光源装置及其制造方法.pdf

一种光源装置及其制造方法，能够通过在副底座(sub－mount)上设置凹槽并将发光器件结合到该凹槽中防止相互邻近的发光器件之间的光干涉，通过将发光器件侧面发出的光向光源装置的前面聚集增强散热效果和发光效率，通过穿过副底座的孔的第一电极和第二电极直接将副底座与芯座相连接以缩短处理时间和降低成本并增加可靠性，而且由于增强散热效率可延长发光器件的寿命。

1、  一种光源装置，包括：
在其一表面具有线图案电极的芯座；
副底座，设置有在其一表面具有凹槽和该凹槽内形成的通孔的主体，穿过该通孔并在该主体的一表面上形成的第一电极，在该主体的另一面形成的第二电极，从而与第一电极和线图案电极电连接，和在第一电极形成的焊料层；及
发光器件，插入该凹槽并与副底座的焊料层结合。

2、  如权利要求1所述的装置，其中在副底座上还形成反射层和绝缘层。

3、  如权利要求2所述的装置，其中在副底座上顺序形成反射层、绝缘层、第一电极和焊料层。

4、  如权利要求1所述的装置，其中凹槽的深度大于发光器件的长度。

5、  如权利要求1所述的装置，其中副底座为金属芯印刷电路板。

6、  如权利要求1所述的装置，其中发光器件为LED。

7、  如权利要求1所述的装置，其中绝缘层沉积在芯座上并且副底座与绝缘层结合。

8、  如权利要求1所述的装置，其中在凹槽内侧形成斜面以使得从发光器件侧面发出的光可集中向芯座前面。

9、  如权利要求1所述的装置，其中第一电极和第二电极在绝缘层的局部形成。

10、  如权利要求1所述的装置，其中绝缘层由AlN，ZnO，BeO，SlO₂和SiNx之一构成。

11、  如权利要求1所述的装置，其中焊料层采用可以低于400℃的熔点焊接的材料。

12、  如权利要求1所述的装置，其中焊料层Au-Sn，In，Pb，Pb-Sn和Ag-Sn之一形成。

13、  一种光源装置的制造方法，包括：
在硅衬底上以均匀的间隔形成若干凹槽；
在已形成凹槽的硅衬底上形成通孔；
在具有凹槽的硅衬底的一个表面上形成第一电极并在该第一电极上形成焊料层；
在硅衬底的另一表面上形成第二电极，第二电极穿过所述通孔并与第一电极和线图案电极电连接；
将发光器件结合到焊料层；
形成金属线构成图案的线图案电极以在芯座的一侧进行电连接；及
通过将副底座结合到芯座以致于线图案电极可与第二电极连接而完成光源装置。

14、  如权利要求13所述的方法，其中在形成凹槽和通孔的步骤中，通过体蚀刻硅衬底的一个侧面的局部形成凹槽之后，对硅衬底的一个侧面进行干蚀刻从而利用第一光刻胶、第二光刻胶和蚀刻掩膜在硅衬底上形成通孔。

15、  如权利要求14所述的方法，其中干蚀刻为深度活性离子蚀刻。

16、  如权利要求13所述的方法，其中在形成通孔的步骤之后，在硅衬底上顺序形成反射层和绝缘层。

17、  如权利要求14所述的方法，其中第一电极和第二电极在绝缘层的局部形成。

18、  如权利要求13所述的方法，其中在将发光器件结合到副底座的焊料层上的步骤中采用倒装片压焊方法。

19、  如权利要求13所述的方法，其中采用倒装片压焊方法将副底座结合到芯座上。

20、  如权利要求13所述的方法，其中光源装置用于背光单元和闪光单元。

21、  如权利要求13所述的方法，其中在凹槽内形成斜面，并且从发光器件的侧面发出的光通过沿倾斜面形成的反射层集中向芯座前面。

22、  一种光源装置的制造方法，包括：
通过对两面具有绝缘层的硅衬底的一表面进行体显微机械加工形成凹槽；
在具有凹槽和绝缘层的硅衬底的一个表面形成第一电极；
通过在硅衬底上靠近第一电极的局部进行体显微机械加工形成通孔；
在硅衬底的另一个表面形成第二电极，第二电极穿过通孔并与第一电极连接；
通过在第一电极上形成焊料层而制成副底座；
将发光器件结合到副底座的焊料层；
在芯座的一表面上形成线图案电极；
通过将第二电极电连接到线图案电极并将副底座安装到芯座上制成光源装置。

23、  如权利要求22所述的方法，其中第一电极和第二电极在绝缘层的局部形成。

24、  如权利要求22所述的方法，其中在将发光器件结合到副底座的焊料层上的步骤中采用倒装片压焊方法。

25、  如权利要求22所述的方法，其中采用倒装片压焊方法将副底座结合到芯座上。

26、  如权利要求22所述的方法，其中光源装置用于背光单元和闪光单元。

27、  一种光源装置的制造方法，包括：
通过采用体显微机械加工方法去除其两表面具有绝缘层的硅衬底的一表面的局部形成凹槽；
通过干蚀刻凹槽的局部形成通孔；
通过穿过通孔在硅衬底的一表面上形成第一电极；
在硅衬底的另一表面形成第二电极，第二电极穿过通孔并与第一电极连接；
通过在第一电极上形成焊料层制成副底座；
将发光器件结合到副底座的焊料层上；
在芯座的一表面形成线图案电极；以及
通过将第二电极与线图案电极电连接并将副底座安装到芯座上制成光源装置。

28、  如权利要求27所述的方法，其中第一电极和第二电极在绝缘层的局部形成。

29、  如权利要求27所述的方法，其中在将发光器件结合到副底座的焊料层上的步骤中采用倒装片压焊方法。

30、  如权利要求27所述的方法，其中采用倒装片压焊方法将副底座结合到芯座上。

31、  如权利要求27所述的方法，其中光源装置用于背光单元和闪光单元。

32、  一种光源装置的制造方法，包括：
通过采用体显微机械加工方法去除其两面具有绝缘层的硅衬底的一表面的局部形成凹槽并在凹槽的两侧以离凹槽一定的间隔形成通孔；
穿过通孔在硅衬底的一表面形成第一电极；
在硅衬底的另一表面形成第二电极，第二电极穿过通孔并与第一电极连接；
通过在第一电极上形成焊料层制成副底座；
将发光器件结合到副底座的焊料层上；
在芯座的一表面形成线图案电极；并
通过将第二电极与线图案电极电连接并将副底座安装到芯座上制成光源装置。

33、  如权利要求32所述的方法，其中第一电极和第二电极在绝缘层的局部形成。

34、  如权利要求32所述的方法，其中在将发光器件结合到副底座的焊料层上的步骤中采用倒装片压焊方法。

35、  如权利要求32所述的方法，其中采用倒装片压焊方法将副底座结合到芯座上。

36、  如权利要求32所述的方法，其中光源装置用于背光单元和闪光单元。

光源装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及光源装置及其制造方法，具体地说，涉及一种不仅可聚集芯座(stem)前面发出的光而不损失每个发光装置发出的光，而且通过在辅助副底座(sub-mount)形成通孔而易于将该副底座结合到芯座上的光源装置及其制造方法。
背景技术
当前经常使用的发光器件通常分为激光二极管(LD)和发光二极管(LED)。
在光通信领域Ld被广泛地用作光源，而且近来用作在光介质领域如DVD播放器、激光盘(LD)播放器、微型盘(MD)播放器等以及在光盘(CD)播放器和可再写光盘(CD-RW)播放器的领域中的重要组件。
另外，LED被广泛用于背光单元(BLU)，而且被用作位于本身不能发光的LCD板的下部并使得LCD通过发射平面光(plane light)而被识别的光源装置。
其优势在于，LED可工作在较低的电压下，由于高能效而产生较少的热量并具有长的使用寿命。
图1所示为传统的发光器件的纵向剖面图，而图2所示为传统的光源装置的纵向剖面图。
如图1所示，传统的发光器件10以这种方式构成，通过化学气相沉积(CVD)方法将缓冲层12、n-接触层13、活性层14以及p-接触层15顺序沉积在蓝宝石、n-GaAs或其它衬底11上。
在p-接触层15的上表面上形成电流喷涂层(current sprayinglayer)16。与p-接触层15和电流喷涂层16电连接的p-电极17在电流喷涂层16的上表面上形成。接着，在n-接触层13的暴露部分的上表面上形成n-电极18。
如图2所示，在传统的光源装置40中，采用引线接合法将发光器件10结合到副底座20上，并将副底座20结合到芯座30上。此时，发光器件10的P-电极17通过引线17a与副底座20的电极21相连接以施加外部电源，而副底座20的电极21通过另一条引线22与芯座30的电极31相连接。由于n-电极18具有与p-电极17相同的结构，因此省略对n-电极18的连接结构的描述。
下面将对具有这种结构的传统光源装置的工作过程进行描述。
如图1和2所示，当电压加到芯座30的电极31上时，电流通过引线17a和22加到p-电极17和n-电极18上。
此时，空穴和电子分别注入到p-电极17和n-电极18上。所注入的空穴和电子被引入到p-接触层15和n-接触层13，然后在活化层14中重新结合。此时，额外能量变成发出的光。
但是，由于传统的光源装置通过以芯片形式将发光器件直接连接在芯座上来使用发光器件，需要印刷电路板、精密的引线接合工序，并因此降低了可靠性。
另外，在发光器件连接到副底座上，然后再将副底座连接到芯座上的光源装置的情况下，相互邻近的发光器件之间产生光干涉，或者从发光器件的侧面发出的光不能集中到芯座前面，而是向各个方向扩散，因而降低了发光效率。
另外，由于采用引线接合方法将副底座与芯座电连接以提供外部电源，不合格率高，由于引线的原因难以与其他组件的处理兼容，处理时间长且产品可靠性下降。
而且，由于发光器件产生的热通过副底座传导到芯座，产热延迟从而缩短发光器件的寿命。装配工作和生产率下降。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种光源装置及其制造方法，可通过在副底座上形成凹槽并将发光器件安装到该凹槽中防止相互邻近的发光器件之间的光干涉，并且通过将发光器件侧面发出的光集中朝向芯座前面增强散热效果和发光效率。
本发明的另一个目的是提供一种通过倒装片压焊方法将副底座结合到芯座上而提高可操作性并改善生产率的光源装置及其制造方法。
为获得这些和其他的优点并根据本发明的目的，在此予以具体而广泛地描述，所提供的光源装置包括：在其一表面具有线图案电极的芯座；副底座，设置有在其一表面具有凹槽和在该凹槽内形成的通孔的主体，穿过该通孔并在该主体的一表面形成的第一电极，在该主体的另一面形成以与第一电极和线图案电极进行电连接的第二电极，和在第一电极上形成的焊料层；以及发光器件，插入该凹槽并与副底座的焊料层结合。
更适宜地，凹槽的深度相对地大于发光器件的高度(长度)。
更适宜地，该芯座是MC PCB(金属芯印刷电路板)，而发光器件为LED。
绝缘层沉积在芯座上，而副底座与绝缘层结合。
在凹槽内部形成斜面以使得从发光器件侧面发出的光可向芯座前面聚集。
同时，为获得这些和其他的优点并根据本发明的目的，在此予以具体而广泛地描述，所提供的光源装置的制造方法包括：在硅衬底上以均匀的间隔形成若干凹槽；在形成凹槽地硅衬底上形成通孔；在具有凹槽的硅衬底的一个表面上形成第一电极并在该第一电极上形成焊料层；在硅衬底的另一表面形成第二电极以使得第二电极可穿过所述通孔并与第一电极和线图案电极电连接；将发光器件结合到焊料层；形成金属线构成图案的线图案电极以在芯座的一侧进行电连接；并通过将各个副底座结合到芯座以致于线图案电极可与第二电极连接而制成光源装置。
在形成凹槽和通孔的步骤中，通过体蚀刻硅衬底的一面的局部形成凹槽之后，利用第一光刻胶、第二光刻胶和蚀刻掩膜将硅衬底进行干蚀刻从而在硅衬底上形成通孔。
在形成通孔的步骤完成之后，在硅衬底上顺序形成反射层和绝缘层。
在凹槽内形成倾斜面，并且从发光器件的侧面发出的光通过形成沿倾斜面形成的发射面向芯座前面聚集。
通过结合附图对本发明进行详细的描述，本发明的前述的和其他的目的、特点、特性和优点将更加明显。
附图说明
附图被包括用以进一步理解发明并与说明书结合且作为说明书的一部分，对本发明的实施例子以描述并与说明书一起用于说明本发明的原理。
图1所示为传统的发光器件的纵向剖面图；
图2所示为传统的光源装置的纵向剖面图；
图3为根据本发明的第一实施例的光源装置的副底座和发光器件的分解透视图；
图4为根据本发明的第一实施例的光源装置的分解透视图；
图5为根据本发明的第一实施例的光源装置的分解透视图；
图6至图13为根据本发明的第一实施例的光源装置的制造方法的顺序处理过程；
图14至图17为根据本发明的第二实施例的光源装置的制造方法的顺序处理过程；
图18至图22为根据本发明的第三实施例的光源装置的制造方法的顺序处理过程；
图23至图26为根据本发明的第四实施例的光源装置的制造方法的顺序处理过程；
具体实施方式
下面将详细描述本发明的优选实施方式，附图中所示出的为其实例。
下文中，将对根据本发明的光源装置及其制造方法予以如下详细描述。
图3为根据本发明的第一实施例的光源装置的发光器件和副底座的分解透视图，图4为根据本发明的第一实施例的光源装置的分解透视图，图5为根据本发明的第一实施例的光源装置的透视图。
如图所示，根据本发明的第一实施例的光源装置100包括：在其一表面具有线图案电极111的芯座110；副底座120，设置有在其一表面具有凹槽121a和该凹槽121a内形成的通孔122的主体121，穿过该通孔122并在该主体121的一表面形成的第一电极125，在该主体121的另一面形成以与第一电极125和线图案电极111电连接的第二电极127，和在第一电极125上形成的焊料层129；和发光器件130，插入该凹槽121a中并与副底座120的焊料层129结合。
更适宜地，在形成第一电极125之前在副底座120上顺序形成反射层123和绝缘层126。
另一方面，对于层叠反射层123和绝缘层126的顺序，在第一电极125和第二电极127相互电连接的结构中可顺序形成绝缘层126和反射层123。
在此，第一电极125和第二电极127优选在绝缘层126的局部形成。
根据本发明的第一实施例的光源装置100可通过在副底座120的一表面形成凹槽121a以使得在副底座120上安装发光器件130和形成反射层123，将发光器件130的侧面以及前面发出的光发送向芯座110的前面而提高发光效率。另外，副底座120变得与在副底座120上形成的凹槽121a一样薄，从而有利于发光器件130散热。
采用蒸汽淀积法或抬升法(lift off method)形成反射层123，并优选采用具有高反射系数的材料，如Ag或Al。
任何具有绝缘性的材料可作为绝缘层126的材料，但优选通过喷涂法或蒸汽淀积法采用AlN，ZnO，BeO，SlO₂和SiNx之一。
更适宜地，焊料层129采用可以低于400℃的熔点焊接的材料，如Au-Sn，In，Pb，Pb-Sn或Ag-Sn。
更适宜地，凹槽121a的深度(D)相对地大于发光器件130的高度(或长度)。
也就是，只有当凹槽121a的深度(D)相对地大于发光器件130的高度(或长度)时，从发光器件130侧面发出的光不扩散而是从反射层123反射，因此可聚向芯座110的前面。
在凹槽121a内形成倾斜面121b以致于从发光器件130侧面发出的光可聚向芯座110前面，而反射层123沿倾斜面121b沉积。
绝缘层112沉积在芯座110上而副底座120与绝缘层112结合，从而绝缘层112使得芯座110与副底座120绝缘。
芯座110优选由具有优良的散热特性的MC PCB(金属芯印刷电路板)制成。MC PCB快速吸收发光器件130产生的热并散热。从而使得发光器件130均匀地发光并延长发光器件130的寿命。
根据本发明的第一实施例的光源装置通过两电极相互面对并结合的倒装片压焊方法具有发光器件130与副底座120结合而副底座120与芯座110结合的结构。
换句话说，在副底座120的主体121的中心形成通孔122，在主体121的一个表面形成第一电极125，而与第一电极125并同时与线图案电极111相连接的第二电极127在主体121的另一表面形成，因而副底座120可采用倒装片压焊方法而不采用引线接合法方便地与芯座110连接。
下面将描述具有这种结构的根据本发明的第一实施例的光源装置的操作。
如图3至5所示，当电压加到芯座100的线图案电极111上时，电流通过第二电极127和第一电极125通到发光器件130。
此时，通过电极131注入的空穴和电子在发光器件130的活化层(未示出)重新结合。此时，额外的能量变成光发出。
此时，由于发光器件130安装到凹槽121a中，相互邻近的发光器件130之间的光干涉可有效防止。
另外，由于反射层123，从发光器件130的侧面发出的光象前面发出的光一样不会扩散而是聚向芯座110的前面，从而提高发光器件的发光效率。
另外，由于第一电极125通过在副底座120的凹槽121a中形成的通孔122与第二电极127相连接，副底座120采用倒装片压焊方法易于与芯座110结合，从而利用组装程序并提高生产率。
同时，根据本发明的光源装置的制造方法包括：在硅衬底120’上以均匀的间隔形成若干凹槽121a；在形成凹槽121a的硅衬底120’上形成通孔122；在具有凹槽121a的硅衬底120’的一个表面上形成第一电极125并在该第一电极125上形成焊料层129；在硅衬底120’的另一表面形成第二电极127，第二电极127穿过所述通孔122并与第一电极125和线图案电极111连接；将发光器件130结合到焊料层129；形成金属线构成图案的线图案电极111以使得在芯座110的一侧进行电连接；并通过将各个副底座120结合到芯座110以使得线图案电极111可与第二电极127连接而制成光源装置100。
下面将详细描述根据第一实施例的光源装置的制造方法。
首先，如图6至7，采用蚀刻掩膜(M)在硅衬底120’的一个表面上以均匀的间隔形成若干凹槽121a之后，去除蚀刻掩膜(M)。此时，在凹槽121a中形成倾斜面121b。
接着，如图8所示，采用第一光刻胶(R1)、第二光刻胶(R2)以及蚀刻掩膜(未示出)对硅衬底120’进行干蚀刻从而形成通孔122。
在此，优选深度活性离子蚀刻用于干蚀刻。
优选在形成通孔的步骤完成之后，形成绝缘层126以使得硅衬底120’与第一电极125和之后形成的第二电极127电绝缘。另外，形成反射层以将发光器件130的前面和侧面产生的光聚向芯座110前面。
接着，如图10所示，在形成凹槽121a的硅衬底120’的一表面形成第一电极125，并在该第一电极125上形成焊料层129。此时，优选在绝缘层126的局部形成第一电极125。
采用Au-Sn，In，Pb，Pb-Sn之一作为焊料层129以使得发光器件130的电极131与第一电极125电连接。
另外，如图11所示，通过翻转硅衬底120’，通过通孔122在硅衬底120’的另一表面形成第二电极127以与第一电极125电连接。
其次，如图12所示，按照副底座120单元切割硅衬底120’之后，发光器件130在焊料层29适当地定位并通过热处理与焊料层29结合。在此，采用倒装片压焊方法将发光器件130结合到副底座120上。
另一方面，在结合发光器件130，图中未示出，未形成焊料层29时，采用如Au栓结合方法将发光器件130结合到第一电极，之后可按照副底座120单元切割硅衬底。
接着，如图13所示，在芯座110的一表面形成线图案电极111后，采用倒装片压焊方法将副底座120结合到芯座110上。以使得线图案电极111与第二电极127电连接，从而制成光源装置100。
所制成的光源装置100不仅由于发光器件130发出的光不会扩散而是聚向芯座110的前面，而具有极佳的发光效率，，而且由于发光器件130产生的热不绕过副底座120而是直接传送到芯座110，之后再辐射，而具有很高的散热效率，因此可延长发光器件130的寿命。因而，光源装置100可高效地用于背光单元和闪光单元。
同时，图14至图17为根据本发明的第二实施例的光源装置的制造方法的顺序处理过程。
如图所示，根据本发明的第二实施例的光源装置的制造方法包括：通过对两面具有绝缘层226的硅衬底220’的一表面进行体显微机械加工形成凹槽221a；在具有凹槽221a和绝缘层226的硅衬底220’的一个表面形成第一电极225；通过对硅衬底220’上靠近第一电极225的部分进行体显微机械加工形成通孔222；在硅衬底220’的另一个表面形成第二电极227，第二电极227穿过通孔222并与第一电极225连接；通过在第一电极225上形成焊料层229而制成副底座220；将发光器件230结合到副底座220的焊料层290；在芯座210的一表面上形成线图案电极211；及通过将第二电极227电连接到线图案电极211并将副底座220安装到芯座210上制成光源装置。
如图14所示，在根据本发明的第二实施例的光源装置的制造方法中，通过对两面具有绝缘层226的硅衬底220’的一表面进行体显微机械加工形成安装发光器件230的凹槽221a，并在具有凹槽221a和绝缘层226的硅衬底220’的一个表面形成第一电极225。
接着，如图15所示，在对硅衬底220’进行体显微机械加工形成通孔222之后，在硅衬底220’的另一个表面形成第二电极227，以使得第二电极227穿过通孔222与第一电极225连接。在此，第二电极227优选在绝缘层226的局部形成。
其后，如图16所示，通过在第一电极225上形成焊料层229制成副底座220。
其后，如图17所示，在通过采用倒装片压焊方法将发光器件230结合到副底座220的焊料层229上之后，通过将第二电极227与线图案电极211电连接，采用倒装片压焊方法将副底座220安装到具有线图案电极211和绝缘层212的芯座210上，因此制成光源装置200。
同时，图18至图22为根据本发明的第三实施例的光源装置的制造方法的顺序处理过程。
如图所示，根据本发明的第三实施例的光源装置的制造方法包括：通过体显微机械加工方法去除其两面具有绝缘层326的硅衬底320’的一表面的局部形成凹槽321a；通过干蚀刻凹槽321a的局部形成通孔322；经过通孔322在硅衬底320’的一表面形成第一电极325；在硅衬底320’的另一表面形成第二电极327，第二电极327穿过通孔322与第一电极325连接；通过在第一电极325上形成焊料层329制成副底座320；将发光器件330结合到副底座320的焊料层329上；在芯座310的一表面形成线图案电极311；通过将第二电极327与线图案电极311电连接并再将副底座320安装到芯座310上制成光源装置300。
如图18所示，在根据本发明的第三实施例的光源装置的制造方法中，通过采用体显微机械加工方法去除其两面具有绝缘层326的硅衬底320’的一表面的局部从而形成凹槽321a，这里，所形成的凹槽321a用于方便地形成将在后面进行描述通的孔322。
其后，如图19所示，通过干蚀刻凹槽321a的局部形成通孔322。
其后，如图20所示，通过穿透通孔322在硅衬底320’的一个表面形成第一电极325。
其后，如图21所示，在硅衬底320’的另一个表面形成第二电极327，以使得第二电极327穿过通孔322与第一电极325连接后，通过在第一电极325上形成焊料层329制成副底座320。
其后，如图22所示，采用倒装片压焊方法将发光器件330结合到副底座320的焊料层329上。之后，通过将第二电极327与线图案电极311电连接，采用倒装片压焊方法将副底座320安装到在其一个表面具有线图案电极311和绝缘层312的芯座310上制成光源装置300。
所制成的光源装置300可用于背光单元和闪光单元。
同时，图23至图26为根据本发明的第四实施例的光源装置的制造方法的顺序处理过程。
如图所示，根据本发明的第四实施例的光源装置的制造方法包括：通过采用体显微机械加工方法去除其两面具有绝缘层426的硅衬底420’的一表面的局部形成凹槽421a并在凹槽421a的两侧以离凹槽421a一定的间隔形成通孔422；穿过通孔422在硅衬底420’的一表面形成第一电极425；在硅衬底420’的另一表面形成第二电极427，第二电极427穿过通孔422与第一电极425连接；通过在第一电极425上形成焊料层429制成副底座420；将发光器件430结合到副底座420的焊料层429上；在芯座410的一表面形成线图案电极411；及通过将第二电极427与线图案电极411电连接并将副底座420安装到芯座410的一表面上制成光源装置400。
在根据本发明的第四实施例的光源装置的制造方法中，采用体显微机械加工方法去除其两端具有绝缘层426的硅衬底420’的一表面的局部从而形成凹槽421a，之后在凹槽421a的两侧离凹槽421a一定的间隔处形成通孔422。
其后，如图24所示，通过穿透通孔422在硅衬底420’的一个表面形成第一电极425。此时，第一电极425从通孔422的部分延伸到凹槽421a。
其后，如图25所示，在硅衬底420’的另一个表面形成第二电极427，以使得第二电极427穿过通孔422与第一电极425连接。在第一电极425上形成焊料层429从而制成副底座420。
其后，如图26所示，采用倒装片压焊方法将发光器件430结合到副底座420的焊料层429上。之后，通过将第二电极427与线图案电极411电连接，副底座420安装到在其一个表面具有线图案电极411和绝缘层412的芯座410上，从而制成光源装置400。
所制成的光源装置400可有效地用于背光单元和闪光单元。
至此如上所述，在本发明中，通过在副底座上形成凹槽并将发光器件安装到该凹槽中可防止相互邻近的发光器件之间产生的光干涉，并且通过将发光器件侧面发出的光聚向光源装置的前面提高发光效率。
另外，通过在副底座的凹槽中形成通孔并通过第一电极和穿过通孔的第二电极直接将副底座与芯座相连接使得处理时间和消耗降低，可靠性增加而且散热效率提高。
由于本发明在不脱离其实质或必要特征的前提下可以多种形式实施的，可以理解上述实施例不限于前述的详细描述，除非特别说明，而可在附后的权利要求所确定的实质和范围内广泛解释，因此，所有落入该权利要求界定的范围或其等同范围内的变更和修改也将包含在所附权利要求中。