芯片用干膜去膜剂及制备方法.pdf

摘要
申请专利号：	CN201210451883.9	申请日：	2012.11.13
公开号：	CN102968002A	公开日：	2013.03.13
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G03F 7/42申请公布日:20130313\|\|\|实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/42申请日:20121113\|\|\|公开
IPC分类号：	G03F7/42	主分类号：	G03F7/42
申请人：	大连三达维芯半导体材料有限公司
发明人：	廖勇勤
地址：	116023 辽宁省大连市高新技术产业园区学子街99号318室
优先权：
专利代理机构：	大连非凡专利事务所 21220	代理人：	闪红霞
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内容摘要

本发明公开一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亚砜10%~50%、二氧六环或二氧五环5%~30%。不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。

权利要求书

权利要求书一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亚砜10%~50%、二氧六环或二氧五环5%~30%。
根据权利要求1所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于：所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮20~40%、酰胺10~30%、亚砜10%~30%、二氧六环或二氧五环5%~20%。
根据权利要求1或2所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于：所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2‑吡咯烷酮。
根据权利要求3所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于：所述酰胺是甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。
根据权利要求4所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于：所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。
一种如权利要求1所述芯片用干膜去膜剂的制备方法，其特征在于按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的吡咯烷酮、酰胺、亚砜、二氧六环或二氧五环，所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。

说明书

说明书芯片用干膜去膜剂及制备方法
技术领域
本发明涉及一种干膜去膜剂及制备方法，尤其是一种既可快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料腐蚀的芯片用干膜去膜剂及制备方法。
背景技术
干膜或称干膜光致抗蚀剂，主要用于制造印制电路板（PCB），现已广泛用于半导体集成电路芯片和发光二极管芯片制造行业中。干膜的应用流程一般包括压膜、曝光、显影、电镀和去膜等工艺步骤，其中的去膜工艺需要使用干膜去膜剂。对于干膜去膜剂不仅需要具有良好的干膜去除能力，而且还要防止腐蚀芯片的金属材料、介质及衬底材料等。目前商品化的干膜去膜剂都是以强碱性的有机溶液为主，如含KOH、NaOH的水溶液体系。因其碱性太强，尽管保证了去除干膜的能力，但却极易腐蚀金属材料、介质和衬底材料，导致芯片光电性能受损甚至报废，严重限制了生产良率的提高。
发明内容
本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种既可快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料腐蚀的芯片用干膜去膜剂。
本发明的技术解决方案是：一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亚砜10%~50%、二氧六环或二氧五环5%~30%。
所述各组分的质量百分比优选为：吡咯烷酮20~40%、酰胺10~30%、亚砜10%~30%、二氧六环或二氧五环5%~20%。
所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2‑吡咯烷酮。
所述酰胺是甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。
所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。
一种上述芯片用干膜去膜剂的制备方法，其特征在于按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的吡咯烷酮、酰胺、亚砜、二氧六环或二氧五环，所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。
本发明是由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。
具体实施方式
实施例1：
各组分及质量百分比如下：甲基吡咯烷酮20%、甲酰胺60%、甲基亚砜10%、二氧六环10%。
制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的甲基吡咯烷酮、甲酰胺、甲基亚砜、二氧六环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。
实施例2：
各组分及质量百分比如下：乙基吡咯烷酮60%、乙酰胺10%、乙基亚砜20%、二氧六环10%。
制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的乙基吡咯烷酮、乙酰胺、乙基亚砜、二氧六环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。
实施例3：
各组分及质量百分比如下：羟乙基吡咯烷酮40%、丙酰胺30%、二甲基亚砜10%、二氧五环20%。
制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的羟乙基吡咯烷酮、丙酰胺、二甲基亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。
实施例4：
各组分及质量百分比如下：2‑吡咯烷酮30%、苯甲酰胺40%、二乙基亚砜20%、二氧五环10%。
制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的2‑吡咯烷酮、苯甲酰胺、二乙基亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。
实施例5：
各组分及质量百分比如下：甲基吡咯烷酮40%、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺10%、环丁亚砜30%、二氧五环20%。
制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺、环丁亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。
采用本发明实施例1~5，在加热槽（如石英、不锈钢等材质）内加热至50~90℃，有无超声波辅助均可的条件下，将覆有干膜的芯片浸泡其中5~30分钟，可以完全去除厚度为5~120微米的干膜，且对金属材料、介质和衬底材料等无腐蚀。

资源描述

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1、(10)申请公布号 CN 102968002 A(43)申请公布日 2013.03.13CN102968002A*CN102968002A*(21)申请号 201210451883.9(22)申请日 2012.11.13G03F 7/42(2006.01)(71)申请人大连三达维芯半导体材料有限公司地址 116023 辽宁省大连市高新技术产业园区学子街99号318室(72)发明人廖勇勤(74)专利代理机构大连非凡专利事务所 21220代理人闪红霞(54) 发明名称芯片用干膜去膜剂及制备方法(57) 摘要本发明公开一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，。

2、所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮2060%、酰胺1070%、亚砜10%50%、二氧六环或二氧五环5%30%。不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。(51)Int.Cl.权利要求书1页说明书2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页说明书 2 页1/1页21.一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮2060%、酰胺1070%、亚砜10%50%、二氧六环或二氧五环5%30%。2. 根据权利要求1所述的芯片用干。

3、膜去膜剂，其特征在于：所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮2040%、酰胺1030%、亚砜10%30%、二氧六环或二氧五环5%20%。3.根据权利要求1或2所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于：所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2-吡咯烷酮。4.根据权利要求3所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于：所述酰胺是甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。5.根据权利要求4所述的芯片用干膜去膜剂，其特征在于：所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。6.一种如权利要求1所述芯片用干膜去膜剂的制备方法，其特征在于按如下步骤进行：开动反应釜搅拌。

4、器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的吡咯烷酮、酰胺、亚砜、二氧六环或二氧五环，所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。权利要求书CN 102968002 A1/2页3芯片用干膜去膜剂及制备方法技术领域0001 本发明涉及一种干膜去膜剂及制备方法，尤其是一种既可快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料腐蚀的芯片用干膜去膜剂及制备方法。背景技术0002 干膜或称干膜光致抗蚀剂，主要用于制造印制电路板（PCB），现已广泛用于半导体集成电路芯片和发光二极管芯片制造行业中。干膜的应用流程一般包括压膜、曝光、显影、电镀和去膜等工艺步骤，其中的去膜工艺需。

5、要使用干膜去膜剂。对于干膜去膜剂不仅需要具有良好的干膜去除能力，而且还要防止腐蚀芯片的金属材料、介质及衬底材料等。目前商品化的干膜去膜剂都是以强碱性的有机溶液为主，如含KOH、NaOH的水溶液体系。因其碱性太强，尽管保证了去除干膜的能力，但却极易腐蚀金属材料、介质和衬底材料，导致芯片光电性能受损甚至报废，严重限制了生产良率的提高。发明内容0003 本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种既可快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料腐蚀的芯片用干膜去膜剂。0004 本发明的技术解决方案是：一种芯片用干膜去膜剂，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环。

6、组成，所述各组分的质量百分比如下：吡咯烷酮2060%、酰胺1070%、亚砜10%50%、二氧六环或二氧五环5%30%。0005 所述各组分的质量百分比优选为：吡咯烷酮2040%、酰胺1030%、亚砜10%30%、二氧六环或二氧五环5%20%。0006 所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羟乙基吡咯烷酮或2-吡咯烷酮。0007 所述酰胺是甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。0008 所述亚砜是甲基亚砜、乙基亚砜、二甲基亚砜、二乙基亚砜或环丁亚砜。0009 一种上述芯片用干膜去膜剂的制备方法，其特征在于按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反。

7、应釜中加入计算量的吡咯烷酮、酰胺、亚砜、二氧六环或二氧五环，所有料加入后继续搅拌至反应釜中的溶液呈均匀透明液体。0010 本发明是由吡咯烷酮、酰胺、亚砜及二氧六环或二氧五环组成，不含强碱性物质，各组分相互配伍作用，既可以快速溶解剥离芯片上的干膜，又能防止金属材料、介质和衬底材料的腐蚀。具体实施方式0011 实施例1：各组分及质量百分比如下：甲基吡咯烷酮20%、甲酰胺60%、甲基亚砜10%、二氧六环10%。0012 制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反说明书CN 102968002 A2/2页4应釜中加入计算量的甲基吡咯烷酮、甲酰胺、甲基亚砜、二氧六环，。

8、所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。0013 实施例2：各组分及质量百分比如下：乙基吡咯烷酮60%、乙酰胺10%、乙基亚砜20%、二氧六环10%。0014 制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的乙基吡咯烷酮、乙酰胺、乙基亚砜、二氧六环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。0015 实施例3：各组分及质量百分比如下：羟乙基吡咯烷酮40%、丙酰胺30%、二甲基亚砜10%、二氧五环20%。0016 制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的羟乙基吡咯烷酮。

9、、丙酰胺、二甲基亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。0017 实施例4：各组分及质量百分比如下：2-吡咯烷酮30%、苯甲酰胺40%、二乙基亚砜20%、二氧五环10%。0018 制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的2-吡咯烷酮、苯甲酰胺、二乙基亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。0019 实施例5：各组分及质量百分比如下：甲基吡咯烷酮40%、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺10%、环丁亚砜30%、二氧五环20%。0020 制备方法是按如下步骤进行：开动反应釜搅拌器，转速为500转/分钟，依次向反应釜中加入计算量的甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺、环丁亚砜、二氧五环，所有料加入后继续搅拌一小时，反应釜中的溶液呈均匀透明液体。0021 采用本发明实施例15，在加热槽（如石英、不锈钢等材质）内加热至5090，有无超声波辅助均可的条件下，将覆有干膜的芯片浸泡其中530分钟，可以完全去除厚度为5120微米的干膜，且对金属材料、介质和衬底材料等无腐蚀。说明书CN 102968002 A。

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