半导体装置的制造方法[相关申请案]
本申请案享有以日本专利申请案2015-180152号(申请日：2015年9月11日)为基础
申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。
背景技术
以往，有如下方法，即，在晶片的表面侧形成半导体元件并将晶片的表面贴合在支
撑衬底后，通过对晶片从背面侧进行研磨使该晶片薄化而制造薄型的半导体装置。
在所述半导体装置的制造方法中，由于要研磨的晶片的周缘部的表背两面朝内侧
倾斜，所以有如下情况，即，如果进行研磨，则晶片的端部变尖为刀刃状，而较尖的端部在研
磨时从晶片断裂。在该情况下，有时碎片卷入到晶片的研磨面而导致晶片的平坦性降低，从
而半导体装置的良率降低。
发明内容
本发明的实施方式提供一种能够提高对贴合在支撑衬底的晶片从背面侧进行研
磨而制造的半导体装置的良率的半导体装置的制造方法。
实施方式的半导体装置的制造方法包含形成步骤、贴合步骤、及薄化步骤这3个步
骤。形成步骤是将表面设置着半导体元件的晶片的周缘部去除到从晶片的表面侧起为至少
200μm以上的深度为止，而在晶片的表面侧周缘形成切口部。贴合步骤是将晶片的表面贴合
在支撑衬底。薄化步骤是对晶片从背面侧进行研磨而使晶片薄化至小于200μm的厚度为止。
附图说明
图1是表示实施方式的半导体装置的制造方法中使用的晶片的一例的说明图。
图2(a)～(d)是第1实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。
图3是表示对第1实施方式的晶片的背面周缘部有无裂纹进行评价所得的试验结
果的说明图。
图4是表示对第1实施方式的晶片的背面周缘部有无裂纹进行评价所得的试验结
果的说明图。
图5(a)～(d)是第2实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。
图6(a)～(d)是第2实施方式的半导体装置的其他制造步骤的基于剖面观察的说
明图。
图7(a)～(d)是第3实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。
图8(a)～(d)是第4实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式的半导体装置的制造方法详细地进行说明。另外，本
发明不受本实施方式限定。
(第1实施方式)
图1是表示实施方式的半导体装置的制造方法中使用的晶片的一例的说明图。在
以下的实施方式中，对如下步骤进行说明，即，准备如图1所示那样在表面侧设置着半导体
元件11等的晶片10，将该晶片10与未图示的支撑衬底贴合，并使被支撑衬底支撑的晶片10
从背面侧薄化。
另外，实施方式中使用的晶片10为例如具有大致圆盘形状的硅晶片等，且晶片10
的周缘部的表背两面朝内侧倾斜。
此处，薄型的半导体装置是通过在晶片的表面侧形成半导体元件等并将晶片的表
面贴合在支撑衬底后，对晶片从背面侧进行研磨使该晶片薄化而制造。
在所述半导体装置的制造方法中，由于要研磨的晶片的周缘部的表背两面朝内侧
倾斜，所以有如下情况，即，如果对晶片从背面侧进行研磨，则晶片的端部变尖为刀刃状，而
较尖的端部在研磨时断裂。其结果，碎片卷入至晶片的研磨面而导致研磨后的晶片的研磨
面的平坦性降低。因此，通常在研磨前在晶片的表面侧周缘形成相对较浅的切口部而预先
将变尖为刀刃状的端部去除。
然而，如果对晶片从背面侧进行研磨而使该晶片薄化，则在晶片达到所期望的厚
度的研磨的末期阶段、即在晶片的厚度方向上距离晶片的表面较近的位置，晶片的周缘部
成为凸缘形状。因此，有如下情况，即，在该凸缘部分在达到目标厚度之前断裂并卷入至晶
片的研磨面的情况下，破坏薄化后的晶片的研磨面的平坦性。
因此，第1实施方式的半导体装置的制造方法是当对晶片10从背面侧进行研磨时，
将凸缘部分在研磨的初期阶段、即在晶片10的厚度方向上距离晶片10的表面较远的位置去
除，由此，在薄化后的晶片10获得平坦性高的研磨面。以下，参照图2对该半导体装置的制造
方法进行说明。
图2是实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。另外，图2所
示的晶片10是图1所示的晶片10的A-A'线上的剖面部分的一部分。在第1实施方式的半导体
装置的制造方法中，首先，准备晶片10与支撑衬底20。
如图2(a)所示，在本实施方式中，使用厚度a例如为775μm的晶片10。在该晶片10中
的表面12的周缘部与背面13的周缘部，在表面及背面形成有斜面部3。该晶片10中的形成有
斜面部3的周缘部的宽度b例如为100μm～600μm，斜面部3的高度c例如为50μm～250μm。
其次，如图2(b)所示，通过蚀刻，在晶片10的周缘部形成从晶片10的表面12起达到
晶片10的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200～500μm的深度且沿着晶片10的周缘连续
的环状切口部4。在本实施方式中，该切口部4的宽度d是与形成有斜面部3的周缘部的宽度b
大致相同的宽度，例如为600μm。也就是说，切口部4是通过利用蚀刻对晶片10的周缘部中的
斜面部3进行去除而形成。
由此，在晶片10的背面13的周缘部形成凸缘部分5。但是，该凸缘部分5形成于在晶
片10的厚度方向上距离晶片10的表面12较远的位置。因此，通过对晶片10从背面侧进行研
磨而使该晶片10薄化，可在研磨的初期阶段将所述凸缘部分5去除。
因此，在本实施方式中，形成有从晶片10的表面12起达到至少200μm以上的深度e
的切口部4。由此，可在薄化至所期望的厚度的期间使晶片10的背面13平坦化。
接着，如图2(c)所示，将表背翻转的晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底
20。作为粘接剂7，例如，使用氨基甲酸酯系树脂或环氧树脂等有机系粘接剂等。
另外，粘接剂7是通过利用旋转涂布法等将所述粘接剂7涂布在支撑衬底20的表面
而形成。另外，作为支撑衬底20，例如，使用玻璃或硅等，为直径及厚度与晶片10大致相同的
圆盘状的衬底。另外，支撑衬底20的直径、厚度等形状并不限定于此。
此处，如图2(c)所示，切口部4处的贴合后的粘接剂7由于切口部4的深度e较深，所
以贴合时被按压的粘接剂7未到达至切口部4的底面而在切口部7的侧壁停住。
因此，当对晶片10从背面13进行研磨时，由于凸缘部分5未被粘接剂7粘着，所以可
容易地将该凸缘部分5去除。
返回至图2(c)，然后，利用研磨机6对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄化至
小于200μm的厚度、具体来说、例如33μm的厚度为止。
此处，晶片10的形成在背面13的周缘部的凸缘部分5是在晶片10的厚度方向上距
离晶片10的表面12较远的位置通过研磨而去除。因此，即使在凸缘部分5断裂而卷入至晶片
10的研磨面的情况下，在使晶片10薄化至所期望的厚度的期间晶片10的研磨面也平坦化。
也就是说，在本实施方式中，通过将凸缘部分5在距离晶片的表面12较远的位置去
除，随着晶片10的背面13的研磨接近最后阶段而卷入至研磨面的凸缘部分5的晶片芯片的
混入引起的影响被消除，而晶片10的研磨面逐渐平坦化。
然后，如图2(d)所示，通过研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、该例中薄化至33μ
m的厚度为止时，以高精度获得平坦化的晶片10的背面13。
然后，通过CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)，将晶片10的背
面13精加工得光滑。然后，实施将晶片10从支撑衬底20剥离并将该晶片10单片化的步骤等
后续步骤的处理。
如所述那样，第1实施方式的半导体装置的制造方法包含形成步骤、贴合步骤、及
研磨步骤这3个步骤。在形成步骤中，将表面12设置着半导体元件11的晶片10的周缘部去除
到从晶片10的表面12起为至少200μm以上的深度e为止，而在晶片10的表面侧周缘形成切口
部4。
在贴合步骤中，将晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底20。在薄化步骤
中，对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f为止。
由此，在第1实施方式的半导体装置的制造方法中，对贴合在支撑衬底20的晶片10
从背面13进行研磨而使该晶片10薄化的情况下，能够以高精度获得平坦化的晶片10的背面
13，而能够使半导体装置的良率提高。
此处，就对切口部4的深度e实施各种改变而对研磨后的晶片10的背面周缘部有无
裂纹进行评价所得的试验结果进行说明。图3及图4是表示对第1实施方式的晶片10的背面
周缘部有无裂纹进行评价所得的试验结果的说明图。
具体来说，图3是通过如下所得的试验结果，即，对将使宽度d固定为600μm而改变
深度e进行边缘修整后的晶片10分别贴合在支撑衬底20并使晶片10从背面13薄化至规定的
厚度f后的晶片10的背面周缘部的裂纹数量进行评价。在试验中，对长度50μm及长度100μm
的裂纹数进行评价。
图4是通过如下所得的试验结果，即，对将使深度e固定为300μm而改变宽度d进行
边缘修整后的晶片10分别贴合在支撑衬底20，并使晶片10从背面13薄化至规定的厚度f后
的晶片10的背面周缘部的裂纹数量进行评价所得。另外，实验中使用的晶片10的厚度a为
775μm，薄化后的晶片10的厚度f为33μm。另外，晶片10中的形成有斜面部3的周缘部的宽度b
为350μm，斜面部3的高度c为200μm。
如图3所示，关于切口部4的深度e为100μm的样品1～4，长度为50μm的裂纹数为1位
数，长度为100μm的裂纹数大致达到2位数，在薄化后的晶片10的背面周缘部存在多个裂纹。
另一方面，关于切口部4的深度e为200μm的样品1～4、及切口部4的深度e为300μm
的样品1～4，在薄化后的晶片10的背面周缘部不存在裂纹。
根据所述情况可知，只要切口部4的深度e从晶片10的表面12起为至少200μm以上，
便可抑制薄化后的晶片10的背面周缘部中的裂纹的产生。
其原因在于，如所述那样，如果切口部4的深度e较深，则切口部4中的贴合后的粘
接剂7不到达至切口部4的底面而在切口部4的侧壁停住。由此认为，当对晶片10从背面13进
行研磨时，由于凸缘部分5未被粘接剂7粘着，所以可容易地将该凸缘部分5去除，因此，研磨
后的晶片10的背面周缘部中的裂纹的产生得到抑制。
另外，如图4所示，可知随着将切口部4的宽度d从100μm增大至600μm，而薄化后的
晶片10的背面周缘部中的裂纹减少。也就是说，可知通过将切口部4的宽度d设为与晶片10
中的形成有斜面部3的周缘部的宽度b相同的600μm，而能够抑制薄化后的晶片10的背面周
缘部中的裂纹的产生。
(第2实施方式)
接下来，对第2实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。在该实施方式中，代
替对晶片的周缘部进行去除而在晶片的表面侧周缘形成切口部，而对晶片的周缘部从晶片
的表面侧实施达到所期望的深度且沿着晶片的外周连续的切割加工。
图5是第2实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。另外，关
于图5所示的构成要素中与图2所示的构成要素相同的构成要素，通过标注与图2所示的符
号相同的符号，而在此处省略其说明。在第2实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准
备晶片10(参照图5(a))与支撑衬底20。
其次，如图5(b)所示，在晶片10的周缘部，利用切割刀沿着晶片10的外周形成从晶
片10的表面12起达到晶片10的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200～500μm的深度的槽
部8。
所述槽部8具有从斜面部3中的晶片10的内面侧的倾斜位置向水平方向到达至例
如200～小于600μ的位置的横宽g。另外，槽部8是在将槽宽g设为例如1000μm的最大宽度的
情况下，遍及斜面部3及半导体元件11侧的晶片10的表面12而形成。在该情况下，在晶片10
的表面12确保槽部8与半导体元件11不相互重叠的区域。
接着，如图5(c)所示，将表背翻转的晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底
20。粘接剂7通过利用旋转涂布法等将所述粘接剂7涂布在晶片10的表面12而形成。
然后，利用研磨机6对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚
度、具体来说、例如33μm的厚度为止。
此处，晶片10的背面周缘部中的未被槽部8分离的部分80是在晶片的厚度方向上
距离晶片的表面12较远的位置通过研磨而去除。因此，即使在所述部分80断裂而卷入至晶
片10的研磨面的情况下，在使晶片10薄化至所期望的厚度的期间晶片10的研磨面也平坦
化。
也就是说，在本实施方式中，通过将所述部分80在距离晶片的表面12较远的位置
去除，随着晶片10的背面13的研磨接近最后阶段而卷入至研磨面的所述部分80的晶片芯片
的混入引起的影响被消除，而晶片10的研磨面逐渐平坦化。
另外，晶片10的周缘部中的被槽部8分离的部分81由于被粘接剂7粘着，所以不用
担心在研磨时卷入至晶片10的主面侧的研磨面。
然后，如图5(d)所示，通过研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、该例中为33μm的
厚度时，以高精度获得平坦化的晶片10的背面13。
然后，通过CMP，将晶片10的背面13精加工得光滑。然后，实施将晶片10从支撑衬底
20剥离并将该晶片10单片化的步骤等后续步骤的处理。
如所述那样，第2实施方式的半导体装置的制造方法包含实施切割加工的步骤、贴
合步骤、及薄化步骤这3个步骤。在实施切割加工的步骤中，于在表面12设置着半导体元件
11的晶片10的周缘部，使用切割刀沿着晶片10的外周形成从晶片10的表面12起达到至少
200μm以上的深度e的槽部8。
在贴合步骤中，将晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底20。在薄化步骤
中，对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f为止。
由此，在第2实施方式的半导体装置的制造方法中，在对贴合在支撑衬底20的晶片
10从背面13进行研磨而使该晶片10薄化的情况下，能够以高精度获得平坦化的晶片10的背
面13，而能够使半导体装置的良率提高。
另外，所述第2实施方式的半导体装置的制造方法是对晶片10的周缘部使用切割
刀实施切割加工，但也可使用激光实施切割加工。也就是说，也可以是通过照射激光而在晶
片10形成机械强度比未利用激光实施加工的部位低的部位的隐形切割。
具体来说，在晶片10的周缘部，通过激光沿着晶片10的外周形成从晶片10的表面
12起达到晶片10的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200～500μm的深度的机械强度低的
部位。
图6所示的例子是使用激光沿着晶片10的外周形成从晶片10的表面12起达到至少
200μm以上的深度e的机械强度低的部位9的例子。图6是表示第2实施方式的半导体装置的
其他制造步骤的剖面模式图。另外，图6(a)～图6(d)所示的步骤与图5(a)～图5(d)所示的
步骤是除在晶片10的表面侧周缘部使用激光沿着晶片10的外周形成机械强度低的部位9以
外，表示相同内容的步骤。
如图6(b)所示，激光被照射在晶片10的形成在表面侧周缘部的斜面部3中的半导
体元件11侧的端部。由此，沿着晶片10的外周形成从晶片10的表面12起达到至少200μm以上
的深度e的机械强度低的部位9。
然后，经过图6(c)及图6(d)所示的步骤，通过研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f
为止，由此以高精度获得平坦化的晶片10的背面13。
即使为这种方式，在对贴合在支撑衬底20的晶片10从背面13进行研磨而使该晶片
10薄化的情况下，也能够以高精度获得平坦化的晶片10的背面13，而能够使半导体装置的
良率提高。
另外，由于所述方式使用激光对晶片10的周缘部实施切割加工，所以能够将晶片
10的切割加工面精加工得美观。
(第3实施方式)
接下来，对第3实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。在该实施方式中，对
晶片的周缘部进行去除而在晶片的表面侧周缘形成切口部之后，对晶片的周缘部从晶片的
表面侧实施达到所期望的深度且沿着晶片的外周连续的切割加工。
图7是第3实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。另外，关
于图7所示的构成要素中与图5所示的构成要素相同的构成要素，通过标注与图5所示的符
号相同的符号，而在此处省略其说明。在第3实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准
备晶片10(参照图5(a))与支撑衬底20。
其次，如图7(a)所示，通过蚀刻在晶片10的周缘部形成从晶片10的表面12起达到
晶片10的厚度a的五分之一以下的深度h、例如50～150μm的深度且沿着晶片10的周缘连续
的环状的较浅的切口部4a。在本实施方式中，该切口部4a的宽度是与形成有斜面部3的周缘
部的宽度b大致相同的宽度。也就是说，切口部4a是通过利用蚀刻对晶片10的周缘部中的斜
面部3进行去除而形成。
接着，如图7(b)所示，针对晶片10的形成有切口部4a的周缘部，利用切割刀沿着晶
片10的外周形成从晶片10的表面12起达到晶片的厚度a的四分之一以上的深度e、例如200
～500μm的深度的槽部8a。该槽部8a是从晶片10的周缘部中的切口部4a的内周面侧朝向外
侧形成。
接着，如图7(c)所示，将表背翻转的晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底
20。粘接剂7是通过利用旋转涂布法等将所述粘接剂7涂布在晶片10的表面12而形成。然后，
利用研磨机6对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度、具体来说例
如33μm的厚度为止。
然后，如图7(d)所示，通过研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、该例中为33μm的
厚度为止，由此，以高精度获得平坦化的晶片10的背面13。
然后，通过CMP，将晶片10的背面13精加工得光滑。然后，实施将晶片10从支撑衬底
20剥离并将该晶片10单片化的步骤等后续步骤的处理。
如所述那样，第3实施方式的半导体装置的制造方法包含形成步骤、实施切割加工
的步骤、贴合步骤、及薄化步骤这4个步骤。在形成步骤中，将表面12设置着半导体元件11的
晶片10的周缘部去除到从晶片10的表面12起为晶片10的厚度a的五分之一以下的深度h为
止，而在晶片10的表面侧周缘形成较浅的切口部4a。
在实施切割加工的步骤中，在晶片10的周缘部使用切割刀沿着晶片10的外周形成
从晶片10的表面12起达到至少200μm以上的深度e的槽部8a。
在贴合步骤中，将晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底20。在薄化步骤
中，对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f为止。
由此，在第3实施方式的半导体装置的制造方法中，在对贴合在支撑衬底20的晶片
10从背面13进行研磨而使该晶片10薄化的情况下，能够以高精度获得平坦化的晶片10的背
面13，而能够使半导体装置的良率提高。
另外，所述方式是对晶片10的周缘部进行去除而形成沿着晶片10的周缘连续的环
状的较浅的切口部4a之后，使用切割刀沿着晶片10的外周形成从切口部4a的底面起达到所
期望的深度的槽部8a。
因此，如图7(d)所示，研磨结束时，晶片10的周缘部中的形成有切口部4a的部分的
晶片芯片已被去除，所以，能够容易地将背面研磨已完成的晶片10从支撑衬底20剥离。
另外，所述方式是对晶片10的周缘部使用切割刀实施切割加工，但也可使用激光
实施切割加工。具体来说，在晶片10的形成有切口部4a的周缘部，通过激光沿着晶片10的外
周形成从晶片10的表面12起达到至少200μm以上的深度e的机械强度低的部位。
即使为这种方式，在对贴合在支撑衬底20的晶片10从背面13进行研磨而使该晶片
10薄化的情况下，也能够以高精度获得平坦化的晶片10的背面13，而能够使半导体装置的
良率提高。
(第4实施方式)
接下来，对第4实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。在该实施方式中，对
晶片从背面进行研磨直到所期望的厚度为止后，在晶片的周缘部通过激光沿着晶片的外周
形成从晶片的背面起达到所期望的深度的机械强度低的部位。
图8是第4实施方式的半导体装置的制造步骤的基于剖面观察的说明图。另外，关
于图8所示的构成要素中与图5及图7所示的构成要素相同的构成要素，通过标注与图5及图
7所示的符号相同的符号，而在此处省略其说明。在第4实施方式的半导体装置的制造方法
中，首先，准备晶片10(参照图5(a))与支撑衬底20。
其次，通过蚀刻在晶片10的周缘部形成从晶片10的表面12起达到晶片10的厚度a
的五分之一以下的深度h、例如50～150μm的深度且沿着晶片10的周缘连续的环状的较浅的
切口部4a(参照图7(a))。
接着，如图8(a)所示，将表背翻转的晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底
20。粘接剂7是通过利用旋转涂布法等将所述粘接剂7涂布在晶片10的表面而形成。然后，利
用研磨机6对晶片10从背面13进行研磨，而薄化至从晶片10的表面12起为晶片10的厚度a的
二分之一以上的厚度i、例如400μm的厚度为止。
然后，如图8(b)所示，在晶片10的周缘部通过激光沿着晶片10的外周形成从晶片
10的背面13起直到形成有切口部4a的表面12为止的机械强度低的部位9a。具体来说，通过
对晶片10的周缘部中的切口部4a的内周面的正上方照射激光而在晶片10形成机械强度比
未通过激光实施加工的部位低的部位9a。
接着，如图8(c)所示，再次利用研磨机6对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄
化至小于200μm的厚度、具体来说例如33μm的厚度为止。
然后，如图8(d)所示，通过研磨使晶片10薄化至所期望的厚度f、该例中为33μm的
厚度为止，由此，以高精度获得平坦化的晶片10的背面13。
然后，通过CMP，将晶片10的背面13精加工至光滑。然后，实施将晶片10从支撑衬底
20剥离并将该晶片10单片化的步骤等后续步骤的处理。
如所述那样，第4实施方式的半导体装置包含形成步骤、贴合步骤、第1薄化步骤、
实施切割加工的步骤、及第2薄化步骤这5个步骤。在形成步骤中，将表面12设置着半导体元
件11的晶片10的周缘部去除到从晶片10的表面12起为晶片10的厚度a的五分之一以下的深
度h为止，而在晶片10的表面侧周缘形成较浅的切口部4a。
在贴合步骤中，将晶片10的表面12经由粘接剂7贴合在支撑衬底20。在第1薄化步
骤中，对晶片10从背面13进行研磨而薄化至从晶片10的表面12起为晶片10的厚度a的二分
之一以上的厚度i为止。
在实施切割加工的步骤中，在晶片10的周缘部通过激光沿着晶片10的外周形成从
晶片10的背面13起到达至形成有切口部4a的表面12为止的机械强度低的部位9a。在第2薄
化步骤中，对晶片10从背面13进行研磨而使晶片10薄化至小于200μm的厚度f为止。
由此，在第4实施方式的半导体装置的制造方法中，在对贴合在支撑衬底20的晶片
10从背面13进行研磨而使该晶片10薄化的情况下，能够以高精度获得平坦化的晶片10的背
面13，而能够使半导体装置的良率提高。
另外，所述方式是对晶片10的周缘部进行去除而形成沿着晶片10的周缘连续的环
状的较浅的切口部4a之后，使用激光沿着晶片10的外周形成从晶片10的背面13起到达至切
口部4a的底面为止的机械强度低的部位9a。
因此，如图8(d)所示，研磨结束时，晶片10的周缘部中的形成有切口部4a的部分的
晶片芯片已被去除，所以能够容易地将背面研磨已完成的晶片10从支撑衬底20剥离。
另外，所述方式是在将晶片10的背面13研磨至所期望的厚度i之后，使用激光对晶
片10的周缘部实施切割加工。因此，能够将对于晶片10的激光的照射时间抑制得较短，而能
够抑制晶片10的因激光引起的热的影响。
另外，所述方式是使用激光对晶片10的周缘部实施切割加工，因此，能够将晶片10
的切割加工面精加工得美观。
另外，在第1至第4实施方式的半导体装置的制造方法中，将晶片10的表面12经由
粘接剂7贴合在支撑衬底20，但并不限定于该方式。作为其他方式，也可不使用粘接剂7而将
晶片10的表面12直接接合在支撑衬底20。
即使为所述方式，在对贴合在支撑衬底20的晶片10从背面13进行研磨而使该晶片
10薄化的情况下，也能够以高精度获得平坦化的晶片10的背面13，而能够使半导体装置的
良率提高。
已对本发明的若干实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出，并
不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其他多种方式实施，可以在不脱离发明
主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变化包含在发明的范围或主旨
中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其均等的范围内。
[符号的说明]
10 晶片
11 半导体元件
12 表面
13 背面
20 支撑衬底
3 斜面部
4、4a 切口部
5 凸缘部分
6 研磨机
7 粘接剂
8、8a 槽部
9、9a 机械强度低的部位