银锡复合LED引线框架 本发明涉及一种LED引线框架的结构，特别是一种采用银锡复合的LED引线框架。
LED引线框架是制造LED发光元件的的中间产品，先制成框架后再在框架上部装上发光部件即可制成单个的LED发光元件，根据不同的用途将LED发光元件用于不同的场所。常用的LED引线框架是在整个框架镀铜的基础上再镀一层银，由于银是贵金属，生产的成本较高，银的焊接性能较差。
本发明的目的是提供一种生产成本低，焊接性能好，采用银锡复合结构的LED引线框架及其制造方法。
本发明的目的是这样实现的：一种银锡复合LED引线框架，包括工艺边1，工艺边1上均匀分布着LED引线2，在LED引线2上固定有框架中筋3，在整个框架体8外镀有铜膜4，在框架中筋3上部的铜膜4外镀有镍膜5，镍膜5外为银膜6，在框架中筋3下中的铜膜4外镀有锡膜7。
一种制造银锡复合LED引线框架地方法，通过冲压制成框架体8，框架体8包括框架中筋3和LED引线2，在框架体8上镀铜膜4铜膜4的厚度为0.5-1.5微米，然后在框架中筋上部的铜膜4外镀镍膜5，镍膜5的厚度为1.5-2.5微米，镍膜5外镀银膜6，银膜6的厚度为2.5-3.5微米；再在框架中筋3下部的铜膜外镀锡膜7，锡膜7的厚度为3.5-4.5微米。铜膜4的厚度为1微米，镍膜5的厚度为2微米，银膜6的厚度为3微米，锡膜7的厚度为4微米。
本发明所提供的银锡复合LED引线框架，由于在框架中筋下部采用了镀锡的结构，降低了生产成本，且锡的焊接性能强于银，更便于焊接。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1是本发明的结构示意图。
图2是图1的局部A的放大图。
本发明采用以下结构：一种银锡复合LED引线框架，包括工艺边1，工艺边1上均匀分布着LED引线2，在LED引线2上固定有框架中筋3，在整个框架体8外镀有铜膜4，在框架中筋3上部的铜膜4外镀有镍膜5，镍膜5外为银膜6，在框架中筋3下中的铜膜4外镀有锡膜7。
本发明的制造方法是：通过冲压制成框架体8，框架体8包括框架中筋3和LED引线2，在框架体8上镀铜膜4，铜膜4的厚度为0.5-1.5微米，然后在框架中筋上部的铜膜4外镀镍膜5，镍膜5的厚度为1.5-2.5微米，镍膜5外镀银膜6，银膜6的厚度为2.5-3.5微米；再在框架中筋3下部的铜膜外镀锡膜7，锡膜7的厚度为3.5-4.5微米。本发明的最佳镀膜厚度是铜膜4的厚度为1微米，镍膜5的厚度为2微米，银膜6的厚度为3微米，锡膜7的厚度为4微米。
实施例一：通过冲压制成框架体8，框架体8包括框架中筋3和LED引线2，在框架体8上镀铜膜4，铜膜4的厚度为0.5微米，然后在框架中筋上部的铜膜4外镀镍膜5，镍膜5的厚度为1.5微米，镍膜5外镀银膜6，银膜6的厚度为2.5微米；再在框架中筋3下部的铜膜外镀锡膜7，锡膜7的厚度为3.5微米。
实施例二：通过冲压制成框架体8，框架体8包括框架中筋3和LED引线2，在框架体8上镀铜膜4，铜膜4的厚度为1.5微米，然后在框架中筋上部的铜膜4外镀镍膜5，镍膜5的厚度为2.5微米，镍膜5外镀银膜6，银膜6的厚度为3.5微米；再在框架中筋3下部的铜膜外镀锡膜7，锡膜7的厚度为4.5微米。
实施例三：通过冲压制成框架体8，框架体8包括框架中筋3和LED引线2，在框架体8上镀铜膜4，铜膜4的厚度为1微米，然后在框架中筋上部的铜膜4外镀镍膜5，镍膜5的厚度为2微米，镍膜5外镀银膜6，银膜6的厚度为3微米；再在框架中筋3下部的铜膜外镀锡膜7，锡膜7的厚度为4微米。