去耦电容的表面安装焊料方法和设备及制造过程 【技术领域】
本发明的实施例涉及改进型去耦电容的表面安装焊料方法和设备。
背景信息
相关技术描述
功率传递在微电子设备的设计和操作中是极为重要的。当微电子设备为处理器或专用集成电路(ASIC)时，足够的电流传递、稳定的电压以及可接受的处理器瞬态响应都是整个微电子设备组期望的特性。响应处理器瞬态的方法之一就是将高性能电容器置于尽可能靠近处理器的位置以缩短瞬态响应时间。虽然大容量和高性能的电容器对于响应处理器瞬态是较佳的，但是该电容器要占据紧邻处理器的空间。这可能包含切去板或插口的一部分以留出电容器的空间。板中的挖切是导致整个设备组尺寸增加的因素，这同小型化的趋势是相背离的。挖切也是导致设备组回路电感路径增加的因素，这会对微电子设备的性能产生负面影响。
回路电感路径通常是使设备组的电抗复杂化的旋绕路径。图11描述了现有的系统10，它包括衬底12和包含电子部件26的顶结构24。去耦电容器30安装在衬底12上。旋绕电流路径64沿着电容器30、电子部件26并回到电容器30。将旋绕路径64或旋绕电感回路定义为以第一部件前方向66并以实质反向地第二部件前方向68流动的电流。“部件前”意为电流旋绕的电流回路路径64的这部分电流的整体或部分都未通过部件26，但其流动方向已反向。也将旋绕路径定义为以第一部件后方向70并以实质反向的第二部件后方向72流动的电流。“部件后”意为旋绕电流回路路径64的这部分电流的整体或部分都未通过部件26，但其流动方向同样已反向。这样的电流反向产生了对性能有害的复杂电感。
附图简述
为了理解获取本发明实施例的方式，将参照附图给除以上简要描述的本发明各实施例的更特定描述。理解了这些附图仅仅描述了本发明的典型实施例而不是描述了必要的尺度，也并不将其考虑为对本发明范围的限制，通过使用附图将描述了本发明实施例的附加特性和细节，其中：
图1是根据一实施例的系统的正面剖视图；
图2是根据一实施例的另一系统的正面剖视图；
图2A是沿着线2A取得的图2的详细截面；
图3是根据一实施例的又一系统的正面剖视图；
图4是沿着截面线4-4取得的图1所示衬底的俯视图；
图5是沿着截面线4-4取得的图1所示衬底的替换俯视图；
图5A是图1所示衬底112的另一替换俯视图；
图6是根据一实施例的另一系统的正面剖视图；
图7是根据一实施例的又一系统的正面剖视图；
图8是根据一实施例的另一系统的正面剖视图；
图9是根据一实施例的又一系统的正面剖视图；
图10是根据一实施例的又一系统的正面剖视图；
图11是现有系统的正面剖视图；
图12是根据一实施例的方法流程图。
详细描述
以下描述包含各种术语，如上、下、第一、第二等，它们仅仅是用于说明性的目的，而并不形成限制。这里所描述的本发明设备或物品的实施例可以按众多位置和方向制造、使用或载送。术语“模具”和“处理器”一般指作为通过各工艺操作而转变成期望的集成电路设备的基本工件的物理对象。部件通常是由在集成处理之后从晶片分割的半导体材料制造的成组模具。晶片可由半导体材料、非半导体材料或半导体和非半导体材料的组合制造。
现在将参考附图，其中相似的结构具有相似的标号。为了最清楚地示出本发明实施例的结构，这里包括的附图是创造性特点的图面表示。这样，所制造结构的实际外观(如在显微照片中的)仍旧结合本发明实施例的必要结构而可能出现不同。此外，附图仅仅示出对于理解本发明实施例必要的结构。而对于本领域已知的其他结构则不包括在内以保持附图的清楚。
图1是根据一实施例的系统110的正截面图。系统110涉及去耦电容器系统。系统110包括衬底112和附着于衬底第一焊盘116的电气第一凸起114。
在一个实施例中，衬底112是用于数字计算机、电子设备等的母板。在另一实施例中，衬底112是用于诸如手持个人数字助理(PDA)等专用设备的主板。在一个实施例中，衬底112是用于无线设备等的板。
电气第一凸起114通常是包括顶端118和底端120的高熔点焊料。由低熔点焊料122将电气第一凸起114附着于衬底第一焊盘116。电气第一凸起114和低熔点焊料122可以都是包含铅的焊料或实质无铅的焊料。“实质无铅的焊料”意为根据工业趋势将焊料设计为不含有铅。含铅焊料的例子包括锡铅焊料。在可选实施例中，含铅焊料是诸如来自Sn97Pb的锡铅焊料组合物，可用于安装在衬底上的顶结构124的一种锡铅焊料组合物是Sn37Pb组合物。在任意情况下，含铅焊料可以是包含SnxPby的锡铅焊料，其中x+y的总数为1，而x的范围从约0.3到约0.99。在一个实施例中，用于电气第一凸起114的含铅焊料是Sn97Pb的锡铅焊料组合物，而较低熔点焊料122是Sn37Pb的锡铅焊料组合物。
顶结构124置于电气第一凸起114的顶端118。在一个实施例中，顶结构124包括诸如处理器、ASIC等的电子部件126。在一个实施例中，顶结构124包括支持电子部件126的电源插座128。在一个实施例中，顶结构124包括可与电子部件和/或电源插座连接的插入机构(一般也示为标号128)。在一个实施例中，顶结构124包括电子部件、电源插座以及插入机构中至少两个的组合。替换地，顶结构124是不具有电源插座等或不具有插入结构等或两者都没有的成组电子部件。
去耦电容器130置于衬底112之上并实质邻近电气第一凸起114。电容器130包括电源或Vcc端子132以及地或Vss端子134。“实质邻近”意为电容器130和电气第一凸起114电气接触于电源端子132或附近。在另一实施例中，“实质邻近”意为没有结构比电容器130的电源端子132在侧向上更靠近电气第一凸起114。在又一实施例中，“实质邻近”意为去耦电容器置于邻近电气第一凸起114处范围在电气第一凸起114的约一个侧直径(在X方向上)内。
在一个实施例中，电容器130置于电子部件126之下并实质沿着在X方向上平分电子部件126的对称线136居中。特别是，电容器130置于电气第一凸起114和实质邻近地端子134的电气第二凸起138之间。电气第二凸起138附着于衬底第二焊盘140。类似于电气第一凸起114，电气第二凸起138通常是包括顶端142和底端144的高熔点焊料。由低熔点焊料122将电气第二凸起138附着于衬底第二焊盘140。
电气第一凸起114包括从衬底第一焊盘116或附近开始并在顶结构附近终止的第一特定纵向尺寸(在Z方向上)。电气第二凸起138包括实质等于电气第一凸起114的第一特定纵向尺寸的第二特定纵向尺寸。电容器130包括从衬底第一焊盘116或附近开始并终止于顶结构124之下的第三特定纵向尺寸。在一个实施例中，提供电容器130和与电子部件126有关的至少一个其他电容器(未画出，但可在图1平面之上或之下)并联。
图1示出了其它电气凸起146和148。在一个实施例中，其它电气凸起146和148是电子部件126的附加电源和地焊盘。在图1所述的一实施例中，示出电源平面150和地平面152在衬底112内。而没有示出其它电气凸起146和148连接于电源平面150或地平面150并由此用于对电子部件126的数据和控制信令。
图1示出了简化电气路径。给定电位(Vcc)处的电流从电源平面150传递到电气第一凸起114。在由电子部件126中瞬态负载引起的适当瞬态条件下，电源还通过电容器130的电源端子并继续通过向电子部件126提供电源的回路转向子路径154(一般描述)。随后，地电流从回路转向子路径154传递到电气第二凸起138以及电容130的地端子134。
该简化路径具有各个特点。一个特点就是电流回路比传统的要短，达到短大约15倍的水平。在另一实施例中，电流回路比传统的要短，达到短大约40倍的水平。另一特点就是在衬底112中不需要任何附加的导电材料，而在传统应用中是需要的。还有一个特点就是DC路径和AC路径是相同的。
图1描述了椭圆形的电气第一凸起114和电气第二凸起138，每个凸起的高宽比(高∶宽)大于1。在一个实施例中，有了高宽比大于1的电气凸起就可以增加间隔156，衬底112和顶结构124之间的净测量值，虽然高宽比实质上可以等于1。当选择高性能的电容器时，它可以具有小于电气第一凸起114的第一特定纵向尺寸的第三特定纵向尺寸。
示出间隔156是基于电气第一凸起114和电气第二凸起138的高宽比而实现的。虽然在图1(以及图2-3和6-10)的每个电耦合处描述了高熔点焊料，但是应该注意，在一个实施例中，不是所有电耦合都具有高熔点焊料。在一个实施例中，至少一个包括电容器(如图1所示的电容器130)的电耦合不包括高熔点焊料。在另一实施例中，只有环形电耦合包括高熔点焊料。在另一实施例中，诸如分组或交互电耦合的散置电耦合包括高熔点焊料。通过该实施例非限制性的例子，环绕诸如衬底112的衬底周围对高熔点焊料进行交替分布。在另一实施例中，至少一个邻近电容器的电耦合(如图1中的电气凸起146和148)具有高熔点焊料，而接触电容器130的电耦合没有。在另一实施例中，根据允许维持间隔156的特定应用，将高熔点焊料分布于小于总数量的所选电耦合。在另一实施例中，部分电容器共享电耦合具有高熔点焊料。如图所示，一个实施例中在每一电耦合处都包括高熔点焊料。
在一般的实施例中，选择将去耦电容器安装在衬底上还是安装在顶机构上受一些其它因素影响，如瞬态时间响应，di/dt、电容器结构和其所安装的结构之间热膨胀的不同以及它们的组合。
图2是根据本发明一实施例的另一系统210的正面剖视图。图2中所示的去耦电容器系统210类似于图1所示的去耦电容器系统110。在一些实施例中，将电容器230置于顶结构224上而不是衬底212上。这样使得在足够间隔256允许的情况下电容器230更接近于电子部件226。
图2A是沿着线2A取得的图2的详细截面。图2A描述了一替换实施例。与图2中的电容器230不同，图2A中的电容器230已经安装于焊料222中并具有电容器间隔231，从而电容器230没有直接与插座228的下侧接触。电容器间隔231考虑了更多的热膨胀差异，因为电容器230实质悬挂于较软焊料222中。类似于图1所示的结构，本结构包括衬底112、电气第一凸起214。通过低熔点焊料222将电气第一凸起214附着于衬底第一焊盘216。顶结构224包括支持电子部件(未画出)的电源插座228。去耦电容器230置于衬底212之上并实质邻近电气第一凸起214。电容器230包括电源或Vcc端子232和地或Vss端子234。“实质邻近”意为电容器230和电气第一凸起214在电源端子232处或附近电耦合。电气第二凸起238与Vss端子234通过焊料222耦合。
通过具有电容器间隔231的实施例的揭示，应该注意，该实施例是用于该揭示所描述的每一结构的替换实施例。
图3是根据一实施例的又一系统310的正面剖视图。图3中所示的去耦电容器系统310类似于图1所示的去耦电容器系统110以及图2所示的去耦电容器系统210。在图3所示的实施例中，将电容器330置于顶结构324和衬底312上。与图1和2所示的电容器相比较，电容器230有更大的放电量，但其具有对于电子部件326的瞬态，di/dt，更慢的响应时间。在一个实施例中，通过去耦电容器系统310的间隔356限制电容器330的特定纵向尺寸。
图4是沿着截面线4-4取得的图1所示衬底的俯视图。沿着图1的截面线4-4的图像就是在图4的截面线A-A’处看到的图像。衬底112包括与电气第一凸起114(参考图1)接触的衬底第一焊盘116，并且还包括与电气第二凸起138(参考图1)接触的衬底第二焊盘140。应该注意，衬底第一焊盘116和衬底第二焊盘140的一端的外周配置为适合凸起的实质圆形的形状，而在相对端的外周配置为适合电容器的实质矩形的形状。
仍旧参照图4，还示出了多个数据/控制焊盘158。图4以虚线的外周示出了电容器130的轮廓。图4以虚线的外周示出了另一电容器的轮廓130’。电容器130’出现在图1的图面以下。如所示，衬底第一焊盘116适合电气第一凸起114(参照图1)以及电容器130的电源端子132(参考图1)两者。因此，存在一个包括衬底第一焊盘116(耦合于Vcc)的物品实施例，该衬底第一焊盘116包括具有电气第一凸起114(耦合于Vcc)的形状或轮廓特点的第一区域以及具有电源端子132的形状或轮廓特点的第二区域。
在一个实施例中，较佳地，将多个Vcc源连在一起作为焊盘并将多个Vss源连在一起作为焊盘，现在参照图5来讨论这个方面。
图5是沿着截面线4-4取得的图1所示衬底112的替换俯视图。图5中衬底112的图像类似于图3中衬底112的图像。沿着图1的截面线4-4所的图像就是图5的截面线B-B’处的图像。衬底112包括与电气第一凸起114(参考图1)接触的衬底第一焊盘116，并且还包括与电气第二凸起138(参考图1)接触的衬底第二焊盘140。仍旧参照图5，还示出了多个数据/控制焊盘158。图5以虚线的外周示出了电容器130的轮廓。图5以虚线的外周示出了另一电容器的轮廓130’。电容器130’出现在图1的图面以下。如所示，衬底第一焊盘116适合电气第一凸起114(参照图1)以及电容器130的电源端子132(参考图1)。
图5A是沿着截面线4-4取得的图1所示衬底112的另一替换俯视图。图5A中衬底112的图像是包括与电气第一凸起114(参考图1)接触的衬底第一焊盘116的特写，其中还包括与电气第二凸起138(参考图1)接触的衬底第二焊盘140，虽然其形状有所不同。图5A以虚线的外周示出了电容器130的轮廓。图5A以虚线的外周示出了另一电容器的轮廓130’。电容器130’出现在图1的图面以下。图5A以虚线的外周示出了另一电容器的轮廓130”。电容器130”出现在图1的图面以下。如所示，衬底第一焊盘116适合电气第一凸起114(参照图1)以及电容器130的电源端子132(参考图1)。
在一个实施例中，在衬底和顶结构之间沿X方向配置若干电容器以对电子部件进行服务，现在参照图6来讨论这个方面。
图6是根据一实施例的另一系统610的正截面。系统610涉及去耦电容器系统。系统610包括衬底612和附着于衬底第一焊盘616的电气第一凸起614。
在一个实施例中，衬底612是用于数字计算机、电子设备等的母板。在另一实施例中，衬底612是用于诸如手持个人数字助理(PDA)等专用设备的主板。在一个实施例中，衬底612是用于无线设备等的板。
电气第一凸起614通常是包括顶端618和底端620的高熔点焊料。由低熔点焊料622将电气第一凸起614附着于衬底第一焊盘616。电气第一凸起614和焊料可以都是含铅焊料或实质无铅的焊料。
顶结构624置于电气第一凸起614的顶端618。在一个实施例中，顶结构624包括诸如处理器、ASIC等的电子部件626。在一个实施例中，顶结构624包括支持电子部件626的电源插座628。在一个实施例中，顶结构624包括可与电子部件和/或电源插座连接的插入机构(一般也示为标号628)。在一个实施例中，顶结构624包括电子部件、电源插座以及插入机构中至少两个的组合。替换地，顶结构624是不具有电源插座等或不具有插入结构等或两者都没有的成组电子部件。
第一电容器630A置于衬底612之上并实质邻近电气第一凸起614。电容器630A包括电源或Vcc端子632A以及地或Vss端子634A。“实质邻近”意为电容器630A和电气第一凸起614电气接触于电源端子632A。在另一实施例中，“实质邻近”意为没有结构比电容器630A的电源端子632A更靠近电气第一凸起614。在又一实施例中，“实质邻近”意为电容器置于邻近电气第一凸起范围在电气第一凸起的约一个侧直径(在X方向上)内。
在一个实施例中，电容器630A是在电子部件626之下成阵列的多个电容器630A、630B和630C中之一，该阵列实质沿着在X方向上平分电子部件626的对称线636居中。在该实施例中，当三个电容器630A、630B和630C在电子部件626之下成阵列时，电容器630B由对称线636平分，而电容器630A和630C通过对称线636隔开而彼此相对。
电容器630A置于电气第一凸起614和实质邻近地端子634A的电气第二凸起638之间。电气第二凸起638附着于衬底第二焊盘640。类似于电气第一凸起614，电气第二凸起638通常是包括顶端642和底端644的高熔点焊料。由低熔点焊料622将电气第二凸起638附着于衬底第二焊盘640。
电气第一凸起614包括从衬底第一焊盘616或附近开始并在顶结构624附近终止的第一特定纵向尺寸(在Z方向上)。电气第二凸起638包括实质等于电气第一凸起614的第一特定纵向尺寸的第二特定纵向尺寸。电容器630A、630B和630C包括从衬底第一焊盘616或附近开始并终止于顶结构624之下的第三特定纵向尺寸。在一个实施例中，提供电容器630A、630B和630C与电子部件626并联。此外，在一个实施例中，其他电容器可在图面之上或之下或两者兼而有之。
图6示出了其它电气凸起646、648、660和662。对于电气第一凸起614和电气第二凸起638，电气凸起660和662分别表示第三和第四凸起。在该实施例中，电气凸起646和648是用于电子部件626的数据/控制信号凸起。电源平面(未画出)和地平面(未画出)连同附加电气凸起646和648的信号平面(未画出)也在衬底612内。
图6的说明描述了电气第一凸起614、电气第二凸起638、电气第三凸起660和电气第四凸起662，其为椭圆形，每个凸起的高宽比(高∶宽)大于1。在一个实施例中，有了高宽比大于1的电气凸起就可以增加间隔656，虽然高宽比实质上可以等于1。当选择高性能的电容器时，它可以具有小于电气第一凸起614的第一特定纵向尺寸的第三特定纵向尺寸。
在图6的实施例中，所有去耦电容器置于衬底612之上。当可采用将所有去耦电容器置于顶结构624之上时，使用类似于图7所示的系统，如下所述。
图7是根据一实施例的又一系统710的正面剖视图。在图7中，系统710包括衬底712和顶结构724。置于衬底712之上的是电气第一凸起714、电气第二凸起738、电气第三凸起760和电气第四凸起762。电容器730A置于电气第一凸起714和电气第二凸起738之间的顶结构724上。电容器730B置于电气第二凸起738和电气第三凸起760之间的顶结构上。类似地，电容器730C置于电气第三凸起760和电气第四凸起762之间的顶结构上。将电容器730A、730B和730C的位置更靠近电子部件726可以达到使得电容器瞬态负载响应更快速的效果。
虽然图6和7的实施例描述了X方向上三个电容器，但是其他实施例包括在X方向上线性排列的两个电容器的实施例以及在X方向上线性排列的多于三个电容器的实施例。另外的实施例在图面上和/或下设置更多的电容器。
根据另一实施例，电容器的组合的一部分置于衬底上，一部分置于顶结构，现在参照图8描述该特点。
图8是根据一实施例的另一系统810的正面剖视图。系统810涉及去耦电容器系统。系统810包括衬底812和包括电子部件826的顶结构824。系统810示出了电容器830A、830B、830C、830D和830E的组合。电容器830A、830B、830C置于衬底812上，而电容器830D和830E置于顶结构824上。在一个实施例中，电容器830A、830B、830C具有第一电容和第一响应时间，而电容器830D和830E具有大于第一电容的第二电容。在另一实施例中，电容器830D和830E具有慢于第一响应时间的第二响应时间。
在以下情况下使用图8所示的实施例，在该情况中，对于电容器830A、830B和830C以及顶结构824各异的热膨胀系数(CTE)使得在测试和/或现场使用期间电容器830A、830B和830C会产生破裂和断开的情况。在一个实施例中，当热源是电子部件826的情况下，离开电子部件826和电容器830D和830E的距离是足够的，使得CTE的差异在测试和/或现场使用期间的影响是次要的。虽然在本揭示中描述了这里所提出的每幅图的替换实施例，但是还是应该注意，电容器30A、830B、830C、830D和830E或它们中之一，或它们的子组合可以具有类似于图2A所示电容器间隔231的电容器间隔。因此，不管给定的电容器是安装于衬底812上还是安装在顶结构824下侧，电容器都可以具有电容器间隔，使得电容器不直接与衬底和/或顶结构824下侧接触。电容器间隔考虑了更多的热膨胀差异，因为电容实质上是悬挂于较软的焊料中。
图9中示出了替换实施例，现在将描述。
图9是根据一实施例的又一系统910的正面剖视图。系统910涉及去耦电容器系统。系统910包括衬底912和包括电子部件926的顶结构924。系统910示出了电容器930A、930B、930C、930D和930E的组合。电容器930A、930B和930C置于顶结构924上，而电容器930D和930E置于衬底912上。在一个实施例中，电容器930B具有第一电容和第一响应时间。电容器930A和930C具有第二电容和第二响应时间。电容器930D和930E具有大于第一电容和第二电容的第三电容。在另一实施例中，电容器930D和930E具有慢于第一响应时间的第三响应时间。在另一实施例中，电容器930A和930C的响应时间慢于电容器930B但快于电容器930D和930E。因此，在一个实施例中，电容器930B具有最快的响应时间和最低的电容。
在以下情况下使用图9所示的实施例，在该情况中对于电容器930A、930B和930C以及顶结构824的热膨胀系数(CTE)差异没有大到足以引起测试和/或现场使用期间的破裂和断开情况。此外，在衬底912和顶结构924之间的区域内放置电容器930A、930B和930C尽量靠近电子部件926是该实施例的特点。示出了将电容器930D和930E置于衬底912上，但替换实施例包括将它们置于顶结构924上(未画出)。
另一实施例涉及在去耦电容器系统中形成电流回路的方法。根据各个实施例，该电流回路是不旋绕的。现参照图10描述该特点。
图10是根据一实施例的又一系统810的正面剖视图。系统1010具有单一的电流回路1064。系统1010包括衬底1012和包含电子部件1026的顶结构1024。根据一实施例，单一的电流回路1064从衬底1012的电源平面(未画出)出发。单一的电流回路1064向上通过电容器Vcc端子1032和电气凸起1014。接着，单一的电流回路1064通过顶结构1024进入电源平面(未画出)和/或电源(未画出)并进入电子部件1026。之后，单一的电流回路1064从电子部件1026穿出通过顶结构1024进入地平面(未画出)和/或地(未画出)。最后，单一的电流回路1064在电容器Vss端子1034和地电气凸起1038中终止并且它终结于衬底1012的地平面(未画出)。因此，与图11所示的回路64相比，该单一电流回路1064的实施例不是旋绕的。
在一个实施例中，电流回路形成单一的偏离回路，但它并不形成任何旋绕。图8是单一偏离电流回路864的例子。该单一偏离电流回路864向上通过电容器Vcc端子832和电气凸起814。接着，单一的偏离电流回路864通过顶结构824进入电源平面(未画出)和/或电源(未画出)并进入电子部件826。之后，单一的偏离电流回路864从电子部件826穿出通过顶结构824进入地平面(未画出)和/或地(未画出)。最后，单一的偏离电流回路864在电容器Vss端子834和地电气凸起838中终止并且它终结于衬底812的地平面(未画出)。因此，与图11所示的旋绕回路64相比，该单一偏离电流回路864的实施例也不是旋绕的。
还是应该注意，单一回路和单一偏离回路的每一个都短于传统技术中现有的电流回路。
图9示出了单一偏离电流回路964的另一实施例。该单一偏离电流回路964向上通过电容器Vcc端子932和电气凸起914。接着，单一的偏离电流回路964通过顶结构924进入电源平面(未画出)和/或电源(未画出)并进入电子部件926。之后，单一的偏离电流回路964从电子部件926穿出通过顶结构924进入地平面(未画出)和/或地(未画出)。最后，单一的偏离电流回路964在电容器Vss端子934和地电气凸起938中终止并且它终结于衬底912的地平面(未画出)。根据定义，该单一偏离电流回路964的实施例也不是旋绕的。
图12示出了根据一实施例的方法流程图1200。
在1210中，在电气第一凸起和电气第二凸起之间提供去耦电容器。
在1220中，在去耦电容器处响应部件瞬态。
在1230中，将电源电压Vcc从电容器向上传送到该部件。
在1240中，将地电压Vss从该部件向下送回电容器。
在一个实施例中，该方法如这里所示出的形成单一电流回路。在另一实施例中，该方法如这里所示出的形成单一偏离电流回路。
应该强调，提供的摘要符合37 C.F.R.§1.72(b)的规定，即摘要需使读者快速获取技术揭示的特点及要点。提交该摘要，应理解为并不用于解释或限制权利要求书的范围或含义。
在以上本发明的实施例详述中，为了简化描述的目的，在单个实施例中将各个特点组合在一起。这种描述方法不应解释为反映如下意思，即本发明所描述的实施例需要比每一权利要求中所描述的更多的特征。而是，如以下权利要求书所反映的，创造性主题的内容少于单个所揭示实施例的所有特征。这样，以下权利要求书就结合到本发明的实施例详述中，而每一权利要求独立地代表单个较佳实施例。
本领域的技术人员可以容易地理解，可对为了揭示本发明的特点而描述和示出的部分和方法步骤的细节、材料和设置作各种其他的变化，而并不离开所结合权利要求书表达的本发明的原理和范围。