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一种VDMOS场效应晶体管及其形成方法,其中VDMOS场效应晶体管的形成方法包括:提供具有第一类型掺杂的基底;在基底形成第一、第二沟槽;在第一沟槽侧壁形成第一绝缘层,在第二沟槽侧壁形成第二绝缘层;在第一沟槽填充具有第二类形掺杂第一多晶硅层,在第二沟槽填充具有第二类形掺杂第二多晶硅层;在第一多晶硅层下的基底形成具有第二类型掺杂的第一掩埋层,在第二多晶硅层下的基底形成具有第二类型掺杂的第二掩埋层;对第。