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1、(10)申请公布号 CN 103443668 A(43)申请公布日 2013.12.11CN103443668A*CN103443668A*(21)申请号 201280004819.4(22)申请日 2012.02.202011-036906 2011.02.23 JPG02B 5/30(2006.01)B29C 41/12(2006.01)B29C 71/02(2006.01)C08F 220/30(2006.01)C08J 5/18(2006.01)G02F 1/13363(2006.01)(71)申请人大阪有机化学工业株式会社地址日本大阪府申请人兵库县(72)发明人椿幸树 阿波茂树 小林。
2、武史松山刚知 川月喜弘(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所 11256代理人杨宏军 王大方(54) 发明名称相位差膜的制造方法(57) 摘要本发明的目的是提供一种更简单且简便的相位差膜的制造方法,该相位差膜的制造方法的特征在于,包括:在基板上涂布包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物的工序;通过对该组合物进行减压干燥或者在自然干燥后进行加热干燥,从而蒸发除去该组合物中的溶剂,形成光反应性层的工序;对该光反应性层照射直线偏振光,形成热取向性层的工序;对该热取向性层进行加热处理的工序。(30)优先权数据(85)PCT申请进入国家阶段日2013.07.05(86)PCT申请的申请数据P。
3、CT/JP2012/053910 2012.02.20(87)PCT申请的公布数据WO2012/115017 JA 2012.08.30(51)Int.Cl.权利要求书3页 说明书15页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书3页 说明书15页(10)申请公布号 CN 103443668 ACN 103443668 A1/3页21.相位差膜的制造方法,其特征在于,包括以下工序:涂布工序,在基板上涂布包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物;光反应性层形成工序,通过对所述组合物进行减压干燥、或者在自然干燥后进行加热干燥,从而蒸发除去该组合物中的溶剂,形成光反应性。
4、层;热取向性层形成工序,对所述光反应性层照射直线偏振光,形成热取向性层;热取向性层加热处理工序,对所述热取向层进行加热处理。2.如权利要求1所述的制造方法,其中,光反应性层形成工序是通过对所述组合物进行减压干燥,从而蒸发除去所述组合物中的溶剂的工序。3.相位差膜用组合物,其包含具有通式(I)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,环A及环B分别独立地是表示的基团,p及q分别独立地是112中的任意的整数,m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.35,m+n1的关系,。
5、其中,X1X38分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基。4.相位差膜用组合物,其包含具有通式(I-a)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,权 利 要 求 书CN 103443668 A2/3页3式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,X1AX4A分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基,环B是表示的基团,p及q分别独立地是112中的任意的整数,m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.35,m+n1的关系,其中,X1BX4B及X31BX38B分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基。
6、。5.相位差膜用组合物,其包含具有通式(I-b)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,X1AX4A及X31BX38B分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基,p及q分别独立地是112中的任意的整数,m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.35,m+n1的关系。6.相位差膜用组合物,其包含具有通式(I-c)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,权 利 要 求 书CN 103443668 A3/3页4式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧。
7、基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,X1AX4A及X1BX4B分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基,p及q分别独立地是112中的任意的整数,m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.35,m+n1的关系。权 利 要 求 书CN 103443668 A1/15页5相位差膜的制造方法技术领域0001 本发明涉及相位差膜的制造方法。背景技术0002 近年来,相位差膜在显示器(除液晶显示器外也包括柔性显示器等)领域内以各种各样的形式使用。该相位差膜通常是在基板上形成具有液晶取向能力的层(液晶取向层)后,在该液晶取向层上涂布液晶性化合物,使其取向而制成的。这。
8、种情况下,作为在基板上赋予液晶取向层的方法,已知例如在基板的表面被覆聚酰亚胺等高分子树脂膜、沿着一个方向用布等对其进行摩擦的摩擦处理,但该方法中存在如下问题:因微细尘埃的产生而导致的液晶制造流水线的污染、因静电而导致的TFT(薄膜晶体管)元件的破坏等成为引起液晶面板的制造工序中的成品率下降的原因,难以进行定量的取向控制等。此外,替代摩擦处理,也提出了多种使用光反应性化合物、将其被覆在基板上、通过光照射来形成具有液晶取向能力的光取向膜的方法(专利文献13)。但是,其中的任一种方法都需要另行制作用于使液晶取向的膜,很繁琐。0003 因此,研究了无需另行形成液晶取向层而直接得到相位差膜的方法。例如,。
9、专利文献4中记载了如下制造方法:将形成于基材上的包含能体现出液晶性的感光性化合物的感光性层加热至各向同性相变温度以上后,从该状态骤冷至玻璃相-液晶相相变温度以下,照射偏振光,进行加热处理,从而得到相位差膜。但是,该方法中存在如果无法实现迅速的冷却、则相位差膜的品质下降等问题,要求提供更简便且可靠的方法。0004 专利文献1:日本特开平08-015681号公报0005 专利文献2:日本特开2007-304215号公报0006 专利文献3:日本特开2008-276149号公报0007 专利文献4:日本特开2009-109757号公报发明内容0008 在上述背景下,本发明的目的是提供一种更简单且简便。
10、的相位差膜的制造方法。此外,本发明的目的是提供一种能在该相位差膜的制造中使用的新型相位差膜用组合物。0009 本发明人进行了认真研究,结果发现,将包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物涂布于基板、从该涂膜蒸发除去除去溶剂时,如果进行减压干燥、或者在自然干燥后进行加热干燥,则经过后续的直线偏振光照射、加热处理,能直接制成相位差膜,并进一步反复进行研究,从而完成了本发明。0010 即,本发明涉及:0011 1相位差膜的制造方法,其特征在于,包括:0012 在基板上涂布包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物的工序;0013 通过对该组合物进行减压干燥、或者在自然干燥后进行加热干燥。
11、,从而蒸发除去该组合物中的溶剂,形成光反应性层的工序;说 明 书CN 103443668 A2/15页60014 对该光反应性层照射直线偏振光,形成热取向性层的工序;0015 对该热取向性层进行加热处理的工序。0016 2上述1的制造方法,其中,形成光反应性层的工序是通过对该组合物进行减压干燥,从而蒸发除去该组合物中的溶剂的工序。0017 3相位差膜用组合物,其包含具有通式(I)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,0018 0019 式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,环A及环B分别独立地是0020 0021 表示的基团,p及q分别。
12、独立地是112中的任意的整数,m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.35,m+n1的关系。0022 其中,X1X38分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基。0023 4相位差膜用组合物,其包含具有通式(I-a)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,0024 说 明 书CN 103443668 A3/15页70025 式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,X1AX4A分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基,环B是0026 0027 表示的基团,p及q分别独立地是112中的任意的整数,。
13、m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.35,m+n1的关系。0028 其中,X1BX4B及X31BX38B分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基。0029 5相位差膜用组合物,其包含具有通式(I-b)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,0030 0031 式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,X1AX4A及X31BX38B分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基,p及q分别独立地是112中的任意的整数,m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.3。
14、5,m+n1的关系。0032 6相位差膜用组合物,其包含具有通式(I-c)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,说 明 书CN 103443668 A4/15页80033 0034 式中,R1是氢原子或甲基,R2是烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的基团取代的苯基,X1AX4A及X1BX4B分别独立地是氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或氰基,p及q分别独立地是112中的任意的整数,m及n是各单体在共聚物中所占的摩尔分数,满足0.65m0.95,0.05n0.35,m+n1的关系。0035 通过上述本发明的制造方法,无需另行形成液晶取向层,就能由形成于基板上的包含具有光反应性基团的液晶性。
15、聚合物的层直接得到相位差膜。此外,这一点能通过对涂布于基板上的组合物进行减压干燥、或者在自然干燥后进行加热干燥、而从该组合物中蒸发除去溶剂来实现。因此,本发明的制造方法是能简单且简便地、进而以低成本提供相位差膜的优异的制造方法。具体实施方式0036 作为本发明中所用的基板,可例举由例如碱玻璃、无碱玻璃等玻璃材料,聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、聚乙烯醇、三乙酰纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环烯烃聚合物、聚乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚三氟氯乙烯等树脂材料,铁、铝、铜等金属材料等制成的基板,其中优选由玻璃材料制成的基板。0037 基板的厚度无特别限定,通常,如果是由玻璃材料制成的基板,则为0.1mm。
16、3mm,如果是由树脂材料制成的基板,则为10m300m,如果是由金属材料制成的基板,则为1100m。0038 基板可以在制成相位差膜后剥离,此外,如果基板本身是透明的且在光学上为各向同性,则也可以不剥离而直接使用。0039 作为本发明的具有光反应性基团的液晶性聚合物(以下有时简称为“液晶性聚合物” ),例如可以是下述具有侧链及主链的聚合物:所述侧链的结构为,具有多用作为液晶性高分子的介晶(mesogen)成分的联苯基、联三苯基、萘基、苯甲酸苯酯基、偶氮苯基或它们的衍生物等取代基(介晶基团),且同时具有光反应性基团,所述光反应性基团为肉桂酰基、查耳酮基、亚肉桂基、-(2-苯基)丙烯酰基、肉桂酸基。
17、或它们的衍生物等;所述主链上具有丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺、硅氧烷等结构。该聚合物既可以是由单一的重复单元构成的均聚物,也可以是由侧链的结构不同的两种以上的重复单元构成的共聚物。作为该共聚物,也包括交替型、无规型、接枝型等的任一种。此外,该共聚物中,至少一种重复单元的侧链是如上所述的同时具有介晶基团和光反应性基团的结构说 明 书CN 103443668 A5/15页9的侧链,而其它重复单元的侧链可以不具有该介晶基团、光反应性基团。0040 本发明的液晶性聚合物的优选具体例如下所示。它们是新型化合物。0041 具有通式(I)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物。。
18、0042 0043 式中,符号具有与上述相同的含义。0044 具有通式(I-a)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物。0045 0046 式中,符号具有与上述相同的含义。0047 具有通式(I-b)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物。0048 0049 式中,符号具有与上述相同的含义。0050 具有通式(I-c)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物。0051 说 明 书CN 103443668 A6/15页100052 式中,符号具有与上述相同的含义。0053 本发明的通式(I)(包括通式(I-a)、通式(I-b)及通式(I-c),下同)中,作为R1,优选甲基。作为R2,优。
19、选烷基或被选自烷基、烷氧基、氰基及卤原子中的一种基团取代的苯基,其中更优选烷基或者被烷氧基或氰基取代的苯基,最优选烷基或被烷氧基取代的苯基。作为X1X38,均优选氢原子或卤原子,最优选均为氢原子的情况。作为p及q,均优选39中的任意的整数,其中优选57中的任意的整数,最优选6。关于m,优选在约0.75m约0.85的范围内,最优选为约0.8。对应的n的优选范围是根据m+n1而自然确定的范围。即,优选在约0.15n约0.25的范围内,最优选为约0.2。0054 本发明的通式(I-a)、(I-b)或(I-c)中,作为X1AX4A,优选氢原子或卤原子,特别优选X1AX4A中的任一个为卤原子、其他为氢原。
20、子的情况或者均为氢原子的情况。此外,本发明的通式(I-b)中,作为X31BX38B,优选氢原子或卤原子,最优选均为氢原子的情况。此外,本发明的通式(I-c)中,作为X1BX4B,优选氢原子或卤原子,最优选均为氢原子的情况。0055 作为R2的烷基或R2的苯基的取代基的烷基,可例举碳原子数112的烷基,其中优选例举碳原子数16的烷基,更优选例举碳原子数14的烷基,最优选例举甲基。作为R2的苯基的取代基的烷氧基,可例举碳原子数112的烷氧基,其中优选例举碳原子数16的烷氧基,更优选例举碳原子数14的烷氧基,最优选例举甲氧基。作为R2的苯基的取代基的卤原子,可例举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子,其中。
21、优选氟原子。X1X38中,作为烷基,可例举碳原子数14的烷基,其中最优选甲基,作为烷氧基,可例举碳原子数14的烷氧基,其中最优选甲氧基,作为卤原子,可例举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子,其中优选氟原子。0056 需要说明的是,本说明书中,关于作为环A或环B上的取代基的X1X38,X1AX38A表示它们是环A上的取代基的情况,X1BX38B表示它们是环B上的取代基的情况。因此,对于X1X38的说明也可以直接适用于X1AX38A及X1BX38B。0057 本发明的聚合物(I)可通过将规定量的通式(II)表示的(甲基)丙烯酸单体(M1)和规定量的通式(III)表示的(甲基)丙烯酸单体(M2)在无溶剂的条件下或在溶剂中混合、使其聚合来制造。聚合可以使用光或热来实施。聚合工序中,材料、溶剂等的装料方法无特别限定,既可以在聚合前预先将所有材料投入反应容器中,然后开始聚合,也可以在将M1和M2混合后,针对一部分该混合物、溶剂等开始聚合,然后通过滴加或分批投入等方法来分阶段地追加其余部分。说 明 书CN 103443668 A10。