂，可举出(甲基)丙烯酸系聚合物、优选含 有(甲基)丙烯酸系聚合物作为主成分的黏着剂。
所谓以(甲基)丙烯酸系聚合物为主成分是指(甲基)丙烯酸系聚合物成分为至少50 质量％以上，优选为80质量％以上(100质量％以下)。
(甲基)丙烯酸系聚合物至少侧链具有光聚合性碳-碳双键(乙烯性双键)而可利用 放射线照射进行固化，进而还可具有环氧基或羧基等官能团。
侧链具有光聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸聚合物可以是通过任一种方式制造 的，例如，优选使侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物与具有(甲基)丙烯酰基 等光聚合性碳-碳双键且具有可与该(甲基)丙烯酸系聚合物的侧链的官能团(α)反应的 官能团(β)的化合物反应来获得。
只要具有非芳香族性的乙烯性双键，具有光聚合性碳-碳双键的基可以是任一种 基团，优选为(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰氧基、(甲基)丙烯酰胺基、烯丙基、1- 丙烯基、乙烯基(包含苯乙烯或取代苯乙烯)，更优选为(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰 氧基。
作为官能团(α)、(β)，可举出羧基、羟基、胺基、巯基、环状酸酐基、环氧基、 异氰酸酯基(-N＝C＝O)等。
此处，官能团(α)与官能团(β)中的一个官能团为羧基、羟基、胺基、巯基或环状 酸酐基的情况下，可列举环氧基、异氰酸酯基作为另一官能团，一个官能团为环状酸 酐基的情况下，可列举羧基、羟基、胺基、巯基作为另一官能团。需要说明的是，一 个官能团为环氧基的情况下，另一官能团也可以为环氧基。
作为官能团(α)，优选为羧基、羟基，特别优选为羟基。
侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物可通过将具有官能团(α)的(甲基)丙 烯酸系单体、优选(甲基)丙烯酸酯[(尤其是醇部具有官能团(α))]用作单体成分来获得。
侧链具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系聚合物优选为共聚物，该共聚成分为(甲基) 丙烯酸烷基酯，其中优选醇部不取代有官能团(α)或具有光聚合性碳-碳双键的基团的 (甲基)丙烯酸烷基酯。
作为(甲基)丙烯酸酯，可举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸 正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正戊酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛 酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸己酯及与此对应的 甲基丙烯酸酯。
(甲基)丙烯酸酯可为1种也可为2种以上，优选并用醇部的碳数为5以下的(甲基) 丙烯酸酯与碳数为6～12的(甲基)丙烯酸酯。
需要说明的是，越使用醇部的碳数大的单体则玻璃转移点(Tg)变得越低，故而可 制作成所需的玻璃转移点。另外，除玻璃转移点以外，为了提高相溶性和各种性能， 还优选掺合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物，该情况 下，这些单体成分的含量优选为5质量％以下的范围内。
作为具有官能团(α)的(甲基)丙烯酸系单体，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、 衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯 类、乙二醇单丙烯酸酯类、乙二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基 甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基胺基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基胺基乙酯类、 丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙 烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、将聚异氰酸酯化合物 的异氰酸酯基的一部分以具有羟基或羧基及光聚合性碳-碳双键的单体进行脲烷化的 产物等。
这些之中，优选丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2- 羟基烷基酯类、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯，更优选丙烯酸、甲基丙 烯酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类，进而更优选丙烯酸2- 羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类。
作为具有光聚合性碳-碳双键与官能团(β)的化合物中的官能团(β)，优选为异氰酸 酯基，例如可列举醇部具有异氰酸酯(-N＝C＝O)基的(甲基)丙烯酸酯，其中优选为带有 异氰酸酯(-N＝C＝O)基取代的(甲基)丙烯酸烷基酯。作为这种单体，例如可举出甲基丙 烯酸2-异氰酸酯基乙酯、丙烯酸2-异氰酸酯基乙酯等。
另外，关于官能团(β)为异氰酸酯基以外的情况下的优选化合物，可举出在具有 官能团(α)的(甲基)丙烯酸系单体中列举的化合物。
通过使具有光聚合性碳-碳双键与官能团(β)的化合物与侧链具有官能团(α)的(甲 基)丙烯酸系聚合物以及聚合物的侧链的官能团(α)、优选为羟基反应，可于共聚物中 引入聚合性基团，从而可使放射线照射后的黏着力降低。
(甲基)丙烯酸系共聚物的合成中，作为利用溶液聚合进行反应的情况下的有机溶 剂，可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系溶剂，其中优选甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、 苯、甲基溶纤素、乙基溶纤素、丙酮、甲基乙基酮等通常为(甲基)丙烯酸系聚合物的 良溶剂且沸点60～120℃的溶剂。作为聚合引发剂，通常使用α,α'-偶氮二异丁腈等偶 氮双系自由基产生剂、苯甲酰基过氧化物等有机过氧化物系自由基产生剂等自由基产 生剂。此时，根据需要可并用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度及聚合时间，可获 得所需分子量的(甲基)丙烯酸系共聚物。另外，关于调节分子量，优选使用硫醇、四 氯化碳等溶剂。需要说明的是，该反应并不限于溶液聚合，也可为本体聚合、悬浮聚 合等其它方法。
可通过如上的方式获得(甲基)丙烯酸系共聚物，本发明中，(甲基)丙烯酸系共聚 物的分子量优选为30万～100万左右。若分子量过小，则放射线照射的凝聚力变小， 拾取时或向拾取带的转印时，容易产生拾取不良或转印不良。另外，若分子量过大则 出现粘接膜从黏着带剥离或偏离。
需要说明的是，所谓本发明中的分子量是指利用常用方法的聚苯乙烯换算的重均 分子量。
另外，本发明中，(甲基)丙烯酸系共聚物的光聚合性碳-碳双键的导入量优选为 0.5～2.0meq/g，更优选为0.8～1.5meq/g。若双键量过少，则放射线照射后的黏着力 的降低效果变小。若双键量过多，则放射线照射后的黏着剂的流动性并不充分，扩展 后的元件间隙不充分，从而在拾取时产生难以识别各器件的图像的问题。进而，(甲 基)丙烯酸系共聚物其本身欠缺稳定性，制造变得困难。
进而，本发明中，黏着剂的固化前的凝胶分率可根据(甲基)丙烯酸系共聚物的平 均分子量、固化剂掺合量进行调整，优选为60％以上，更优选为80～100％。凝胶分 率过小的情况下，凝聚力变低，故而在晶片表面的电路上产生糊剂残留的风险增高。 进而，若(甲基)丙烯酸系共聚物具有羟值5～100的OH基，则放射线照射后的黏着力 降低，由此可进一步降低拾取错误的危险性，故而是优选的。另外，若(甲基)丙烯酸 系共聚物具有酸值0.5～30的COOH基，则带复原性得到改善，由此可容易地应对使 用过的带收纳型的机构，故而是优选的。此处，若(甲基)丙烯酸系共聚物的羟值过低， 则放射线照射后的黏着力的降低效果并不充分，若过高则损害放射线照射后的黏着剂 的流动性。另外，若酸值过低，则带复原性的改善效果并不充分，若过高则损害黏着 剂的流动性。
需要说明的是，利用紫外线照射使本发明的放射线固化性黏着剂固化的情况下， 可根据需要使用光聚合引发剂，例如异丙基安息香醚、异丁基安息香醚、二苯甲酮、 米蚩酮、氯硫杂蒽酮(chlorothioxanthone)、十二基硫杂蒽酮、二甲基硫杂蒽酮、二乙 基硫杂蒽酮、苯偶酰二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。相 对于(甲基)丙烯酸系共聚物100质量份，这些光聚合引发剂的掺合量优选为0.1～10 质量份。若掺合量过少则反应不充分，若掺合量过多则因低分子成分增加所致对污染 性造成影响。
(凝胶分率)
本发明的薄膜研磨用表面保护带中的黏着剂层的凝胶分率优选为80％以上。凝胶 分率更优选为85～95％。
若凝胶分率过低则容易产生糊剂残留的问题，若凝胶分率过高则丧失流动性而无 法发挥黏着特性。
凝胶分率可以如下方式进行测定。
从与粘接膜层积前的黏着带中切取2片100mm×120mm的试验片，于隔片剥离 后测定该黏着带的质量作为黏着剂层的质量。在供试验片放入的直径的聚丙烯制容器 内，使黏着剂面朝上，并以栓将带固定，容器内放入500ml的甲苯，浸泡试验片，之 后，为防止溶剂的挥发而盖上盖子，于25℃环境下放置24小时。
24小时后，将容器内的溶剂以筛径#150的金属制筛过滤并且废弃，其后在将带 安置在容器内的状态下，于25℃环境下使其干燥24小时，24小时后利用电子天平测 定带的质量。将利用以下所示的计算式算出的值设为凝胶分率。
需要说明的是，基材膜的质量在制成黏着带之前进行测定，或者在制成黏着带后 以溶剂等剥离、去除黏着剂层后进行测定。
凝胶分率[％]＝{(溶剂萃取后黏着带质量-基材膜质量)/(溶剂萃取前黏着带质量- 基材膜质量)}×100
＜粘接剂层＞
本发明的粘接剂层是预先对粘接剂进行膜化而成的，本说明书中也称为粘接膜。 例如，可使用任意可用于粘接剂的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚 酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、 聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚胺酯树脂、环 氧树脂、聚(甲基)丙烯酰胺树脂、三聚氰胺树脂等或其混合物。
作为粘接剂的主成分，特别优选(甲基)丙烯酸树脂{(甲基)丙烯酸系共聚物}或苯 氧基树脂。聚酰亚胺系树脂对于安装可靠性是非常优异的，但由于玻璃转移温度高， 因而大多情况下在贴合时无法获得充分的流动性，并不适合依照凸块等凹凸流动，贴 合时容易夹带空气。另一方面，(甲基)丙烯酸系共聚物或苯氧基树脂可确保贴合时的 流动性并且确保安装时的可靠性。
对(甲基)丙烯酸系共聚物的聚合方法并无特别限制，例如可列举成珠(pearl)聚合、 溶液聚合、悬浮聚合等，通过这些方法而可获得共聚物。由于耐热性优异，所以优选 悬浮聚合，作为这种(甲基)丙烯酸系共聚物，例如可举出Paracron W-197C(根上工业 株式会社制造，商品名)。
另外，(甲基)丙烯酸系共聚物优选含有丙烯腈。丙烯腈相对于(甲基)丙烯酸系共 聚物的含量优选为10～50质量％，更优选为20～40质量％。丙烯腈为10质量％以上 时，可提高粘接剂层的Tg而提高粘接性。若过多则有粘接剂层的流动性变差而粘接 性降低的情况。含有丙烯腈作为成分的(甲基)丙烯酸系共聚物优选利用悬浮聚合进行 合成。
为了提高粘接性，(甲基)丙烯酸系共聚物还可具有官能团。作为官能团，对其并 无特别限定，例如可列举胺基、胺酯基、酰亚胺基、羟基、羧基、缩水甘油基等，其 中优选为缩水甘油基。缩水甘油基与作为热固化树脂的环氧树脂的反应性优异，与羟 基等相比，不易与黏着剂层反应，因而难以引起表面自由能的变化。作为具有缩水甘 油基的(甲基)丙烯酸系共聚物，可列举缩水甘油醚(甲基)丙烯酸系共聚物、缩水甘油 胺(甲基)丙烯酸系共聚物、缩水甘油酯(甲基)丙烯酸系共聚物，优选包含至少1种这 些共聚物，更优选包含2种以上这些共聚物。
作为苯氧树脂，例如可举出通过使二官能酚类与表卤醇反应至高分子量或使二官 能环氧树脂与二官能酚类加成聚合所获得的树脂。更具体而言，例如可通过使二官能 酚类与表卤醇在碱金属氢氧化物等催化剂的存在下，于非反应性溶剂中以40～120℃ 的温度反应而获得苯氧树脂。另外，可将二官能环氧树脂与二官能酚类在碱金属化合 物、有机磷系化合物、环状胺系化合物等催化剂的存在下，于沸点为120℃以上的酰 胺系、醚系、酮系、内酯系、醇系等的有机溶剂中，以反应固体成分为50质量份以 下的条件加热至50～200℃使之进行加成聚合反应而获得苯氧树脂。苯氧树脂可单独 使用或者可组合2种以上使用。
本发明中，优选在粘接剂层的成分中含有环氧树脂。作为这种优选的环氧树脂， 优选缩水甘油基或具有环氧环稠合在脂环上的局部结构的基团。尤其更优选缩水甘油 醚环氧树脂、缩水甘油胺环氧树脂、缩水甘油酯环氧树脂及脂环式环氧树脂。
其中，优选缩水甘油基或具有环氧环稠合在脂环上的局部结构的基团中的任一个 基团被取代为双酚系树脂的羟基(酚性羟基)的树脂。
作为这种双酚系环氧树脂，可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双 酚AD型环氧树脂、双酚S型环氧树脂等。
这些双酚系环氧树脂之中，优选双酚F缩水甘油醚树脂与双酚A缩水甘油醚树 脂。
本发明中，特别优选组合使用2种以上结构不同的双酚系环氧树脂，最优选组合 使用双酚F缩水甘油醚树脂与双酚A缩水甘油醚树脂。
通过使用2种以上环氧树脂、特别是结构不同的双酚系环氧树脂，可同时实现用 以埋覆凸块等凹凸的流动性与用以接合可靠性的固化性。
环氧树脂在粘接剂层中的掺合量优选为树脂整体的15～35质量％。
粘接剂层还可含有无机填料。若添加量多则流动性降低，粘接性下降，故而无机 填料相对于树脂成分100质量份的含量优选为小于60质量份，更优选为50质量份以 下，进而更优选为30质量份以下。另外，若粒径大则于粘接面的表面产生凹凸，粘 接性降低，故而无机填料的平均粒径优选为小于1μm，更优选为小于0.5μm，进而更 优选为小于0.1μm。对无机填料的粒径的下限并无特别限制，但实际上为0.003μm以 上。作为无机填料，只要具有绝缘性及导热性即可，例如可举出氮化合物(氮化硼、 氮化铝、氮化硅、氮化碳、氮化钛等)、碳化合物(碳化硅、碳化氟、碳化硼、碳化钛、 碳化钨、金刚石等)、金属氧化物(二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化铍等) 等。
对于粘接剂层，通过控制表面自由能差，能够得到一种晶片加工用的表面保护带， 其具有的粘接剂层即使是粘接剂层曾经贴合于黏着剂层后将其剥离后的面也具有充 分的粘接性。
另外，本发明的薄膜研磨用表面保护带中，粘接剂层的表面自由能优选为25～ 45mN/m。若表面自由能过小则润湿性不充分，故而容易产生空隙，从而导致安装可 靠性变差。另一方面，若过大则与黏着带牢固地粘接，故而无法转印至拾取带或者产 生拾取不良。
粘接剂层的表面自由能更优选为30～40mN/m，进而更优选表面自由能为30～ 40mN/m且与黏着剂层的表面自由能的差为10mN/m以内。
表面自由能可通过变更作为粘接膜的主成分的树脂的结构或种类、掺合量来进行 调整。另外，还可于涂布时根据干燥条件或通过添加表面活性剂之类的添加剂来进行 调整。
表面自由能可以如下方式进行测定。
(表面自由能的测定)
如上所述，本发明中，粘接剂层的表面自由能优选为25～45mN/m。粘接剂层的 表面自由能可通过使用接触角计(例如协和化学(株)制造的FACE接触角计CΑ-S150 型(商品名))测定接触角θ而求出。此时的评价条件中，液滴容量：水2μL、二碘甲烷 (diiodomethane)3μL，读取时间：滴加30秒后。通过将接触角的值代入以下的式而计 算并求出表面自由能。
[数1]
γ s = γ s p + γ s d ]]>
72.8 ( 1 + cos θ H ) = 2 ( 21.8 γ s d ) 1 2 + 2 ( 51.0 γ s p ) 1 2 ]]>
50.8 ( 1 + cos θ I ) = 2 ( 48.5 γ s d ) 1 2 + 2 ( 2.3 γ s p ) 1 2 ]]>
γs：表面自由能表面自由能的极性成分
表面自由能的分散成分
θH：水对于固定表面的接触角
θI二碘甲烷对于固定表面的接触角
(分子量)
本说明书中，所谓分子量是指重均分子量，其是利用凝胶渗透层析(GPC)法并使 用基于标准聚苯乙烯的校准曲线测定得到的值。
[利用GPC法的测定条件]
使用机器：高速液体层析仪LC-20AD[岛津制作所株式会社制造，商品名]
管柱：Shodex Column GPC KF-805[岛津制作所株式会社制造，商品名]
洗脱液：氯仿
测定温度：45℃
流量：3.0ml/分钟
RI检测器：示差折射率检测器RID-10A[岛津制作所株式会社制造，商品名]
(酸值)
酸值的测定依据JIS K 5407的11.1进行。
(a)试剂
·溴百里酚蓝指示剂
·0.01N氢氧化钾-乙醇溶液
·丙酮试剂一级
(b)操作
在三角烧瓶精确称取约10g的试样，溶解于丙酮50ml中，加入3～4滴溴百里酚 蓝指示剂。以0.01N氢氧化钾-乙醇溶液对其进行滴定。
(c)计算
通过下式求出酸值。
[数2]

V：0.01N氢氧化钾-乙醇溶液的滴定量(ml)
f：0.01N氢氧化钾-乙醇溶液的因子
S：试样采取量
(羟值)
羟值的测定依据JIS K 0070进行。
(a)试剂
·乙酰化试剂(乙酸酐-吡啶)
·N/2氢氧化钾-乙醇溶液
(b)操作
将试样用乙酰化试剂乙酰化后，以N/2氢氧化钾-乙醇溶液对过量的乙酸进行滴 定。
(c)计算
通过下式求出羟值。
[数3]

V：本试验的N/2氢氧化钾-乙醇溶液的滴定量(ml)
VB：对照试验的N/2氢氧化钾-乙醇溶液的滴定量(ml)
F：N/2氢氧化钾-乙醇溶液的因子
S：试样采取量(g)
AV：试样的酸值(mgKOH/g)
(弹性模量)
粘接剂层可通过控制弹性模量而提高相对于凸块等的凹凸面的贴合性。本发明的 薄膜研磨用表面保护带中，粘接剂层的固化后的于25℃的弹性模量优选为1～ 1000MPa的范围，更优选为1MPa以上且10MPa以下。另外，粘接剂层于250℃的 弹性模量优选为1～1000MPa的范围。进而，粘接剂层于25℃的弹性模量与250℃的 弹性模量之比优选为100以下。即，即便弹性模量因固化而增加，(固化后的弹性模 量)÷(固化前的弹性模量)也优选为100以下。由于贴合前需要埋入性优异，故而粘接 膜设为低弹性。接着，与基片的粘接时被固化，但此时的弹性模量过高的情况下，翘 曲大而成为芯片的翘曲的原因。弹性模量过低的情况下，固化不充分，故而缺少安装 可靠性。另外，芯片与基片的粘接后，基本上需要为了封装而进行回焊加热处理。因 此，优选在回焊加热温度中也为同等的弹性模量，另外，优选弹性模量在加热前后的 变化小。更优选25℃的弹性模量与250℃的弹性模量的变化(差的绝对值)为100以下。
弹性模量可以如下方式进行测定。
弹性模量测定中使用Rheometric Scientific F.E.株式会社制造的黏弹性测定装置 ARES(商品名)进行测定。测定板使用直径8mmφ的板，膜状粘接剂层压成厚度1mm 左右后用8mmφ的打孔机对其进行打孔后使用。测定条件设定为常温即25℃及 250℃、频率1Hz。另外，于250℃测定时的升温条件为以10℃/分钟升温。
(饱和吸湿率)
粘接剂层的饱和吸湿率优选为1.5体积％以下，更优选为1.0体积％以下。对饱 和吸湿率的下限值并无特别限制，通常为0体积％以上。若对固化剂使用异氰酸酯系 固化剂，则有与水分反应而使交联结构变化的可能性，另外，其原因在于：若对经吸 水的粘接剂层利用加热进行固化(cure)，则产生因水分的蒸发所引起的气泡，产生外 观不良或粘接力不足等问题。
饱和吸湿率测定方法如下。
以直径100mm的圆形膜状的粘接剂层(粘接膜)作为样品，于真空干燥机中，使 样品于120℃干燥3小时，于干燥器(desiccator)中放置冷却后，测定干燥质量并设为 M1。将样品于85℃、85％RH的恒温恒湿槽中进行吸湿后取出，快速称量并称量值恒 定后，将其质量设为M2。
根据粘接剂(上述膜状粘接剂层)的密度(d)、该干燥质量(M1)及吸湿质量(M2)，利 用下述式算出饱和吸湿率(体积％)。
饱和吸湿率(体积％)＝[(M2-M1)/(M1/d)]×100
粘接剂层优选为包含具有与异氰酸酯系固化剂或环氧系固化剂交联的官能团且 具有助焊剂功能的化合物作为固化剂。
所谓助焊剂，通常为用以提高凸块的润湿性的材料，作为具有助焊剂功能的材料， 通常优选使用松香系的材料。
本发明中，只要具有去除焊料表面的氧化膜的作用则并无特别限定，优选具备羧 基或酚性羟基中的任一个或同时具有羧基及酚羟基的化合物，更优选使用同时具有羧 基及酚羟基的化合物作为固化剂。
作为具有酚性羟基且具有助焊剂活性的化合物，可举出酚类，具体而言，例如可 举出苯酚、邻甲酚、2,6-二甲苯酚、对甲酚、间甲酚、邻乙基苯酚、2,4-二甲苯酚、 2,5-二甲苯酚、间乙基苯酚、2,3-二甲苯酚、2,4,6-三甲酚(mesitol)、3,5-二甲苯酚、邻 叔丁基苯酚、邻苯二酚、邻叔戊基苯酚、间苯二酚、对辛基苯酚、对苯基苯酚、双酚 A、双酚F、双酚AF、联苯酚、二烯丙基双酚F、二烯丙基双酚A、三苯酚、四苯酚 等含有酚性羟基的单体类等。
作为具有助焊剂功能的固化剂，可举出环氧树脂的固化剂或脂肪族二羧酸、芳香 族二羧酸。
作为具有助焊剂功能的固化剂，更具体而言，例如可举出于1分子中具有可与环 氧树脂加成的2个以上酚性羟基和显示助焊剂作用(还原作用)的与芳香族直接键结的 1个以上羧基的化合物。作为这种具有助焊剂活性的固化剂，可举出2,3-二羟基苯甲 酸、2,4-二羟基苯甲酸、龙胆酸(2,5-二羟基苯甲酸)、2,6-二羟基苯甲酸、3,4-二羟基苯 甲酸、没食子酸(3,4,5-三羟基苯甲酸)等苯甲酸衍生物；1,4-二羟基-2-萘甲酸、3,5-二 羟基-2-萘甲酸、3,7-二羟基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物；还原酚酞；双酚酸等；这些可 单独使用1种或组合使用2种以上。
相对于粘接剂层的树脂成分100质量份，具有助焊剂活性的固化剂(交联剂)的掺 合量优选为0.5～30质量份，更优选为1～10质量份。
＜＜半导体芯片的制造方法＞＞
以下，对使用有本发明的薄膜研磨用表面保护带的半导体芯片的制造方法进行说 明。
本发明的半导体芯片的制造方法中，对于形成有半导体电路的半导体晶片，在对 具有凸块作为电极的附有凸块的晶片内形成改质层后，研磨该半导体晶片的背面，成 批分割成各个芯片，其中，
所述制造方法具有如下工序：在形成该改质层后且研磨该半导体晶片的背面之 前，将基材膜上具有黏着剂层的黏着带的黏着剂层上层积有粘接膜的薄膜研磨用表面 保护带(也简称为表面保护带)，以上述粘接膜侧贴附于半导体晶片的形成有半导体电 路的那侧；和
在研磨该半导体晶片的背面后进行拾取时或者在转印至拾取用的带时，设置成仅 该粘接膜粘接于芯片的状态。
本发明中，设置成仅上述粘接膜粘接于芯片的状态的工序优选为不使用转印膜 (拾取带)而直接从上述表面保护带进行拾取的工序。
另外，所述制造方法优选包含如下工序：通过使薄膜研磨用表面保护带进行扩展， 而将上述粘接膜与芯片同时分割。
进而，优选在利用半导体晶片的背面研磨进行芯片的成批截断之后，利用激光仅 对薄膜研磨用表面保护带的上述粘接膜进行分割。
以下，利用附图进行说明，对更优选的本发明的半导体芯片的制造方法进行说明。 各图中同一的符号表示同一部件。
半导体芯片的制造方法有经过转印至拾取带的工艺的方法和经过不进行向该拾 取带的转印的工艺的方法。
图1示意性表示本发明的半导体芯片的制造方法的优选的一实施方式的工艺的 前半段，上述经过转印至拾取带的工艺的方法与经过不进行向该拾取带的转印的工艺 的方法均为通用的前半段工艺。
图2是经过转印至拾取带的工艺的方法中于图1的(4)的工艺后进行的后半段工 艺的一例，图3是经过不进行向拾取带的转印的工艺的方法中于图1的(4)的工艺后 进行的后半段的工艺的一例。
[I]转印至拾取带的工艺
以下，使用图1及图2进行说明。
(1)首先，利用激光(7)自半导体晶片(1)的表面(1A)形成改质层(2)。
该步骤中，为了将半导体晶片分割成半导体芯片，利用激光照射半导体晶片的分 割预定部分，通过多光子吸收，在半导体晶片内部形成改质区域{改质部(2A)}。
通过激光照射，产生多光子吸收所致的光学损伤的现象，该光学损伤诱发半导体 晶片的内部热应变，由此在半导体晶片的内部形成改质区域(龟裂区域)(2A)。作为该 情况下使用的激光(激光线)，有产生脉冲激光的Nd：YAG激光、Nd：YVO激光、 Nd：YLF激光、钛蓝宝石(titanium sapphire)激光等。
改质层(2)的厚度优选设为20μm～40μm。另外，改质层优选为例如设置成最终研 磨厚度的10μm～50μm上。其原因在于：芯片中含有改质部的情况下，存在该部分 的抗折强度降低的可能性。另外，通过将改质层设置成比最终研磨厚度更上，可利用 研磨该改质层时的冲击将芯片分断。
(2)于半导体晶片表面(1A)贴合本发明的薄膜研磨用表面保护带(表面保护带)。
此时，将薄膜研磨用表面保护带的粘接剂层(粘接膜)(6)侧贴于半导体晶片(1)的形 成改质层(2)的那侧。本发明的表面保护带如上述说明，于基材膜(4)上具有黏着剂层 (5)，于该黏着剂层上具有粘接剂层(粘接膜)(6)。其中，也将基材膜(4)上具有黏着剂 层(5)的带称为黏着带(3)。
(3)对半导体晶片的与贴合有薄膜研磨用表面保护带的面相反侧的面(背面)(1B) 进行研磨。图中，8为研磨机(grinder)，9为背面研磨中的晶片。
(4)于研磨成目标厚度的状态结束背面研磨。图中，10为背面经研磨的状态的晶 片。
(5-1)于半导体晶片的背面(研磨面)贴附拾取带(11)，并固定于环状框(12)。
拾取带要求其在拾取工序中具有良好的拾取性和扩展性，故而优选使用切晶带 (dicing tape)。
切晶带的黏着剂层的黏着剂可使用切晶带所使用的普通黏着剂，优选使用利用紫 外线的照射能发生固化的粘接剂。
环状框可使用通常的半导体晶片的处理工序中所使用的环状框。
(6-1)仅使薄膜研磨用表面保护带的黏着带(3)(基材膜(4)与黏着剂层(5))剥离，仅 粘接膜(6)残留于晶片表面。作为使用紫外线固化型黏着剂作为黏着剂的情况的例子， 图中示出了紫外线照射(未图示)后剥离了黏着带(3)的状态。
(7-1)对拾取带进行扩展。
此时有2种扩展方法，(7-1A)将粘接膜(粘接剂层)与半导体晶片分割，或者(7-1B) 在仅分割半导体晶片后，利用激光(14)切断粘接膜(粘接剂层)。
为了如上述(7-1A)或(7-1B)那样进行，可通过变更扩展条件进行调整。
即，对粘接膜进行扩展分割的情况下(7-1A)，必需某种程度的扩展量，故而与通 常相比增大扩展量时，可同时分割芯片。另一方面，仅芯片的扩展的情况下(7-1B)， 由于芯片为刚体，故而也可缩小扩展量。通过如此任意调整扩展量，可形成(7-1A)或 (7-1B)的状态。
图中，6A表示经分割的粘接剂层(粘接膜)，10A表示经分割的晶片。另外，11A 表示经扩展的拾取带，13表示扩展器(expander)。
(8-1)经分割的半导体晶片(10A)成为经单片化的附有粘接膜(粘接剂层)(6A)的各 芯片(17)，将其与粘接膜(粘接剂层)(6A)一起进行拾取。图中，15表示拾取用针，16 表示拾取用筒夹。自拾取带(11A)剥离芯片(17)进行拾取。
[II]不进行向拾取带的转印的工艺
以下，使用图1及图3进行说明。需要说明的是，(1)～(4)为止与上述转印至拾 取带的工艺[I]相同。
(1)首先，利用激光(7)自半导体晶片(1)的表面(1A)形成改质层(2)。
(2)于半导体晶片表面贴合本发明的薄膜研磨用表面保护带(表面保护带)。此时， 将薄膜研磨用表面保护带的粘接剂层(粘接膜)(6)侧贴于半导体晶片(1)的形成改质层 (2)的那侧。
(3)对半导体晶片的与贴合有薄膜研磨用表面保护带的面相反侧的面(背面)(1B) 进行研磨。
(4)于研磨成目标厚度的状态(10)结束背面研磨。
(5-2)于薄膜研磨用表面保护带面的基材膜(4)侧贴附固定用带(21)，并固定于环状 框(22)。
此处，固定用带(21)与上述切晶带(拾取带(11))实质相同。
(6-2)对固定用带(21)进行扩展。此时，于黏着膜(3)上，粘接膜(粘接剂层)(6)与半 导体晶片(1)的两者均被分割。
扩展优选为速度0.5～5mm/秒、扩展量5～20mm。
图中，6A表示经分割的粘接剂层(粘接膜)，10A表示经分割的晶片。另外，21A 表示经扩展的固定用带，23表示扩展器。
(7-2)经分割的半导体晶片(10A)成为经单片化的附有粘接膜(粘接剂层)(6A)的各 芯片(27)，将其与粘接膜(粘接剂层)(6A)同时进行拾取。图中，25表示拾取用针，26 表示拾取用筒夹。自黏着膜(3)的黏着剂层(5)剥离芯片(27)而进行拾取。作为使用紫外 线固化型黏着剂作为黏着剂的情况的例子，图中示出了紫外线照射(未图示)后自黏着 剂层(5)剥离芯片(27)的情况。
使用本发明的薄膜研磨用表面保护带的制造方法在对具有凸块等凹凸作为电极 的晶片进行薄膜研磨的情况下发挥明显的效果。
通过使用本发明的制造方法，可省略背面研磨后的切晶工序。另外，通过使用本 发明的薄膜研磨用表面保护带，可省略流入底部填充剂的工序，因此，不会引起因底 部填充剂所致的树脂漏出，从而成品率得到提高。
作为芯片的薄膜化中重要的性能，可列举芯片的抗折强度。作为通常的方法的于 背面研磨后进行切晶的方法中，无论利用刀片的切晶还是利用激光的切晶，均为对被 设为薄膜的半导体晶片造成损伤的工序，故而容易在所获得的芯片中残留损伤，产生 碎片(chipping)，最差的情况下，芯片发生破裂。另一方面，通过使用本发明的制造 方法，可将对半导体芯片的损伤抑制在最小限度，可提高芯片的抗折强度，不易产生 芯片破裂，故而可确保封装的安装可靠性。
将半导体芯片安装于基片时，对薄膜半导体芯片、尤其是附有凸块这样的凹凸的 薄膜半导体芯片进行压接，因此非常容易产生芯片破裂。另一方面，通过使用本发明 的制造方法，在粘接膜(粘接剂层)粘接于半导体芯片的状态下进行安装，因而可抑制 芯片破裂的产生。另外，安装的同时还可利用粘接膜(粘接剂)进行粘接，因而可缩短 制造时间。
本发明中，还可于半导体的芯片化后转印至拾取带，通过仅拾取的另一工序中制 造半导体装置(图1、2的工序)，但优选不转印就进行拾取(图1、3的工序)。通过不 转印就进行拾取，可省略黏着带的剥离工序，另外，由于从剥离时施加的应力中释放， 故而还可减轻对半导体芯片的损伤。
本发明中，还可通过对薄膜研磨后的晶片抵压辊而进行芯片分割(未图示)，还可 通过将压刀从改质层上压入来进行芯片分割(未图示)，还可通过扩展进行芯片分割(图 2的工序(7-1A)、图3的工序(6-2))。由于未施加来自外部的应力，故而优选通过扩展 进行分割的方法。
[实施例]
以下，基于实施例，对本发明进一步详细地进行说明，但本发明并不限于此。
实施例1
(I)薄膜研磨用表面保护带的制作
在厚度100μm的由乙烯-丙烯酸共聚物构成的基材膜上设置紫外线固化型(甲基) 丙烯酸系黏着剂层，于该黏着剂层上设置含有环氧树脂的由(甲基)丙烯酸系共聚物构 成的粘接剂层，制作本发明的薄膜研磨用表面保护带。
(1)黏着带的制造方法
掺合丙烯酸2-乙基己酯78mol％、丙烯酸2-羟基乙酯21mol％、甲基丙烯酸1mol％， 并于乙酸乙酯溶液中使它们共聚，由此获得重均分子量70万的共聚物溶液。相对于 该共聚物100质量份，在溶液中混合异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯(商品名，昭和电 工株式会社制造的Karenz MOI)5.0质量份，并于该溶液中使它们反应，使共聚物侧 链的羟基加成源自上述异氰酸酯的含双键的基团，由此合成具有含双键的基团的丙烯 酸共聚物聚合物。
对具有该含双键的基团的丙烯酸共聚物聚合物100质量份掺合作为固化剂的 Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane Industry株式会社制造)6.0质量份、作为光反 应引发剂的Irgacure 184(商品名，BASF公司制造)5.0质量份，获得黏着剂组成物。
将所获得的黏着剂组成物以黏着剂层的厚度为20μm厚的方式涂布于剥离衬垫 上，并于该黏着剂层侧贴合使100μm厚的乙烯系离子聚合物树脂(商品名，Du  Pont-Mitsui Polychemicals株式会社制造的Himilan)膜化而成的厚度100μm的基材膜 而获得黏着带。
(2)粘接剂层与表面保护带的制造方法
使丙烯酸丁酯40mol％、丙烯酸乙酯30mol％、丙烯腈30mol％于乙酸乙酯及甲苯 的混合溶液中共聚，由此获得丙烯酸类树脂。
于乙酸乙酯及甲苯的混合溶液中掺合双氰胺50mol％、双酚F型环氧树脂 50mol％，并使它们共聚，由此获得固化环氧树脂。
掺合双酚A型环氧树脂35mol％、双酚A型苯氧树脂35mol％、双酚A二缩水甘 油醚30mol％，并使它们共聚，由此获得苯氧树脂。
掺合所获得的丙烯酸树脂30质量份、固化环氧树脂50质量份、苯氧树脂20质 量份，于乙酸乙酯溶液中加以混合。相对于所获得的混合树脂100质量份，于该溶液 中掺合作为无机填料的平均粒径5μm的二氧化硅粒子5质量份，获得粘接剂组成物。
将所获得的粘接剂组成物以粘接剂层的厚度为70μm厚的方式涂布于剥离衬垫 上，并于该粘接剂层侧与将上述剥离衬垫剥离而成的上述黏着带的黏着层侧贴合，由 此获得薄膜研磨用表面保护带。下述的使用时，将该剥离衬垫剥离后使用。
(II)半导体芯片的制造
以图1及图2的工艺制作半导体芯片。
(1)使用DAL7360(商品名，Disco株式会社制造的隐形切晶(Stealth Dicing)装置) 自半导体晶片(1)的背面(1A)照射激光(7)，于直径300mm(约12英寸)的附有凸块的晶 片形成改质层(2)。凸块的大小、间距如下。
凸块高度：80μm，间距：160μm，凸块的种类：焊料
改质层{改质部(2A)}的厚度：30μm
(2)将上述中制作而成的薄膜研磨用表面保护带以粘接层(6)侧贴合于半导体晶片 的设置有改质层的表面(1A)。
(3)使用DGP8761(商品名，Disco株式会社制造的背面研磨装置)，将半导体晶片 的与贴合有薄膜研磨用表面保护带的面相反侧的面(背面)(1B)研磨至研磨后的厚度 75μm为止。
(4)研磨后，于半导体晶片(10)的背面(研磨面)贴附拾取带(11)，并固定于环状框 (12)。
需要说明的是，拾取带(11)使用厚度110μm的切晶带，基材膜由聚烯烃构成。切 晶带在该基材膜上具有由紫外线固化型丙烯酸共聚物构成的黏着剂层。
(5)于紫外线照射后，仅使黏着带(3)(基材膜(4)与黏着剂层(5))自薄膜研磨用表面 保护带剥离，仅粘接膜(粘接剂层)(6)残留于半导体晶片表面。
(6)以对粘接膜(粘接剂层)及研磨后的半导体晶片进行分割的方式，于速度1mm/ 秒、扩展量20mm的条件下扩展拾取带(11)。{图2所示的工序(7-1A)。}
(7)经分割的半导体晶片(10A)成为经单片化的附有粘接膜(粘接剂层)(6A)的各芯 片(17)，将其与粘接膜(粘接剂层)(6A)一起进行拾取。
实施例2
使用实施例1中制作而成的薄膜研磨用表面保护带，将实施例1中的(6)的工艺 变更为下述(6-1)～(6-2)的工艺，除此以外，以与实施例1同样的方式制造半导体芯片。
(6-1)以仅分割半导体晶片的方式于速度1mm/秒、扩展量8mm的条件扩展拾取 带(11)。
(6-2)于上述扩展后，利用激光(14)切断粘接膜(粘接剂层)(6)。{图2所示的工序 (7-1B)}
实施例3
以图1及图3的工艺制作半导体芯片。
使用实施例1中制作而成的薄膜研磨用表面保护带，进行实施例1中的(1)～(3) 的工艺后，进行以下的工艺(4A)～(6A)代替(4)～(7)，制造半导体芯片。
(4A)于薄膜研磨用表面保护带的基材膜(4)侧贴附与实施例1同样的扩展用带 (11)(固定用带(21))，并固定于环状框(22)。扩展用带(11)(固定用带(21))在由乙烯系离 子聚合物树脂构成的基材膜上具有由紫外线固化型丙烯酸共聚物构成的黏着剂层。
(5A)将上述固定用带(21)于速度1mm/秒、扩展量20mm的条件下扩展，于黏着 膜(3)上，将粘接膜(粘接剂层)(6)与半导体晶片分割。
(6A)经分割的半导体晶片(10A)成为经单片化的附有粘接膜(粘接剂层)(6A)的各 芯片(27)，于紫外线照射后，将芯片(27)与粘接膜(粘接剂层)(6A)一起自黏着剂层(5) 拾取。
比较例1
(I)以往的凸块用表面保护带的制造方法
掺合甲基丙烯酸20mol％、丙烯酸2-乙基己酯30mol％、丙烯酸2-羟基乙酯 10mol％、丙烯酸甲酯40mol％，并使它们于乙酸乙酯溶液中共聚，由此获得重均分子 量60万的共聚物溶液。
于该共聚物溶液中，相对于共聚物100质量份，掺合作为UV反应性树脂的五官 能丙烯酸胺酯低聚物100质量份、三官能丙烯酸胺酯低聚物10质量份及二官能丙烯 酸胺酯低聚物30质量份、作为固化剂的Coronate L(商品名，Nippon Polyurethane  Industry株式会社制造)4.0质量份、作为光反应引发剂的Irgacure 184(商品名，BASF 公司制造)5质量份、作为添加剂的Ebecryl 350(商品名，Daicel-Allnex株式会社制 造)0.5质量份，获得黏着剂组成物。
将所获得的黏着剂组成物以黏着剂层的厚度为130μm厚的方式涂布于剥离衬垫 上，贴合于100μm厚的LDPE(低密度聚乙烯)膜而获得230μm厚的以往的凸块用表面 保护带。下述的使用时，将该剥离衬垫剥离后使用。
(II)半导体芯片的制造
将剥离衬垫剥离，以黏着剂层侧将上述凸块用表面保护带贴合于附有高度80μm、 间距160μm的焊料凸块的12英寸晶片的表面，使用DGP8761(商品名，Disco株式会 社制造的背面研磨装置)，研磨晶片背面。该背面研磨进行至研磨后的晶片厚度75μm 为止。
其后，将附有凸块用表面保护带的晶片上晶(mount)至110μm厚的聚烯烃制切晶 带，于紫外线照射后，剥离凸块用表面保护带。
使用DFD6361(商品名，Disco株式会社制造的刀片切晶装置)进行切晶，使用 DB800-HL(商品名，Hitachi High-Technologies株式会社制造的拾取黏晶机)进行拾取。
于基片涂布作为粘接剂(NCP)的U8443(商品名，Namics株式会社制造的倒装芯 片用底部填充剂)，将自其上拾取的芯片接合于基片并且进行密封。
比较例2
将剥离衬垫玻璃，以黏着剂层侧将与上述比较例1中所制备的凸块研磨用表面保 护带相同的凸块研磨用表面保护带贴合于附有高度80μm、间距160μm的焊料凸块的 12英寸晶片的表面，使用DGP8761(商品名，Disco株式会社制造的背面研磨装置)， 研磨晶片背面。该背面研磨进行至研磨后的厚度75μm厚为止。
其后，将附有凸块用表面保护带的晶片上晶至110μm厚的聚烯烃制切晶带，于 紫外线照射后，剥离凸块用表面保护带。
使用DFL7160(商品名，Disco株式会社制造的激光切晶装置)进行切晶，使用 DB800-HL(商品名，Hitachi High-Technologies株式会社制造的拾取黏晶机)进行拾取。
将拾取的芯片与基片进行接合，横向流入作为底部填充剂的U8443(商品名， Namics株式会社制造的倒装芯片用底部填充剂)并进行密封。
对上述各实施例及比较例中所获得的半导体芯片评价以下特性。
(1)芯片有无破裂
以目视观察上述扩展时芯片是否产生破裂，并以如下基准进行评价。
○(良)：看不到芯片破裂。
△(不良)：稍微看到芯片破裂。
×(尤其不良)：可看到明显的芯片破裂。
(2)有无产生粘接毛刺(burr)
以目视观察上述扩展时及拾取时是否产生粘接毛刺，并以如下基准进行评价。
无(良)：看不到粘接毛刺。
有(不良)：可看到粘接毛刺。
将以上的结果与底部填充剂工序的有无一并示于表1。
[表1]
  实施例1 实施例2 实施例3 比较例1 比较例2 切断工序 改质层 改质层 改质层 刀片切晶 激光切晶 密封剂 NCF(膜) NCF(膜) NCF(膜) NCP(浆料) UF(底部填充剂) 芯片破裂 ○ ○ ○ × × 底部填充剂工序的有无 无 无 无 有 有 粘接毛刺产生 无 无 无 有 有
如上所述，实施例1～3的半导体芯片的制造方法中，通过粘接剂层将凸块的凹 凸完全埋覆，故而对具有凸块等凹凸作为电极的晶片进行薄膜研磨的情况下，不产生 破裂等，发挥了良好的研磨性，另外，可省略背面研磨后的切晶工序，通过使用薄膜 研磨用表面保护带而可省略流入底部填充剂的工序，另外，还没有因底部填充剂所致 的树脂漏出，故而成品率得到提高。
而且，通过使用本发明的制造方法可将对半导体芯片的损伤抑制为最小限度，从 而可提高芯片的抗折强度，难以产生芯片破裂，故而可确保封装的安装可靠性。
进而，在粘接膜(粘接剂层)粘接于半导体芯片的状态下进行安装，故而可抑制芯 片产生破裂，还可与安装同时实现利用粘接剂的粘接，故而可缩短制造时间。
另外，于实施例3中，不转印就进行拾取，故而可省略黏着带的剥离工序，另外， 从剥离时施加的应力释放，故而可进一步减轻对半导体芯片的损伤。
另一方面，比较例1及2中，粘接剂自芯片溢出而产生粘接毛刺。尤其是UF(底 部填充剂)方式的溢出量多。
比较例1及2中分别利用刀片及激光进行切晶，故而产生芯片侧面的碎片 (chipping)，尤其是刀片切晶方式中导致产生了芯片缺损或芯片破裂的结果。
实施例1～3中，黏着剂层的凝胶分率为80％以上。
另一方面，作为其它比较例，黏着剂层的凝胶分率小于80％的情况下，该比较例 中凝聚力变低，故而在晶片表面的电路上产生糊剂残留，因而成为不良结果。
实施例1～3中，粘接膜于250℃的弹性模量为10MPa以下，饱和吸湿率为1.5 体积％以下。
另一方面，作为其它比较例，粘接膜于250℃的弹性模量超过10MPa、和/或饱 和吸湿率超过1.5体积％的情况下，这些比较例中翘曲大而产生芯片的翘曲，或者产 生外观不良或粘接力不足等问题，从而均成为不良结果。
实施例1～3中，粘接膜的表面自由能为25～45mN/m。
另一方面，作为其它比较例，粘接膜的表面自由能小于25mN/m或超过45mN/m 的情况下，这些比较例中润湿性不充分，故而产生空隙或安装可靠性差，从而均成为 不良结果。
已将本发明与其实施方式一并进行了说明，但只要未特别指定，则即使在说明本 发明的任何具体描述中，也不用于限定本发明，只要在不违反本申请权利要求范围所 示的发明精神与范围下，应作最大范围的解释本发明。
本申请主张2012年11月20日于日本提出专利申请的特愿2012-254703的优先 权，本申请参照该申请并将其内容引入本申请说明书作为本说明书记载的一部分。
【符号说明】
1：晶片
1A：晶片表面
1B：晶片背面
2：改质层
2A：改质部
3：黏着带
4：基材膜
5：黏着剂层
6：粘接剂层(粘接膜)
6A：经分割的粘接剂层(粘接膜)
9：背面研磨中的晶片
10：背面经研磨的状态的晶片
10A：经分割的晶片
11：拾取带
11A：经扩展的拾取带
12：环状框
17：经单片化的附有粘接剂的芯片
21：固定用带
21A：经扩展的固定用带
22：环状框
27：经单片化的附有粘接剂的芯片