纳米粉体复合型高分子记忆材料 【技术领域】
本发明涉及一种新型高分子记忆材料，特别是涉及一种纳米粉体改性的高分子记忆材料。
背景技术
目前普通高分子记忆材料的主要缺点是不耐高电压，一般只能耐10KV以下电压，因此在电力工业上的应用受到极大的限制，同时由于韧性较差，不柔软，很难加工成0.1mm至1mm的热缩细管，(这些细管是电子信息，家电产业急需的新材料)，而这些问题主要是由于普通高分子材料中所填加的金属氧化物(氢氧化铝、二氧化钛)和无机物填料粒子较大，结果导致与高分子基村共混不均匀并有微孔洞存在，使其耐击穿电压柔韧性等性能低下。
【发明内容】
本发明目的是为克服现有技术高分子记忆材料的缺点，提出一种纳米粉体复合型高分子记忆材料，使其耐击穿电压远大于10KV，且柔软性好，可制作0.1～1mm直径的细管产品。
普通高分子记忆材料中含有大量的金属氧化物(氢氧化铝、二氧化钛)和无机物填料，而这些填料粒子尺寸较大，与高分子基材相容性差，共混分散不均匀造成“微洞”存在，使普通高分了记忆材料的耐击穿电压较低、电绝缘性差、柔软性低。
针对上述问题，本发明之一种纳米粉体复合型高分子记忆材料，是以线性低密度聚乙烯(LLDPE)粒子作为基本组元，与纳米级金属氧化物、纳米基无机物粉体及其它助剂共混交联制成，其组元重量百分比含量为：
线性低密度聚乙烯(LLDPE) 14～60
乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA) 0～40
氯磺化聚乙烯(CPE) 0～50
乙丙橡胶(EPR) 0～40
硅橡胶 0～15
纳米级碳酸钙 0～5
纳米级氢氧化铝 0～35
纳米级氧化铁 0～1
纳米级二氧化钛 0～4
纳米级氧化锌 0～5.5
纳米级二氧化硅 0～0.6
碳黑 0～12
阻燃剂FR-E 0～23
抗氧剂1010 0～1.6
硬脂酸锌 0～1。
本发明之高分子记忆材料的耐击穿电压远大于10KV，甚至可达40KV以上；其柔软性较好，能制作成0.1～1mm直径细管；由于本发明有效地解决了现有技术存在的缺陷。大大提高了产品质量，从而拓宽了该产品的使用领域。
【具体实施方式】
实施例1
一种纳米粉体复合型高分子记忆材料由以下组元按重量百分比含量组成：
线性低密度聚乙烯(LLDPE) 20.1
乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA) 39.6
氯磺化聚乙烯(CPE) 5.8
乙丙橡胶(EPR) 28.8
碳黑 1.4
纳米级碳酸钙 4.3。
其制备方法：按上述配方称量物料，先将LLDPE、EVA、CPE与EPR在开炼机上共混，共混温度为145-155℃，均化后制成高分子基材共混粒子，在密炼机中将高分子基材粒子与纳米级碳酸钙粉体共混，共混温度155～165℃，然后加入碳黑共混，均化后造粒、在挤出机上成型，在Co-60辐射源或电子加速器中辐照，辐照剂量为14Mrd，在155℃至160℃下利用压缩空气和机械方式扩张，然后在水中冷却定型成产品。
实施例2
一种纳米粉体复合型高分子记忆材料有以下组元按重量百分比含量组成：
线性低密度聚乙烯(LLDPE) 14
乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA) 38.8
硅橡胶 14
抗氧剂1010 1.6
纳米级氢氧化铝 31
纳米级氧化铁 0.6。
其制备方法：
按上述配方称量物料，先将LLDPE、EVA、与硅橡胶在开炼机上共混，共混温度为150℃，均化后制成高分子基材共混粒子，在密炼机中将高分子基材粒子与纳米级氢氧化铝和纳米级氧化铁粉体共混，共混温度为155℃～165℃，然后加入抗氧剂1010共混，共混温度165℃～175℃，均化后造粒、挤出机上成型，在Co-60辐射源或电子加速器中辐照，辐照剂量为13Mrd，(兆拉德)在150℃至160℃下利用压缩空气和机械方式扩张，然后在水中冷却定型成产品。
实施例3
一种纳米粉体复合型高分子记忆材料有以下组元按重量百分比含量组成：
线性低密度聚乙烯(LLDPE) 59.4
乙丙橡胶(EPR) 14.9
阻燃剂(FR-E) 22.3
纳米级二氧化钛 3
抗氧剂1010 0.4。
其制备方法：
按上述配方称量物料，先将LLDPE与EPR在开炼机上共混，共混温度为145℃-150℃，均化后，制成高分子基材共混粒子，在密炼机中将高分子基材粒子与纳米级二氧化钛粉体共混，共混温度为155℃～165℃，然后加入抗氧剂1010和FR-E共混、共混温度为165℃～175℃，均化后，造粒、在挤出机上成型，在Co-60辐射源或电子加速器中辐照，辐照剂量为10Mrd，在150℃至160℃下利用压缩空气和机械方式扩张，然后在水中冷却定型成产品。
实施例4
一种纳米粉体复合型高分子记忆材料有以下组元按重量百分比含量组成：
线性低密度聚乙烯(LLDPE) 15.9
氯磺化聚乙烯(CPE) 47.6
纳米级氢氧化铝 23.8
纳米级氧化锌 0.8
碳黑 11.9
其制备方法：
按上述配方称量物料，先将LLDPE、CPE在开炼机上共混，共混温度为140℃～145℃，均化后，制成高分子基材共混粒子，在密炼机中将高分子基材粒子与纳米级氢氧化铝和纳米级氧化锌粉体共混，共混温度为145℃～155℃，然后加入碳黑共混、共混温度为155℃～165℃，均化后造粒、在挤出机上成型，在Co-60辐射源或电子加速器中辐照，辐照剂量为13Mrd，在150℃至160℃下利用压缩空气和机械方式扩张，然后在水中冷却定型成产品。
实施例5
一种纳米粉体复合型高分子记忆材料有以下组元按重量百分比含量组成：
线性低密度聚乙烯(LLDPE) 54.2
乙丙橡胶(EPR) 36.2
纳米级氧化锌 5.4
纳米级碳酸钙 1.4
纳米级二氧化硅 0.5
抗氧剂1010 1.4
硬脂酸锌 0.9。
其制备方法：
按上述配方称量物料，先将LLDPE与乙丙橡胶在开炼机上共混，共混温度为140℃-155℃，均化后制成高分子基材共混粒子，在密炼机中将高分子基材粒子与纳米级氧化锌和纳米级碳酸钙，以及纳米级二氧化硅粉体共混，共混温度为155℃～165℃，然后加入硬脂酸锌和抗氧剂1010共混，共混温度为165℃～175℃，均化后，在挤出机上成型，在Co-60辐射源或电子加速器中辐照，辐照剂量为14Mrd，在150℃至160℃下利用压缩空气和机械方式扩张，然后在水中冷却定型成产品。
显而易见，上述的几个实施例仅仅是对该发明材料组成组分及重量百分含量的可选择性组合的举例说明，并不意味着对本发明的唯一限定，本专业领域的普通技术人员，完全可以根据不同应用领域进行各种不同的成分组合，以赋予该材料性能上的差异，其实现该发明地技术要点在于采用线性低密度聚乙烯粒子及纳米级金属氧化物或纳米级无机添加物所带来的积极效果。